TSMC工艺的版图教程.docx

1、TSMC工艺的版图教程前端电路设计与仿真第一节双反相器的前端设计流程1、画双反相器的visio原理图图1.1其中双反相器的输入为in 输出为out，fa为内部节点。电源电压VDD=1.8V,MOS管用的是TSMC的1.8V典型MOS管（在Hspice里面的名称为pch和nch，在Cadence里面的名称为pmos2v和nmos2v）.2、编写。sp文件新建dualinv。txt文件然后将后缀名改为dualinv。sp文件具体实例.sp文件内容如下：。lib F:Program Filessynopsysrf018.l TT 是TSMC用于仿真的模型文件位置和选择的具体工艺角*这里选择TT工艺角

2、*划红线部分的数据请参考excel文件尺寸对应6参数，MOS管的W不同对应的6个尺寸是不同的， 但是这六个尺寸不随着L的变化而变化。划紫色线条处的端口名称和顺序一定要一致MOS场效应晶体管描述语句：（与后端提取pex输出的网表格式相同）MMX D G S B MNAME L=val W= val PS= val NRD= val AS= val PD= val PS= val NRD= val 第三节后端仿真1、用Hspice仿真器进行后仿真将上述三个文件复制到XP系统下面，然后新建一个dualinv。sp文件(即新建文本文档,后缀改成.sp)，这样同一目录下就有四个文件,如下将dualinv

3、.pex。netlist文件中的电路复制到dualinv。sp文件中(即蓝色框内这部分)注意：dualinv。list文件里面那两行include ”dualinv.pex。netlist。pex 和 include ”list。DUALINV。pxi 千万不要忘记复制过来。 第一行一定要加一个“*”符号。然后在dualinv。sp中加激励信号以及一些测试语句即可以仿真，如下(这是dualinv.sp文件)注意：Hspice不区分字母大小写接下来用Hspice仿真器仿真这个dualinv.sp文件，然后看输出波形,看功耗延时参数，这些就已经是后端仿真的参数了。Attention1.1初始值要根

4、据实际条件修改。1。2 如下图：。subckt lcff 后边是lcff的端口，并不一定与前仿时自己编写的端口顺序一致，所以需要重新根据下文测试代码的顺序做相应的改变,否则会出错。切记！2、不同工艺角(corners）的仿真CMOS电路在生产在存在工艺偏差,一般在四个工艺角（SS、FF、FS、SF)下对电路进行仿真.具体操作如下：在。sp文件加载模型这里改成相应的corner即可3、蒙特卡罗法（MonteCarlo）分析PVT对触发器的影响一般的VT组合分为以下三种：-40C 2.0V;25C 1。8V；125C 1.6V （即电压偏差值在正负10%）蒙特卡罗法（Monte-Carlo）分析P

5、VT就是取不同的电压和温度组合,然后进行MonteCarlo分析，MC分析就是随机选取器件的参数.【要进行Monte-Carlo分析首先工艺厂商提供的仿真模型（rf018。l文件）要支持Monte-Carlo分析，即里面要有MC模型。】具体操作如下：温度、输入电压要变化,然后加上Monte-Coral分析。注意红色横线部分*到此为止,整个后端仿真的流程演示完毕，当然这里面还有很多是不够细致的，主要是画版图这一块。画版图是一个经验积累的过程,我上面演示的只是一个很简单的例子，这还需要大家在学习中不断积累经验。*其它知识(用spectre仿真器的需要看以下步骤,用Hspice仿真器不需要看）-用spectre仿真器仿真-(如果format这里选择的是CALIBREVIEW)运行后弹出直接点OK以下是第一次运行的配置前面是pch和nch的配置点 auto map pins 然后点OK电容和电阻分别选择analoglib中的cap和res用spectre后仿真 一定要注意，schematic和layo