SEM扫描电子显微镜原理与应用课件.ppt

1、2023/5/28,SEM,1,扫描电子显微镜,引言电子与固体试样的交互作用扫描电镜结构原理表面形貌衬度原理与应用原子序数衬度原理与应用扫描电镜的主要特点,2023/5/28,SEM,2,扫描电子显微镜的简称为扫描电镜，英文缩写为SEM(Scanning Electron Microscope)。它是用细聚焦的电子束轰击样品表面，通过电子与样品相互作用产生的二次电子、背散射电子等对样品表面或断口形貌进行观察和分析。现在SEM都与能谱（EDS）组合，可以进行成分分析。所以，SEM也是显微结构分析的主要仪器，已广泛用于材料、冶金、矿物、生物学等领域。,引言,2023/5/28,SEM,3,电子与固

2、体试样的交互作用,一束细聚焦的电子束轰击试样表面时，入射电子与试样的原子核和核外电子将产生弹性或非弹性散射作用，并激发出反映试样形貌、结构和组成的各种信息，有：二次电子、背散射电子、阴极发光、特征X 射线、俄歇过程和俄歇电子、吸收电子、透射电子等。,2023/5/28,SEM,4,样品,入射电子,Auger电子,阴极发光,背散射电子,二次电子,X射线,透射电子,2023/5/28,SEM,5,一、背散射电子背散射电子是被固体样品中的原于反弹回来的一部分入射电子。弹性背散射电于是指被样品中原于核反弹回来的，散射角大于90度的那些入射电子，其能量没有损失。非弹性背散射电子是入射电子和样品核外电子撞

3、击后产生的非弹性散射，不仅方向改变，能量也不同程度的损失。如果逸出样品表面，就形成非弹性背散射电子。可进行微区成分定性分析,2023/5/28,SEM,6,二、二次电子二次电子是指在入射电子束作用下被轰击出来并离开样品表面的样品的核外层电子。二次电子的能量较低，一般都不超过50 ev。大多数二次电子只带有几个电子伏的能量。二次电子一般都是在表层5-10 nm深度范围内发射出来的，它对样品的表面形貌十分敏感，因此，能非常有效地显示样品的表面形貌。不能进行微区成分分析,2023/5/28,SEM,7,三、吸收电子入射电子进人样品后，经多次非弹性散射能量损失殆尽,最后被样品吸收。当电子束入射一个多元

4、素的样品表面时，则产生背散射电子较多的部位(原子序数大)其吸收电子的数量就较少。可进行微区成分定性分析。,2023/5/28,SEM,8,四、透射电子如果被分析的样品很薄那么就会有一部分入射电子穿过薄样品而成为透射电子。它含有能量和入射电子相当的弹性散射电子，还有各种不同能量损失的非弹性散射电子。可进行微区成份定性分析,2023/5/28,SEM,9,五、特征射线当样品原子的内层电子被入射电子激发，原子就会处于能量较高的激发状态，此时外层电子将向内层跃迁以填补内层电子的空缺，从而使具有特征能量的射线释放出来。用射线探测器测到样品微区中存在一种特征波长，就可以判定这个微区中存在着相应的元素。,2

5、023/5/28,SEM,10,六、俄歇电子在特征x射线过程中，如果在原子内层电子能级跃迁过程中释放出来的能量并不以X射线的形式发射出去，而是用这部分能量把空位层内的另个电子发射出去，这个被电离出来的电子称为。俄歇电子能量各有特征值，能量很低，一般为50-1500eV.俄歇电子的平均白由程很小(1nm左右).只有在距离表面层1nm左右范围内(即几个原子层厚度)逸出的俄歇电子才具备特征能量，因此俄歇电子特别适用于表面层的成分分析。,2023/5/28,SEM,11,扫描电镜结构原理框图,扫描电镜结构 电子光学系统，信号收集处理、图像显示和记录系统，真空系统，三部分组成,扫描电镜结构原理,2023

6、/5/28,SEM,12,、电子光学系统：电子枪 电磁透镜（个强磁个弱磁）可使原来50m电子束斑聚焦为6nm。扫描线圈 样品室,2023/5/28,SEM,13,、电子光学系统：,样品室探测器,2023/5/28,SEM,14,、信号收集处理、图像显示和记录系统二次电子、背散射电子和透射电子的信号都可采用闪烁计数器来进行检测。信号电子进入闪烁体后即引起电离，当离子和自由电子复合后就产生可见光。可见光信号通过光导管送入光电倍增器，光信号放大，又转化成电流信号输出，电流信号经视频放大器放大后就成为调制信号。因此样品上各点的状态各不相同，所以接收到的信号也不相同，于是就可以在显像管上看到一幅反映试样

7、各点状态的扫描电子显微图像。,2023/5/28,SEM,15,、真空系统是为了保证扫描电子显微镜电子光学系统的正常工作。防止样品的污染；保持灯丝寿命；避免极间放电等问题。真空度一般在1.3310-21.3310-3Pa，即可满足要求。,2023/5/28,SEM,16,LS-780型扫描电镜外观,2023/5/28,SEM,17,表面形貌衬度原理及应用,二次电子成像原理二次电子形貌衬度应用,2023/5/28,SEM,18,样品表面和电子束相对位置与二次电子产额之间的关系,一、二次电子成像原理,2023/5/28,SEM,19,二次电子的产额 K/cos K为常数，为入射电子与样品表面法线之

8、间的夹角。角越大，二次电子产额越高，这表明二次电子对样品表面状态非常敏感。,2023/5/28,SEM,20,形貌衬度原理,2023/5/28,SEM,21,小颗粒,尖端,侧面,凹槽,实际样品中二次电子的激发过程示意图,2023/5/28,SEM,22,Al2O3试样形貌像 2200,抛光面,二、二次电子形貌衬度应用示例,2023/5/28,SEM,23,断口分析,功能陶瓷沿晶断口的二次电子像，断裂均沿晶界发生，有晶粒拔出现象，晶粒表面光滑，还可以看到明显的晶界相。,2023/5/28,SEM,24,钛酸铋钠粉体的六面体形貌 20000,粉体形貌观察,PZT粉体的形貌 20000,2023/5

9、/28,SEM,25,其它,2023/5/28,SEM,26,牙釉质表面形貌（酸蚀前）牙釉质表面形貌（酸蚀后）,2023/5/28,SEM,27,原子序数衬度原理及应用,背散射电子成像吸收电子的成像,2023/5/28,SEM,28,一、背散射电子成像,用背散射电子信号进行形貌分析，其分辨率远比二次电子低，因为背散射电子是在一个较大的作用体积内被入射电子激发出来的，成像单元变大是分辨率降低的原因。背散射电子的能量很高，它们以直线轨迹逸出样品表面，对于背向检测器的样品表面，因检测器无法收集到背散射电子而变成一片阴影，因此在图像上显示出很强的衬度。,形貌衬度特点,2023/5/28,SEM,29,

10、一、背散射电子成像,2023/5/28,SEM,30,一、背散射电子成像,可以将背散射成像与二次电子成像结合使用，这样图像层次(景深)增加，细节清楚。,带有凹坑样品的扫描电镜照片,2023/5/28,SEM,31,一、背散射电子成像,在原子序数Z小于40的范围内，背散射电子的产额对原子序数十分敏感。,原子序数衬度原理,原子序数对背散射电子产额的影响,2023/5/28,SEM,32,一、背散射电子成像,因此，在进行分析时，样品上原子序数较高的区域中由于收集到的背散射电子数量较多，故荧光屏上的图像较亮。利用原子序数造成的衬度变化可以对各种金属和合金进行定性的成分分析。样品中重元素区域相对于图像上

11、是亮区，而轻元素区域则为暗区,原子序数衬度原理,2023/5/28,SEM,33,一、背散射电子成像,ZrO2-Al2O3-SiO2系耐火材料的背散射电子成分像，1000,由于ZrO2相平均原子序数远高于Al2O3相和SiO2 相，所以图中白色相为斜锆石，小的白色粒状斜锆石与灰色莫来石混合区为莫来石斜锆石共析体，基体灰色相为莫来石。,2023/5/28,SEM,34,二、吸收电子成像,吸收电子的产额与背散射电子相反，样品的原子序数越小，背散射电子越少吸收电子越多，反之样品的原子序数越大，则背散射电子越多，吸收电子越少。因此，吸收电子像的衬度是与背散射电子和二次电子像的衬度互补的。背散射电子图像

12、上的亮区在相应的吸收电子图像上必定是暗区。,2023/5/28,SEM,35,二、吸收电子成像,铁素体基体球墨铸铁拉伸断口的背散射电子像和吸收电子像,背散射电子像，黑色团状物为石墨,吸收电子像，白色团状物为石墨,2023/5/28,SEM,36,扫描电镜的主要特点,分辨率高放大倍率高（M=Ac/As）景深D大（Ds 2R0/）保真度好样品制备简单,2023/5/28,SEM,37,一、分辨率高,扫描电子显微镜分辨率的高低和检测信号的种类有关。主要信号的分辨率如下表：,2023/5/28,SEM,38,由左图知，俄歇电子和二次电子因其本身能量较低以及平均自由程很短，只能在样品的浅层表面内逸出，在

13、一段情况下能激发出俄歇电子的样品表层厚度约为0.5-2nm，激发二次电子的层深为5-10nm范围。入射电子束进入浅层表面时，尚未向横向扩展开来，因此,俄歇电子和二次电子只能在一个和入射电子束斑直径相当的圆住体内被激发出来。因为束斑直径就是一个成像检测单元(像点)的大小，所以这两种电子的分辨率就相当子束斑的直径。约为5-10nm。,电子束的滴状作用体积示意图,2023/5/28,SEM,39,当入射电子束进入样品较深部位时，横向扩展的范围变大，从这个范围中激发出来的背散射电子能量很高，它们可以从样品的较探部位处弹射出表面，横向扩展后的作用体积大小就是背散射电子的成像单元，从而使它的分辨率大为降低

14、。入射电子束还可以在样品更深的部位激发出特征X射线来。X射线的作用体积变得更大，因此，若用X射线调制成像，它的分辨率比背散射电子更低。所谓扫描电子显微镜的分辨率，即二次电子像的分辨率。,电子束的滴状作用体积示意图,2023/5/28,SEM,40,不同能量的电子束在样品中的作用模拟图,2023/5/28,SEM,41,电子束在不同样品中的作用模拟图,2023/5/28,SEM,42,但是，当电子束射入重元素样品中时，作用体积不呈滴状，而是半球状。电子束进入表面后立即向横向扩展，因此在分析重元素时，即使电子束的束斑很细小，也不能达到较高的分辨率。此时，二次电子的分辨率和背散射电子的分辨宰之间的差

15、距明显变小。由此可见，在其它条件相同的情况下(如信号噪音比、磁场条件及机械振动等)，电子束的束斑大小、检测信号的类型以及检测部位的原子序数是影响扫描电子显微镜分辨率的三大因素。,2023/5/28,SEM,43,目前用W灯丝的SEM，分辨率已达到3nm-6nm,场发射源SEM分辨率可达到1nm。高分辨率的电子束直径要小，分辨率与电子束直径近似相等。,2023/5/28,SEM,44,二、放大倍数高,当入射电子束作光栅扫描时，若电子束在样品表面扫描的幅度为As，相应地在荧光屏上阴极射线同步扫描的幅度是Ac。则：放大倍数=Ac/As。由于显微镜的荧光屏尺寸是固定不变，电子束在样品上扫描一个任意面积

16、的矩形时，在阴极射线管上看到的扫描图像大小都会和荧光屏尺寸相同。因此我们只要减小镜筒中电子束的扫描幅度，就可以得到高的放大倍数，反之，放大倍数就减小。例如荧光屏的宽度Ac 100mm时，电子束在样品表面扫描幅度As=0.005mm(5m)，放大倍数为20000倍。,2023/5/28,SEM,45,从几十放大到几十万倍，连续可调。放大倍率不是越大越好，要根据有效放大倍率和分析样品的需要进行选择。如果放大倍率为M，人眼分辨率为0.2mm，仪器分辨率为5nm，则有效放大率M0.2106nm5nm=40000（倍）。如果选择高于40000倍的放大倍率，不会增加图像细节，只是虚放，一般无实际意义。,二

17、、放大倍数高,2023/5/28,SEM,46,景深D大,景深是指透镜对高低不平的试样各部位能同时聚焦成像的一个能力范围，这个范围用一段距离来表示。如图为电子束孔径角。可见，电子束孔径角是控制扫描电子显微镜景深的主要因素，它取决于末级透镜的光阑直径和工作距离。角很小（约10-3 rad），所以它的景深很大。它比一般光学显微镜景深大100-500倍，比透射电子显微镜的景深大10倍。,2023/5/28,SEM,47,多孔SiC陶瓷的二次电子像,2023/5/28,SEM,48,保真度好,样品通常不需要作任何处理即可以直接进行观察，所以不会由于制样原因而产生假象。这对断口的失效分析特别重要。,2023/5/28,SEM,49,样品制备简单,样品可以是自然面、断口、块状、粉体、反光及透光光片，对不导电的样品只需蒸镀一层20nm的导电膜。另外，现在许多SEM具有图像处理和图像分析功能。有的SEM加入附件后，能进行加热、冷却、拉伸及弯曲等动态过程的观察。,2023/5/28,SEM,50,THANKS,