第三部分项目说明.docx

1、第三部分项目说明第三部分 项目说明本项目内容为烟台大学实验室仪器设备采购，内容共分10个包，投标人可以就其一个或几个包进行投标，但供应商不得对包内的货物分解后进行响应。一、 采购清单及技术要求A （进口）序号仪器设备名称单位数量技 术 指 标备注1临界点干燥仪套1温度范围 0-120；压力范围 0-2000 psi；压力释放在1700 psi；冷却/加热 +5/+35；两个开/关阀 入口/出口；针阀减压；电源230V50HZ（最大3安培），115V60HZ（最大6安培）B 序号仪器设备名称单位数量技 术 指 标备注1手动精密裁板机 台1剪板厚：0.4-6.0mm；最大剪板宽：350mm；外形体

2、积：500*400*500mm；机器净重：25Kg；带辅助压板夹具，方便操作定位；裁板不龟裂，不变形，无任何粉屑产生，环保安全；采用进口钨钢刀具材料。2数控钻床 台1软件能自动获取终点并分批钻孔，能铣边；驱动方式：X,Y,Z轴步进电机驱动；加工精度：0.001mm；重复精度：0.001mm；加工范围：:500mm,Y:450mm,Z:200mm；工作电压：220V/50HZ,工作功率：200W3曝光箱 台1最大有效曝光面积：900mm600mm；同时曝光面数：双面；最佳曝光时间：60（时间参数可设置）；最小线宽、线隙为0.01mm(4mil)。4热转印机 台1最大操作宽度：620mm ；最大操

3、作长度：无限制；有效制作面数：双面；最小线宽、线隙：0.02mm；控制方式：微程序控制；额定功率：4200W；工作电压：AC120V220V/5060Hz；5三槽腐蚀机 台1腐蚀槽：共分四个槽，三个腐蚀槽，一个水洗槽；槽体采用耐酸碱，高温PVC材料，能同时腐蚀800*800mm2面积大小的电路板12块以上，腐蚀时间：采用立体结构，带钛管加热恒温及大功率气泵对流装置，腐蚀槽容积：1000*500*1000。附件：高速微型钻床两台6专用底片绘图仪 台1绘图尺寸可达A4幅面；激光绘图，精度高，满足曝光制板需求。7研究型机器人机体 台5机体参数:30cm*20cm,用于C51汇编系统, 配多种传感器,

4、多种伺服电机,高精度LCD显示屏。8单片机嵌入式实验仪 台4核心板技术参数 ：1.CPU为Intel/Marvell XScale PXA270 520MHz,2.SDRAM为64M Byte ,3.FLASH 为32M Byte,4.电源管理为国半电源管理芯片,5. 1个CPLD,6. 65mm*95mm尺寸。扩展板技术参数：1.Nand Flash为64MB(可选),2.显示为6.4寸TFT液晶屏 分辨率640x480,3.触摸屏 UCB1400BE 4线电阻式,4.VGA支持CRT显示器(可选),5.JTAG为20 Pin ,6. 2个USB 主口.9单片机嵌入式实验仪 套3GPS Re

5、ceiver + 天线一体化设计,无需外接天线；同时追踪16颗卫星数据；超低耗电量 38mA.10单片机嵌入式实验仪 套5GSM/GPRS二合一模块体积小、重量轻GPRS多通道类别8低功耗支持GSM/GPRS数据、语音、短消息和传真SIM 应用工具模式音频: 最高速率、升级最高速率和半速率便于集成11单片机嵌入式实验仪 套3CIF(352x288)格式帧率可达30fps，真正的实时视频捕获。 VGA(640x480)格式帧率10-15fps。图像传感器 35万像素CMOS 视像解像度 640(水平) x 480(垂直)像素,RGB24,YUV420 输出接口 USB口 帧率 CIF格式30帧/

6、秒,VGA格式10-15帧/秒 12单片机嵌入式实验仪 套2TWAIN标准兼容，提供640x480格式高清晰静止图像捕获模式。 多种视频和输出格式供选择。 图像传感器 35万像素CMOS 视像解像度 640(水平) x 480(垂直)像素 捕获幅面 640X480 352X288 13片上系统实验箱 套5主芯片FPGA EP1C35F484C8。FPGA配置芯片为EPCS4。提供二路SRAM，容量为1MB及以上。提供一路NOR FLASH 容量为16MB及以上。实验箱开发平台：标配240*128液晶屏,提供48M-1HZ可调的时钟源和频率幅度均可调的模拟信号源（方波、正弦波、三角波）。8位高速

7、并行AD/DA转换模块和12位高速串行AD/DA转换模块。温度传感器模块和霍尔传感器模块。直流电机和步进电机模块。音频喇叭输出。USB、Ethernet、音频、PS2键盘、PS2鼠标、串行接口、VGA接口、IICEEPROM、RTC等接口模块电路。提供常用的16*16点阵显示.14手动丝印台 台1定位方式：三边定位或孔定位；微调范围：12mm；调整精度：0.02mm；最大PCB厚度：80mm；调校方向：X方向、Y方向、Z方向； 丝印有效面积： 680mm560mm；手动丝印台是将锡膏通过在一定形状模板均匀漏印到 PCB 的焊盘上；15精密手动贴片台 台1CCD、CRT视频放大系统，可将图象放大

8、75倍；配有内置真空泵装置，不需外接气原；工做台面面积:550530mm ；X、Y方向调节范围90mm，Z方向调节范围为100mm。 旋转角度可调节范围： 45.16台式回流焊机（含温度控制软件，FLASH课件） 台1温区焊接面积：800mm600mm，自带RS232接口，可和PC相连；焊仓门进出：全自动进出方式，非手动推拉式或翻盖式本机焊接参数可设种类：本机焊接参数16组可预设；操作界面：人机界面友好；自带程控软件，能实时显示焊接曲线和存储焊接数据；自带程控软件焊接参数种类：16种.17热风拨放台 台1电源 AC220V20V 50/60HZ；热风泵功率 45W,气泵形式：膜片式；热风风量

9、0-24L/min热风加热器功率 250W；防静电，风咀温度100-420度连续恒温调整18恒温焊台 台1功 耗：60W ；输出电压：24V AC；发热元件：陶瓷发热体；控温范围：200C-480CC（进口）序号仪器设备名称单位数量技 术 指 标备注1显微操作系统 台1基本配置：1.1 倒置显微镜主机 1套1.2 落射明场照明系统 1套1.3 物镜4X、10X、20X、40X 1套1.4 卤素灯泡，12V100W 2个1.5 显微操作系统 1套1.6 恒温板 1个主要技术指标2.1 研究级倒置显微镜2.1.1 显微镜镜体，可完成明场、相差、浮雕相衬观察*2.1.1.1 物镜转换器：6孔式物镜转

10、换器*2.1.1.2 聚焦机构：备有聚焦机构同轴粗、微调旋钮（最小微调刻度单位：1m），粗调旋钮扭矩可调，备有上限调节*2.1.1.3 原象光口：双层光路设计，共6条射入/射出光路，最多可同时接4 路采集原像的图像获取系统，左侧光口的原像到机架的距离102mm, 备有中间2级放大率转换器1.62.1.1.4 光学系统：无限远校正光学系统2.1.2 透射光照明装置2.1.2.1 100W卤素灯透射光照明装置，视场可变光阑可调2.1.2.2 外置电源供应器 *2.1.3 双目镜筒：瞳距可在50-76mm范围内进行调节，视场直径为222.1.4 载物台：行程为50 50mm *2.1.5 聚光镜：浮

11、雕相衬法专用长工作距离聚光镜，孔径光阑可调，N.A.0.50 W.D.45mm2.1.6 浮雕相衬滑座：浮雕相衬环板：10、40相差环板：4、202.1.7 物镜*2.1.7.1 平场半复消色差相差物镜4X（N.A. 0.13, WD 17） *2.1.7.1 平场半复消色差浮雕相衬专用物镜10X（N.A. 0.3, WD 9.0） *2.1.7.2 长工作距离平场半复消色差相差物镜20X（N.A. 0.45, WD 6.6-7.8）*2.1.7.3 长工作距离平场半复消色差浮雕相衬专用物镜40X（N.A.0.6, W.D. 2.7-4.0）2.1.8 滤色镜：日光平衡滤色片2.1.9 目镜：

12、高眼点目镜，10，视场直径：222.2 显微操作系统：2.2.1 三维电动粗调微操作手（2pcs）2.2.1.1 工作距离：22mm*2.2.1.2 最小速度：50um/sec*2.2.1.3 最大速度：250um/sec2.2.2 三维液压式微操作手（2pcs）2.2.2.1 X-, Y-，Z-轴 移动距离：10mm*2.2.2.2 手柄移动距离（X-, Y-）：2mm（悬挂式）*2.2.2.3 控制钮距离：250um（2.5um min.scale）2.2.2.4 提供：具磁性底座的控件，支架（双），万向节（双）2.2.3 油式微注射仪（可读数）（1pc）2.2.3.1 调节范围：53mm

13、；每旋转一周调节量：500um*2.2.3.2 容量：1060ul；每旋转一周调节量：10ul2.2.4 油式微注射仪（1pc）2.2.4.1 调节范围：53mm；每旋转一周调节量：6mm*2.2.4.2 容量：4240ul；每旋转一周调节量：480ul*2.2.5 与倒置显微镜相连接的适配器 2.2.6 单轴油压操作器：精度2um（1pc）2.2.6 恒温板： *2.2.6.1 尺寸：直径110mm2.2.6.2 温度控制范围：环境温度到502.2.6.3 温度精度：0.3 *表示为重要的必须满足指标。 D序号仪器设备名称单位数量技 术 指 标备注1电弧磁控溅射镀膜机套1 多弧磁控溅射镀膜机

14、，是一套将多弧离子镀膜和磁控溅射镀膜合而为一的复合镀膜设备。多弧镀膜的优点是沉积速度快、膜层牢固、且适应于复杂表面的构件，磁控溅射的优点是膜层均匀性好，但沉积速度较慢。将二者结合可适应于镀制各种单质膜、单层膜、复层膜、合金膜等。本机的采购目的主要在于研究在各种金属、非金属基材料或小型构件上镀膜，改善材料表面性能和提高制品的耐久性。本机需满足通过更换靶材、气氛等简单操作即可完成不同材质、不同类型镀膜的功能。具体技术要求及验收标准如下：一、 设备构成及技术指标：多弧磁控溅射镀膜机由真空室，真空获得系统，膜层沉积系统，系统控制系统和电源系统等组成。a.真空室包括：真空室，切门，底座，工件转架，观察窗

15、，水冷系统等。镀膜室直径：900mm（内壁），950mm（外壁）镀膜室高度：950mm（内壁）含150mm转架镀膜室材质：304不锈钢镀膜室壁厚：8mm（内壁），3mm（外壁）镀膜室顶板及底板厚度：28mm镀膜室门框及法兰厚度：28mm镀膜室门：前开门，切门形式。工件挂具转架：行星式公自转，悬挂式上转架。转架材质：碳钢电镀挂具杆：8根公自转杆+4根公转杆，承重400kg。转架转速：实际应用最高1-5转/min连续可调（公转）转速控制：交流变频调速器水套法兰观察窗等材质：304不锈钢循环水冷：真空室顶部及底部均有水冷镀膜室表面处理：桶体内外壁抛光，所有焊缝热处理及检漏。加热配置：6根不锈钢加热器

16、2KW/根，安装于炉体中心，3根安装于炉体内壁。测温方式及范围：室内两侧各安装一根测温热电偶，测温范围：0-500。气路布局：门内两侧及抽气口两侧各有一根进气管，均布出气口，均匀布气。镀膜室底座：碳钢支架及围板，锁扣喷漆。镀膜室观察窗：安装于镀膜室门上冷却水路：镀膜室侧壁，门，水冷挡板，弧源、法兰等均有，4进4出管路备用。隔热衬板：炉内防辐射保温双层不锈钢内衬，壁厚0.8-1.0mm。冷却管路：进出水总管1.5吋，配水压报警器，各分支水路球阀开关，增加两路备用。气动阀门：六路气动控制阀，分别控制各真空管道阀门。快接法兰：KF40标准接口，炉体两侧共四个。b.真空获得系统包括：扩散泵，罗茨泵，机

17、械泵，高真空阀门和真空管道等。扩散泵： 凸腔泵（国优），装有加油孔，泄油孔及测温口。罗茨泵（国优）。机械泵：粗抽泵，维持泵（国优，）高阀附带电动挡板阀：不锈钢制造，百叶窗挡板阀，角度可调。抽气口管道：附加水冷带，安装屏蔽板。冷阱，真空管路及阀门：电磁带放气阀，极限真空度：优于510-4 Pa漏率要求（真空室，不安装离子源及溅射靶，冷态。）：真空抽至6.010-3 Pa后，关闭高阀，真空度降至1.010-1 Pa时间不少于15分钟。抽气速率：20分钟（从大气3.310-3 Pa）常温状态c.膜层沉积系统包括：新型阴极电弧离子源，非平衡磁控溅射靶。弧源直径：弧源法兰255mm，靶材尺寸10040m

18、m。弧源数量：8个稳弧电流：38-40A（钛靶）引弧方式：电动，自动引弧，断弧自动恢复，粘弧保护。溅射靶尺寸：650150mm矩形，非平衡磁控溅射靶。溅射靶数量：2个电动挡板：电动屏蔽板，保护溅射靶防止污染。d.控制系统包括：真空计，流量计，温度控制系统，真空控制系统和镀膜控制系统。真空显示：复合真空计，高真空规管和双热偶。真空系统及转架控制：控制真空系统的泵及各管路阀门流量控制：四路控制及数字显示调节气体流量，质量流量计控制。温度控制：智能温控仪，控制调节镀膜室加热温度偏压控制：脉冲轰击偏压电源，电压及占空比可调。溅射电源：中频脉冲恒流源，电压可调。弧源控制：八路弧源，电流调节显示弧电源柜：

19、八台200A逆变弧电源e.电源系统包括：弧电源，中频溅射电源，脉冲偏压电源，加热电源等。偏压电源：脉冲直流，频率20KHz，功率20KW，高压档500-1200V，低压档0-500V。溅射电源：中频脉冲，频率40KHz，功率30KW，镀膜时200-700V可调。偏压控制：电压可调，占空比5-95%连续可调。加热电源：智能温控仪，加热功率20KW，功率智能输出。供气系统：四路数字调节控制，四台质量流量计，1000ml/台3+500ml1。工件转速：0-5转/分钟（公转），变频调速器调节，辅助脚踏开关调节转架挂杆位置。电控特点：真空排气系统以及膜层沉积系统等操作步骤安全互锁控制方式：PLC程序控制

20、+手动工艺操作，双模式操控，可随时切换。挂架结构：上转架，挂杆行星式公自转，主轴采用磁流体密封。自控配置：P4研华工控机，80G硬盘，512内存+欧姆龙PLC，17吋液晶显示器，数据打印机。f.配带备件：全套橡胶密封件1套，弧靶配件2套，高真空规管2个，钛靶材2套，随机工具1套二、应用范围可对以下材料进行涂层加工：a. 金属材料：各种纯金属材料，合金材料，不锈钢，电镀器件等。b. 非金属材料：玻璃，陶瓷等。c. 有机材料：尼龙，塑料等。可进行下列各种涂层加工：a.纯金属：金，铂，银，铬，镍，铜，铝以及石墨，硅，钼等等。b.氮化钛系列：TiN：硬度为23002500HV ，磨擦系数为0.65，颜

21、色是金黄色。c.氮化锆系列：ZrN：硬度为20002300HV ，磨擦系数为0.55，颜色是青黄色。d.氮（碳）化铬系列：CrN（CrC）：硬度为20002300HV ，磨擦系数为0.5。e.碳氮化钛：TiCN：硬度为30003500HV ，磨擦系数为0.5，颜色是灰黑色。f.氮化钛铝：TiAlN：硬度为24002600HV ，磨擦系数为0.68，颜色是棕-紫黑色。g.其它多种掺杂膜层和多层膜售后服务1.组装调试：成套设备出厂前在工厂所在地进行组装调试，达到技术要求；拆装运输至使用方所在地后，进行第二次组装调试，并符合生产要求，由使用方在一星期内对装置本体进行验收。2.操作培训：负责培训两名设

22、备操作人员，直至其对标准工艺可熟练操作，能够在供货方的指导下，运用本机独立完成在金属基材上镀制出合格的氮化钛薄膜，作为最终验收。3.保修本套设备保修一年，凡因设备组成部分质量或元器件质量问题及装配调试不合格所造成的设备故障，均在保修之列。但设备所配消耗材料及正常易损件不在保修范围之内。保修期内，一切不按操作规程所造成的人为故障，适当收取维修成本费后进行维修。4.指导维护：保修期后，协助使用方进行正常设备保养及维护，并提供电函指导，如需现场维护，由使用方负担交通及食宿费用。5.维修：离子镀膜设备享受终身维修，保修期后所需维修费用由使用方承担，所需耗材由供货商按成本价长期提供。6.升级换代：本套设

23、备为适应技术发展需要，留有较大改造空间，如须加以改造或升级换代，可在原设备基础上由使用方提出改造方案或技术要求，并经双方协商确定改造费用后，厂方负责实施。7、技术开发：可协助在本设备上进行膜层种类及镀膜工艺的技术开发，双方协商适当收取工艺开发费用。8、实验室改造与配套设施项目含：试验台，通风橱与轴流式风机，配电盘及电缆，冷却塔及配水管，高纯氮钢瓶，高纯氩钢瓶及输气管路，上、下水管道。E（进口）序号仪器设备名称单位数量技 术 指 标备注1精密阻抗分析仪 套1测量参数：|Z|,|Y|,Q,RP,RC,CP,CC,LP,LC,G,X,B,D。复合参数Z-Y，Lp-Rp,Cp-Rp。基本阻抗精度（四端

24、对）：0.08%；信号源特性测试频率40Hz-110MHz；频率分辨率1mHz频率精度20ppm；电压，电流直流偏置直流偏置电平：040V，0100mA（提供自动电平控制功能）；直流偏置分辨率：1mV/40A；具有扫频工作方式。提供多种连接夹具，能够连接常用的DIP封装、SMD封装器件。有材料测试夹具，能够进行介电常数测试。有与计算机及温箱连接接口，有自动测试程序。打印机（Centronics),8 bit I/O,24bit I/OF（进口）序号仪器设备名称单位数量技 术 指 标备注1半导体二极管泵浦激光实验系统(激光器) 套1激光中心波长:8083nm; 光谱宽度6nm；额定激光功率:25

25、W或以上（功率可调）；功率稳定性:2%；光纤芯径:0.6-0.8mm；数值孔径：0.22NA；带不同压缩比光纤耦合系统；光斑均匀；冷却方式：风冷；电源电压：110-230V；50-60HZ；工作寿命大于20000小时，激光器电源和激光器模块为进口产品，电源能够满足不同激光模块要求，质保期3年。G（需要负责“半导体二极管泵浦激光实验系统”的系统连接，使整个系统正常运转。）序号仪器设备名称单位数量技 术 指 标备注1半导体二极管泵浦激光实验系统(光谱仪) 套1探测器：3648像素的线型硅CCD阵列；2048像素的线型硅CCD阵列。波长范围：200-1100 nm；像素阱深： 300,000 电子/

26、阱； 1,5000,000电子/柱 。灵敏度： 400nm时：22 电子/计数值；250nm时：26 光子/计数值 。量子效率： 峰值90% 。功率消耗：450 mA5VDC；光栅：HC-1，300mm-1；入射孔径：5m宽狭缝；滤波片：OFLV-H4；焦距：f/4，101mm；光学分辨率：0.75nmFWHM ；散射光： 0.05%600nm,0.10%435nm；动态范围：2109（系统）， 1300:1（单个扫描信号）。数据传输速率：最高每4ms一个全扫描入存储器。积分时间：4ms60s；光纤连接：SMA905接口，与0.22NA的单股光相连。输入/输出接口:10个随带的数字可编程GPI

27、Os 。操作系统：WindowsXP (通过USB接口与台式电脑、或笔记本电脑相连时) 32位Windows操作系统（通过串行口与台式电脑或笔记本电脑相连时），含数据处理软件。进口2半导体二极管泵浦激光实验系统(功率计) 套1光功率计：50W功率计探头，吸收宽度0.1925 m，最大测量功率50W；50W测能量探头，0.15-20m，最大测量脉冲能量100J进口3半导体二极管泵浦激光实验系统(光电探测器) 套1波长范围:200 nm - 1700 nm；探测器材料：InGaAs或si材料; 光纤直径：20 m；3-dB半宽：30kHz-1GHz。响应时间400ps；暗电流：0.1 nA20V；

28、势垒电容0.3pF20V;输出电阻：50欧；电压：15V；带宽：5GHz；光纤输入：FC/PC；红外显示卡（0.8-107m）；附带数据线4半导体二极管泵浦激光实验系统(激光晶体制冷机) 套1温度范围-1550；制冷量1000W；控温精度 0.2；循环液量 20升/分 ；水槽容积 20升；闭环；包括制冷机组专用继电器、保护器、电容器、制冷部件，为进口原装高品质器件；数显温度显示、微电脑控温，操作简单、醒目； 循环系统采用防腐材料，具备防锈、防腐蚀、防低温液体污染的功能含晶体制冷系统晶体冷却架2个5半导体二极管泵浦激光实验系统(实验平台) 套124001200800（长宽高）；平台粗糙度0.81

29、.6m；平台不平度0.020.05mm/；重620kg以上；M6螺孔阵距25附件: 光学导轨，二维调节架5个，三维调节架5个，整体式五维调节架5个，磁性底座8个，万能底座8个，精密棱镜8个，旋转杆架15个，接杆20个，叉式压板10个，反射/分光镜架台10个，镜架10个，精密升降台5个，激光管架3个，红外显示卡8片，滤光片数个，激光防护眼镜1个，He-Ne内腔激光器1（带调整架）。计算机：GeForce8400独显，1G内存，CPU: Intel PE2180,160G串口硬盘；打印机：黑白激光打印机，最大打印幅面A4，最高分辨率600600dpi，打印速度23ppm，支持支持网络打印。H（进口

30、）序号仪器设备名称单位数量技 术 指 标备注1 I-V特性测试仪 台 1 4个中功率源监视单元；源监视单元电压分辨率:2uV；源监视单元电流输出最大1A，最小分辨率1.5fA ；测量分辨率最小:0.1fA；电容测量分辨率10fF电容测量频率10MHz最大。 Windows图形用户界面；同时查看多任务；对器件或晶元的测试定序；出厂提供的CV驱动程序和分析例行程序；出厂提供的开关驱动程序；出厂提供的检测器驱动程序；内置Excel式电子表格；通过DDE直接进行Excel数据传输；CSV文件导出；实时图形数据分析并存储；支持的PC打印机端口；统计分析、晶元图和直方图。I序号仪器设备名称单位数量技 术 指 标备注1二元合金相图测试系统套5