1、 hold16、 时钟周期为T,触发器D1的建立时间最大为Tlmax,最小为Timin。组 合逻辑电路最大延迟为 T2max, 最小为 T2min 。问,触发器 D2 的建立时间 T3 和保 持时间应满足什么条件 . (华为)17、 给出某个一般时序电路的图,有 Tsetup,Tdelay,Tck-q,还有clock的delay, 写出决定最大时钟的因素,同时给出表达式。(威盛 VIA 2003.11.06 上海笔试试 题)18、 说说静态、动态时序模拟的优缺点。(威盛 VIA2003.11.06上海笔试试题)19、 一个四级的 Mux, 其中第二级信号为关键信号 如何改善 timing 。(
2、威盛 VIA2003.11.06 上海笔试试题)20、 给出一个门级的图,又给了各个门的传输延时,问关键路径是什么,还问 给出输入, 使得输出依赖于关键路径。21、逻辑方面数字电路的卡诺图化简,时序(同步异步差异),触发器有几种 (区别,优点),全加器等等。22、卡诺图写出逻辑表达使。(威盛 VIA 2003.11.06 上海笔试试题)23、 化简 F(A,B,C,D= m(1,3,4,5,10,11,12,13,14,15的和。(威盛)24、 please show the CMOS inverter schmatic,layout and its cross sectionwith P-w
3、ell process.Plot its transfer curve (Vout-Vin And also explain the operation region of PMOS and NMOS for each segment of the transfer curve?(威盛笔试题 c ircuit design-beijing-03.11.09)25、 To design a CMOS invertor with balance rise and fall time,please define th e ration of channel width of PMOS and NMO
4、S and explain?26、 为什么一个标准的倒相器中 P 管的宽长比要比 N 管的宽长比大?(仕兰 微电子)27、 用 mos 管搭出一个二输入与非门。(扬智电子笔试)28、 please draw the transistor level schematic of a cmos 2 nput AND gate and expla in which input has faster resp onse for output rising edge.(less delay time 。(威盛笔试题 circuit design-beijing-03.11.09)29、 画出 NOT,NA
5、ND,NOR 的符号,真值表,还有 transistor level 的电路。 ( Infineon 笔试)30、 画出 CMOS 的图,画出 tow-to-one mux gateo (威盛 VIA 2003.11.06 上海 笔试试题)31、 用一个二选一 mux和一个inv实现异或。(飞利浦大唐笔试)32、 画出Y=A*B+C的cmos电路图。(科广试题)33、 用逻辑们和emos电路实现ab+cd。34、 画出 CMOS 电路的晶体管级电路图,实现 Y=A*B+C(D+E 。(仕兰微电 子)35、 利用 4选 1实现 F(x,y,z=xz+yz 。36、 给一个表达式 f=xxxx+x
6、xxx+xxxxx+xxxx 用最少数量的与非门实现(实际 上就是化简) .37、 给出一个简单的由多个 NOT,NAND,NOR 组成的原理图,根据输入波形 画出各点波形。( Infineon 笔试)38、 为了实现逻辑( A XOR B ) OR (C AND D ),请选用以下逻辑中的一 种,并说明为什么? 1) INV 2) AND 3) OR 4) NAND 5) NOR 6) XOR 答案: NAND (未知)39、 用与非门等设计全加法器。(华为)40、 给出两个门电路让你分析异同。41、 用简单电路实现,当 A 为输入时,输出 B 波形为, (仕兰微电子)42、 A,B,C,D
7、,E 进行投票,多数服从少数,输出是 F (也就是如果 A,B,C,D,E 中 1 的个数比 0 多,那么 F 输出为 1,否则 F 为 0),用与非门实现,输入数目没 有限制。43、 用波形表示 D 触发器的功能。44、 用传输门和倒向器搭一个边沿触发器。45、 用逻辑们画出 D 触发器。46、 画出 DFF 的结构图 , 用 verilog 实现之。47、画出一种 CMOS 的 D 锁存器的电路图和版图。48、D 触发器和 D 锁存器的区别。(新太硬件面试)49、简述 latch 和 filp-flop 的异同。50、 LATCH 和 DFF 的概念和区别。51、 latch 与 regi
8、ster 的区别, 为什么现在多用 register. 行为级描述中 latch 如何 产生的 . (南山之桥)52、用 D 触发器做个二分颦的电路 . 又问什么是状态图。53、请画出用 D 触发器实现 2 倍分频的逻辑电路?(汉王笔试)54、怎样用 D 触发器、与或非门组成二分频电路?(东信笔试)55、 How many flip-flop circuits are needed to divide by 16? (Intel 16分频?56、用 filp-flop 和 logic-gate 设计一个 1位加法器,输入 carryin 和 current- stage,输出 carryout
9、 和 next-stage.(未知)57、用 D 触发器做个 4 进制的计数。58、 实现 N 位 Johnson Counter,N=5 (南山之桥)59、 用你熟悉的设计方式设计一个可预置初值的 7进制循环计数器, 15进制 的呢?60、 数字电路设计当然必问 Verilog/VHDL ,如设计计数器。61、 BLOCKING NONBLOCKING 赋值的区别。(南山之桥)62、 写异步D触发器的verilog module。module dff8(clk , reset, d, q;input elk;input reset;input 7:0 d;output 7:0 q;reg 7
10、:always (posedge elk or posedge resetif(resetq = 0;else= d;汉王笔试)endmodule63、用 D 触发器实现 2 倍分频的 Verilog 描述?module divide2( elk , elk_o, reset;input elk , reset;output elk_o;wire in;reg out ;always ( posedge elk or posedge resetif ( resetout = in;assign in = out;assign clk_o = out;64、可编程逻辑器件在现代电子设计中越来越重
11、要,请问: a 你所知道的可编程逻辑器件有哪些? b 试用 VHDL 或 VERILOG 、ABLE 描述 8 位 D 触发器逻 辑。PAL ,PLD ,CPLD ,FPGA 。input d;output q;reg q;65、请用 HDL 描述四位的全加法器、 5 分频电路。66、用 VERILOG 或 VHDL 写一段代码,实现 10 进制计数器。67、用 VERILOG 或 VHDL 写一段代码,实现消除一个 glitch 。68、一个状态机的题目用 verilog 实现(不过这个状态机画的实在比较差,很 容易误解的) 。69、描述一个交通信号灯的设计。70、画状态机,接受 1,2,5
12、分钱的卖报机,每份报纸 5 分钱。(扬智电子笔 试)71、设计一个自动售货机系统,卖 soda 水的,只能投进三种硬币,要正确的 找回钱数。( 1)画出 fsm (有限状态机);( 2)用 verilog 编程,语法要符合 fpga 设计的要求。72、设计一个自动饮料售卖机,饮料 10分钱,硬币有 5分和 10分两种,并考 虑找零:( 2)用 verilog 编程,语法要符合 fpga 设计的要求;( 3)设计工程中可使用的工具及设计大致过程。73、画出可以检测 10010串的状态图 , 并 verilog 实现之。74、用 FSM 实现 101101 的序列检测模块。a为输入端,b为输出端,
13、如果a连续输入为1101则b输出为1,否则为0。 例如 a : 0001100110110100100110b : 0000000000100100000000请画出 state machine 请用 RTL 描述其 state machine (未知)75、 用 verilog/vddl 检测 stream 中的特定字符串(分状态用状态机写)。(飞 利浦大唐笔试)76、 用 verilog/vhdl 写一个 fifo 控制器 (包括空,满,半满信号 。(飞利浦大 唐笔试)77、 现有一用户需要一种集成电路产品,要求该产品能够实现如下功能:y=lnx,其中,x为4位二进制整数输入信号。y为二进
14、制小数输出,要求保留两位 小数。电源电压为35v假设公司接到该项目后,交由你来负责该产品的设计,试 讨论该产品的设计全程。78、 sram,falsh memory,及 dram 的区别?79、 给出单管 DRAM 的原理图 (西电版数字电子技术基础作者杨颂华、冯 毛官205页图9- 14b,问你有什么办法提高refresh time,总共有5个问题,记不 起来了。(降低温度,增大电容存储容量)( Infineon 笔试)80、 Please draw schematic of a common SRAM cell with 6 transistors,point out which no d
15、es can store data and which node is word line con trol?81、 名词 :sram,ssram,sdram名词 IRQ,BIOS,USB,VHDL,SDRIRQ: Interrupt ReQuestBIOS: Basic input Output SystemUSB: Universal Serial BusVHDL: VHIC Hardware Description LanguageSDR: Single Data Rate压控振荡器的英文缩写 (VCO 。动态随机存储器的英文缩写 (DRAM 。名词解释,无聊的外文缩写罢了,比如 PCI
16、 、ECC 、DDR 、interrupt 、 pipeline IRQ,BIOS,USB,VHDL,VLSI VCO(压控振荡器 RAM (动态随机存储器,FIR IIR DFT(离 散傅立叶变换 或者是中文的,比如:a.量化误差b.直方图c.白平衡IC 设计基础(流程、工艺、版图、器件)1、 我们公司的产品是集成电路,请描述一下你对集成电路的认识,列举一些 与集成电路相关的内容(如讲清楚模拟、数字、双极型、 CMOS 、MCU 、 RISC 、CISC 、DSP 、ASIC 、FPGA 等的概念)。(仕兰微面试题目)2、 FPGA 和 ASIC 的概念,他们的区别。答案: FPGA 是可编
17、程 ASIC 。ASIC:专用集成电路,它是面向专门用途的电路,专门为一个用户设计和制造 的。根据一个用户的特定要求,能以低研制成本,短、交货周期供货的全定制,半 定制集成电路。与门 阵列等其它 ASIC(Application Specific IC 相比,它们又具有设 计开发周期短、设计制造成本低、开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定以 及可实时在线检验等优点3、什么叫做 OTP 片、掩膜片,两者的区别何在?4、你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种?5、描述你对集成电路设计流程的认识。6、简述 FPGA 等可编程逻辑器件设计流程。7、 IC设计前端到后端的流程和eda工具。8、 从R
18、TL synthesis到tape out之间的设计flow,并列出其中各步使用的tool.9、 Asic 的 design flow。10、 写出 asic 前期设计的流程和相应的工具。11、 集成电路前段设计流程,写出相关的工具。先介绍下 IC 开发流程:1.)代码输入(design input用 vhdl 或者是 verilog 语言来完成器件的功能描述,生成 hdl 代码语言输入工具:SUMMIT VISUALHDL MENTOR RENIOR图形输入 : composer(cadence; viewlogic (viewdraw2.)电路仿真( circuit simulation将
19、 vhd 代码进行先前逻辑仿真,验证功能描述是否正确数字电路仿真工具:Verolog : CADENCE Verolig-XLSYNOPSYS VCSMENTOR Modle-simVHDL : CADENCE NC-vhdlSYNOPSYS VSS模拟电路仿真工具:*ANTI HSpice pspice , spectre micro microwave: eesoft : hp3.)逻辑综合( synthesis tools逻辑综合工具可以将设计思想 vhd 代码转化成对应一定工艺手段的门级电路; 将初级仿真中所没有考虑的门沿(gates delay反标到生成的门级网表中,返回电路 仿真阶
20、段进行再 仿真。最终仿真结果生成的网表称为物理网表。12、 请简述一下设计后端的整个流程?13、 是否接触过自动布局布线?请说出一两种工具软件。自动布局布线需要哪 些基本元素?14、 描述你对集成电路工艺的认识。15、 列举几种集成电路典型工艺。工艺上常提到 0.25,0.18指的是什么?(仕 兰微面试题目)16、 请描述一下国内的工艺现状。17、 半导体工艺中,掺杂有哪几种方式?18、 描述 CMOS 电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果?(仕兰微面试题目)19、解释 latch-up 现象和 Antenna effect 和其预防措施 . (未知)20、什么叫 Latchup? (科广试题
21、)21、什么叫窄沟效应 ?22、什么是 NMOS 、PMOS 、CMOS ?什么是增强型、耗尽型?什么是PNP 、NPN ?他们有什么差别?23、 硅栅COMS工艺中N阱中做的是P管还是N管,N阱的阱电位的连接有 什么要求?24、 画出 CMOS 晶体管的 CROSS-OVER 图(应该是纵剖面图),给出所有 可能的传输特性和转移特性。( Infineon 笔试试题)25、 以in terver为例,写出N阱CMOS的process流程,并画出剖面图。(科广 试题)26、 Please explain how we describe the resistance in semiconducto
22、r. Compare th e resistance of a metal,poly and diffusion in tranditional CMOS process(. 威盛 笔试题 circuit design-beijing-03.11.09)27、 说明 mos 一半工作在什么区。(凹凸的题目和面试)28、 画 p-bulk 的 nmos 截面图。29、 写 schematic note(?), 越多越好。30、 寄生效应在 ic 设计中怎样加以克服和利用。31、 太底层的 MOS 管物理特性感觉一般不大会作为笔试面试题,因为全是微 电子物理,公式推导太罗索,除非面试出题的是个老学
23、究。 IC 设计的话需要熟悉 的软件 : Cadence,Synops ys, Avan,t UNIX 当然也要大概会操作。32、unix命令cp -r, rm,uname)(扬智电子笔试)单片机、 MCU 、计算机原理1、简单描述一个单片机系统的主要组成模块,并说明各模块之间的数据流流 向和控制流流向。简述单片机应用系统的设计原则。2、 画出8031与2716 (2K*8ROM )的连线图,要求采用三-八译码器,8031 的P2.5,P2.4和P2 .3参加译码,基本地址范围为 3000H-3FFFH。该2716有没有重 叠地址?根据是什么?若有,则写出每片 2716的重叠地址范围。(仕兰微
24、面试题 目)3、 用 8051设计一个带一个 8*16 键盘加驱动八个数码管(共阳)的原理图。 (仕兰微面试题目)4、 PCI 总线的含义是什么? PCI 总线的主要特点是什么? (仕兰微面试题 目)5、 中断的概念?简述中断的过程。6、 如单片机中断几个 /类型,编中断程序注意什么问题; (未知)7、要用一个开环脉冲调速系统来控制直流电动机的转速,程序由 8051完成。简单原理如下:由P3.4输出脉冲的占空比来控制转速,占空比越大,转速越快; 而占空比由 K7-K0 八个开关来设置,直接与 P1 口相连(开关拨到下方时为 0 , 拨到上方时为 1 ,组成一个八位二进制数 N ),要求占空比为
25、 N/256。 (仕兰微 面试题目)下面程序用计数法来实现这一功能,请将空余部分添完整。MOV P1, #0FFHLOOP1 :MOV R4 ,#0FFHMOV R3 ,#00HLOOP2 :MOV A ,P1SUBB A ,R3JNZ SKP1SKP1:MOV C ,70HMOV P3.4 ,CACALL DELAY :此延时子程序略AJMP LOOP18、单片机上电后没有运转,首先要检查什么?(东信笔试题)9、What is PC Chipset?芯片组( Chipset )是主板的核心组成部分,按照在主板上的排列位置的不 同,通常分为北桥芯片和南桥芯片。北桥芯片提供对 CPU 的类型和主
26、频、内存的 类型和最大容量 ISA/PCI/A GP 插槽、 ECC 纠错等支持。南桥芯片则提供对 KBC(键盘控制器)、 RTC (实时时钟控制器)、 USB (通用串行总线)、 Ultra DMA/33(66EIDE 数据传输方式和 ACPI (高级能源管理)等的支持。其中北桥芯片起着主导性的作用,也称为主桥( Host Bridge)。除了最通用的南北桥结构外,目前芯片组正向更高级的加速集线架构发展,Intel 的 8xx 系列芯片组就是这类芯片组的代表,它将一些子系统如 IDE 接口、音 效、MODEM和USB直接接入主芯片,能够提供比PCI总线宽一倍的带宽,达到 了 266MB/s。10、 如果简历上还说做过 cpu 之类,就会问到诸如 cpu 如何工作,流水线之类 的问题。11、 计算机的基本组成部分及其各自的作用。12、 请画出微机接口电路中,典型的输入设备与微机接口逻辑示意图(数据接 口、控制接口、所存器 /缓冲器)。 (汉王笔试)13、 cache的主要部分什么的。(威盛 VIA 2003.11.06上海笔试试题)14、 同步异步
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