超频内存时序详解文档格式.docx

1、 RAS to CAS DelaytRAS : Min RAS Active Timi ngtRP : Row Precharge Timi ngtRC : Row Cycle TimetRFC : Row Refresh Cycle TimetRRD : Row to Row Delay（RAS to RAS delay）tWR : Write Recovery Time”及其他参数的设置可选的设置： Auto , Enable（1T） , Disable（2T）。CommanPer Clock（CPC :指令比率，也有翻译为：首命令延迟 ），一般还被描述为 DRAMComma nd Rat

2、e CMD Rate等。由于目前的 DDR内存的寻址，先要进行 P-Ba nk的选择（通过 DIMM上 CS片选信号进行），然后才是 L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的 L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。显然，CPC越短越好。但当随着 主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加， 过短的命令间隔可能会影响稳定性。 因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间， 才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。该参数的默认值为 Disable（2T），如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enabl

3、e（仃）。 CAS Latency Control（tCL） Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。一般我们在查阅内存的时序参数时，如 3-4-4-8 ”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“ CL-tRCD-tRP-tRAS ”。这个3就是第1个参数，即CL参数。CAS Latency Control（ 也被描述为 tCL、 CL、CAS Latency Time 、CAS Timing Delay） ，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。 CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为 CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内

4、存矩阵中的列地址， 所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。内存是根据行和列寻址的， 当请求触发后， 最初是 tRAS（Activeto Precharge Delay）， 预充电后，内存才真正开始初始化 RAS 一旦tRAS激活后，RAS（ Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化 tRCD,周期结束，接着通过 CAS访问所需数据的精确十六进制地址。 期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指 令

5、。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期 数。这个参数越小， 则内存的速度越快。 必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会 丢失数据，因此在提醒大家把 CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高 它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延 迟。该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下， CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能，而 CL值为3可以提高系统的稳定性。注意， WinbondBH-5/6 芯片可能无法设为 3。 Auto， 0， 1， 2， 3

6、， 4， 5， 6， 7。该值就是“ 3-4-4-8 ”内存时序参数中的第 2个参数， 即第 1个4。 RASto CASDelay（ 也 被描述为： tRCD、RAS to CAS Delay 、Active to CMD） ，表示行寻址到列寻址延迟时间 ， 数值越小， 性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时， 需要在这两种脉冲信号之间插入延 迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。建 议该值设置为 3 或 2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。该值为 4 时，系统将处于最稳定的状态，而该值为 5，则太保守。如果你的内存的超频性能不佳，则可将

7、此值设为内存的默认值或尝试提高 tRCD值。 Min RAS Active Timing该值就是该值就是“ 3-4-4-8 ”内存时序参数中的最后一个参数，即 & Min RASActiveTime （ 也被描述为： tRAS、Active to Precharge Delay 、 RowActive Time、Precharge Wait State 、Row Active Delay 、 Row Precharge Delay 、RAS Active Time） ，表示“内存行有效 至预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在 510之间。这个参数要根据实际情况

8、而定，并不是说越大或越小就越好。如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。 降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果 tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为 CASlatency + tRCD + 2 个时钟周期。如果你的 CAS latency的值为2，tRCD的值为3,则最佳的tRAS值应该设置为7个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发 生内存错误或系统死机，则应该增大 tRAS的值。 Row Precharge Timing（tRP） Auto ，

9、 0， 1， 2， 3， 4， 5， 6， 7。该值就是“3-4-4-8 ”内存时序参数中的第 3 个参数， 即第 2 个 4。 RowPrecharge Timing （也被描述为： tRP、RASPrecharge 、Precharge to active） ，表示 内存行地址控制器预充 电时间 ，预充电参数越小则内存读写速度就越快。tRP用来设定在另一行能被激活之前， RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长， 设为 2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而， 想要 把 tRP 设为 2 对大多数内存都是个很高的要求， 可能会造成行激活之前的数据丢失，

10、内存控 制器不能顺利地完成读写操作。 对于桌面计算机来说， 推荐预充电参数的值设定为 2个时钟 周期，这是最佳的设置。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的 bank 将需要 1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRP值为2而出现系统不 稳定的情况下，将此值设定为 3个时钟周期。一般说来，tRP值建议2-5之间的值。值为2将获取最高的性能，该值为 4将在超频时获取最佳的稳定性，同样的而该值为 5，则太保守。大部分内存都无法使用 2的值，需要超 频才可以达到该参数。 Row Cycle Time（tRC） Auto ， 7-22 ，步幅值 1。Row Cycle

11、Time（tRC、RC），表示“ SDRAMr周期时间”，它是包括行单元预充电到激 活在内的整个过程所需要的最小的时钟周期数。其计算公式是： row cycle time （tRC） = minimum row active time（tRAS） + row precharge time（tRP） 。因此，设置该参数之前， 你应该明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的时间过长，会因在完成整个时钟周期 后激活新的地址而等待无谓的延时， 而降低性能。 然后一旦该值设置过小， 在被激活的行单 元被充分充电之前，新的周期就可以被初始化。在这种情况下，仍会导致数据丢失和损坏。因此，最好根据tR

12、C = tRAS + tRP进行设置，如果你的内存模块的 tRAS值是7个时钟周期，而tRP的值为4个时钟周期，则理想的 tRC的值应当设置为11个时钟周期。 Auto ， 9-24 ，步幅值 1 。Row Refresh Cycle Time（tRFC 、RFC），表示“ SDRAM行刷新周期时间”，它是行单元 刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的 bank 中的另一个行单元两次发送刷新指令（即：REF指令）之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。通常tRFC的值不能达到9，而10为最佳设置，17-19是内存超频建议值。建议从 17 开始依次递减来测试该值。大多数

13、稳定值为 tRC 加上 2-4 个时钟周期。 Auto， 0-7 ，每级以 1 的步幅递增。Row to Row Delay ，也被称为 RAS to RAS delay （tRRD） ，表示 行单元到行单元的延 时。该值也表示向相同的 bank中的同一个行单元两次发送激活指令 （即：REF指令）之间的时间间隔。tRRD值越小越好。延迟越低，表示下一个 bank 能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量 的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。于桌面计算机来说，推荐 tRRD值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置，此时的数据膨胀可以忽视。如果比此值低， 则会因为每次激活相邻紧接着的ban

14、k将需要1个时钟周期，这将影响 DDR内存的读写性能，从而降低性能。只 有在tRRD值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为 3个时钟周期。 Auto ， 2， 3。Write Recovery Time （tWD），表示写恢复延时该值说明在一个激活的 bank中完成有效的写操作及预充电前， 必须等待多少个时钟周期。 这段必须的时钟周期用来确保在预 充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。 同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中， 就发生了预充电操作， 会导致数据的丢失及损坏。如果你使用的是 DDR20和266的内存，建议将tWR值设为2;

15、如果使用 DDR333或DDR4O0 则将tWD值设为3。tWTR : Write to Read DelayAuto， 1，2。Write to Read Delay （tWTR），表示“读到写延时”。三星公司称其为 “ TCDLRIast data in to read comma nd） ”，即最后的数据进入读指令。它设定向 DDR内存模块中的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。tWTR值为2在高时钟频率的情况下，降低了读性能，但提高了系统稳定性。这种情况下，也使得内存芯片运行于高速度下。换句话说，增加 tWTR值，可以让内容模块运行于比其默认速度更

16、快的速度下。 如果使用DDR266或 DDR333则将tWTF值设为1;如果使用DDR400 则也可试着将tWTR的值设为1，如果系统不稳定，则改为 2。tREF : Refresh PeriodAuto， 0032-4708，其步进值非固定。Refresh Period （tREF），表示“刷新周期”。它指内存模块的刷新周期。先请看不同的参数在相同的内存下所对应的刷新周期 （单位：微秒，即：一百万分之一秒）。？号在这里表示该刷新周期尚无对应的准确数据。1552= 100mhz（?.?s）2064= 133mhz（?2592= 166mhz（?3120= 200mhz（?3632= 100mh

17、z（?4128= 133mhz（?4672= 166mhz（?0064= 200mhz（?0776= 100mhz（?1032= 133mhz（?1296= 166mhz（?1560= 200mhz（?s） 1816= 100mhz（?2336= 166mhz（?0032= 200mhz（?s） 0388= 100mhz（15.6us）0516= 133mhz（15.6us）0648= 166mhz（15.6us）0780= 200mhz（15.6us） 0908= 100mhz（7.8us）1032= 133mhz（7.8us）1168= 166mhz（7.8us）0016= 200mhz（

18、7.8us） 1536= 100mhz（3.9us）2048= 133mhz（3.9us）2560= 166mhz（3.9us）3072= 200mhz（3.9us） 3684= 100mhz（1.95us）4196= 133mhz（1.95us）4708= 166mhz（1.95us）0128= 200mhz（1.95us）如果采用 Auto 选项，主板 BIOS 将会查询内存上的一个很小的、名为“ SPD” （SerialPrese nee Detect ） 的芯片。SPD存储了内存条的各种相关工作参数等信息，系统会自动根 据SPD中的数据中最保守的设置来确定内存的运行参数。 如过要追求最

19、优的性能， 则需手动设置刷新周期的参数。一般说来， 15.6us 适用于基于 128 兆位内存芯片的内存（即单颗容量为16MB的内存），而7.8us适用于基于256兆位内存芯片的内存（即单颗容量为 32MB的内存）。注意，如果 tREF刷新周期设置不当，将会导致内存单元丢失其数据。另外根据其他的资料显示，内存存储每一个 bit ，都需要定期的刷新来充电。不及时充电会导致数据的丢失。 DRA備际上就是电容器，最小的存储单位是 bit。阵列中的每个bit都能被随机地访问。但如果不充电，数据只能保存很短的时间。因此我们必须每隔 15.6us就刷新一行。每次刷新时数据就被重写一次。正是这个原因DRAM

20、也被称为非永久性存储器。一般通过同步的 RAS-only的刷新方法（行刷新），每行每行的依次刷新。早期的 EDO内存每刷新一行耗费15.6US的时间。因此一个 2Kb的内存每列的刷新时间为 15.6?s x2048 行=32ms。tREF和tRAS 一样，不是一个精确的数值。 通常15.6US和3.9us都能稳定运行，1.95us会降低内存带宽。很多玩家发现，如果内存质量优良，当 tREF 刷新周期设置为3120=200mhz（?s） 时，会得到最佳的性能稳定性比。tWCL : Write CAS Latency Auto， 1-8Write CAS Late ncy （tWCL），表示“写指

21、令到行地址控制器延时”。 SDRAM内存是随机访问的， 这意味着内存控制器可以把数据写入任意的物理地址， 大多数情况下， 数据通常写入距离当前列地址最近的页面。 tWCL表示写入的延迟，除了 DDRII，一般可以设为1T,这个参数和大家熟悉的tCL（ CAS-Latency ）是相对的，tCL表示读的延迟。DRAM Bank Interleave Enable ， DisableDRAM Bankin terleave ，表示“ DRAM Ban交错”。这个设置用来控制是否启用内存交错式 （interleave） 模式。 Interleave 模式允许内存 bank 改变刷新和访问周期。一个

22、bank在刷新的同时另一个 bank 可能正在访问。 最近的实验表明， 由于所有的内存 bank 的刷新周期都是交叉排列的，这样会产生一种流水线效应。虽然 interleave 模式只有在不同 bank 提出连续的的寻址请求时才会起作用， 如果处于 同一 ban k，数据处理时和不开启 in terleave 一样。CPU必须等待第一个数据处理结束和内存 bank 的刷新， 这样才能发送另一个地址。 目前所有的内存都支持 interleave 模式， 在可 能的情况下我们建议打开此项功能。Disable 对将减少内存的带宽，但使系统更加稳定。DQS Skew Control Auto ， in

23、crease Skew ， Decrease SkewDQSSkewControl，表示“ DQS寸间差控制”。稳定的电压可以使内存达到更高的频率，电压浮动会引起较大的时间差（skew），加强控制力可以减少 skew，但相应的DQS（数据控制信号）上升和下降的边缘会出现电压过高或过低。 一个额外的问题是高频信号会引起追踪延迟。DDR内存的解决方法是通过简单数据选通脉冲来增加时钟推进。DDRII引进了更先进的技术：双向的微分 I/O缓存器来组成DQS微分表示用一个简单脉冲信号和一个参考点来测量信号， 而并非信号之间相互比较。理论上提升和下降信号应该是完全对成的，但事实并非如此。时钟和数据的失谐就

24、产生了 DQ-DQS skew同样地，设置为In crease Skew可以提升性能，而 Decrease Skew在牺牲一定性能的情况下，可以增加稳定性。DQS Skew ValueAuto，0-255，步进值为1。当我们开启了 DQS skew con trol后，该选项用来设定增加或减少的数值。值越大，表示速度越快。DRAM Drive Strength Auto， 1-8 ，步进值为 1。DRAM Drive Strength （也被称为：driving strength ），表示 “ DRAM驱动强度这个参数用来控制内存数据总线的信号强度， 数值越高代表信号强度越高， 增加信号强度可

25、以 提高超频的稳定性。但是并非信号强度高就一定好，三星的 TCCD内存芯片在低强度信号下性能更佳。如果设为Auto，系统通常会设定为一个较低的值。对使用 TCCD勺芯片而言，表现会好一些。但是其他的内存芯片就并非如此了，一般说来， 1、3、5 、7都是性能较弱的参数，其中1是最弱的。2、4、6、8是正常的设置，8提供了最强的信号强度。 TCCD!议参数为3、5或 7，其他芯片的内存建议设为 6或 8。DRAM Data Drive Strength Auto， 1-4，步进值为 1。DRAM Data Drive Strength 表示“ DRA嗽据驱动强度”。这个参数决定内存数据总线的信号强

26、度， 数值越高代表信号强度越高。 它主要用于处理高负荷的内存读取时， 增加 DRAM 的驾驭能力。因此，如果你的系统内存的读取负荷很高，则应将该值设置为高 （Hi/High） 。它有助于对内存数据总线超频。 但如果你并没有超频， 提升内存数据线的信号强度， 可以提 高超频后速度的稳定性。此外，提升内存数据总线的信号强度并不能增强 SDRAM DIM的性能。因此，除非你内存有很高的读取负荷或试图超频 DIMM建议设置DRAM Data DriveStrength 的值为低 （Lo/Low） 。要处理大负荷的数据流时，需要提高内存的驾驭能力，你可以设为 Hi或者High。超频时，调高此项参数可以提

27、高稳定性。此外，这个参数对内存性能几乎没什么影响。所以，除 非超频，一般用户建议设为 Lo/Low 。Idle Cycle Limit Auto， 0-256 ，无固定步进值。Idle Cycle Limit 这个参数表示“空闲周期限制”。这个参数指定强制关闭一个也打 开的内存页面之前的 memclock 数值，也就是读取一个内存页面之前，强制对该页面进行重 充电操作所允许的最大时间。BIOS中的该值设置为 Auto时，实际上此时执行的是默认值 256。质量好的内存可以尝试 16-32 。 Idle Cycle Limit 值越低越好。Dynamic Counter Auto ， Enable

28、 ， Disable 。Dynamic Counter 这个参数表示“动态计数器”。这个参数指定开启还是关闭动态空闲 周期计数器。如果选择开启（ Enable ），则会每次进入内存页表 （Page Table） 就强制根据页 面冲突和页面错误（conflict/page miss : PC/PM）之间通信量的比率而动态调整 Idle CycleLimit 的值。这个参数和前一个 Idle Cycle Limit 是密切相关的，启用后会屏蔽掉当前的 Idle Cycle Limit ，并且根据冲突的发生来动态调节。BIOS中的该值设置为 Auto和关闭和一样的。打开该设置可能会提升性能，而关闭该设 置，可以使系统的更稳定。R/W Queue Bypass可选的设置: Auto， 2x， 4x， 8x， 16x。