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1、LED复习资料二_LED.PPT1、什么是半导体照明（固态照明），半导体照明是第几代照明光源，又是第几代电光源？ （1）用半导体材料制作白光LED称为固态照明。 （2）第四代 （3）第三代2、LED产业的上游、中游和下游各做哪些工作？ （1）上游：材料生长、结构设计；（2）中游：芯片制备；（3）下游：封装。3、什么是等电子中心(等电子陷阱)？什么的材料的发光是基于这种物理效应？ （1）等电子中心指半导体中的一种深能级杂质产生的一种特殊的束缚态，有时在禁带中可产生起陷阱作用的深能级，故又称为“等电子陷阱”。 （2）GaP系和GaAsP系是基于这种物理效应。4、半导体材料能制作成发光芯片的要求和性

2、能提升的原因是什么？ （1）要求：制作低缺陷的高质量薄膜；控制p型和n型的电子传导性；制作高效的发光结构。 （2）原因：材料生长的改进；掺杂的改进；结构的改进。（pn结-异质结-双异质结-量子阱）5、目前， AlGaAs （填材料）适用于高亮度红光和红外LED。AlGaInP 适用于高亮度红、橙、黄及黄绿LED。 GaInN 适用于高亮度深绿、蓝、紫和紫外LED。三_LED.PPT1、在半导体中电子分布须遵循哪些基本原则和规则？ （1）最低能量原理：先填充低能级轨道，使原子系统能量最低； （2）泡利不相容原理：每个轨道最多容纳两个自旋相反的两个电子； （3）洪德规则：能级简并的轨道上，电子尽可

3、能自旋平行地分占不同的轨道；全填满、半填满和全空状态比较稳定。2、直接带隙和间接带隙半导体有哪些区别？并分别给出一个实际的例子。 （1）直接带隙：(a)价带极大值和导带极小值都位于k空间的原点;(b)价带的电子跃迁到导带时，只要求能量的改变，而电子的准动量不发生变化，称为直接跃迁(c)直接跃迁对应的半导体材料称为直接禁带半导体。 例子：GaAs，GaN，ZnO （2）间接带隙：(a)价带的极大值和导带的极小值不位于k空间的原点上;(b)价带的电子跃迁到导带时，不仅要求电子的能量要改变，电子的准动量也要改变，称为间接跃迁;(c)间接跃迁对应的半导体材料称为间接禁带半导体。 例子：Si，Ge3、什

4、么是直接跃迁和间接跃迁？他们有哪些区别？ （1）价电子跃迁到导带时只要求能量改变而准动量不变，称为直接跃迁； 价电子跃迁到导带时，能量和准动量同时发生变化，称为间接跃迁。 （2）区别：(a)间接跃迁准动量也发生变化； (b)单纯的光跃迁过程是直接跃迁，效率高； (c)间接跃迁必须有声子参与，使能量守恒，故发生概率要小的多。4、电子和空穴在允带能级上的分布遵守费米狄拉克分布。能量为E能级电子占据的几率为 。1、白炽灯的发光效率是815 lm/ W左右，普通T-8卤素荧光灯光效可达40lm/ W，T-5高效荧光灯可以达到 80 lm/ W ，LED光效可达200lm/w。2、电子和空穴复合可分为二

5、类：一是伴随着光的辐射的复合，称为：辐射复合。一类是不伴随光的辐射，称为非辐射复合 。3、两种发光的复合，一种发射的光是多方向的，称为自发辐射，一种发射的光方向一致，称为受激辐射。4、电致发光的定义？ 答：是某些物质受到外界电场作用而发光，也就是电能转化为光能的过程。5、LED芯片的基本结构包含哪些功能层（用示意图表示），各功能层的具体作用是什么？ 答：衬 底：支撑成长的单晶薄膜，厚度约300500um； 掺 杂：掺入P（N）型材料，改变磊晶层中主要导电载流子空穴（电子）的浓度； 发光层：发光区，电子与空穴结合； 缓冲层：缓冲外延层与衬底之间因晶格差异造成的缺陷。（图p35_ppt）6、用能带

6、理论解释LED发光的基本原理。并给出相应的能带图。并说明LED的发光波长是由什么决定的，给出相应的数学表达式。 答：能带解释：半导体中的电子能态分为导带与价带，二者之间由禁带隔开。处于导带中的电子可自由移动，称为自由电子；处于价带中的电子称为价电子，不能移动。当价电子得到足够的能量离开价带时就形成称为空穴的电子空位，空穴可以在价带中移动，形成电荷量为+e。当半导体中导带电子密度大于价带空穴密度，称为n型半导体，反之为p型。N型与p型接触，形成p_n结。 当对p_n结施加正向偏压时，由于势垒高度降低，价带空穴由p区注入结取，导带电子由n区注入结区，二者复合发光。发光波长由禁带宽度决定。（p47_

7、ppt）7、什么是双异质结？画出相应的能带示意图，它对LED有什么影响？为什么？ 答：由宽带隙的n型和p型半导体夹一层窄带隙半导体构造的，在激活区两侧两种半导体的交接层之间形成两个异质势垒，这种势垒的结构称为双异质结。（图p53_ppt） 影响：（1）提高载流子的注入效率，从而提高LED效率。 （2）中间一层的折射率通常较大，辐射的光不但强而且半宽较窄。8、什么是量子阱？量子阱LED有什么优势？ 答：由带宽不同的薄层材料交替生长在一起，而且窄带隙薄层被包夹在宽带隙材料中间的一种微结构，其中窄带隙势阱层的厚度小于电子德布罗意波长，电子能级变成分立的量子化能级，该结构为量子阱结构。 优势：（1）阀

8、值电流降低；（2）可通过设计结构得到不同的波长。9、量子阱和超晶格有什么相同和不同？ 答：相同：均为两种或两种以上的半导体材料交替生长出的周期性薄层的微结构材料。 不同：多量子阱载流子波函数之间耦合很小，且势垒足够厚；超晶格势垒很薄，势垒间耦合强烈。10、什么是德布罗意波长？给出其表达式。 答：一切微观粒子都具有波粒二象性，具有质量m和速度vde 运动粒子也具有波动性，波长为普朗克常数与动量的比值，即11、试计算InGaN材料理论上的发光波长范围？解： 其理论上发光波长范围是3331689nm（将x=0和x=1分别代入）四LED.ppt1、RGB和CMYK指的是什么，分别给出每个字母代表的含义

9、？并简述他们的区别。 答：CMYK指的是印刷的彩色模式，cyan（青色）、magenta（品红色）、yellow(黄色)、black(黑色)；RGB是一种发光的色彩模式，red、green、blue。 区别：CMYK是一种依靠反光的色彩模式，需要外光源；只要在屏幕上显示的图像就是RGB模式的。2、什么是量子斯塔克效应？它如何实现白光LED？ 答：对原子使用强大的电厂可以改变电子所能吸收的光线波长，这种现象被称为斯塔克效应。要在原子中产生斯塔克效应，所需的电压非常之高以致无法在芯片中采用。但在一些细薄的材料中，可以产生一种强烈而敏感的斯塔克效应，被称为量子限制斯塔克效应，这发生于可以接受的电压下

10、。很多今日的高端电讯设备使用能产生这种效应的薄型材料来在光纤中传输数据。 当LED外延片存在内应力时，在量子阱内部产生电场，由于量子限制斯塔克效应辐射复合效率会降低，从而降低器件的内量子效应，我们可能观察到由于量子限制斯塔克效应引起的主波长红移。3、制作白光LED目前主流的有哪些方法？各有什么优缺点？目前主要采用的哪种方法？这种主流的方法有什么原理性的缺点？ 答：（1）在LED蓝光芯片上涂覆YAG黄绿荧光粉： 优点：相当简单，便于实现且效率高，资金投入不太大，因此具有一定的实用性。 缺点：是荧光粉与胶混合后，均匀性较难控制。由于荧光粉易沉淀，导致布胶不均匀、布胶量不好控制，因而造成出光均匀性差

11、、色调一致性不好、色温易偏离且显色性不够理想。 （2）紫外LED+RGB荧光粉： 优缺点：该种LED的显色性更好，但目前转换效率较高的红色和绿色荧光粉多为硫化物体系。这类荧光粉发光稳定性差、光衰较大，故还没批量使用。 （3）三基色合成白光（红、绿、蓝的比例通常是3： 6：1）： 优点：只要通过各色芯片的电流稳定、散热较好，那么这种方法产生的白光比上述产生的白光稳定且制作简单。 光衰问题：驱动方法要考虑到不同芯片的光衰不一样。采用不同的电流进行补偿，使之发出的光比例控制在3： 6：1。这样可以保持混合的白光稳定，从而达到理想的效果。 4、除了主流的制作白光LED的方法外，试举例说明其他的制作白光

12、LED的方法。 答：（1）利用隧道结制造；（2）利用量子斯塔克效应；（3）在蓝色LED上涂敷绿色和红色荧光粉；（4）用红、蓝、绿和黄四种芯片混出白光。五LED.PPT1、什么是荧光粉？固体发光的基本原理是什么？发光材料的发光机理包含哪三个基本过程？ 答： 所谓荧光粉是指那些可以吸收能量（这些所吸收的能量包括电磁波（含可见光、X射线、紫外线）、电子束或离子束、热、化学反应等），再经由能量转换后放出可见光的物质，也称之为荧光体或夜光粉。 固体发光原理：当某种物质受到诸如光的照射、外加电场或电子束轰击等激发后，只要该物质不会因此而发生化学变化，它总要回复到原来的平衡状态。在这个过程中，一部分多余的能

13、量会通过光或热的形式释放出来。如果这部分能量是以可见光或近可见光的电磁波形式发射出来的，就称这种现象为发光。 三个基本过程：激发；能量传递；发光。2、发光材料通常包含哪三种功能材料？他们分别起什么作用？ 答：基质、激活剂和敏化剂； 基质：某种绝缘体或半导体材料，形成基本的能带结构，对激发能量额吸收起决定性作用。 激活剂：掺杂进基质的离子或基团。通常是高效的发光中心（稀土离子、过度金属离子），在基质禁带中形成孤立能级系统，通过这些能级产生发光所需要的基态或激发态。 敏化剂：掺进基质的某种离子，起能量传递作用，使能量从吸收处传递到发光中心。3、发光材料有哪几种构成形式？ 答：（1）多晶或单晶形态的

14、基质材料和激活剂组成（发光中心）。也可掺入敏化剂。 （2）只有基质材料，利用某种本征缺陷作为发光中心。 （3）只有基质材料，利用本征激子态或带边电子态产生发光中心。4、固体发光一般有哪三种激发和发光过程？每一种激发和发光过程又包含哪些具体的发光形式？ 答：（1） 发光中心直接激发与发光（过程了解p11）：（a）. 自发发光；（b）. 受迫发光 （2） 基质激发发光：（a）. 直接落入发光中心激发态的发光；（b）. 浅陷阱能级俘获的电子产生的发光 ；（c）. 深能级俘获的电子产生的发光 。 （3） 激子吸收引起的激发和发光。5、什么是能量传递和能量输运？有哪几种机制？ 答：能量传递：能量传递是指

15、某一激发中心把激发能的全部或一部分转交给另一个中。 能量输运：能量输运是指借助电子、空穴、激子等的运动，把激发能从一个晶体的一处输运到另一处的过程。 机制：再吸收；共振传递；借助载流子的能量输运；激子的能量传输。1、荧光和磷光怎么区分？ 答：把物质在受激发时的发光称为荧光；把激发停止后的发光称为磷光。以10-8s为界，持续时间短于10-8s的发光为荧光，而把持续时间长于10-8s的发光称为磷光。2、第二代荧光粉卤粉，在荧光灯的应用中存在哪些缺点？什么是色心？ 答：（1） 发光光谱中缺少450nm以下蓝光和600nm以上红光，使灯的Ra值偏低。加入一定比例的蓝、红粉，Ra值可提高，但灯的光效又明

16、显下降。 （2） 在紫外线185nm作用下形成了色心，使灯的光衰较大。 色心： 在原来透明的晶体中产生光学吸收带的类原子缺陷和电子缺陷称为色心。3、三价稀土离子在晶体中的电子跃迁有哪几种方式？什么是f-f跃迁和f-d跃迁，它们各有什么特点？ 答：4f-4f和4f-5d之间的相互跃迁以及稀土离子与相邻阴离子间的电荷转移跃迁。 其中f-f跃迁是宇称禁戒的。但实际上可以观察到这些跃迁产生的光谱，这是由于在基质晶格内晶体环境的影响，这种禁戒会被部分解除或完全解除，使电子跃迁有可能实现。同时由于4f壳层电子被5s25p6壳层的8个电子包围，4f能级受外层电子轨道的屏蔽，使f-f跃迁的光谱受外界晶体场影响

17、较小，谱线表现为尖锐的吸收峰。 f-d跃迁是因为4f激发态能级的下限高于5d能级的下限而使电子跃迁到较高的5d能级而产生的电子跃迁。根据光谱选择定则，f-d电子跃迁是允许跃迁，吸收强度比f-f跃迁大四个数量级。4、什么是稀土荧光粉的激活发光和非激活发光？各有什么特点？ 答：（1）在高温下向基质中掺入激活剂出现杂质缺陷，由这种缺陷引起的发光叫激活发光。 特点：大部分发光材料都是属于激活型的，激活杂质即充当发光中心。 （2）由于发光材料基质的热歧化作用出现的结构缺陷所引起的发光叫做非激活发光(或叫自激活发光)。 特点：产生这种发光不需要添加激活杂质。5、稀土荧光粉有哪些优点？（p47） 答：（1）

18、 与一般元素相比，稀土元素4f电子层构型的特点，使其化合物具有多种荧光特性。（2）由于稀土元素4f电子处于内层轨道，受外层s和P轨道的有效屏蔽，很难受到外部环境的干扰，4f能级差极小，f-f跃迁呈现尖锐的线状光谱，发光的色纯度高。（3）荧光寿命跨越从纳秒到毫秒6个数量级。（4）吸收激发能量的能力强，转换效率高。（5）物理化学性质稳定，可承受大功率的电子束、高能辐射和强紫外光的作用。6、稀土荧光粉有哪些分类方式？ 答：（1）按发光材料中稀土的作用分类：(a). 稀土离子作为激活剂；(b). 稀土化合物作为基质材料。（2）应用范围： 照明材料、显示材料、检测材料等（3）激发方式：光致发光材料、阴极

19、射线发光材料、电致发光材料、高能量光子激发发光材料、光激励发光材料和热释发光材料等。7、凡是含有稀土元素的发光材料都称为稀土发光材料。在基质中作为发光中心而掺入的离子称为激活剂。1、荧光粉的一次特性有什么别称？包含哪些具体的特性？（p60） 答：别称：测试性能。 吸收光谱；激发光谱；发射光谱；量子效率；发光效率；余辉；粒度2、荧光粉的二次特性有什么别称？包含哪些具体的特性？ 答：别称：使用性能。 分散性： 荧光粉必须具有良好的分散性，才能得到均匀的涂层。 稳定性： 荧光粉的稳定性包括热稳定性、化学稳定性和耐紫外光辐照稳定性。 光衰特性：光衰特性指荧光粉的光输出随点燃时间而衰减的性质。3、什么是

20、荧光粉的吸收光谱，激发光谱，发射光谱，量子效率，发光效率和余辉？ 答： 吸收光谱：吸收光谱表示荧光粉吸收能量与辐照光波长的关系。 激发光谱： 荧光粉的激发光谱表示材料在某种波长光的激发下，发光强度随激发光波长的变化，反映不同波长的光对发光材料的激发效果。 发射光谱：荧光粉的发射光谱表示发光材料的发光能量与波长的关系。 量子效率：荧光粉所发射的光子数与所吸收的激发光子数的比值。 发光效率：荧光粉发光的光通量与激发能量之比。 余辉：荧光粉在激发停止后的发光。4、白光LED用荧光粉有哪些特殊要求？ 答：在蓝光、长波紫外光激发下，荧光粉产生高效的可见光发射，其发射光谱满足白光要求，光能转换率高，流明效

21、率高。 荧光粉的激发光谱应与LED芯片的蓝光或紫外光发射光谱相匹配。 荧光粉的发光应具备优良的温度猝灭特性。 荧光粉的物理、化学性能稳定，抗潮，不与封装材料、半导体芯片等发生作用。 荧光粉耐紫外光子长期轰击，性能稳定。 荧光粉的颗粒细，8um以下。5、什么是温度猝灭？发光材料发生热猝灭有哪些主要的原因？ 答：温度猝灭也称为热猝灭是指对于各种发光材料，随着温度的上升，其发光强度下降，发射光谱红移。 原因：主要两方面:一是由于温度的升高, 晶格振动加剧, 从而使发光中心的晶格弛豫增强, 无辐射跃迁几率增大, 发光效率降低, 这是人们通常所说的温度特性; 二是由于温度升高, 使发光中心的状态或周围的

22、微环境发生某种本质性变化, 从而降低了发光效率, 即人们通常所说的“热稳定性”。6、为什么荧光灯用久之后会变暗？ 答：各种商品荧光粉使用在荧光灯上由于长时间照射温度升高，发生温度猝灭，使其荧光性能越来越低，这就是为什么荧光灯用久之后会变暗的原因。1、通常采用的黄色荧光粉为铈激活的钇铝石榴石，化学分子式是(Y3-x-yGdy) (Al5-zGaz) O12: Ce3+x，也可以写成YAG: Ce，其中YAG为基质，Ce为激活剂。2、简述制备YAG荧光粉的方法。目前工业主要采用哪种方法？ 答：（1）高温固相法；（2）溶胶凝胶法（sol-gel）；（3）燃烧合成法；（4）喷雾热解法； （5）化学共沉

23、淀法。 目前主要采用高温固相法。3、为了改善白光LED的色度学质量，常采用稀土激活硫化物红色荧光材料和纯绿色 稀土激活的铝酸盐荧光粉。（p121）六LED.PPT1、简述LED发光管的制作流程。 答：（1）衬底材料生长或购买衬底；（2）LED结构MOCVD生长；（3）芯片加工；（4）芯片切割；（5）器件封装。2、常用的蓝绿光LED衬底有哪些，各有什么优缺点？ 答：（1）蓝宝石（Al2O3）：.(a) 生产技术成熟、器件质量较好 ; (b) 稳定性很好，能够运用在高温生长过程中; (c) 机械强度高，易于处理和清洗。 (d) 难加工。 （2）硅（Si）：硅是热的良导体，所以器件的导热性能可以明显

24、改善，从而延长了器件的寿命。硅的原材料丰富，工艺水平完善，具有价格优势。 （3）碳化硅（SiC）：优点：碳化硅的导热系数为490W/mK，要比蓝宝石衬底高出10倍以上。 缺点：碳化硅制造成本较高，实现其商业化还需要降低相应的成本。3、画出蓝宝石的切面视图，标注C面、A面、M面和R面，并指出晶面指数。（作业本）4、常用的蓝宝石衬底有哪些？各有什么特点? 答：（1）C-Plane蓝宝石基板：这是广大厂家普遍使用的供GaN生长的蓝宝石基板面，工艺成熟、成本相对较低、物化性能稳定,在C面进行磊晶的技术成熟稳定. （2）R-Plane或M-Plane蓝宝石基板：主要用来生长非极性/半极性面GaN外延薄膜

25、,以提高发光效率。通常在蓝宝石基板上制备的GaN外延膜是沿c轴生长的，而c轴是GaN的极性轴，导致GaN基器件有源层量子阱中出现很强的内建电场，发光效率会因此降低，发展非极性面GaN外延，克服这一物理现象，使发光效率提高。 （3）图案化蓝宝石基板(Pattern Sapphire Substrate简称PSS)：以成长(Growth)或蚀刻(Etching)的方式,在蓝宝石基板上设计制作出纳米级特定规则的微结构图案藉以控制LED之输出光形式，并可同时减少生长在蓝宝石基板上GaN之间的差排缺陷，改善磊晶质量，并提升LED内部量子效率、增加光萃取效率。1、目前，生长单晶硅的方法主要有直拉法、区熔法

26、和外延法。2、直拉法生长单晶硅要经过熔料、引晶、缩颈、放肩、等径生长和收尾六个阶段。七LED.PPT1、水平结构LED芯片和垂直结构LED芯片在结构上有什么区别？同水平结构LED芯片相比，垂直LED芯片有哪些优势？ 答：水平结构LED芯片的两个电极在LED芯片的同一侧，电流在n-和p-类型限制层中横向流动不等的距离。垂直结构的LED芯片的两个电极分别在LED外延层的两侧，由图形化电极和全部的p-类型限制层作为第二电极，使得电流几乎全部垂直流过LED外延层，极少横向流动的电流，可以改善平面结构的电流分布问题，提高发光效率，也可以解决P极的遮光问题，提升LED的发光面积。2、简述制作垂直LED芯片

27、的方法。 答：（1）采用碳化硅基板生长GaN薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。 （2）利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对LED表面进行处理以提高发光效率。 （3）采用异质基板如硅基板成长氮化镓LED磊晶层，优点是散热好、易加工。 1、什么是液相外延、气相外延和分子束外延？ 答：（1）液相外延（Liquid Phase Epitaxy）： 采用从溶液中再结晶原理的外延生长方法称液相外延; （2）气相外延（Vapor Phase Epitaxy）： 使化学气体中半导体成分结晶在衬底表面，从而生长出半导体层的过程； （3）分子束外延

28、（Molecular Beam Epitaxy）： 在超高真空条件下精确控制原材料的分子束强度，并使其在加热的基片上进行外延生长的一种技术。2、外延生长有哪些显著优点？ 答：（1） 外延生长中，外延层中的杂质浓度可以方便地通过控制反应气流中的杂质含量加以调节，而不依赖于衬底中的杂质种类与掺杂水平。 （2） 外延生长可以选择性的进行生长，不同材料的外延生长，不同成分的外延生长，这对于器件的制备尤为重要。 （3）一些半导体材料目前只能用外延生长来制备，如GaN.3、简述气相外延生长（VPE,vapor phase epitoxy）的原理。 答：是让生长原材料以气体或电浆粒子的形式传输至芯片表面，这

29、些粒子在失去部份的动能后被芯片表面晶格吸附 (Adsorb)，通常芯片会以热的形式提供能量给粒子，使其游移至晶格位置而凝结 (Condensation)。（在此同时粒子和晶格表面原子因吸收热能而脱离芯片表面称之为解离 ）4、简述化学气相沉积（CVD）的优点。 答：准确控制薄膜的组分和掺杂水平、可在复杂的衬底上沉积薄膜、不需要昂贵的真空设备、高温沉积可改善结晶完整性、可在大尺寸基片上沉积薄膜。1、什么是MOCVD（metal organic chemical vapor deposition）？它有哪些特点？ 答：是一个将特定的源材料通过一系列严格控制,传输到加热生长区，在此生长区，源材料热分解

30、后的元素化合形成具有一定光、电性能的晶体材料。 特点：（1）适应性强，可以生长大部分化合物半导体材料； （2）可通过精确控制各种气体的流量来控制外延层的组分，电学和光学性质； （3）可以生长原子级的超薄层以及多层、异质结构材料，超晶格，量子阱等微结构材料 （4）可生长大面积均匀薄膜，膜的均匀性和电学性重复性较好，易于产业化； （5）MOCVD介于LPE和MBE二者之间(速率、纯度)。2、在MOCVD中，基本的化学反应方程式是？ 答：ARn + BHn AB + nRHA、B是组成外延材料的元素， R是有机基团。 例： (CH3)3Ga(g)+AsH3(g)-GaAs(s)+3CH4(g) (C

31、2H5)3Ga(g)+(C2H5)3P(g)+3H2(g)-GaP(s)+6C2H6(g)3、目前半导体芯片生长普遍采用的生长技术是MOCVD技术。八-LED.PPT1、芯片工艺的作用是什么？ 答：（1）芯片加工:从外延片（wafer）形成LED芯片（chip）,如电极制作等； （2）芯片切割：将LED芯片从外延片上分开。2、芯片工艺包含哪些部分？每个部分各包含哪些具体的工艺流程？ 答：前工艺、后工艺、点测分选三部分。 （1）前工艺：外延片上做成一颗颗晶粒； （2）后工艺：后工艺是将前工艺做成的含有数目众多管芯的晶片减薄，然后用激光切割成一颗颗独立的管芯。 （3）点测分选：(a) 点测大圆片或方片上每一颗晶粒电性和光学性能； (b) 将大圆片按照条件表分成规格一致的方片； (c) 吸除外观不良部分，并贴上标签3、试计算半径为2in的大圆片切成尺寸为20mil的芯片，能切多少个？ 解： R=2in=2000mil S=pi*R2 d=20mil s=d2 n=S/s=3.14*20002/400=31400(颗)九-LED.PPT1、为什么要对LED进行封装？ 答：（1）保护芯片；（