传感器试验报告Word文档格式.docx

1、与电容传感器的结构答大体相同不同之处在于电容面板的面积应适当增大使测量灵敏度更 好；设计时应考虑的因素还应包括测量误差，温度对测量的影响等电容传感器丈验数握 2SQy = aa =0 99备A. ing討 4L 1崛严、 -Ah cn-100-1 300-X/ （imi）0,20.40.60,S1.21. 4（眄）uWzq352G3901.6L822*22.4Z62.810311&13113154166179193X/ （mn）-0,2-0.4-0.6-0,S-1.2-1. 4V/ （nrz）-15-25_35T6-59-70-1. 6-L S-2-2.2-2.4-2. 6-2. 8-3-82

2、-105-116-127-137-148-160六：实验数据处理由excle处理后得图线可知：系统灵敏度 S=非线性误差S f=353=%实验八直流激励时霍尔式传感器位移特性实验、实验目的：了解霍尔式传感器原理与应用。、基本原理：霍尔式传感器是一种磁敏传感器，基于霍尔效应原理工作。它将被测量的磁场变化（或以磁场为媒体）转换成电动势输出。根据霍尔效应，霍尔电势UH=KHIB当霍尔元件处在梯度磁场中运动时，它就可以进行位移测量。图 8-1霍尔效应原理、需用器件与单元：霍尔传感器实验模板、霍尔传感器、直流源土 4V、土15V、测微头、数显单元四、实验步骤：1、将霍尔传感器按图8-2安装。霍尔传感器与

3、实验模板的连接按图8-3进行。1、3为电源土 4V, 2、4为输出。图8-2霍尔传感器安装示意图2、开启电源，调节测微头使霍尔片在磁钢中间位置再调节 RW2使数显表指示为零。7鲨Jf式佯協红电屋最霍尔传感器实验模扳主机箱:Ji图8-3霍尔传感器位移直流激励实验接线图3、旋转测微头向轴向方向推进，每转动 记下一个读数，直到读数近似不变，将读数填入表8-1表8-1X（mm）作出V-X曲线，计算不同线性范围时的灵敏度和非线性误差 五、思考题: 本实验中霍尔元件位移的线性度实际上反映的是什么量的变化反应的是磁场强度B的变化六数据处理用excle计算如下:350030EM2500200015CJ0100

4、05DD 0 、C-500霍尔实验数据= 0 9*63八i9L”卜川 .-V* taF,0.5 11.5- 22.呂 ；3.呂 45 5Excel处理 x-v图像X/ （non）0.20.8V/fm-）119劭35147S5997233541. 61. i2.22. 6SS5112712641405lEse1736155010303.23. a3. 53. S44. 2X2180232024302540262026902760-0.2o.e-0.B-L2-1.4V/（inv）-113-353-31-603-723-L 6-1.3-2. 2-2*3-590-1113-1259-1390-1546

5、-1693-2253-2000-3.2-3.6-3,3-4.2-4,4-2150-2310-2450-2580-2680-2770由以上的图线和表格数据可以得到: 系统灵敏度S=非线性误差S f=5570=%实验九电涡流传感器了解电涡流传感器测量位移的工作原理和特性。通以高频电流的线圈产生磁场，当有导电体接近时，因导电体 涡流效应产生涡流损耗，而涡流损耗与导电体离线圈的距离有关，因此可 以进行位移测量。电涡流传感器实验模板、电涡流传感器、直流电源、数 显单元、测微头、铁圆片。四、 验步骤：1 .根据图9-3安装电涡流传感器。2、观察传感器结构，这是一个扁平绕线圈3、将电涡流传感器输出线接入实验

6、模板上标有L的两端插孔中，作为振荡器的一个元件（传感器屏蔽层接地）。4、 在测微头端部装上铁质金属圆片，作为电涡流传感器的被测体。5、 将实验模板输出端V0与数显单元输入端Vi相接。数显表量程切换开关选择电压20V档。6、 用连接导线从主控台接入+ 15V直流电源到模板上标有+15V的插孔中7、 使测微头与传感器线圈端部接触，开启主控箱电源开关，记下数显表读数，然后每隔读一个数，直到输出几乎不变为止。将结果列入表 9-1。表9-1电涡流传感器位移X与输出电压数据8、根据表9-1数据，画出V-X曲线，根据曲线找出线性区域及进行正、负位 移测量时的佳工作点，试计算量程为 1mm、3mm及5mm时的

7、灵敏度 和线性度（可以用端基法或其它拟合直线）实验线路图:测醸头+他山涡流传感器实ak模板测徵头竟装礼宝装奪，/Tf2_十1看st宜流穂圧电源 Q+15V -15VY 2主机箱电涡流传感器安装示意图被测体1、电涡流传感器的量程与哪些因素有关，如果需要测量土 5mm的量程应如何设计传感器 2、用电涡流传感器进行非接触位移测量时，如何根据量程使用选用传感器。1,与电涡流传感器能够产生磁场大小有关，还与被测体的材质有关；如果要测量正负5伏的量程让传感器中空被测物体靠近一侧是会远离另外一侧 从而保证测量范围。2在保证精度的情况下尽量使用量程大的传感器Excel处理数据和绘图如下:g*?31TTny =

8、1.5815x.2205、&Jy 一p , /#呈稈lirm总实验数据图线电碾潦总s hn jLe * *1|iI r s g 7 e实验数据记录如下:有以上数据可以计算有:当量程为5mm时：系统灵敏度S=非线性误差S f=%当量程为3mm时：当量程为1mm时：实验十光纤传感器了解光纤位移传感器的工作原理和性能。本实验采用的是导光型多模光纤，它由两束光纤组成 Y型光纤，探头为半圆分布，一束光纤端部与光源相接发射光束， 另一束端部与光电转 换器相接接收光束。两光束混合后的端部是工作端亦即探头，它与被测体相距X, 由光源发出的光通过光纤传到端部射出后再经被测体反射回来， 由另一束光纤接收反射光信号

9、再由光电转换器转换成电压量， 而光电转换器转换的电压量大小与 间距X有关，因此可用于测量位移。移位（图11-3光纤位移特性曲线光纤传感器、光纤传感器实验模板、数显单元、测微头、直流源土 15V、反射面。1、根据图11-4安装光纤位移传感器，二束光纤插入实验板上光电变换座孔上 其内部已和发光管D及光电转换管 T相接。2、将光纤实验模板输出端 V01与数显单元相连，见图11-5图 11-53、 调节测微头，使探头与反射平板轻微接触。4、 实验模板接入土 15V电源，合上主控箱电源开关，调RW使数显表显示为零5、 旋转测微头，被测体离开探头，每隔 读出数显表值，将其填入表11-1。表11-1光纤位移

10、传感器输出电压与位移数据V（v）6根据表9-1数据，作光纤位移传感器的位移特性，计算在量程 1mm时灵敏度和非线性误差 五、思考题:光纤位移传感器测位移时对被测体的表面有些什么要求 答：被测量物体表面一定要光滑，并且反光性能要好。测微头ILLGr-iin接主R箱图11-5 光纤传感器位移实验接线图六实验数据处理实验原始数据：X/fiuni）0. 10.30.50. 6V/ Ciran） Cl 130.270. 410. 530. 65CL 760.70. 80, 9kl1,21. 30. 870,97koe1.131, 211.2S1-351.41. 5L 61.71.81.3L41.441. 521. 551. 57L592.12. 23.32.52.61.61L62L 61L6光纤位移传感器位移特性曲线:j 4H尸为1 rilil.E1E= O.T32召*i HD吕.利 1L m0店4 -Q O& 1Z当量程为1mm时非线性误差s f=%实验数据x-v图