国内首款USB20HUB控制器芯片SL22sDatasheet之欧阳语创编Word文件下载.docx

1、附录一封装5表格目录表格1：端口 LED定义5表格2 : ACTIVE LED定义5表格3： EEPROM数据结构定义 5表格4:最大额定值5表格6:直流电特性5插图目录图1： SSOP28管脚图4图2：单灯方案配置5图3:5灯方案配置图4：附录封装图.9第一章管脚分配1.1 SL2. 2s管脚图 SS0P28管脚图12 SL2.2s管脚定义管脚名称28Pin#DieIO类型定义VSS1P芯片地XOUT2晶振PADXIN3IDM44B下行口 4的USB信号DP45DM36下行口 3的USB信号DP37DM28下行口 2的USB信号DP29DM110下行口 1的USB信号DPI11VDD1812

2、模拟1.8vVDD3313模拟3.3v-14NCUDM15上行口的USB信号UDP16RESET N17LPu芯片外部复位输入18PSELF19髙为自供电，低为总线供电VDD5205v输入213.3v输出DRV22BTu点灯驱动信号LED123LED224PWRN25下行口电源输出控制，低有效OVCRN/SDA26I2C SDA数据线，内部上拉： 芯片初始化完成后作为过流保护输入脚，低有 效SCL27I2C SCL时钟输出数字1.8v注释： 0,输出；I输入；B双向；P 电源/接地；Pu上拉；Pd下拉；NC 悬空；第二章功能叙述2. 1综述SL2. 2s是一颗高集成度，高性能，低功耗的USB2

3、. 0集线 器主控芯片；该芯片采用STT技术，单电源供电方式，芯片 供电电压为5v,内部集成5V转3. 3V,只需在外部电源添加滤 波电容；芯片自带复位电路，低功耗技术让他更加出众。芯片可以使用外部晶体，也可以使用内置晶体。如果 使用内置晶体，需要将芯片的XI输入接地。完美支持 USB2. 0 高速（480MHz）, USB2. 0 全速（12MHz）, 和低速模式（1. 5MHz）集成12M晶体振荡器集成 12MHz-to480MHz PPL （Phase Lock Loop）采用 Single Transaction Translator （STT）技术，是*TT系列中最具成本和效率方案支

4、持自供电到总线供电的自动枚举切换支持使用外部EEPROM自定义VIDPID信息支持5个指示灯及单个指示灯的选择2. 2指示灯用户根据自己的产品需要，选择多种点灯方案。所有的灯由LED1、LED2和DRV三个PAD组合驱动。2. 2. 1单灯方案 下图屮，如果不需要点灯，直接把DRV悬空即可。单灯方案配置2. 2. 2多灯方案下图屮，Active灯可以根据用户需求去掉或者保留。图3： 5灯方案配置2.2.3 LED指示定义表格1:端口 LED定义端口LED状态关闭设备无接入或端El suspend长亮设备正常工作 Active LED定义Active LED 状态HUB SuspendHUB正常

5、工作2. 3过流保护SL2. 2s过流保护支持Ganged模式。使用OVCRN_SDA和 PWRN_DOCKN检测和控制下行口电源；当HUB过流引脚检测到下行口电源过流信号下降沿并 保持低电平10个6MHz时钟周期以上时，通过PWRN_D0CKN 关闭下行口设备供电并保持，上报状态给主机，等待主机的 后续命令。2.4充电支持SL2. 2s支持标准的BC1. 2充电协议。2.5 I2C接口SL2. 2s只支持I2C Master模式，可以自主从外部的 EEPR0M读取自定义数据。EEPR0M芯片地址为0。2. 6 EEPROM 设：芯片可选外接EEPROM用于存放用户自定义的PID/VID 等信

6、息。EEPROM内部定义见下表。 EEPROM数据结构定义单位：Byte000102030405060708090A0BOC0D0EOF00hVID.LVID.HPID.LPID_HCHKSD1A510h20hVendor string30h40hProduct length50hProduct string60h70hSerial number lengthSerial number string注:CHKSUM 二 VID_H + VID_L + PID_H + PID_L + 1。不满足等式的EEPROM内容将被忽略。Max power表示最大功耗，范围是0-500mA； 16进制为00

7、H- FAH （单位是2mA）。String length0时，字符串有效。字符串编码为UNICODE, LANGID: 0x0409（United States） o第三章电气特性3.1极限工作条件最大额定值符号参数最小值最大值单位Vdd乂Power Supply0.5+5.5VVlNInput AToltage for digital I/O-0.5VlNUSBInput Voltag已 for USB signal （DP. DM） pins0.5+3.6TsStorage Temperature under bias-60+100CFoscFrequency12 MHz 0.05%3.

8、2工作范围表格5:工作范围典型単位Vdd4.05.05.25VlNDInput Voltage for digital I/O pins3.35.5Input Voltage for USB signal （DP、DM） pins0.55. 25TaAmbient Teniperatiire703.3直流电特性直流电特性IddSupplyCiirrent50120mAIsusSuspend Current2.53.4 HS/FS/LS电气特性参看USB2. 0标准。3. 5 ESD特性本芯片端口 ESD能力为土4KV（HBM）。附录封装SL2. 2S SS0P28 （Bodysize:10*4mm Pitch:0. 635）A WA W0.3mm0,635mm封装尺寸图