二输入与非门或非门版图设计教学内容.docx
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二输入与非门或非门版图设计教学内容
二输入与非门、或非门版图设计
课程名称
Course
集成电路设计技术
项目名称
Item
二输入与非门、或非门版图设计
与非门电路的版图：
.spc文件（瞬时分析）：
*CircuitExtractedbyTannerResearch'sL-EditV7.12/ExtractV4.00;
*TDBFile:
E:
\cmos\yufeimen,Cell:
Cell0
*ExtractDefinitionFile:
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05/25/2011-10:
03
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.tran1n400n
.printtranv（A）v（B）v（F）
*WARNING:
LayerswithUnassignedAREACapacitance.
*
*
*
*
*
*
*WARNING:
LayerswithUnassignedFRINGECapacitance.
*
*
*
*
*
*
*
*
*WARNING:
LayerswithZeroResistance.
*
*
*
*
*NODENAMEALIASES
*1=VDD（34,37）
*2=A（29.5,6.5）
*3=B（55.5,6.5）
*4=F（42.5,6.5）
*6=GND（25,-22）
M1VDDBFVDDPMOSL=2uW=9uAD=99pPD=58uAS=54pPS=30u
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*M2DRAINGATESOURCEBULK（39.514.541.523.5）
M3FB5GNDNMOSL=2uW=9.5uAD=52.25pPD=30uAS=57pPS=31u
*M3DRAINGATESOURCEBULK（47.5-1849.5-8.5）
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*M4DRAINGATESOURCEBULK（39.5-1841.5-8.5）
*TotalNodes:
6
*TotalElements:
4
*ExtractElapsedTime:
0seconds
.END
与非门电路仿真波形图（瞬时分析）：
.spc文件（直流分析）：
*CircuitExtractedbyTannerResearch'sL-EditV7.12/ExtractV4.00;
*TDBFile:
E:
\cmos\yufeimen,Cell:
Cell0
*ExtractDefinitionFile:
C:
\ProgramFiles\TannerEDA\L-Edit\spr\morbn20.ext
*ExtractDateandTime:
05/25/2011-10:
03
.includeH:
\ml2_125.md
VPowerVDDGND5
vaAGND5
vbBGND5
.dcva050.02vb050.02
.printdcv（F）
*WARNING:
LayerswithUnassignedAREACapacitance.
*
*
*
*
*
*
*WARNING:
LayerswithUnassignedFRINGECapacitance.
*
*
*
*
*
*
*
*
*WARNING:
LayerswithZeroResistance.
*
*
*
*
*NODENAMEALIASES
*1=VDD（34,37）
*2=A（29.5,6.5）
*3=B（55.5,6.5）
*4=F（42.5,6.5）
*6=GND（25,-22）
M1VDDBFVDDPMOSL=2uW=9uAD=99pPD=58uAS=54pPS=30u
*M1DRAINGATESOURCEBULK（47.514.549.523.5）
M2FAVDDVDDPMOSL=2uW=9uAD=54pPD=30uAS=99pPS=58u
*M2DRAINGATESOURCEBULK（39.514.541.523.5）
M3FB5GNDNMOSL=2uW=9.5uAD=52.25pPD=30uAS=57pPS=31u
*M3DRAINGATESOURCEBULK（47.5-1849.5-8.5）
M45AGNDGNDNMOSL=2uW=9.5uAD=57pPD=31uAS=52.25pPS=30u
*M4DRAINGATESOURCEBULK（39.5-1841.5-8.5）
*TotalNodes:
6
*TotalElements:
4
*ExtractElapsedTime:
0seconds
.END
与非门电路仿真波形图（直流分析）：
或非门电路的版图：
.spc文件（瞬时分析）：
*CircuitExtractedbyTannerResearch'sL-EditV7.12/ExtractV4.00;
*TDBFile:
E:
\cmos\huofeimen,Cell:
Cell0
*ExtractDefinitionFile:
C:
\ProgramFiles\TannerEDA\L-Edit\spr\morbn20.ext
*ExtractDateandTime:
05/25/2011-10:
04
.includeH:
\CMOS\ml2_125.md
VPowerVDDGND5
vaAGNDPULSE（0505n5n100n200n）
vbBGNDPULSE（0505n5n50n100n）
.tran1n400n
.printtranv（A）v（B）v（F）
*WARNING:
LayerswithUnassignedAREACapacitance.
*
*
*
*
*
*
*WARNING:
LayerswithUnassignedFRINGECapacitance.
*
*
*
*
*
*
*
*
*WARNING:
LayerswithZeroResistance.
*
*
*
*
*NODENAMEALIASES
*1=VDD（34,37）
*2=A（29.5,6.5）
*3=B（55.5,6）
*4=F（42.5,6.5）
*5=GND（25,-22）
M16AVDDVDDPMOSL=2uW=9uAD=54pPD=30uAS=49.5pPS=29u
*M1DRAINGATESOURCEBULK（39.514.541.523.5）
M2FB6VDDPMOSL=2uW=9uAD=49.5pPD=29uAS=54pPS=30u
*M2DRAINGATESOURCEBULK（47.514.549.523.5）
M3FAGNDGNDNMOSL=2uW=9.5uAD=57pPD=31uAS=104.5pPS=60u
*M3DRAINGATESOURCEBULK（39.5-1841.5-8.5）
M4GNDBFGNDNMOSL=2uW=9.5uAD=104.5pPD=60uAS=57pPS=31u
*M4DRAINGATESOURCEBULK（47.5-1849.5-8.5）
*TotalNodes:
6
*TotalElements:
4
*ExtractElapsedTime:
0seconds
.END
或非门电路仿真波形图（瞬时分析）：
.spc文件（直流分析）：
*CircuitExtractedbyTannerResearch'sL-EditV7.12/ExtractV4.00;
*TDBFile:
E:
\cmos\huofeimen,Cell:
Cell0
*ExtractDefinitionFile:
C:
\ProgramFiles\TannerEDA\L-Edit\spr\morbn20.ext
*ExtractDateandTime:
05/25/2011-10:
04
.includeH:
\CMOS\ml2_125.md
VPowerVDDGND5
vaAGND5
vbBGND5
.dcva050.02vb050.02
.printdcv（F）
*WARNING:
LayerswithUnassignedAREACapacitance.
*
*
*
*
*
*
*WARNING:
LayerswithUnassignedFRINGECapacitance.
*
*
*
*
*
*
*
*
*WARNING:
LayerswithZeroResistance.
*
*
*
*
*NODENAMEALIASES
*1=VDD（34,37）
*2=A（29.5,6.5）
*3=B（55.5,6）
*4=F（42.5,6.5）
*5=GND（25,-22）
M16AVDDVDDPMOSL=2uW=9uAD=54pPD=30uAS=49.5pPS=29u
*M1DRAINGATESOURCEBULK（39.514.541.523.5）
M2FB6VDDPMOSL=2uW=9uAD=49.5pPD=29uAS=54pPS=30u
*M2DRAINGATESOURCEBULK（47.514.549.523.5）
M3FAGNDGNDNMOSL=2uW=9.5uAD=57pPD=31uAS=104.5pPS=60u
*M3DRAINGATESOURCEBULK（39.5-1841.5-8.5）
M4GNDBFGNDNMOSL=2uW=9.5uAD=104.5pPD=60uAS=57pPS=31u
*M4DRAINGATESOURCEBULK（47.5-1849.5-8.5）
*TotalNodes:
6
*TotalElements:
4
*ExtractElapsedTime:
0seconds
.END
或非门电路仿真波形图（直流分析）：
课程名称
Course
集成电路设计技术
项目名称
Item
二输入与非门、或非门
版图设计
目的
Objective
1.掌握利用E-EDIT进行IC设计方法，设计二输入与非门版图并仿真
2.掌握利用L-EDIT进行IC设计方法，设计二输入或非门版图并仿真
3.领会并掌握版图设计最优化实现方法。
内容（方法、步骤、要求或考核标准及所需工具、设备等）
一、实训设备与工具
1．PVI计算机一台；
2．TannerPro集成电路设计软件
二、实训方法、步骤与要求
1．二输入与非门电路的线路结构
2．二输入或非门电路的线路结构
3．CMOS倒相器电路的版图
4．根据与非门、或非门线路结构，在一个工程中，重新新建两个新CELL，分别对应与非门和或非门版图，并设计与非门、或非版图结构。
1）按照最佳噪声容限合理设计与非门、或非门单元电路中的N管和P管的尺寸；
2）版图结构最简单，版图尺寸最小；（高度均为70um）
3）加入正确的电路端口，并在抽取的网表中存在A、B和F；
4）版图设计规则检查（DRC）无错误
5．熟记基本、重要的版图设计规则
6．进行CMOS与非门、或非门版图网表抽取，加入仿真命令，进行瞬时和直流分析
ToolExtract
General选项
ExtractDefinitionFile:
C:
\ProgramFiles\TannerEDA\L-Edit\spr\morbn20.ext
SpiceExtractOutputFile:
d:
\design\nand2.spc
Output选项
Comment:
√WriteNodename
٠Names
√WriteVerboseSpiceStatement
SpiceIncludeStatement
.Includec:
\tanner\models\ml2_125.md
插入相应的仿真命令，则可进行二输入与非门、或非门的瞬时或直流仿真
7．合理设计三输入与或非门、或与非门的N管和P管尺寸与版图结构。
8．合理设计三输入与或非门、或与非门的N管和P管尺寸与版图结构。
三、注意事项：
1）如果对版图设计的基本规则不熟悉，可以在L-EDIT中，打开SETUPDRC，列出了所有的设计规则，可学习和记忆其中的一些主要和常用的版图设计规则
2）在进行版图设计规则检查时，应选择输出检查文件一项，版图设计中出现的所有错误，都可以在
该输出文件中列出，并标明出错的原因，与哪条规则相违背，可打开规则进行对照，并在版图上进
行相应的修改。
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