微星970AG46主板BIOS图文详解教程.docx

1、微星970AG46主板BIOS图文详解教程微星970A-G46主板BIOS详解微星9系列主板支持AMD推土机。BIOS采用第2代UEFI图形BIOS（Click BIOS II）。AMI BIOS设置基本都一样，这里以970A-G46为例，讲解BIOS设置。Version E7693AMS V1.4版BIOS界面如下：Click BIOS II是由MSI开发，它提供了一个图形用户界面。通过鼠标和键盘来设置BIOS参数。最大的改进是提高BIOS首页的信息量。整个页面分为二大部分，信息显示区和BIOS设置区。通过Click BIOS II 用户可以改变BIOS设置，检测CPU温度、选择设备启动优先

2、权并且查看系统信息，例如：CPU名称，DRAM容量，操作系统版本和BIOS版本。用户可以从备份中导入数据资料也可以与朋友分享导出数据资料。通过Click BIOS II连接英特尔网，用户可以再你的系统中浏览网页，检查MAIL和实用Live Update来更新BIOS。温度检测 此区域显示了处理器和主板的温度系统信息此区域显示日期，时间，CPU名称，CPU频率，DRAM频率，DRAM容量和BIOS版本。BIOS菜单选择 这些区域用来选择BIOS菜单。下列选项可用的： SETTING主板设置 - 使用此菜单指定芯片组功能，启动设备的设置。 OC超频设置 - 此菜单包含频率和电压调整选项，增加频率可

3、能获得更好的性能，然而，高频率和高温度可能导致不稳定。我们不建议普通用户超频。 ECO节能设置 此菜单与节能设置相关联。BROWSER浏览器 - 此功能用来进入MSI Winki网页浏览。UTILITIES适应程序 此菜单包含备份和升级功能。SECURITY安全设置 此安全菜单用来放置未经许可而做任意更改的设置。你可以使用这些安全功能来保护你的系统。设备启动优先权栏 此状态栏显示了启动设备的优先权，高亮的图片表示设备是可用的。 高优先权 低优先级 按住图标后左右拖曳来指定启动优先权。启动菜单 此菜单按钮用来打开一个启动菜单。用鼠标点击此选项迅速从设备中启动系统。模式按钮此功能允许你预先导入节能

4、或超频功能 BIOS设置常用的功能键：1、SETTINGS（主板设置） 点击进入主板设置。 主板设置的选项。 SETTINGS共有四项：System Status（系统状态），Advanced（高级），Boot（启动），Save & Exit（保存&退出）。1-1、System Status（系统状态）系统状态显示出系统连接的SATA设备（硬盘、光驱、SSD等存储设备），处理器信息，BIOS版本，安装的内存容量。日期和时间需要在这里设置。黄色文字表示可对该项设置，一般用+/-键改变数值，修改完回车自动移到下一项，或者用箭头键移动。1-2、Advanced（高级设置） 有关主板功能的重要设置都在

5、这个Advanced（高级）里面。这八个设置项都是有二级设置菜单。1-2-1、PCI Subsystem Setting（PCI子系统设置） 这个选项是设置PCI总线延迟的。延迟时间以PCI总线的时钟周期为计算单位。可以设置的延迟有32/64/96/128/160/192/224/248 PCI Bus Clocks。默认是32，如果PCI卡存在兼容问题，可以调整PCI延迟试试。1-2-2、ACPI Settings 这是有关ACPI（高级配置和电源接口）的设置，设置项有二项。1-2-2-1、ACPI Standby State（ACPI待机状态）该选项用来设置待机状态，设置项有S1和S3，默

6、认S3。1-2-2-2、Power LED（电源指示灯）设置电源指示灯状态，设置项有：Blinking（闪烁），Dual Color（双色）。该项设置与机箱的LED指示灯配置相关，也与主板前面板接线有关，请参考机箱和主板说明书。1-2-3、Integrated Peripherals（整合周边）1-2-3-1、On Board LAN Configuration（板载网卡配置）Onboard LAN Controller1：开启/关闭板载网卡，默认是Enabled（开启）。LAN Option ROM：开启/关闭网卡可选ROM，默认是Disabled（关闭），如果需要从板载网卡启动，要开启RO

7、M。1-2-3-2、SATA Configuration（SATA配置）设置SATA模式，三种：IDE、AHCI、RAID。IDE模式就是把SATA硬盘接口转换为IDE接口。AHCI模式是原生SATA接口，RAID模式是磁盘阵列。设置项有Disabled（关闭SATA控制器）/IDE（IDE模式）/AHCI（AHCI模式）/RAID（磁盘阵列），AHCI和RAID模式安装XP系统时需要通过软盘加载驱动。使用SATAIII代SSD，AHCI模式的磁盘读写性能有很大提高。1-2-3-3、Audio Configuration（声卡配置）开启/关闭板载声卡（HD Audio Controller），

8、默认是Enabled（开启）。1-2-3-4、HPET Configuration（HPET配置）HPET 是Intel 制定的新的用以代替传统的8254(PIT)中断定时器与RTC 的定时器,全称叫做高精度事件定时器。本选项是开启/关闭HPET，默认是Enabled（开启）。1-2-4、USB Configuration（USB配置） 首先显示出连接到主板上的USB 设备，如本例中显示出1个Drive（U盘），1个Keyboard（USB键盘），1个Mice（USB鼠标），1个Hub（USB集线器）。1-2-4-1、USB Controller（USB控制器）：开启/关闭USB控制器，默认是

9、Enabled（开启），注意关闭就是关闭芯片组里的USB控制器，系统将不能使用USB设备了。1-2-4-2、Legacy USB Support（传统USB支持）：传统USB就是老的1.1USB设备，USB键盘鼠标都属于传统USB。使用USB键鼠必须设置为Enabled，默认是Enabled（开启）。1-2-4-3、Onboard USB 3.0 Controller（板载USB3.0控制器）：开启/关闭USB3.0控制器，默认是Enabled（开启）。1-2-5、Super IO Configuration（超级IO配置） 超级IO配置里只有串口配置，这也是一个二级菜单。进入Serial（C

10、OM）Port0配置可以看到开启/关闭Serial（COM）Port0和Serial（COM）Port0设置。Serial（COM）Port0设置是用来设置串口0的中断和IO地址的，设置项有Auto和IO地址。1-2-6、Hardware Monitor（硬件监测） CPU Smart Fan Target：CPU风扇智能调速目标。这个目标是温度目标，就是要设置CPU的控制温度，设置项有40/45/50/55/60/65/70。设定目标温度后，就要设置风扇转速百分比。就是说在CPU温度低于目标温度时。风扇的转速是全速的百分之.。这个百分比就是在这里设置的。设置项有0%/12.5%/25%/37

11、.5%/50%/62.55/75%/87.5%。PC Health Status：健康状态。这里实时监测电脑的状态。有：CPU温度/系统温度（主板温度）/CPU风扇转速/系统风扇1转速/系统风扇2转速/CPU核心电压/DDR电压/3.3V电压/5V电压/12V电压。1-2-7、Power Management Setup（电源管理设置） Eup 2013：这是欧盟要求的节能措施，是电脑在待机（就是我们常说的关机）状态下功耗要求。我们如果没有特别要求，可以关闭。Restore after AC Power Loss：AC电源掉电再恢复时电脑的状态。有三种：Power off（关机）/Power

12、on（开机）/Last State（最后原状态）。开机就是来电后自动开机，关机就是来电后不开机。最后原状态就是AC掉电时电脑是开机的，来电后就开机，否则就是关机。1-2-8、Wake Up Event Setup（唤醒事件设置） 当ACPI Settings（ACPI设置）里设定了S3休眠后，就可以在这里设置唤醒事件。Wake up Event By：设置BIOS唤醒还是OS唤醒。如果是OS唤醒，下面的设置都不需要了。注意OS需要WIN 7，XP不行，WIN7睡眠需要用Power SW唤醒。如果设定BIOS唤醒，就要做下面的设定。Resume By RTC Alarm：实时时钟唤醒（当前为不可

13、选）Resume By PCI or PCI-E Device：PCI或PCI-E设备唤醒。Resume From S3 by USB Device：USB设备从S3唤醒。Resume From S3/S4/S5 by PS/2 Mouse：PS2鼠标从S3/S4/S5唤醒。Resume From S3/S4/S5 by PS/2 Keyboard：PS2键盘从S3/S4/S5唤醒。设定PS2键盘唤醒后，还需要设置键盘的唤醒键。唤醒键有Any Key（任意键）和Hot Key（热键），设定热键后会弹出热键单供选择热键。可选热键有：Ctrl + Esc，Ctrl + F1，Ctrl + Spac

14、e。1-3、Boot （启动项设置）1-3-1、Boot Configuration（启动画面）Full Screen Logo Display：全屏显示开机LOGO设置此项设置选项有Enabled开启 & Disabled关闭。如果此项设置为Enabled则开机加电后不会出现BIOS自检画面，只有MSI的LOGO显示。如果此项设置为Disabled则开机加电后只显示BIOS自检画面而不显示MSI的LOGO画面。1-3-2、Boot Option Priorities（启动顺序）设置此项里面设置第一到第九的启动设备的启动顺序。1-3-3、Hard Disk Drive BBS Prioriti

15、es（硬盘驱动器优先级）1-3-4、USB KEY Drive BBS Priorities（USB驱动器优先级）1-3-5、UEFI Boot BBS Priorities（UEFI引导驱动器优先级）1-4、Save & Exit（保存&退出）设置设置保存BIOS设置和退出设置。1-4-1、Discard Changes and Exit：放弃设置 & 退出。1-4-2、Save Changes and Reboot：保存设置 & 重新启动。Save Options：保存设置1-4-3、Save Changes：保存设置。1-4-4、Discard Changes：放弃设置。1-4-5、Re

16、store Defaults：恢复默认设置。1-4-6、Boot Override：更改启动项控制这里列出的是实际链接到主板上的已经定义启动顺序的启动设备。列出的是实例，用户真正看到的与此不会相同的。选择某个启动设备，就可以直接从这个设备启动。这里需要说明的是UEFI启动，如果使用3TB的硬盘安装系统，作为启动盘。在安装系统前，把WIN 7 64的安装盘放到光驱，从启动设备列表中就要选UEFI：ATAPI DVD DH18D5S启动。二、OC（超频）设置点击进入超频设置。超频设置选项 这是有关CPU、内存频率，电压等设置，涉及系统的性能。2-1、Adjust CPU FSB Frequency

17、（调整CPU 前端总线频率）通过键盘的+/-键，调整频率，每敲一次键加减1MHz。调整FSB频率直接影响内存频率。所以，超频时请注意内存频率要与内存条标称频率相近，如果偏差较大，可能导致超频失败。2-2、Adjust CPU Ratio（调整CPU倍频） 此项仅在处理器至此功能是可用在此敲回车，弹出倍频选择菜单，从中选择你想用的倍频。对于锁倍频的CPU来说，只能降不能升。不锁倍频的CPU可以在这里超倍频。2-3、Adjust CPU-NB Ratio（调整CPU-NB倍频）这是设置CPU和北桥之间的倍率，可设置的倍频从4到10。也就是设置CPU和北桥的HT总线频率。默认是Auto。2-4、OC

18、 Genie Lite（超频精灵）这是微星的自动超频，设置项有Disabled（关闭）和Enabled（开启），默认是关闭。2-5、CPU Smart Protection（CPU智能保护） CPU智能保护是CPU过热的保护机制。当CPU温度太热时，他将自动降低时钟。2-6、Unlock CPU Core（CPU开核）这是开启被屏蔽的核心。设置项有Disabled（关闭），Enabled（开启）。如果是用可以开核的CPU，Enabled该选项就可以，如果超频失败了，为了超频成功，请将FSB频率调整为较低的数值。2-7、CPU Core Control（CPU核心管理）如果开核后，有的核心不能使

19、用，可以在这里关闭。设置项有Auto和Manual，Manual就是手动管理CPU内核，选定Manual后，就会显示CPU的所有内核，除第一个外，其余都可以手动设置开启或关闭。2-8、DRAM Frequency（内存频率设置）这里是设置内存频率的，按AMD规格，内存最高支持DDR3 1600MHz，如果FSB超频可以突破1600到1866和2133HMz。2-9、DRAM Timing Mode（DRAM时序模式）这里是设置内存时序的，设置项有Auto（自动）/Link（双通道同时调）/Unlink（每个通道分别调），默认是Auto。如果设定Link（2通道联调）/Unlink（每通道单调）

20、，Advanced DRAM Configuration就变成可以设置的。2-9-1、Advanced DRAM Configuration（高级DRAM配置）每一项后面的2就表示同时设置2个通道。Command Rate：命令速率，就是内存控制器开始发送命令到命令被送到内存芯片的延迟。设置项有Auto/1T/2T，默认是Auto，1T比2T快。但是要依据内存条的性能。性能低的设置1T后肯定要蓝屏死机。一般保持Auto就是依据SPD设置。tCL（CAS Latency）：列地址选通潜伏时间，指的是在当前行访问和读一特定列的时钟周期。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控

21、制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。内存单元是按矩阵排列的，读写内存单元中的数据，首先是根据矩阵的“行”和“列”地址寻址的。当内存读写请求触发后，最初是tRP（Active to Precharge Delay：预充电延迟），预充电后，内存才真正开始初始化RAS（内存行地址选通）。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe行地址选通 ）开始对需要的数据进行寻址。首先是“行”地址，然后初始化tRCD（RAS to CAS Delay行地址到列地址延迟），接着通过CAS（列地址选通）访问所需数据的精确十六进制地址

22、。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。该参数对内存性能的影响最大， 是JEDEC规范中排在第一的参数，CAS值越低，内存读写操

23、作越快，但稳定性下降，相反数值越高，读写速度降低，稳定性越高。参数范围4-12T。tRCD（RAS to CAS Delay）：行地址到列地址的延迟时间，这是激活行地址选通和开始读列地址选通之间的时钟周期延迟。JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能，如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。参数范围5-12T。tRP（Row precharge Delay）：行地址选通预充电时间。这是从一个行地址转换到下一个行地址所需的时钟周期（比如从一个Bank转换到下一个Bank）。预充电参数小可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。但是该参数的大小取决于内存颗粒的体质，参数小

24、将获取最高的性能，但可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作，从而导致系统不稳定。参数值大将提高系统的稳定。参数范围5-12T。JEDEC规范中，它是排在第三的参数。tRAS(Row active Strobe)：行地址选通。这是预充电和行数据存取之间的预充电延迟时间。也就是“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失

25、数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。参数范围15-30T。JEDEC规范中，它是排在第四的参数。tRTP（DRAM READ to PRE Time）：内部读取到预充电命令时间。这个参数实际上就是读命令和预充电明令之间的时间间隔。如果参数值过小，系统运行很快，但不稳定。参数范围4-7T。tRC（Timing of Row Cycle）：行周期时间。这是从一个有效命令到下一个有效命令（或自动刷新命令）的总的周期时间。一般情况下tRC=tRAS+tRP。

26、参数值小，系统运行很快，但不稳定。参数范围11-42T。tWR（Timing of Write Recovery）：写恢复时间。这是一个有效的“写”动作和bank预充电到数据能正确写入之间的时间。就是说在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWR虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。参数范围5-12T。tRRD（RAS to RAS Delay）：行选通到行选通延迟，也称为Row to Row del

27、ay。这是表示“行单元到行单元的延时”。该值也表示在同一个内存模组连续的行选通动作或者预充电行数据命令的最小延迟时间。tRRD值越小延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。如果出现系统不稳定的情况，需将此值设定较高的时钟参数。参数范围4-7T。tWTR（Write to Read Delay）：写到读延时。这个参数表示在同一内存Bank区写命令和下一个读命令之间的延迟时间。也就是在同一个单元中，最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。tWTR值偏高，降低了读性能，但提高了系统稳定性。偏低则提高读写性能

28、，但系统会不稳定。参数范围4-7T。tCWL（CAS to Write Latency）：从CAS到写命令开始的延迟。就说从列地址选通到开始写入的时间。参数范围5-8T。tFAW（Four Activate Window）：FAW是Four Bank Activate Window的缩写，4个Bank激活窗口。这个参数就是4个Bank激活窗口的延迟。通常在8-bank设备中滚动tFAW窗口不要超过4bank。参数范围16-32T。tREF（Refresh Period）：刷新周期。它指内存模块的刷新周期。内存存储每一个bit，都需要定期的刷新来充电。不及时充电会导致数据的丢失。tREF和tRA

29、S一样，不是一个精确的数值。参数范围7.8/3.9us。tRFC0（Refresh Cycle Time）：刷新周期时间，这个参数表示自动刷新“行”周期时间，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。参数范围90ns-350ns。行刷新是按内存插槽进行的。所以tRFC参数有时又按内存的DIMM槽细分为tRFC0（DIMM0的）/tRFC1（DIMM1的）/tRFC2（DIMM2的）/tRFC3（DIMM3的）。tRFC1（Refresh Cycle Time）：刷新

30、周期时间，这个参数表示自动刷新“行”周期时间，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。参数范围90ns-350ns。行刷新是按内存插槽进行的。所以tRFC参数有时又按内存的DIMM槽细分为tRFC0（DIMM0的）/tRFC1（DIMM1的）/tRFC2（DIMM2的）/tRFC3（DIMM3的）。2-9-2、Advanced Channel Timing Configuration（高级通道时序配置）这里设置通道时序。 tRWTTO（Timing of Read

31、 to Write）：数据从读到写转变时间。这是CAS读操作命令最后周期到下一个写操作命令之间的最小周期时间。这个参数也是越小越好，但太小也会不稳定。参数范围3-17T。tWRRD（Timing of Write to Read）：写到读时间。这是在不同的内存芯片或DIMM槽之间，第一个虚拟CAS写突发操作到跟着的一个读突发操作的最小周期时间。这个参数也是越小越好，但太小也会不稳定。参数范围2-10T。tWRWR（Timing of Write to write）：写到写时间。这是从第一个虚拟CAS写突发操作的最后一个周期到跟着的一个写突发操作（这个改变是终端器允许的）的最小周期时间。这个参数也是越小越好，但太小也会不稳定。参数范围2-10T。tRDRD（Timing of Read to Read）：读到读时间。这是在不同的内存芯片或DIMM槽之间，第一个虚拟CAS读突发操作到跟着的一个读突发操作的最小周期时间。这个参数也是越小越好，但太小也会不稳定。参数范围3-10T。2-9-3、DCT Unganged Mode（AMD内存控制器工作模式）AMD从K8起把内存控制器整合在CPU内，当时内存控制器是1128-bit模式，K10把处理器内置的内存控制器从1个改为2个。