三极管的参数.docx

1、三极管的参数查看文章三极管常用参数2009-11-08 22:41三极管参数VCEO,基极开路,集电极发射极反向击穿电压。VCBO,发射极开路,集电极基极反向击穿电压。VEBO,J集电极开路,发射结反向击穿电压。VDSO, 漏源击穿电压。ICM,集电极最大允许电流。IDSM,最大漏源电流。PCM,集电极最大耗散功率。PDM,漏极最大耗散功率。IC,集电极电流。ID,漏极电流。hFE,共发射极静态放大倍数。gm,低频跨导,场效应管栅极电压对漏极电流的控制能力。fT,特征频率。td,延迟时间。tf,下降时间。一、半导体二极管参数符号及其意义CT-势垒电容Cj-结（极间）电容， 表示在二极管两端加规

2、定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv-偏压结电容Co-零偏压电容Cjo-零偏压结电容Cjo/Cjn-结电容变化Cs-管壳电容或封装电容Ct-总电容CTV-电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC-电容温度系数Cvn-标称电容IF-正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）-正向平均电流IFM（IM）-正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率

3、下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。IH-恒定电流、维持电流。Ii- 发光二极管起辉电流IFRM-正向重复峰值电流IFSM-正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io-整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)-正向过载电流IL-光电流或稳流二极管极限电流ID-暗电流IB2-单结晶体管中的基极调制电流IEM-发射极峰值电流IEB10-双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20-双基极单结晶体管中发射极向电流ICM-最大输出平均电流IFMP-正向脉冲电流IP-峰点电流IV-谷点电流IGT-晶闸管控制极触发电流IGD-晶闸管控制极不触发电流

4、IGFM-控制极正向峰值电流IR（AV）-反向平均电流IR（In）-反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。IRM-反向峰值电流IRR-晶闸管反向重复平均电流IDR-晶闸管断态平均重复电流IRRM-反向重复峰值电流IRSM-反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）Irp-反向恢复电流Iz-稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流Izk-稳压管膝点电流IOM-最大正

5、向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM-稳压二极管浪涌电流IZM-最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF-正向总瞬时电流iR-反向总瞬时电流ir-反向恢复电流Iop-工作电流Is-稳流二极管稳定电流f-频率n-电容变化指数；电容比Q-优值（品质因素）vz-稳压管电压漂移di/dt-通态电流临界上升率dv/dt-通态电压临界上升率PB-承受脉冲烧毁功率PFT（AV）-正向导通平均耗散功率PFTM-正向峰值耗散功率PFT-正向导通总瞬时耗散功率Pd-耗散功率PG-门极平均功率PGM-

6、门极峰值功率PC-控制极平均功率或集电极耗散功率Pi-输入功率PK-最大开关功率PM-额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率PMP-最大漏过脉冲功率PMS-最大承受脉冲功率Po-输出功率PR-反向浪涌功率Ptot-总耗散功率Pomax-最大输出功率Psc-连续输出功率PSM-不重复浪涌功率PZM-最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率RF（r）-正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量V，正向电流相应增加I，则V/I称微分电阻RBB-双基极晶体管的基极间电阻RE-射频电阻RL-负载电阻Rs(r

7、s)-串联电阻Rth-热阻R(th)ja-结到环境的热阻Rz(ru)-动态电阻R(th)jc-结到壳的热阻r -衰减电阻r(th)-瞬态电阻Ta-环境温度Tc-壳温td-延迟时间tf-下降时间tfr-正向恢复时间tg-电路换向关断时间tgt-门极控制极开通时间Tj-结温Tjm-最高结温ton-开通时间toff-关断时间tr-上升时间trr-反向恢复时间ts-存储时间tstg-温度补偿二极管的贮成温度a-温度系数p-发光峰值波长 -光谱半宽度-单结晶体管分压比或效率VB-反向峰值击穿电压Vc-整流输入电压VB2B1-基极间电压VBE10-发射极与第一基极反向电压VEB-饱和压降VFM-最大正向压

8、降（正向峰值电压）VF-正向压降（正向直流电压）VF-正向压降差VDRM-断态重复峰值电压VGT-门极触发电压VGD-门极不触发电压VGFM-门极正向峰值电压VGRM-门极反向峰值电压VF（AV）-正向平均电压Vo-交流输入电压VOM-最大输出平均电压Vop-工作电压Vn-中心电压Vp-峰点电压VR-反向工作电压（反向直流电压）VRM-反向峰值电压（最高测试电压）V（BR）-击穿电压Vth-阀电压（门限电压）VRRM-反向重复峰值电压（反向浪涌电压）VRWM-反向工作峰值电压V v-谷点电压Vz-稳定电压Vz-稳压范围电压增量Vs-通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压av-电压温度系数Vk

9、-膝点电压（稳流二极管）VL -极限电压二、双极型晶体管参数符号及其意义Cc-集电极电容Ccb-集电极与基极间电容Cce-发射极接地输出电容Ci-输入电容Cib-共基极输入电容Cie-共发射极输入电容Cies-共发射极短路输入电容Cieo-共发射极开路输入电容Cn-中和电容（外电路参数）Co-输出电容Cob-共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容Coe-共发射极输出电容Coeo-共发射极开路输出电容Cre-共发射极反馈电容Cic-集电结势垒电容CL-负载电容（外电路参数）Cp-并联电容（外电路参数）BVcbo-发射极开路，集电极与基极间击穿电压BVceo-基极开路，CE结击穿电压

10、BVebo- 集电极开路EB结击穿电压BVces-基极与发射极短路CE结击穿电压BV cer-基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压D-占空比fT-特征频率fmax-最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率hFE-共发射极静态电流放大系数hIE-共发射极静态输入阻抗hOE-共发射极静态输出电导h RE-共发射极静态电压反馈系数hie-共发射极小信号短路输入阻抗hre-共发射极小信号开路电压反馈系数hfe-共发射极小信号短路电压放大系数hoe-共发射极小信号开路输出导纳IB-基极直流电流或交流电流的平均值Ic-集电极直流电流或交流电流的平均值IE-发射极直流电流或交流电流的平均值Icbo

11、-基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流Iceo-发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流Iebo-基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流Icer-基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流Ices-发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流Icex-发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流ICM

12、-集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。IBM-在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值ICMP-集电极最大允许脉冲电流ISB-二次击穿电流IAGC-正向自动控制电流Pc-集电极耗散功率PCM-集电极最大允许耗散功率Pi-输入功率Po-输出功率Posc-振荡功率Pn-噪声功率Ptot-总耗散功率ESB-二次击穿能量rbb-基区扩展电阻（基区本征电阻）rbbCc-基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积rie-发射极接地，交流输出短路时的输入电阻roe-发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电

13、阻RE-外接发射极电阻（外电路参数）RB-外接基极电阻（外电路参数）Rc -外接集电极电阻（外电路参数）RBE-外接基极-发射极间电阻（外电路参数）RL-负载电阻（外电路参数）RG-信号源内阻Rth-热阻Ta-环境温度Tc-管壳温度Ts-结温Tjm-最大允许结温Tstg-贮存温度td-延迟时间tr-上升时间ts-存贮时间tf-下降时间ton-开通时间toff-关断时间VCB-集电极-基极（直流）电压VCE-集电极-发射极（直流）电压VBE-基极发射极（直流）电压VCBO-基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压VEBO-基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条

14、件下的最高耐压VCEO-发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压VCER-发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压VCES-发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压VCEX-发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压Vp-穿通电压。VSB-二次击穿电压VBB-基极（直流）电源电压（外电路参数）Vcc-集电极（直流）电源电压（外电路参数）VEE-发射极（直流）电源电压（外电路参数）VCE(sat)-发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降VBE(sat

15、)-发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）VAGC-正向自动增益控制电压Vn(p-p)-输入端等效噪声电压峰值V n-噪声电压Cj-结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv-偏压结电容Co-零偏压电容Cjo-零偏压结电容Cjo/Cjn-结电容变化Cs-管壳电容或封装电容Ct-总电容CTV-电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC-电容温度系数Cvn-标称电容IF-正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续

16、通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）-正向平均电流IFM（IM）-正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。IH-恒定电流、维持电流。Ii- 发光二极管起辉电流IFRM-正向重复峰值电流IFSM-正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io-整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)-正向过载电流IL-光电流或稳流二极管极限电流ID-暗电流IB2-单结晶体管中的基极调制电流IEM-发射极峰值电流IEB10-双基极单结晶体管中发

17、射极与第一基极间反向电流IEB20-双基极单结晶体管中发射极向电流ICM-最大输出平均电流IFMP-正向脉冲电流IP-峰点电流IV-谷点电流IGT-晶闸管控制极触发电流IGD-晶闸管控制极不触发电流IGFM-控制极正向峰值电流IR（AV）-反向平均电流IR（In）-反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。IRM-反向峰值电流IRR-晶闸管反向重复平均电流IDR-晶闸管断态平均重复

18、电流IRRM-反向重复峰值电流IRSM-反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）Irp-反向恢复电流Iz-稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流Izk-稳压管膝点电流IOM-最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM-稳压二极管浪涌电流IZM-最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF-正向总瞬时电流iR-反向总瞬时电流ir-反向恢复电流Iop-工作电流Is-稳流二极管稳定电流f-频率n-电容变化指数；电容比Q-优值（品质因素）vz-稳压管电压漂移di/dt-通态

19、电流临界上升率dv/dt-通态电压临界上升率PB-承受脉冲烧毁功率PFT（AV）-正向导通平均耗散功率PFTM-正向峰值耗散功率PFT-正向导通总瞬时耗散功率Pd-耗散功率PG-门极平均功率PGM-门极峰值功率PC-控制极平均功率或集电极耗散功率Pi-输入功率PK-最大开关功率PM-额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率PMP-最大漏过脉冲功率PMS-最大承受脉冲功率Po-输出功率PR-反向浪涌功率Ptot-总耗散功率Pomax-最大输出功率Psc-连续输出功率PSM-不重复浪涌功率PZM-最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率RF（r）-正向微分电阻。在

20、正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量V，正向电流相应增加I，则V/I称微分电阻RBB-双基极晶体管的基极间电阻RE-射频电阻RL-负载电阻Rs(rs)-串联电阻Rth-热阻R(th)ja-结到环境的热阻Rz(ru)-动态电阻R(th)jc-结到壳的热阻r -衰减电阻r(th)-瞬态电阻Ta-环境温度Tc-壳温td-延迟时间tf-下降时间tfr-正向恢复时间tg-电路换向关断时间tgt-门极控制极开通时间Tj-结温Tjm-最高结温ton-开通时间toff-关断时间tr-上升时间trr-反向恢复时间ts-存储时间tstg-温度补偿二极管的贮成温度

21、a-温度系数p-发光峰值波长 -光谱半宽度-单结晶体管分压比或效率VB-反向峰值击穿电压Vc-整流输入电压VB2B1-基极间电压VBE10-发射极与第一基极反向电压VEB-饱和压降VFM-最大正向压降（正向峰值电压）VF-正向压降（正向直流电压）VF-正向压降差VDRM-断态重复峰值电压VGT-门极触发电压VGD-门极不触发电压VGFM-门极正向峰值电压VGRM-门极反向峰值电压VF（AV）-正向平均电压Vo-交流输入电压VOM-最大输出平均电压Vop-工作电压Vn-中心电压Vp-峰点电压VR-反向工作电压（反向直流电压）VRM-反向峰值电压（最高测试电压）V（BR）-击穿电压Vth-阀电压（

22、门限电压）VRRM-反向重复峰值电压（反向浪涌电压）VRWM-反向工作峰值电压V v-谷点电压Vz-稳定电压Vz-稳压范围电压增量Vs-通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压av-电压温度系数Vk-膝点电压（稳流二极管）VL -极限电压三、场效应管参数符号意义Cds-漏-源电容Cdu-漏-衬底电容Cgd-栅-源电容Cgs-漏-源电容Ciss-栅短路共源输入电容Coss-栅短路共源输出电容Crss-栅短路共源反向传输电容D-占空比（占空系数，外电路参数）di/dt-电流上升率（外电路参数）dv/dt-电压上升率（外电路参数）ID-漏极电流（直流）IDM-漏极脉冲电流ID(on)-通态漏极电流I

23、DQ-静态漏极电流（射频功率管）IDS-漏源电流IDSM-最大漏源电流IDSS-栅-源短路时，漏极电流IDS(sat)-沟道饱和电流（漏源饱和电流）IG-栅极电流（直流）IGF-正向栅电流IGR-反向栅电流IGDO-源极开路时，截止栅电流IGSO-漏极开路时，截止栅电流IGM-栅极脉冲电流IGP-栅极峰值电流IF-二极管正向电流IGSS-漏极短路时截止栅电流IDSS1-对管第一管漏源饱和电流IDSS2-对管第二管漏源饱和电流Iu-衬底电流Ipr-电流脉冲峰值（外电路参数）gfs-正向跨导Gp-功率增益Gps-共源极中和高频功率增益GpG-共栅极中和高频功率增益GPD-共漏极中和高频功率增益gg

24、d-栅漏电导gds-漏源电导K-失调电压温度系数Ku-传输系数L-负载电感（外电路参数）LD-漏极电感Ls-源极电感rDS-漏源电阻rDS(on)-漏源通态电阻rDS(of)-漏源断态电阻rGD-栅漏电阻rGS-栅源电阻Rg-栅极外接电阻（外电路参数）RL-负载电阻（外电路参数）R(th)jc-结壳热阻R(th)ja-结环热阻PD-漏极耗散功率PDM-漏极最大允许耗散功率PIN-输入功率POUT-输出功率PPK-脉冲功率峰值（外电路参数）to(on)-开通延迟时间td(off)-关断延迟时间ti-上升时间ton-开通时间toff-关断时间tf-下降时间trr-反向恢复时间Tj-结温Tjm-最大

25、允许结温Ta-环境温度Tc-管壳温度Tstg-贮成温度VDS-漏源电压（直流）VGS-栅源电压（直流）VGSF-正向栅源电压（直流）VGSR-反向栅源电压（直流）VDD-漏极（直流）电源电压（外电路参数）VGG-栅极（直流）电源电压（外电路参数）Vss-源极（直流）电源电压（外电路参数）VGS(th)-开启电压或阀电压V（BR）DSS-漏源击穿电压V（BR）GSS-漏源短路时栅源击穿电压VDS(on)-漏源通态电压VDS(sat)-漏源饱和电压VGD-栅漏电压（直流）Vsu-源衬底电压（直流）VDu-漏衬底电压（直流）VGu-栅衬底电压（直流）Zo-驱动源内阻-漏极效率（射频功率管）Vn-噪声

26、电压aID-漏极电流温度系数ards-漏源电阻温度系数三极管的主要参数类别：行业知识 发布时间：2008-1-24阅读：902三极管的主要参数 1、直流参数 （1）集电极一基极反向饱和电流Icbo，发射极开路（Ie=0)时，基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流，它只与温度有关，在一定温度下是个常数，所以称为集电极一基极的反向饱和电流。良好的三极管，Icbo很小，小功率锗管的Icbo约为110微安，大功率锗管的Icbo可达数毫安，而硅管的Icbo则非常小，是毫微安级。 （2）集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流）基极开路（Ib=0）时，集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流。Iceo大约是Icbo的倍即Iceo=(1+)IcbooIcbo和Iceo受温度影响极大，它们是衡量管子热稳定性的重要参数，其值越小，性能越稳定，小功率锗管的Iceo比硅管大。 （3）发射极-基极反向电流Iebo集电极开路时，在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流，它实际上是发射结的反向饱和电流。 （4）直流电流放大系数1（或hEF）这是指共发射接法，没有交流信号输入时，集电极输出的直流电流