模拟电子技术习题及答案Word文档格式.docx

1、3二极管在工作电流大于最大整流电流IF时会损坏。 ）4只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。14 分析计算题1电路如图T11所示，设二极管的导通电压UD（on）=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。解：（a）二极管正向导通，所以输出电压U0（60.7）V5.3 V。 （b）令二极管断开，可得UP6 V、UN10 V，UPUpUN2，故V1优先导通后，V2截止，所以输出电压U00.7 V。2电路如图T12所示，二极管具有理想特性，已知ui（sint）V，试对应画出ui、u0、iD的波形。输入电压ui为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零，即u00，而流过二极管的电流iDui

2、R，为半波正弦波，其最大值IDm10 V1 k10 mA；当ui为负半周时，二极管反偏截止，iD0，u0ui为半波正弦波。因此可画出电压u0电流iD的波形如图（b）所示。3稳压二极管电路如图T13所示，已知UZ5 V，IZ5 mA，电压表中流过的电流忽略不计。试求当开关s 断开和闭合时，电压表和电流表、读数分别为多大?当开关S断开，R2支路不通，IA20，此时R1与稳压二极管V相串联，因此由图可得可见稳定二极管处于稳压状态，所以电压表的读数为5 V。当开关S闭合，令稳压二极管开路，可求得R2两端压降为 故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态，因此，R1、R2构成串联电路，电流表A1、A2

3、的读数相同，即而电压表的读数，即R2两端压降为3.6 V。第2章 半导体三极管及其基本应用21 填空题1晶体管从结构上可以分成 PNP 和 NPN 两种类型，它工作时有 2 种载流子参与导电。 2晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结 正偏 ，集电结 反偏 。 3晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是 放大 、 饱和 、 截止 。 4当温度升高时，晶体管的参数 增大 ，ICBO 增大 ，导通电压UBE 减小 。 5某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10A变化到20A时，集电极电流从1mA变为1.99 mA，则交流电流放大系数约为 99 。 6某晶体管的极限参数ICM=20mA、PCM

4、=100mW、U（BR）CEO=30V，因此，当工作电压UCE=10V时，工作电流IC不得超过 10 mA；当工作电压UCE=1V时，IC不得超过 20 mA；当工作电流IC=2 mA时，UCE不得超过 30 V。 7场效应管从结构上可分为两大类： 结型 、 MOS ；根据导电沟道的不同又可分为 N沟道 、 P沟道 两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种： 耗尽型 、 增强型 。 8UGS（off）表示 夹断 电压，IDSS表示 饱和漏极 电流，它们是 耗尽 型场效应管的参数。 22 单选题 1某NPN型管电路中，测得UBE=0 V，UBC= 5 V，则可知管

5、子工作于（ C ）状态。 A放大 B饱和 C截止 D不能确定2根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（ B ）。 ANPN型低频小功率硅晶体管 BNPN型高频小功率硅晶体管 CPNP型低频小功率锗晶体管 DNPN型低频大功率硅晶体管3输入（ C ）时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。 A正弦小信号 B低频大信号 C低频小信号 D高频小信号4（ D ）具有不同的低频小信号电路模型。 ANPN型管和PNP型管 B增强型场效应管和耗尽型场效应管 CN沟道场效应管和P沟道场效应管 D晶体管和场效应管5当UGS0时，（ B ）管不可能工作在恒流区。 AJFET B增强型MOS

6、管 C耗尽型MOS管 DNMOS管6下列场效应管中，无原始导电沟道的为（ B ）。 AN沟道JFET B增强AI PMOS管 C耗尽型NMOS管 D耗尽型PMOS管23 是非题 1可以采用小信号电路模型进行静态工作点的分析。 2MOSFET具有输入阻抗非常高、噪声低、热稳定性好等优点。 3EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。 4结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。 5场效应管用于放大电路时，应工作于饱和区。24 分析计算题 1图T21所示电路中的晶体管为硅管，试判断其工作状态。 解：（a）UBE=UBUE0.700.7V，发射结正偏；UBC=UBUC0.732.3

7、 V，集电结反偏 因此晶体管工作在放大状态。 （b） UBE=UBUE231V，发射结反偏；UBC=UBUC253 V，集电结反偏 因此晶体管工作在截止状态。 （c） UBE=UBUE32.30.7V，发射结正偏；UBC=UBUC32.60.4V，集电结正偏 因此晶体管工作在饱和状态。（d）该管为PNP型晶体管UEB=UEUB（2）（2.7）0.7V，发射结正偏；UCB=UCUB（5）（2.7）2.3V，集电结反偏 2图T22所示电路中，晶体管均为硅管，=100，试判断各晶体管工作状态，并求各管的IB、IC、UCE。（a）方法一： 设晶体管工作在放大状态，则有 ICIB1000.0535.3m

8、AUCE125.333.9 VIBS，所以晶体管处于饱和状态，因而有IB0.053 mA、ICICS3.9 mA、UCEUCE（Sat）0.3 V （b） 设晶体管工作在放大状态，则有 IC1000.008 4 mA0.84 mA UCE5 V0.8432.48 V UCE（Sat）说明晶体管工作在放大状态，故上述假设成立，计算结果正确。 （c）基极偏压为负电压，发射结和集电结均反偏，所以晶体管截止，则IB0，IC0，UCE5 V 3放大电路如图T23所示，试图中所有电容对交流信号的容抗近似为零，试画出各电路的直流通路、交流通路和小信号等效电路。（a）将C1、C2断开，即得直流通路如下图（a）

9、所示；将C1、C2短路、直流电源对地短接，即得交流通路如下图（b）所示；将晶体管用小信号电路模型代人，即得放大电路小信号等效电路如下图（c）所示。 （b）按上述相同方法可得放大电路的直流通路、交流通路、小信号等效电路如下图 （a）、（b）、（c）所示。4场效应管的符号如图T24所示，试指出各场效应管的类型，并定性画出各管的转移特性曲线。（a）为P沟道耗尽型MOS管，它的转移特性曲线如下图（a）所示，其特点是uGS0时，iDIDSS （b）为N沟道增强型MOS管，它的转移特性曲线如下图（b）所示，其特点是uGS0时， iD0 （c）为N沟道结型场效应管，它的转移特性曲线如下图（c）所示，其特点是

10、uGS0时，iDIDSS，且uGS0第3章 放大电路基础31 填空题1放大电路的输入电压Ui10 mV，输出电压U01 V，该放大电路的电压放大倍数为 100 ，电压增益为 40 dB。2放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越 小 ，输入电压也就越 大 ；输出电阻越小，负载对输出电压的影响就越 小 ，放大电路的负载能力就越 强 。3共集电极放大电路的输出电压与输入电压 同 相，电压放大倍数近似为 1 ，输入电阻 大 ，输出电阻 小 。4差分放大电路的输入电压Ui11 V，Ui20.98 V，则它的差模输入电压Uid 0.02 V，共模输入电压UiC 0.99 V。5差分放大电路

11、对 差模 输入信号具有良好的放大作用，对 共模 输入信号具有很强的抑制作用，差分放大电路的零点漂移 很小 。6乙类互补对称功放由 NPN 和 PNP 两种类型晶体管构成，其主要优点是 效率高 。7两级放大电路，第一级电压增益为40 dB，第二级电压放大倍数为10倍，则两级总电压放大倍数为 1000 倍，总电压增益为 60 dB。8集成运算放大器输入级一般采用 差分 放大电路，其作用是用来减小 零点漂移 。9理想集成运算放大器工作在线性状态时，两输入端电压近似 相等 ，称为 虚短 ；输入电流近似为 0 ，称为 虚断 。10集成运算放大器的两输入端分别称为 同相输入 端和 反相输入 端，前者的极性

12、与输出端 反相 ，后者的极性与输出端 同相 。32 单选题1测量某放大电路负载开路时输出电压为3 V，接入2 k的负载后，测得输出电压为1 V，则该放大电路的输出电阻为（ D ）k。 A0.5 B1.0 C2.0 D42为了获得反相电压放大，则应选用（ A ）放大电路。 A共发射极 B共集电极 C共基极 D共栅极3为了使高内阻的信号源与低阻负载能很好配合，可以在信号源与负载之间接入（ B ）放大电路。 A共发射极 B共集电极 C共基极 D共源极4放大电路如图T31所示，已知RSRD，且电容器容量足够大，则 该放大电路两输出电压u0l与u02之间的大小关系为（ B ）。 A u0l = u02

13、Bu0l = u02 C u0lu02 D u0lu02 5选用差分电路的原因是（ A ）。 A减小温漂 B提高输入电阻 C减小失真 D稳定放大倍数6差分放大电路中适当增大公共发射极电阻，将会使电路的（ D ）增大。 A差模电压增益D共模电压增益 C差模输入电阻D共模抑制比7功率放大电路中采用乙类工作状态是为了提高（ B ）。 A输出功率 B放大器效率 C放大倍数 D负载能力8由两管组成的复合管电路如图T32所示，其中等效为PNP型的复合管是（ A ）。9OTL电路负载电阻RL10，电源电压VCC=10 V，略去晶体管的饱和压降，其最大不失真输出功率为（ B ）W。 A10 B，5 C2.5

14、D1.2510集成运算放大器构成的放大电路如图T33所示，已知集成运算放大器最大输出电压Uom10 V，ui5 V，则该放大电路的输出电压为（ C ）V。 A-5 B0 C5 D1033 是非题1放大电路的输出电阻只与放大电路的负载有关，而与输入信号源内阻无 关。2共发射极放大电路由于输出电压与输人电压反相，输入电阻不是很大而且输出电阻又较大，故很少应用。，（ 3单端输出的具有电流源的差分放大电路，主要靠电流源的恒流特性来抑制温漂。4乙类互补对称功率放大电路输出功率越大，功率管的损耗也越大，所以放大器效率也越小。5OCL电路中输入信号越大，交越失真也越大。6直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原

15、因是晶体管参数受温度影响。34 分析计算题1放大电路如图T34所示，已知晶体管的UBEQ0.7 V，99，rbb200，各电容在工作频率上的容抗可略去。试：（1）求静态工作点ICQ、UCEQ；（2）画出放大电路的交流通路和微变等效电路，求出rbe；（3）求电压放大倍数Auuou i及输入电阻Ri、输出电阻R0。（1）求ICQ、UCEQ、IBQ 电路构成分压式电流负反馈偏置电路，所以 （2）画出放大电路的交流通路和微变等效电路，分别如图（a）、（b）所示。 （3）求Au，Ri、R0 由图 （b）可得2差分放大电路如图T35所示，已知I02 mA。（1）求放大电路的静态工作点ICQ2、UCQ2；（

16、2）当u i 10 mV时，iC11.2 mA，求V2管集电极电位uc2、输出电压u0以及电压放大倍数Auuou i。（1）求ICQ2和UCQ2 由图342可知：（2）求uC2、u0及Au 根据差分放大电路的传输特性可知当iC11.2mA时，iC2I0一iC121.20.8 mA 所以V2管集电极电位为 uC2Vcc一iC2 Rc6 V一0.833.6 V 放大电路的输出电压u0为 u0uC2一UCQ23.630.6 V 所以，电压放大倍数为 3放大电路如图T36所示。（1）说明二极管V3、V4的作用；（2）说明晶体管V1、V2工作在什么状态?（3）当Uim4 V时，求出输出功率P0的大小。（

17、1）V3、V4正向导通，其压降提供给功率管V1、V2作为发射结小正向偏置电压，用以克服交越失真。 （2）因V1、V2管发射结加有小正向偏置电压，所以它们工作在甲乙类状态。 （3）因UomUim4 V，所以输出功率为4集成运算放大器构成的反相和同相放大电路如图T37所示，试分别求出它们的电压放大倍数Auuou i及输入电阻Ri。图（a）为反相放大电路，所以 Ri30K 图（b）为同相放大电路，所以 Ri20+4060 K第4章 负反馈放大电路41 填空题1，将反馈引入放大电路后，若使净输入减小，则引人的是 负 反馈，若使净输入增加，则引入的是 正 反馈。2反馈信号只含有直流量的，称为 直流 反馈

18、，反馈信号只含有交流量的，称为 交流 反馈。3反馈放大电路中，若反馈信号取自输出电压，则说明电路引入的是 电压 反馈，若反馈信号取自输出电流，则是 电流 反馈；在输入端，反馈信号与输入信号以电压方式进行比较，则是 串联 反馈，反馈信号与输入信号以电流方式进行比较，则是 并联 反馈。4负反馈虽然使放大电路的增益 减小 ，但能使增益的 稳定 提高，通频带 展宽 ，非线性失真 减小 。5电压负反馈能稳定 输出电压 ，使输出电阻 减小 ；电流负反馈能稳定 输出电流 ，使输出电阻 增大 。6放大电路中为了提高输入电阻应引入 串联 反馈，为了降低输入电阻应引入 并联 反馈。7负反馈放大电路中，其开环电压放

19、大倍数Au=90，电压反馈系数Fu=0.1，则反馈深度为 10 ，闭环放大倍数为 9 。8深度负反馈放大电路有：xi xf ，即xid 0 。42 单选题1放大电路中有反馈的含义是（ C ）。 A输出与输入之间有信号通路 B输出与输入信号成非线性关系 C电路中存在反向传输的信号通路 D除放大电路以外还有信号通路2直流负反馈在放大电路中的主要作用是（ D ）。 A提高输入电阻 B降低输人电阻 C提高增益 D稳定静态工作点3并联负反馈能使放大电路的（ B ）。 A输人电阻增大 B输入电阻减小 C输入电阻不变 D输出电阻减小4在放大电路中，如果希望输出电压受负载影响很小，同时对信号源的影响也要小，则

20、需引入负反馈的类型为（ A ）。 A电压串联 B电压并联 C电流串联 D电流并联5负反馈放大电路中，A为开环放大倍数，F为反馈系数，则在深度负反馈条件下，放大电路的闭环放大倍数且，近似为（ B ）。 AF B1F CA D1+AF43 是非题1直流负反馈只存在于直接耦合电路中，交流负反馈只存在于阻容耦合电路中。2若放大电路的A0，则接入的反馈一定是正反馈，若A0，则接入的反馈一定是负反馈。3共集电极放大电路，由于且Au1，故该电路没有负反馈。4当输入信号是一个失真的正弦波，加人负反馈后能使失真减小。5负反馈只能改善反馈环路以内电路的放大性能，对反馈环路之外电路无效。6在深度负反馈放大电路中，只

21、有尽可能地增大开环放大倍数，才能有效地提高闭环放大倍数。44分析计算题1反馈放大电路如图T41所示，试指出电路的反馈类型，判断其反馈极性。（a）在图T41（a）中标出反馈信号uf，如下图（a）所示，可见ufu0，反馈信号取样于输出电压u0，故输出端为电压反馈。由图（a）可见，ui、uid、uf三者串联，形成电压比较关系uid uiuf，故输入端为串联反馈。令ui为 ，则得输出电压u0 ，uf为 ，如图（a）所示，反馈电压uf使净输入ui减小，故为负反馈。所以图T41 （a）所示电路为电压串联负反馈放大电路。 （b）由图T41 （b）可见，负载RL、反馈网络、基本放大电路（即集成运放）三者为串联

22、，故输出端为电流反馈。输入端输入信号与反馈信号都由集成运放的反相端加入，故为并联反馈，因此可在图中标出反馈电流if如下图 （b）所示。令输入电压ui为 ，如下图（b）所示，此时集成运放输出端对地电位为 ，因此电压uR3为 ，if由输入端流向输出端，如下图（b）所示，可见札iidiiif，反馈使净输入iid减小，故为负反馈。因此，图T41 （b）所示电路为电流并联负反馈放大电路。 （c）由图T41 （c）可见，放大电路的输出端RL、基本放大器、反馈网络三者并联，故为电压反馈。输入端信号源、反馈网络、基本放大器三者并联，故为并联反馈。令输入信号ui为 ，根据共发射极放大电路特性，可知u0为 ，反馈

23、信号if由输入端流向输出端，由下图（c）可得iidiiif，反馈使净输入iid减小，故为负反馈。因此，图T41 （c）所示电路为电压并联负反馈放大电路。2深度负反馈放大电路如图T42所示，在图中标出反馈信号xf，指出反馈类型，求出闭环电压放大倍数Aufuou i。（a）为电压并联负反馈，反馈信号为if ，标于下图 （a）中。在深度电压并联负反馈电路中有iiif，而ii（uiuN）/R1ui/R1，if（uNu0）/R1u0/R2，因此可得 （b）为电流串联负反馈，反馈信号为uf，标于下图（b）中。在深度电流串联负反馈电路中有：uiuf。又由图下（b）可得：u0i0RL，ufi0R2。所以可得

24、（c）为电压串联负反馈，反馈信号为uf，标于下图（c）中。在深度电压串联负反馈放大电路中有：现由下图（c）可知ufu0，所以可得第5章 集成运算放大器的应用电路51 填空题1运算电路中的集成运算放大器应工作在 线性 区，为此运算电路中必须引入 深度负 反馈。2反相比例运算电路的主要特点是输入电阻 较小 ，运算放大器共模输入信号为 零 ；同相比例运算电路的主要特点是输入电阻 很大 ，运算放大器共模输入信号 较大 。3简单RC低通电路在截止频率处输出电压是输入电压的 0.707 倍，即衰减 3 dB，相移为 -45 。4晶体管有三个频率参数f称为 共射截止频率 ，f称为 共基截止频率 ，fT称为

25、特征频率 。5集成运算放大器开环差模电压增益值比直流增益下降3 dB所对应的信号频率称为 开环带宽 ，开环差模电压增益值下降到0dB所对应的信号频率称为 单位增益带宽 。6集成运算放大器交流放大电路采用单电源供电时，运算放大器两个输入端的静态电位不能为 零 ，运算放大器输出端必须接有输出 电容 。52 单选题1图T51所示比例运算电路中，设A为理想运算放大器，已知运算放大 器最大输出电压U0M12 V，当uI=1 V时，则输出电压u0为（ C ）V。 A24 B21 C12 D、122若实现函数u0uI1+4uI24uI3，应选用（ B ）运算电路。 A比例 B加减 C积分 D微分3欲将方波电

26、压转换成三角波电压，应选用（ B ）运算电路。 A微分 B积分 C乘法 D除法4集成运算放大器开环电压增益为106，开环带宽BW=5 Hz，若用它构 成闭环增益为50倍的同相放大电路，则其闭环带宽BWf为（ B ）Hz。 A5105 B105 C250 D553 是非题1凡是集成运算放大器构成的电路，都可用“虚短”和“虚断”概念加以分析。2放大电路低频段没有转折频率，则说明该电路采用了直接耦合方式。3某集成运算放大器开环带宽为5 Hz，由于其非常低，所以该运算放大器只能用于构成直流放大电路。 （ 4与无源滤波器相比较，有源滤波器具有可提供通带内增益，负载对滤波特性影响小等优点。54 分析计算题1电路如图T52所示，试写出各电路输出电压与输入电压的函数关系式并指出电路名称。（a）经整理可得，为减法运算电路 （b），为积分运算电路 （c），为乘法运算电路 （d），为一阶有源低通滤波器2运算电路如图T53所示，试求各电