电力电子技术教案Word文档格式.docx

1、信息电子电路的器件可工作在开关状态，也可工作在放大状态；电力电子电路的器件一般只工作在开关状态。二者同根同源。与电力学（电气工程）的关系电力电子技术广泛用于电气工程中高压直流输电、静止无功补偿、电力机车牵引、交直流电力传动、电解、电镀、电加热、高性能交直流电源国内外均把电力电子技术归为电气工程的一个分支。电力电子技术是电气工程学科中最为活跃的一个分支。与控制理论（自动化技术）的关系控制理论广泛用于电力电子系统中。电力电子技术是弱电控制强电的技术，是弱电和强电的接口；控制理论是这种接口的有力纽带。电力电子装置是自动化技术的基础元件和重要支撑技术。2 电力电子技术的发展史电力电子器件的发展对电力电

2、子技术的发展起着决定性的作用，因此，电力电子技术的发展史是以电力电子器件的发展史为纲的。四个阶段1、史前期（1957年以前）：使用水银整流器（汞整流器），其性能和晶闸管类似。2、晶闸管时代（195870年代）3、全控型器件时代（70年代后期）4、复合器件时代（80年代后期）3 电力电子技术的应用1）一般工业 近年来电力电子变频技术的迅速发展，使交流电机的调速性能可与直流电机媲美，交流调速技术大量应用并占据主导地位。几百W到数千kW的变频调速装置，软起动装置等。2）交通运输3）电力系统 4）电子装置用电源 5）家用电器 第 3、4 课时电力电子器件概述与电力二极管 概述电力电子器件的概念、特点和

3、分类。掌握电力二极管的工作原理、基本特性、主要参数以及选择和使用中应注意问题。掌握电力二极管的工作原理、基本特性、主要参数以及选择和使用。借助PPT演示、板书等多种形式启发式教学1 电力电子器件概述 电力电子器件的概念和特征1）概念:电力电子器件（Power Electronic Device） 可直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。2）分类: 电真空器件 （汞弧整流器、闸流管） 半导体器件 （采用的主要材料硅）3）同处理信息的电子器件相比的一般特征：能处理电功率的能力，一般远大于处理信息的电子器件。电力电子器件一般都工作在开关状态。电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制。电力

4、电子器件自身的功率损耗远大于信息电子器件，一般都要安装散热器。电力电子器件的损耗： 通态损耗、断态损耗、开关损耗（开通损耗、判断损耗） 应用电力电子器件系统组成电力电子系统：由控制电路、驱动电路、保护电路 和以电力电子器件为核心的主电路组成。 电力电子器件的分类1）按照器件能够被控制的程度，分为以下三类：半控型器件（Thyristor） 通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断。全控型器件（IGBT,MOSFET） 通过控制信号既可控制其导通又可控制其关 断，又称自关断器件。不可控器件（Power Diode） 不能用控制信号来控制其通断, 因此也就不需要驱动电路。2）按照驱动电路信号的性质

5、，分为两类：电流驱动型 通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者 关断的控制。电压驱动型 仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断。2 不可控器件电力二极管 PN结与电力二极管的工作原理基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管一样。由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。从外形上看，主要有螺栓型和平板型两种封装。PN结的状态状态参数正向导通反向截止反向击穿电流正向大几乎为零反向大电压维持1V阻态低阻态高阻态PN结的反向击穿（两种形式）：雪崩击穿、齐纳击穿，均可能导致热击穿PN结的电容效应：PN结的电荷量随外加电压而变化，呈现电容效应，称为结电容CJ，又称微分

6、电容。结电容按其产生机制和作用的差别分为势垒电容CB和扩散电容CD。电容影响PN结的工作频率，尤其是高速的开关状态。 电力二极管的基本特性主要指其伏安特性门槛电压UTO，正向电流IF开始明显增加所对应的电压。与IF对应的电力二极管两端的电压即为其正向电压降UF 。承受反向电压时，只有微小而数值恒定的反向漏电流。2） 动态特性 二极管的电压-电流特性随时间变化。由于结电容的存在。 电力二极管的主要参数1） 正向平均电流IF（AV）2）正向压降UF3）反向重复峰值电压URRM4）反向恢复时间trr5）最高工作结温TJM结温是指管芯PN结的平均温度，用TJ表示。TJM是指在PN结不致损坏的前提下所能

7、承受的最高平均温度。TJM通常在125175?C范围之内。6） 浪涌电流IFSM指电力二极管所能承受最大的连续一个或几个工频周期的过电流。 电力二极管的主要类型1） 普通二极管（General Purpose Diode）2） 快恢复二极管（Fast Recovery DiodeFRD）3. 肖特基二极管第 5、6 课时半控器件晶闸管掌握晶闸管的工作原理、导通及关断条件特性和主要参数；了解晶闸管的外形、结构和电气符号；了解晶闸管的派生器件。教学重点：掌握晶闸管的工作原理、导通条件、特性及主要参数。教学难点：晶闸管的工作原理、导通条件、特性及主要参数。复习上节课学的电力二极管的相关知识,对比理解

8、掌握本节课程。内容导入:1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管。1957年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产品。1958年商业化。开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代。20世纪80年代以来，开始被全控型器件取代。1.晶闸管的结构与工作原理外形有螺栓型和平板型两种封装。有三个联接端。螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便。平板型晶闸管可由两个散热器将其夹在中间。晶闸管正常工作时的特性总结如下：1. 承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。2. 承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。3. 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。4.

9、要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下 。其他几种可能导通的情况：阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应、阳极电压上升率du/dt过高、结温较高、光触发只有门极触发是最精确、迅速而可靠的控制手段。2. 晶闸管的基本特性1） 静态特性（1）正向特性IG=0时，器件两端施加正向电压，只有很小的正向漏电流，为正向阻断状态。正向电压超过正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。晶闸管本身的压降很小，在1V左右。（2）反向特性反向特性类似二极管的反向特性。反向阻断状态时，只有极小的反相漏电流流过。当反向电压达到反向击穿电压后，可能导致

10、晶闸管发热损坏。3. 晶闸管的主要参数1）电压定额断态重复峰值电压UDRM 在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压。反向重复峰值电压URRM 在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。通态（峰值）电压UT 晶闸管通以某一规定倍数的额定通态平均电流时的瞬态峰值电压。2）电流定额通态平均电流 IT（AV）在环境温度为40?C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。标称其额定电流的参数。维持电流 IH 使晶闸管维持导通所必需的最小电流。擎住电流 IL 晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后， 能维持导通所需的最小

11、电流。浪涌电流ITSM指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流。3）动态参数除开通时间tgt和关断时间tq外，还有： 断态电压临界上升率du/dt 指在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通 态转换的外加电压最大上升率。 电压上升率过大，使充电电流足够大，就会使晶闸管误导通 。 通态电流临界上升率di/dt 指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。 如果电流上升太快，可能造成局部过热而使晶闸管损坏。4. 晶闸管的派生器件1）快速晶闸管 有快速晶闸管和高频晶闸管。开关时间以及du/dt和di/dt耐量都有明显改善。普通晶闸管关断时间

12、数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高频晶闸管10s左右。高频晶闸管的不足在于其电压和电流定额都不易做高。由于工作频率较高，不能忽略其开关损耗的发热效应。2）双向晶闸管可认为是一对反并联联接的普通晶闸管的集成。有两个主电极T1和T2，一个门极G。在第和第III象限有对称的伏安特性。3） 逆导晶闸管将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件。具有正向压降小、关断时间短、高温特性好、额定结温高等优点。4） 光控晶闸管又称光触发晶闸管，是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管。光触发保证了主电路与控制电路之间的绝缘，且可避免电磁干扰的影响。因此目前在高压大功率的场合。第 7、8 课时课题：典型

13、全控型电力电子器件掌握门极可关断晶闸管的工作原理及特性、电力晶体管的工作原理，了解电力场控晶体管的特性与参数及安全工作区。掌握电力场控晶体管的工作原理。掌握绝缘栅双极型晶体管的工作原理、参数特点。了解静电感应晶体管静电感应晶闸管的工作原理。掌握电力晶体管、力场控晶体管、绝缘栅双极型晶体管的工作原理、参数特点。复习上节课学的半控型器件晶闸管的相关知识,对比理解掌握本节课程。门极可关断晶闸管在晶闸管问世后不久出现。全控型电力电子器件的典型代表门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。一、门极可关断晶闸管晶闸管的一种派生器件。可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。GTO的电

14、压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用。1）GTO的结构和工作原理与普通晶闸管的相同点： PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极。和普通晶闸管的不同点：GTO是一种多元的功率集成器件。工作原理：与普通晶闸管一样，可以用图所示的双晶体管模型来分析。由P1N1P2和N1P2N2构成的两个晶体管V1、V2分别具有共基极电流增益1和2 。1+2=1是器件临界导通的条件。 GTO的关断过程与普通晶闸管不同。关断时，给门极加负脉冲，产生门极电流-IG，此电流使得V1管的集电极电流ICl被分流，V2管的基极电流IB2减小，从而使IC2和IK减小，IC2的减小

15、进一步引起IA和IC1减小，又进一步使V2的基极电流减小，形成内部强烈的正反馈，最终导致GTO阳极电流减小到维持电流以下,GTO由通态转入断态。结论： GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅。 GTO关断过程中有强烈正反馈使器件退出饱和而关断。 多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开通过程快，承受di/dt能力强 。2）GTO的动态特性开通过程：与普通晶闸管相同关断过程：与普通晶闸管有所不同3） GTO的主要参数（1）开通时间ton （2） 关断时间toff（3）最大可关断阳极电流IATO（4）电流关断增益off最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值IGM之比称为电流关断增益。

16、off一般很小，只有5左右，这是GTO的一个主要缺点。1000A的GTO关断时门极负脉冲电流峰值要200A 。二、 电力晶体管1）GTR的结构和工作原理与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的。主要特性是耐压高、电流大、开关特性好。通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构。采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成 。在应用中，GTR一般采用共发射极接法。集电极电流ic与基极电流ib之比为 GTR的电流放大系数，反映了基极电流对集电极电流的控制能力 。当考虑到集电极和发射极间的漏电流Iceo时，ic和ib的关系为 ic= ib +Iceo 单管GTR的 值比小功率的晶体管小得多，通常为10

17、左右，采用达林顿接法可有效增大电流增益。2）GTR的基本特性（1） 静态特性共发射极接法时的典型输出特性：截止区、放大区和饱和区。在电力电子电路中GTR工作在开关状态。在开关过程中，即在截止区和饱和区之间过渡时，要经过放大区。（2） 动态特性3）GTR的主要参数1）电流放大倍数集电极电流与基极电流之比2）集电极最大允许电流ICM 通常规定为下降到规定值的1/21/3时所对应的Ic 。3）集电极最大耗散功率PCM 在最高集电结温度下允许的耗散功率,等于集电极工作电压与集电极工作电流的乘积。4）反向击穿电压 集电极与基极之间的反向击穿电压集电极与发射极之间的反向击穿电压击穿电压不仅和晶体管本身特性

18、有关，还与外电路接法有关。5） GTR的二次击穿现象与安全工作区一次击穿：集电极电压升高至击穿电压时，Ic迅速增大。只要Ic不超过限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不变。 二次击穿：一次击穿发生时，Ic突然急剧上升，电压陡然下降。常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变 。安全工作区：最高电压UceM、集电极最大电流IcM、最大耗散功率PcM、二次击穿临界线限定。三、电力场效应晶体管 特点用栅极电压来控制漏极电流。驱动电路简单，需要的驱动功率小。开关速度快，工作频率高。热稳定性优于GTR。电流容量小，耐压低，只适用于小功率的电力电子装置。1）电力MOSFET的结构和工作原理电力MOS

19、FET的种类按导电沟道可分为P沟道和N沟道。 耗尽型当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。增强型对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道。 电力MOSFET的工作原理 截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。-P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。 导电：在栅源极间加正电压UGS-当UGS大于UT时，P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电 。2）电力MOSFET的基本特性漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性。ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导G

20、fs。MOSFET的开关速度：MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系。可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度。不存在少子储存效应，关断过程非常迅速。开关时间在10100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。开关频率越高，所需要的驱动功率越大。3） 电力MOSFET的主要参数 （1）漏极电压UDS （2）漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM（3） 栅源电压UGS（4）极间电容四、绝缘栅双极晶体管 GTR和GTO的特点双极型，电流驱动，有电导调制效应，通流能力

21、很强，开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。 MOSFET的优点单极型，电压驱动，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单。1） IGBT的结构和工作原理 驱动原理与电力MOSFET基本相同，场控器件，通断由栅射极电压uGE决定。导通：uGE大于开启电压UGE（th）时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。通态压降：电导调制效应使电阻RN减小，使通态压降减小。关断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。2） IGBT的基本特性（1）IGBT的静态特性（2）IGBT的动态特性3） IG

22、BT的主要参数（1）最大集射极间电压UCES（2）最大集电极电流（3）最大集电极功耗PCMIGBT的特性和参数特点可以总结如下：开关速度高，开关损耗小。相同电压和电流定额时，安全工作区比GTR大，且具有耐脉冲电流冲击能力。通态压降比VDMOSFET低。输入阻抗高，输入特性与MOSFET类似。与MOSFET和GTR相比，耐压和通流能力还可以进一步提高，同时保持开关频率高的特点。五、其他新型电力电子器件1 MOS控制晶闸管MCT承受极高di/dt和du/dt，快速的开关过程，开关损耗小。高电压，大电流、高载流密度，低导通压降。一个MCT器件由数以万计的MCT元组成。每个元的组成为：一个PNPN晶闸

23、管，一个控制该晶闸管开通的MOSFET，和一个控制该晶闸管关断的MOSFET。其关键技术问题没有大的突破，电压和电流容量都远未达到预期的数值，未能投入实际应用。2 静电感应晶体管SIT 多子导电的器件，工作频率与电力MOSFET相当，甚至更高，功率容量更大，因而适用于高频大功率场合。 在雷达通信设备、超声波功率放大、脉冲功率放大和高频感应加热等领域获得应用。缺点：栅极不加信号时导通，加负偏压时关断，称为正常导通型器件，使用不太方便。通态电阻较大，通态损耗也大，因而还未在大多数电力电子设备中得到广泛应用。静电感应晶闸管SITHSITH是两种载流子导电的双极型器件，具有电导调制效应，通态压降低、通

24、流能力强。其很多特性与GTO类似，但开关速度比GTO高得多，是大容量的快速器件。SITH一般也是正常导通型，但也有正常关断型。此外，电流关断增益较小，因而其应用范围还有待拓展。3 集成门极换流晶闸管IGCT4 功率模块与功率集成电路20世纪80年代中后期开始，模块化趋势，将多个器件封装在一个模块中，称为功率模块。将器件与逻辑、控制、保护、传感、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上，称为功率集成电路.发展现状：功率集成电路的主要技术难点：高低压电路之间的绝缘问题以及温升和散热的处理。以前功率集成电路的开发和研究主要在中小功率应用场合。智能功率模块在一定程度上回避了上述两个难点,最近几年获得了迅速

25、发展。第 9、10 课时电力电子器件驱动电路和电力电子器件器件的保护掌握晶闸管、全控型器件的驱动电路和电力电子器件器件的保护。掌握晶闸管的驱动电路、了解全控型器件的驱动电路和和电力电子器件器件的保护。复习半控型器件晶闸管与全控型器件的工作原理，预习本节课程。问题导入：驱动电路主电路与控制电路之间的接口使电力电子器件工作在较理想的开关状态，缩短开关时间，减小开关损耗。对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要的意义。一些保护措施也往往设在驱动电路中，或通过驱动电路实现。驱动电路：按控制目标的要求施加开通或关断的信号。对半控型器件只需提供开通控制信号。对全控型器件则既要提供开通控制信号，又要提供关断

26、控制信号。驱动电路还要提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节，一般采用光隔离或磁隔离。光隔离一般采用光耦合器。磁隔离的元件通常是脉冲变压器。分类：按照驱动信号的性质分，可分为电流驱动型和电压驱动型。驱动电路具体形式可为分立元件的，但目前的趋势是采用专用集成驱动电路。双列直插式集成电路及将光耦隔离电路也集成在内的混合集成电路。为达到参数最佳配合，首选所用器件生产厂家专门开发的集成驱动电路。一、晶闸管的触发电路作用：产生符合要求的门极触发脉冲，保证晶闸管在需要的时刻由阻断转为导通。晶闸管触发电路应满足下列要求：脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通。触发脉冲应有足够的幅度。不超过门极电压、电流和功率定额，且在可靠触发区域之内。有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。二、典型全控型器件的驱动电路1） 电流驱动型器件的驱动电路（1） GTOGTO的开通控制与普通晶闸管相似。GTO关断控制需施加负门极电流。GTO驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分，可分为脉冲变压器耦合式和直接耦合式两种类型。直接耦合式驱动电路可避免电路内部的相互干扰和寄生振荡，可得到较陡的脉冲前沿。目前应用较广，但其功耗大，效率较低。（2） GTR开通驱动电流应使GTR处于准饱和导通状态，使之不进入放大区和深饱和区。关断GTR时，施加一定的负基极电流有利于减小关断时间和关断损耗。关断后同样