认识零件教材文档格式.docx

1、类9.1 外观9.2 第脚标示方式9.3封装方式常用连接装置 10.1 外观PIN座，短路帽 11.1 外观其它 电阻1.1 种类及外观：芯片电阻，排阻金属膜电阻水泥绕线型电阻金属氧化膜电阻碳膜电阻绕线电阻热敏电阻排阻 可变电阻1.2 阻值计算（单位为，）：一般是以数字标示其阻值。 码电阻：阻值计算方式为前码标示数值，后码标示其倍数。如标示的前位为数值后位为倍数即的次方即 快速算法为在的后面加上个即为阻值。码电阻：一般用于精密电阻其阻值计算方式为前码标示数值，后码标示其倍数。如标示的前位为数值后位为倍数即的次方，即 快速算法为在的后面加上个即为阻值。：一般是以色码标示其阻值，计算方式参考图一色

2、码表。 码电阻：阻值计算方式为前码标示阻值，后码标示其误差值。 如标示黄紫橙金其阻值计算方式为： 计算方式同电阻计算方式。 黄紫橙其误差值为。 码电阻：一般用于精密电阻其阻值计算方式为前码标示阻值，后码标示其误差值。 如标示黄紫橙橙银其阻值计算方式为： 计算方式为前码为数值后码为倍数 黄紫橙橙的次方 ，误差值为。黑棕红橙黄绿蓝紫灰白金银无图一色码表电容2.1种类及外观： 芯片电容，钽质电容电解电容 电解电容钽质电容基层电容塑料薄膜电容2.2 容值计算：电容器的代表字母是Ccapacitor，单位为法拉farad，但是因为法拉的额度太大并不符合电容实际使用容量大小的标示需要，所以又有较小的微法拉

3、Fmicro farad相当于10-6法拉，以及更小的微微法拉pFpico farad相当于10-12法拉，以及介于两者之间的nFnano farad，相当于10-9法拉。无标示之电容须使用仪器测量才能计算其容值。有标示数值者如 104 （计算方式同电阻），即10100001000001000.1F（1010的4次方），与计算方式相同。（1）以F为单位：电容容量1uF以上者，直接以数值标示容量，例如10000F，3300F。（2）以pF为单位：第一位数与第二位数代表电容数值，第三个数字代表10的次方，亦即数值后面0的个数。例如电容容量标示为104者，代表10后面有四个0，亦即100000pF。

4、（3）以nF为单位：电容容量标示为100n代表100x10-9=10-7法拉，亦等于0.1x10-6法拉，所以等于0.1F。以上关系可以表示为1F=103nF=106pF 2.3 极性：除钽质电容白线标示为正极外一般都以标示白线处为负极；的有极性电容会另外以脚的长短来区分正负极，长脚为正极短脚为负极，基层电容为无极性。2.4 电容耐压：电容耐压以伏特v表示，直接标示在电容外壳或印在套膜上，选用电容时应注意电路电压峰值并预留余裕。2.5 电容误差：电容误差以字母标示如下页10pF10pFB0.1pFC2.25pFD0.5pFE25%F1pF1%G2%H2.5%J5%K10%M20%P-0+100

5、%S-20+50%W-0+200%X-20+40%Z-20+80%电容误差表电感3.1 种类及外观：线圈二极管4.1 ,种类及外观： 半导体是一种导电度介于决缘材料（导电度非常低）及导体（导电度非常高）之间的材。若将某些杂质原子掺入相当纯的半导体材料中就会对这半导体材料的特性产生很大的影响。即使所加的杂质只有千万分之一的程度，却会藉能带结构的改变 而使得材料的电气特性完全改观。经过这种掺杂过程的半导体材料称为外质材料。在半导体装置的制造上有两种非常重要的外质材料 : n 型及 p 型。他们也是构成半导体装置的基本单元。n 型材料是当所加的杂质为像锑、砷及磷这种五个价电子的元素。p 型材料是在纯

6、锗或硅晶体中掺入具有三个价电子的杂质原子而形成，如硼、镓合铟。 下面为我们常见二极管的种类和其功用:1稽纳二极管（Zener Diode）: 稽纳二极管常用来调整电压，而且就像整流二极管一样，在许多电源供应的用途上非常重要。稽纳二极管是一种硅材料 pn 接面组件，其与整流二极管的差别在于专门选用其逆向崩溃区。稽纳二极管的崩溃电压，是在制造时仔细地控制掺杂程度。2变容二极管（Varactor Diodes）:变容二极管可随电压控制的电容器，其原理为 pn 接面逆向偏压时，由空乏区两边形成的接面电容。变容二极管主要用于调谐电路，例如电视的调谐器及其它市售的收音机，均用变容二极管为其零件。变容二极管

7、在高频范围（由最小的电容量来限定）的应用包括了调频调变器、自动频率控制装置、可调带通滤波器及参数放大器等。 3萧基特二极管（Schottky Diodes）: 萧基特二极管主要应用于高频和高速切换中，它们又称为热载子二极管。萧基特二极管是由微量掺杂的半导体（通常为 n 型），与诸如金、银或铂等金属结合而成，因此其接面并非 pn 接面。萧基特二极管是一种快速切换二极管，而其应用即着眼于此特性，例如它们可作高频信号的整流作用。4透纳二极管（Tunnel Diodes）: 透纳二极管具有一种负电阻的特性，其特性使其在振荡器与微波放大器内非常有用。透纳二极管是由锗或砷化镓所组成，其 p 与 n 型区都

8、比一般二极管掺杂较浓。因掺杂浓而使其空乏区变窄，同时也能在逆向偏压时导通，所以并无一般二极管的崩溃效应。 5功率二极管（Power Diodes）: 有些二集体是专门为了在高功率及高温下应用工作而设计的。功率二极管最常备用在整流的过程中，这时交流信号（平均值均零）将被转换成有一平均值（或直流位准）的信号。当应用在这方面的工作时，二极管通常被称为整流器。在大电流、高温及 PIV 额定的要求下，大多数的功率二极管都是以硅质材料制成的。 PIN 二极管（Pin Diode）: 此类二极管由高掺杂浓度的p型与n型，夹着一层纯半导体区所构成。PIN可作为由变化快速的偏压所控制的微波开关，或者利用其顺向电

9、阻可变的特性作为调谐组件。又由于其pn接面无整流作用，所以高频信号可用较低频率的偏压变化来调谐。PIN二极管又可应用其电流控制电阻的原理，用于衰减器内。步复式二极管（Step-Recovery Diode）: 步复式二极管应用了阶梯状的掺杂，使半导体材料内掺杂浓度愈接近pn接面愈低，这会使其顺向切换成逆向偏压时，快速地放出贮存电荷而突然地关闭。同时也能在由逆向切换成顺向偏压时，迅速地建立起顺向电流。IMPATT 二极管（Impatt Diode）: IMPATT二极管，这是一种特殊的微波二极管，应用其引起累增崩溃所需的延迟时间或过度时间，来产生副电阻性，通常均用于微波振荡器内。甘恩二极管（Gu

10、nn Diode）: 甘恩二极管也是一种负电阻性的微波振荡组件，它们并非由pn接面构成，而是在两金属导体间夹着一层薄的n型砷化镓。4.2 极性：一般标示线条一方为负极。发光二极管5.1 外观： .2 种类：下面为我们常见二极管的种类和其功用：发光二极管（Light-Emitting diode（LED）： 发光二极管正如它的名称所示，当它受激时可对外发出可见光。发光二极管并非以锗或硅所制造，通常系以砷磷化镓或磷化镓所制成。因所用于制造的材料不同，则其放射光的波长也不同，颜色自然不同。由砷磷化镓发出的为红色光，而磷化镓则在黄色与绿色之间。LED主要应用为指示灯与显示器。光二极管（Photodio

11、des）： 光二极管是一种半导体 pn接面形的装置，它的工作区被局限于逆偏区。它主要是由p型或n型材料中因热量所产生的少数载子所形成。光二极管多半用作传感器，如工业上用以检测输送带对象，通过某点的光二极管，用以计数对象。液晶显示器（Liquid-Crystal Displays（LCD）： 液晶显示器与LED相比下，它具有低功率工作的优点。一般LCDN所需要的功率在微瓦的数量级，而同等的LED则需要毫瓦的数量级。液晶本身是一种能像液体一样流动的材料。但它的分子结构却具有与固体相通的性质。目前最常用的两种LCD是场效型与动态散射型。光导体（Photoconductive Cells）：光导体是一

12、种端电阻会随入射光强度变化的两端点半导体装置。它也常被称为光阻器。制作光阻器所最常用的材料为硫化镉及硒化镉。光导体并不像其它光电二极管那样一个接面。它只是连接在两点间的薄薄一层材料。红外线发射器（Ir Emitters）： 红外线发射气二极管是一种在顺偏压下能产生辐射的砷化镓固态装置。它的应用范围包括卡片阅读机、纸带阅读机以及防盗警报器。 5.2 极性：一般的会标示正极位置，而则是以脚的长短来分辨，长脚为正极短脚为负极。晶体管 6.1 外观 震荡装置7.1 外观 7.2 频率辨识： 一般标示方式：组件本身上所标示的数字即是，单位为MHZ。 如组件上标示 50.000 其震荡频率即为 50.000MHZ。 第1脚 7.3 极性： 接脚为2只者无极性之分，但插件作业时统一方向对人员目检时较为方便，对零件方向也有一致性；接脚为4只脚者其组件上标示黑点处即为第1只脚。保险丝FUSE8.1 外观 类9.1 外观9.2 第1脚标示方式 标示方式分：圆点、圆洞、缺口（角、边）、线条。 缺口 PIN 1 缺边 圆洞 9.3 封装方式类类常用连接装置10.1 外观 D 接头 为S-VIDEO接头 为S-VIDEO+VIDEO接头 为VIVO接头 座与短路帽 11.1 外观：座短路帽