电子技术基础模拟部分授课教案 教案学案Word格式.docx

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基

本

目

的

和

要

求

《模拟电子技术》是测控专业必修的专业基础课，该课程不仅具有自身的理论体系且是一门实践性很强的课程。

本课程的任务是解决电子技术入门的问题，使学生掌握模拟电子电路的基本工作原理、分析方法和基本技能，为深入学习后续课程和从事有关电子技术方面的实际工作打下基础。

重

点

难

教学重点：

各类常用模拟电子元器件的原理、性能参数及应用是本课程的教学重点。

教学难点：

各类常用模拟电子元器件的应用及其常见电路系统的分析和参数的选择是本课程的教学难点。

教材、

参考书

教材：

电子技术基础模拟部分（第五版）.康华光主编.高等教育出版社.2006年

教学参考书

1、《模拟电子技术》.陶桓齐主编.华中科技大学出版社版.2007年

2、《模拟电路基础》.刘光祜主编.电子科技大学出版社.2005年

注：

此页针对课程整体内容进行填写

总学时第1学时—第2学时

授课内容

1绪论

1.1～1.4

教学目的

和要求

了解信号、信号的频谱、模拟信号、数字信号及放大电路模型等基本概念。

重点

难点

重点：

信号、信号的频谱、模拟信号、数字信号的概念

难点：

放大电路基本模型

安

排

（含课堂教学内容、教学方法、辅助手段、师生互动、时间分配、板书设计等）

课堂教学主要以多媒体教学为主，板书教学为辅。

教学内容及时间分配：

第1学时

1.1信号～1.3模拟信号和数字信号

第2学时

1.4放大电路模型

思考题、

课后作业

1.4.1、1.5.3

主要

参考资料

课后自我

总结分析

备注

（对本章节的课堂教学需补充说明的内容）

此页针对具体授课内容填写

总学时第3学时—第4学时

1绪论1.5～2运算放大器2.2

理解放大电路的主要性能指标，掌握理想运算放大电路的电路模型

放大电路频率响应、理想运算放大器的电路模型

理想运算放大器的电路模型

1.5放大电路的主要指标

2运算放大器

2.1集成运算放大器～2.2理想运算放大器

总学时第5学时—第6学时

2.3基本线性运放电路~2.4.1求差电路

了解集成运放线性状态的基本条件和特点，掌握理想运放的虚短与虚断的概念，熟悉基本线性运放的电路组成与工作原理；

掌握这些电路的分析方法及特点。

基本线性运放电路

虚短、虚断、虚地的理解

2.3基本线性运放电路

2.3基本线性运放电路～2.4.1求差电路

总学时第7学时—第8学时

2.4.2仪用放大电路～2.4.4积分电路和微分电路

掌握基本线性运放电路的其它运用

积分电路和微分电路

习题课

2.3.1、2.4.2

总学时第9学时—第10学时

3二极管及其基本电路

3.1半导体基础知识

了解半导体基础知识，理解半导体载流子导电的含义

半导体导电的原理

空穴导电

3.1.1半导体材料～3.1.3本征半导体、空穴及其导电作用

3.1.3本征半导体、空穴及其导电作用～3.1.4杂质半导体

总学时第11学时—第12学时

3.2PN结的形成及特性

了解PN结的形成原理，掌握PN结的单向导电原理

PN结的形成及其单向导电性。

PN结的伏安特性曲线的理解

3.2.1载流子的漂移与扩散～3.2.2PN结的形成

3.2.3PN结的单向导电性～3.2.4PN结的反向击穿

总学时第13学时—第14学时

3.2.5PN结的电容效应～3.4二极管的基本电路及其分析方法

理解PN结的电容效应，掌握二极管的结构、主要参数及其电路分析方法

二极管的伏安特性及基本电路分析方法。

二极管基本电路分析方法

3.2.5PN结的电容效应～3.3.2二极管的V-I特性

3.3.3二极管的主要参数～3.4二极管的基本电路及其分析方法

总学时第15学时—第16学时

3.4.2二极管电路的简化模型分析方法～3.5特殊二极管

通过常见二极管电路的分析举例，进一步加深对二极管电路简化模型分析方法的理解。

采用不同的简化模型分析常见二极管电路

3.4.2二极管电路简化模型分析方法

2.模型分析法应用举例

3.5特殊二极管（主要介绍齐纳二极管及其应用）

总学时第17学时—第18学时

4双极结型三极管及放大电路基础

4.1BJT

理解BJT的结构，了解BJT在放大状态下的工作原理，掌握其V-I特性曲线。

BJT的V-I特性曲线的特点

BJT内部载流子的传输过程

4.1.1BJT的结构简介～4.1.2放大状态下BJT的工作原理

4.1.2放大状态下BJT的工作原理

总学时第19学时—第20学时

4.1.3～4.1.4

掌握BJT的V-I特性曲线的特点，了解BJT的主要参数

BJT的V-I特性曲线

习题讲解～4.1.3BJT的V-I特性曲线

4.1.3BJT的V-I特性曲线～4.1.4BJT的主要参数

3.4.2、3.4.5、3.4.10

总学时第21学时—第22学时

4.1.5温度对BJT参数及特性的影响～4.3放大电路的分析方法

了解温度对BJT参数及特性的影响，掌握基本共射极放大电路的组成及工作原理。

基本共射极放大电路的组成及工作原理和图解分析法

基本共射极放大电路的工作原理

4.1.5温度对BJT参数及特性的影响～4.2.2基本共射极放大电路的工作原理

4.3.1放大电路的图解分析法

总学时第23学时—第24学时

4.3放大电路的分析方法

4.3.1放大电路的图解分析法～4.3.2小信号模型分析法

通过例题加深对图解分析法的理解，了解小信号模型分析法的原理

例题4.3.1

小信号模型分析法的原理

4.3.1放大电路的图解分析法～例题4.3.1

4.3.2小信号模型分析法

总学时第25学时—第26学时

理解小信号模型分析法的原理，掌握H参数小信号模型分析BJT放大电路的方法。

H参数小信号模型分析BJT放大电路的方法

1.H参数小信号模型的建立

2.用H参数小信号模型分析基本共射极放大电路

4.3.4、4.3.5

总学时第27学时—第28学时

4.4放大电路静态工作点的稳定问题

4.4.1温度对静态工作点的影响～4.4.2射极偏置电路

理解温度对BJT放大电路静态工作点的影响，掌握射极偏置电路稳定静态工作点的原理。

射极偏置电路稳定静态工作点的原理

第1学时~第2学时

总学时第29学时—第34学时

课程实验

总学时第35学时—第36学时

4.5共集电极放大电路和共基极放大电路

掌握共集电极和共基极放大电路的特点及其分析方法

共集电极和共基极放大电路的特点

两种BJT放大电路的分析方法

4.5.1共集电极放大电路

4.5.2共基极放大电路

4.5.3BJT放大电路三种组态的比较

总学时第37学时—第38学时

4.6组合放大电路

掌握共射-共基和共集-共集放大电路的特点及相关参数，理解复合管的概念。

共射-共基和共集-共集放大电路的特点

两种组合放大电路的分析方法

习题讲解

4.6.1共射-共基放大电路

4.6.2共集-共集放大电路

4.3.8、4.3.11、4.4.4

总学时第39学时—第40学时

4.7放大电路的频率响应

4.7.1单时间常数RC电路频率响应

理解BJT放大电路的频率响应特性，掌握但时间常数RC电路频率响应特点

单时间常数RC电路频率响应的幅频响应和相频响应曲线的理解

4.7.1单时间常数RC电路频率响应（低通电路）

4.7.1单时间常数RC电路频率响应（高通电路）

总学时第41学时—第42学时

4.7.2BJT的高频小信号模型及频率参数

理解BJT高频小信号模型的建立及相应参数，掌握BJT的频率参数及频率响应特点

BJT的频率参数及响应特点

BJT高频小信号模型的理解

1.BJT的高频小信号模型

2.BJT的高频小信号模型中元件参数值的获得

3.BJT的频率参数

总学时第43学时—第44学时

4.7.3单级共射极放大电路的频率响应

理解单级共射放大电路频率响应的分析方法，掌握其频率响应特点及相关频率参数

共射放大电路频率响应特点及相关频率参数

单级共射放大电路频率响应的分析方法

1.高频响应

2.低频响应

总学时第45学时—第46学时

4.7.4单级共集电极和共基极放大电路的高频响应

4.7.5多级放大电路的频率响应

掌握单级共集电极和共基极放大电路的频率响应特点，了解多级放大电路的频率响应的分析原则及特点

单级共集电极和共基极放大电路的频率响应特点

1.共基极放大电路的高频响应

2.共集电极放大电路的高频响应

4.7.5多级放大电路的频率响应

总学时第47学时—第48学时

5场效应管放大电路

5.1金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管

掌握场效应管的基本分类，理解N沟道增强型MOSFET的结构和工作原理

N沟道增强型MOSFET的结构和工作原理

5.1.1N沟道增强型MOSFET（场效应管基本分类及结构）

5.1.1N沟道增强型MOSFET（工作原理）

总学时第49学时—第50学时

总学时第51学时—第52学时

5.1.2N沟道耗尽型MOSFET～5.1.4沟道长度调制效应

掌握N沟道耗尽型MOSFET的结构及工作原理，理解P沟道MOSFET的特点及沟道长度调制效应

N沟道耗尽型MOSFET的结构及工作原理

N沟道耗尽型MOSFET与N沟道增强型MOSFET的差别

习题讲解

5.1.2N沟道耗尽型MOSFET

5.1.3P沟道MOSFET

5.1.4沟道长度调制效应

4.6.2