模拟电子技术模拟试题二及答案.doc

1、模拟电子技术模拟试题二一、填空题（每空1分 共32分） 1、P型半导体中空穴为（ ）载流子，自由电子为（ ）载流子。 2、PN结正偏时（ ），反偏时（ ），所以PN结具有（ ）导电性。 3、反向电流是由（ ）载流子形成，其大小与（ ）有关，而与外加电压（ ）。 4、三极管是（ ）控制元件，场效应管是（ ）控制元件。5、当温度升高时，三极管的等电极电流I（ ），发射结压降UBE（ ）。 6、晶体三极管具有放大作用时，发射结（ ），集电结（ ）。 7、三极管放大电路共有三种组态（ ）、（ ）、（ ）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用（ ）负反馈，为了减小输出电阻采用（ ）负反

2、馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数Af=（ ），对于深度负反馈Af=（ ）。10、共模信号是大小（ ），极性（ ）的两个信号。11、乙类互补功放存在（ ）失真，可以利用（ ）类互补功放来克服。12、用低频信号去改变高频信号的频率称为（ ），低频信号称为（ ）信号，高频信号称高频（ ）。13、共基极放大电路的高频特性比共射极电路（ ），fa=（ ）f。14、要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有（ ）网络。15、在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是（ ）。二、选择题（每空2分 共30分） 1、三端集成稳压器CW7812的输出电压是（ ）。 A、12V B、5V C、9V 2、用直流电

3、压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（ ），该管是（ ）型。 A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（PNP） E、（NPN） 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ ）失真，下半周失真时为（ ）失真。 A、饱和 B、截止 C、交越 D、频率 4、差分放大电路是为了（ ）而设置的。 A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移 5、共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（ ）能力。 A、放大差模抑制共模 B、输入电阻高 C、输出电阻低 6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（ ）

4、之间变化。 A、020 B、20200 C、2001000 7、单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（ ）Uz A、0.45 B、0.9 C、1.2 8、当集成运放线性工作时，有两条分析依据（ ）（ ）。 A、U-U+ B、I-I+0 C、U0=Ui D、Au=1 9、对功率放大器的主要要求有（ ）（ ）（ ）。 A、U0高， B、P0大 C、效率高 D、Ri大 E、波形不失真 10、振荡器的输出信号最初由（ ）而来的。 A、基本放大器 B、选频网络 C、干扰或噪声信号 三、分析计算题 1、（6分）由理想运放构成的小信号交流放大电路如图示： 求：频带内电压放大倍数Auf（取整数）； 截

5、止频率fL； 2、（8分）已知：电路如图：t=0时，Uc（0-）=0，Ui=0.1V。求：U01t=10s时的U0？3、（10分）已知：电路如图示：Vcc=12V，RB1=40K，RB2=20K，Rc=RL=2K， RE=1.65K，UBEQ=0.7V，C1=C2=20uf，rbe=1.5K，=100，CE=10uf 求： ICQ UCEQ Au Ri R0（取小数点后1位） 4、（9分）已知：RC振荡电路如下图，R=7.9K，C=0.02uF，RF=10K，求：fo R1冷态电阻值； 指明R1的温度特性； 5、（7分）已知：电路如图示：IQ=5mA，R1=500，R2=1K； 求：输出电压U

6、0；试题二答案一、填空（每空1分 共32分）1、多数 少数2、导通 截止 单向3、少数 温度 无关4、电流 电压5、增加 减小6、正偏 反偏7、共射极 共集电极 共基极8、直流 电压9、A/1+AF 1/F10、相等 相同11、交越 甲乙12、调频 调制 高频载波13、好 1+14、正反馈15、2U2二、选择题（每空2分 共30分）1、A 2、C E 3、B A 4、C 5、A6、B 7、C 8、A B 9、B C E 10、C三、分析与计算题（共38分）1、1）-100 2）160Hz2、1）1.1V 2）1.1V3、1）2mA 2 ) 4.7V 3)-66.7 4）1.4K 5）2K4、1）1KHz 2）5 3）正温度导数5、 UO=20V