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1、（a） 0.8 （b） 8 （c） 80 （d） 8001、3的电阻中通过2的电流，试问电阻两端的电压是（ D ）。A、10V B、6mV C、1.5V D、6V2、有一额定值为5W 500 的线绕电阻，其额定电流为（ D ）。A、2500 B、100 C、1 D、0.13、一个电热器从220V的电源取用的功率为1000W，如将它接到110V的电源上，则取用的功率为（ B ）W。A、125 B、250 C、500 D、10001. 稳压管起稳压作用，是利用它的（D ）。A 正向特性B 单向导电性C 双向导电性D 反向击穿特性2.某一负载消耗的有功功率为300W，消耗的无功功率为400var，则

2、该负载的视在功率为（ c ）。（a）700VA （b）100VA （c）500VA3.图右所示电路中P点电位为（ a ）（a）5V （b）4V （c）3V （d）2V2. 采用差分放大电路是为了（ B ）A 加强电路对称性B 抑制零点漂移C 增强放大倍数3. 交流放大电路中，晶体管一旦进入饱和或截止状态，IB对IC将（ D ）A 增强控制能力B 控制能力不变C 失去控制能力 D 它们之间没有关系4、电路如图所示，根据工程近似的观点，a、b两点间的电阻值约等于（ B）A1kB101kC200kD201k5、如图电路中电压U为（C） ）A-50VB-10VC10VD50V10.若交流电路的电流相位

3、比电压相位超前，则电路成（ C ）A.电阻性 B电感性 C电容性11稳压管反向击穿后，其后果为 （ B ）。A 永久性损坏B 只要流过稳压管的电流值不超过允许范围，管子不会损坏C 由于击穿而导致性能下降1、在电阻元件的交流电路中，电压和电流的相位（ A ）A.相同 B电压的相位比电流的相位超前90 C电压的相位比电流的相位落后902、在电感元件的交流电路中，电压和电流的相位（ B ）3、若交流电路的电流相位比电压相位超前，则电路成（ C ）12动态电阻rZ 是表示稳压二极管性能的一个重要参数，它的大小与稳压性能的关系是 （ B ）。A rZ 越小则稳压性能越差 B rZ越小则稳压性能越好C r

4、Z的大小不影响稳压性能13. 二极管两端加上正向电压时（ B ）A 一定导通 B 超过死区电压才导通C 超过0.7V才导通D 超过0.3V才导通5、稳压二极管的动态电阻rZ 是指 （ B ）。A 稳定电压与相应电流IZ 之比B 稳压管端电压变化量UZ 与相应电流变化量IZ 的比值C 稳压管正向压降与相应正向电流的比值20、对三极管放大作用的实质，下面说法正确的是（ D ）A 三极管可以把小能量放大成大能量B 三极管可以把小电流放大成大电流C 三极管可以把小电压放大成大电压D 三极管可用较小的电流控制较大的电流21、二极管两端加上正向电压时（ B ）C 超过0.7V才导通 2、理想二极管的正向电

5、阻为（ B ）。A 零C 约几千欧5我国通常应用的交流电工频为（ A ）Hz。A.50 B60 C10014. 就放大作用而言，射极输出器是一种 （ A ）。A 有电流放大作用而无电压放大作用的电路B 有电压放大作用而无电流放大作用的电路C 电压和电流放大作用均没有的电路3.当三相对称交流电源接成星形时，若线电压为380V，则相电压为（B）。A.380/3V B.380/V C.380/V D.380V15 触发器输出的状态取决于 （C ）。A 输入信号 B 电路的原始状态C 输入信号和电路的原始状态1. 交流铁心线圈，当线圈匝数N增加一倍，则磁通F将（ A ） 。A 增大 B 减小 C 不变

6、D 以上都不正确二填空1电路由 电源 、 负载 和中间环节三部分组成。2如果某一元件上的电压和电流的实际方向相反，那么这一元件是 电源 。1、半导体是一种其导电能力介于 导体 与 绝缘体 之间的物质。2、半导体分为 本征 半导体和 PN 型半导体。3、本征半导体和杂质半导体中都存在 本征激发 现象，产生 自由电子 ，在外电场作用下可定向运动而形成微小的电流（在常温下）。4、在本征半导体中掺入微量五价元素可得到 N 型杂质半导体，在本征半导体中掺入微量三价元素可得到 P 型杂质半导体。5、在N型杂质半导体中，多数载流子是 自由电子 ，少数载流子是 空穴 。1. 集成运放级间耦合方式是采用 多级直

7、接 耦合。2. 集成运算放大器输出级的主要特点是输出电阻 越小 ，带负载能力 越强 。6、在P型杂质半导体中，多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 自由电子 。7、型半导体主要靠 自由电子 来导电，型半导体主要靠 空穴 来导电。8、结具有 单向导电 性，即加正向电压时，结 导通 ，加反向电压时，结 截止 。9、半导体二极管的两个主要参数是最大整流电流 和 最大反向工作电压 。10、半导体二极管按其所使用的材料可分为 硅 管和 锗 管两类。11、硅管的导通压降约为 0.7 V，锗管的导通压降约为 0.2 V。12、硅管的死区电压约为 0.5 V，锗管的死区电压约为 0.1 V。13、半导体二极管实

8、质上就是一个PN 结，它具有的特性是 单向 导电性。14、半导体三极管分为 NPN 型和 PNP 型两类。15、半导体三极管的结构分为三个区，分别是 发射 区、 基 区、 集电 区。1、欲使晶体管工作在放大区，则外电路所加电压必须使晶体管的发射结 正 偏，同时使集电结 反 偏。2、在放大电路中，晶体管的基极电流IB通常称为 偏置 电流，产生基极电流IB的电路称为 共基极 电路。3、对一个放大电路进行静态分析，首先应作该放大电路的 直流 通路，而作动态分析时，应作该放大电路的 交流 电路。4、若放大电路的静态工作点设置不合理或信号太大，在放大信号时会容引起输出信号失真。非线性失真分为 截止 失真

9、和 饱和 失真。5、多级放大电路中级与级之间的耦合方式主要有 阻容 耦合和 直接 耦合。6、在画放大电路的直流通路时常将耦合电容视作 断路 ，而在画其交路时常将耦合电容视作 短路 。16、三极管的三个电极分别称为 集电 极、 基 极、 发射 极，分别用字母C、B、E表示。17、一个三极管有两个PN结，分别称为 发射 结和 集电 结。18、三极管的输出特性曲线可分为三个工作区，分别为 饱和 区、截止 区、放大 区。19、要使三极管工作在放大状态，则外电路所加电压必须使三极管的发射结 正 偏，同时使集电结 反 偏。20、三极管具有开关特性：当三极管工作在饱和状态时，UCE 0 ，当三极管工作在截止

10、状态时，UCE Ucc 。3已知 u=10sin（t+30）V，分别写出幅值 Um= 10 ，有效值U= 10/52 ， 相量= 10 30 。3、一盏电灯的额定电压是220V，额定功率是60W，那么它的额定电流是 0.27A V。4、在任意瞬时， 流入 某一结点的电流之和应等于由该结点 流出 的电流之和，这就是 KCL定律 。5、计算电位时，必须选定电路中某一点作为 参考点 ，通常设它为零。4三相电路中，负载的连接方法主要有 星形连接 和 三角形连接 两种，若负载相电压需为380V，则需采用 三角形 连接方式。2、交流量是指 大小 和 方向 都随时间而变化的量。5结具有 单向导电 性，即加正

11、向电压时，结 处于导通状态 ，加反向电压时，结 处于截止状态 。6要使三极管工作在放大状态，则外电路所加电压必须使三极管的发射结 正 偏，同时使集电结 反 偏。1、并联的负载电阻越多，总电阻 越小 ，电路中的总电流就 越大 。2、一个电压源 串联 一个电阻，可以等效变换为一个电流源 并联 一个电阻。3、应用支路电流法对电路进行求解时，对于具有n个结点和b条支路的电路，可以列出 n-1 独立的结点方程，其余的 b-（n-1） 个方程可由网孔列出。4、用叠加原理求解电路时，当对某一电源求解电路时，其他的电源要除去，即电压源 短路 ，电流源 开路 。5、戴维宁定理中，将除去负载电阻外，可将其余部分看

12、作一个有源二端网络，即可以等效为一个 电压源 串联一个 电阻 的形式。7在画放大电路的直流通路时常将耦合电容视作 开路 ，而在画其交流通路时常将耦合电容视作 短路 。8若放大电路的静态工作点设置不合理或信号太大，在放大信号时会容易引起输出信号失真。非线性失真分为 饱和 失真和 截止 失真。9当放大电路输入端短路时，输出端电压缓慢变化的现象称为 零点漂移 。 温度 是0/52 ，相量= 10- 306、12.有两个正弦交流电流分别为i1=10Sin100tA，i2=10Sin（100t+90）A，它们叠加后的电流有效值相量= 11.545 ，对应的瞬时值 11.5sin（100tA+45）。13

13、13.在电容元件的交流电路中，电压的相位比电流的相位 滞后90。8、14.提高交流电路功率因数的意义在于 增加有用功 ，其方法是 并联电容 。1、对称三相电路作星形联结时，其电路中线电压UL、相电压UP，线电流IL、相电流IP之间的关系为UL= J3 UP，IL= 1 IP。2、对称三相电路作三角形联结时，UL= 1 UP，IL= J3 IP。3、三相对称电源做星形连接，线电压Ul与相电压Up的相位差是 30，UL= J3 UP。4、三相电路中，负载的连接方法主要有 星形 和 三角形 两种，若负载相电压需为308V，则需采用 星形 连接方式。5、有一三相对称负载，其每项的电阻R =8 ，XL

14、=6 。如将负载联成星形接于线电压为380V的三相电源上，则UL= 380V ，UP 220V ， IP= 22A 。引起这种现象的主要原因。4、 10.已知 i=10sin（t-30）A，分别写出幅值Im= 10 ，有效值I=判断题： 1、电路中的参考方向与实际方向是相同的。（ ） 2、如果某一元件上的U和I的实际方向相同，电流从“+”端流入，则该元件是负载。（ ） 3、在任一瞬时，一个结点上电流的代数和恒等于零。 4、在某一确定电路中，某一点的电位是一定的。 5、在某一确定电路中，电阻上的电压是一定的。1.选取不同的参考点，电路中各点的电位也将随之改变；2.型半导体的多数载流子是空穴，因此

15、型半导体带正电。3.在交流电路中，电感元件和电容元件的平均功率为0，所以并不消耗能量。4.三相正弦交流电，当三相负载对称时，任何时刻三相电流之和总是等于零。5.直流铁心线圈只有铜（ ） 6.磁性材料 。1.磁感应强度B 是表示磁场空间某点的磁场强弱和方向的物理量，是矢量。（ ）2.磁场内各点磁感应强度的大小和方向均相同。3.磁性材料 。4.铁损DPfe包括磁滞损耗DPh和铜损DPcu。5.变压器原、副绕组的电流与匝数成正比。6直流铁心线圈只有铜损（ ）7.三极管的交流放大倍数和直流放大倍数是两个不同的概念，但其值近似相等。（）8.阻容耦合和直接耦合的多级放大电路中，各级的静态工作点都相互独立。

16、（9.放大电路的输出电阻越大，其带负载能力越强。1、型半导体的多数载流子是自由电子，因此型半导体带负电。2、型半导体的多数载流子是空穴，因此型半导体带正电。3、因为晶体三极管由两个结组成，所以能用两个晶体二极管反向连接起来当晶体三极管使用。4、因为晶体三极管由两个结组成，所以晶体三极管可以当同材料的晶体二极管使用。5、发射结处于正向偏置的晶体三极管，其一定是工作在放大状态。6、发射结处于反向偏置的晶体三极管，其一定是工作在截止状态。7、在半导体中，自由电子和空穴都是载流子。8、在外电场作用下，半导体中会同时出现电子电流和空穴电流。9、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而减小。10

17、、今在电路中测得晶体三极管的三个管脚的电位分别为4V、3.4和9，说明这个晶体三极管是NPN型硅管。11、今在电路中测得晶体三极管的三个管脚的电位分别为-2.3V、-2和-6，说明这个晶体三极管是PNP型锗管。12、半导体中空穴带正电，电子带负电。（ ）13、二极管的反向电压一旦超过其最高反向工作电压时就会损坏。14、P型半导体带正电，N型半导体带负电。15、发光二极管在使用时必须加适当的正向电压才会发光。16、由于发射区和集电区的掺杂浓度以及面积不同，因此三极管的集发射与电极极不能互换使用。17、二极管具有开关特性，三极管不具有开关特性。18、二极管和三极管都具有明显的温度特性。19、半导体

18、的导电能力介于导体与绝缘体之间，硅和锗是最重要的两种半导体材料。20、三极管的交流放大倍数和直流放大倍数是两个不同的概念，但其值近似相等。 1、n个电阻串联，总的阻值等于n个电阻各自倒数之和的倒数。 2、电阻a和b并联，如果ab,那么并联后的等效电阻可约等于b电阻的阻值。 3、一个电压源并联一个电阻的形式可等效为一个电流源串联一个电阻。4、任何一个有源二端线性网络都可以用一个电动势和一个电阻串联来等效代替。 5、任何一个有源二端线性网络都可以用一个电流源和一个电阻串联来等效代替。10.产生零点漂移的主要原因是晶体管参数受温度的影响。3、在电容元件的交流电路中，电压的相位比电流的相位超前904、在交流电路中，电感元件和电容元件的平均功率为0，所以并不消耗能量（ 1、三相正弦交流电，当三相负载对称时，任何时刻三相电流之和总是等于零。2相电压是指每一相线圈或负载上的电压；线电压是指每两相线路之间的电压。（ 五计算（ 本题10分 ）用戴维南定理求下图中RL上的I。（此文档部分内容来源于网络，如有侵权请告知删除，文档可自行编辑修改内容，供参考，感谢您的配合和支持）