材料物理性能测试思考题答案.docx

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材料物理性能测试思考题答案

无效电子数：

不是全部的自在电子都能介入导电，在外电场的作用下，只要能量接近费密能的少部分电子，方有可能被激发到空能级上往而介入导电.这种真正介入导电的自在电子数被称为无效电子数.之相礼和热创作

K形态：

一样平常与纯金属一样，冷加工使固溶体电阻降低，退火则降低.但对某些成分中含有过渡族金属的合金，虽然金相分析和Ｘ射线分析的结果以为其组织仍是单相的，但在回火中发现合金电阻有失常降低，而在冷加工时发现合金的电阻分明降低，这种合金组织出现的失常形态称为K形态.X射线分析发现，组元原子在晶体中不均匀分布，使原子间距的大小分明动摇，以是也把K形态称为“不均匀固溶体”.

能带：

晶体中大量的原子集合在一同，而且原子之间距离很近，致使离原子核较远的壳层发生交叠，壳层交叠使电子不再局限于某个原子上，有可能转移到相邻原子的类似壳层上往，也可能从相邻原子运动到更远的原子壳层上往，从而使本来处于同一能量形态的电子发生巨大的能量差别，与此绝对应的能级扩展为能带.

禁带：

容许被电子占据的能带称为容许带，容许带之间的范围是不容许电子占据的，此范围称为禁带.

价带：

原子中最外层的电子称为价电子，与价电子能级绝对应的能带称为价带.

导带：

价带以上能量最低的容许带称为导带.

金属材料的基本电阻：

理想金属的电阻只与电子散射和声子散射两种机制有关，可以看成为基本电阻，基本电阻在尽对零度时为零.

残存电阻（剩余电阻）：

电子在杂质和缺陷上的散射发生在有缺陷的晶体中，尽对零度下金属呈现剩余电阻.这个电阻反映了金属纯度和不完好性.

绝对电阻率：

ρ（300K）／ρ（4.2K）是衡量金属纯度的紧张目标.

剩余电阻率ρ’：

金属在尽对零度时的电阻率.有用中常把液氦温度（4.2K）下的电阻率视为剩余电阻率.

绝对电导率：

工程中用绝对电导率（IACS%）表征导体材料的导电功能.把国际尺度软纯铜（在室温20℃下电阻率ρ=0.01724Ω·mm2/m）的电导率作为100%,其他导体材料的电导率与之相比的百分数即为该导体材料的绝对电导率.

马基申定则（马西森定则）：

ρ＝ρ’＋ρ（T）在一级近似下，分歧散射机制对电阻率的贡献可以加法求和.ρ’：

决定于化学缺陷和物理缺陷而与温度有关的剩余电阻率.ρ（T）：

取决于晶格热振动的电阻率（声子电阻率），反映了电子对热振动原子的碰撞.

晶格热振动：

点阵中的质点（原子、离子）围绕其均衡地位附近的巨大振动.

格波：

晶格振动以弹性波的方式在晶格中传播，这种波称为格波，它是多频率振动的组合波.

热容：

物体温度降低1K时所必要的热量（J/K）表征物体在变温过程中与外界热量交换特性的物理量，直接与物质外部原子和电子无规则热运动相联系.

比定压热容：

压力不变时求出的比热容.

比定容热容：

体积不变时求出的比热容.

热导率：

表征物质热传导才能的物理量为热导率.

热阻率：

定义热导率的倒数为热阻率ω，它可以分解为两部分，晶格热振动构成的热阻（ωp）和杂质缺陷构成的热阻（ω0）.

导温系数或热扩散率：

它暗示在单位温度梯度下、单位工夫内经过单位横截面积的热量.热导率的单位：

W/（m·K）

热分析：

经过热效应来研讨物质外部物理和化学过程的实验技术.原理是金属材料发生相变时，伴随热函的渐变.

失常收缩：

对于铁磁性金属和合金如铁、钴、镍及其某些合金，在正常的收缩曲线上出现附加的收缩峰，这些变更称为失常收缩.其中镍和钴的热收缩峰向上为正，称为正失常；而铁和铁镍合金具有负失常的收缩特性.

交换能：

交换能Eex=－2Aσ1σ2cosφA—交换积分常数.当A＞0，φ＝0时，Eex最小，自旋磁矩自发陈列同一方向，即发生自发磁化.当A＜0，φ＝180°时，Eex也最小，自旋磁矩呈反向平行陈列，即发生反铁磁性.交换能是近邻原子间静电互相作用能，各向异性，比别的各项磁自在能大102～104数量级.它使强磁性物质相邻原子磁矩有序陈列，即自发磁化.

磁滞损耗：

铁磁体在交变磁场作用下，磁场交变一周，B-H曲线所描画的曲线称磁滞回线.磁滞回线所围成的面积为铁磁体所斲丧的能量，称为磁滞损耗，通常以热的方式而释放.磁滞损耗

技术磁化：

技术磁化的本质是外加磁场对磁畴的作用过程即外加磁场把各个磁畴的磁矩方向转到外磁场方向（和）或近似外磁场方向的过程.技术磁化的两种完成方式是的磁畴壁迁移和磁矩的转动.

请画出纯金属无相变时电阻率—温度关系曲线，它们分为几个阶段，各阶段电阻发生的机制是什么？

为什么高温下电阻率与温度成反比？

1—ρ电-声∝T（T>2/3ΘD）；

2—ρ电-声∝T5（T<<ΘD）；

3—ρ电-电∝T2（T≈2K）

分为三个阶段：

（1）温度T>（2/3）ΘD阶段,电阻率反比于温度，即ρ（T）=αT.电阻发生的机制是电子—声子（离子）散射.

（2）温度T<<ΘD阶段，电阻率与温度成五次方关系,即ρ∝T5.电阻发生的机制是电子—声子（离子）散射，（3）在极低温度（T≈2K）阶段，电阻率与温度成2次方关系,即ρ∝T2,电阻发生的机制是电子—电子之间的散射.根据公式

，

（称为散射系数）.对金属来说，温度降低离子热振动的振幅愈大，电子就愈易遭到散射，故可以以为

与温度成反比，则

也就与温度成反比（由于式子中其他的量均与温度有关），这就是高温下电阻率与温度成反比的缘故原由.

用电阻法研讨金属冷加工时为什么要在低温？

根据马西森定律,冷加工金属的电阻率可写成

ρ=ρ′+ρM

式中：

ρM暗示与温度有关的退火金属电阻率；ρ′是剩余电阻率.实验证明，ρ′与温度有关，换言之，dρ/dT与冷加工程度有关.总电阻率ρ愈小，ρ′/ρ比值愈大，以是ρ′/ρ的比值随温度降低而增高.显然，低温时用电阻法研讨金属冷加工更为适宜.

从导体、半导体、尽缘体材料能带结构分析其导电功能分歧的缘故原由.

导体：

价带与导带堆叠，无禁带.或价带未被电子填满，这种价带本人即为导带.这两种状况下价电子都是自在的，

就像金属具有大量的这样的自在电子，以是具有很强的导电才能.

半导体和尽缘体：

满价带和空导带之间具有禁带.

半导体：

禁带宽度小，在热、光等外界条件作用下，价带中的部分电子有可能获得充足的能量而越过禁带到达其下面的空带，构成导带.而且价带中出现了电子留下的空穴.导带中的电子和价带中的空穴在电场的作用下沿相反的方向定向挪动，发生电流.导带中的电子导电和价带中的空穴导电同时存在的导电方式称为本征导电，其特征是介入导带的电子和空穴浓度相称，这种半导体称为本征半导体.

尽缘体：

禁带宽度很大，电子很难越过禁带到达其下面的空带，外电场的作用下几乎不发生电流.

金属材料电阻发生的本质.

当电子波经过一个理想晶体点阵时（0K）,它将不受散射；只要在晶体点阵完好性遭到毁坏的地方,电子波才遭到散射（不干系散射）,这就是金属发生电阻的根来源根基因.由于温度惹起的离子运动（热振动）振幅的变更（通经常运用振幅的均方值暗示），以及晶体中异类原子、位错、点缺陷等都会使理想晶体点阵的周期性遭到毁坏.这样，电子波在这些地方发生散射而发生电阻，降低导电性.

为什么金属材料的导电性随温度的降低而降低，而非金属材料的导电性随温度的降低而降低？

对于金属材料：

温度降低，晶格热振动加剧，声子电阻率降低，而剩余电阻率不变，故金属材料的导电性随温度的降低而降低.

对于非金属材料：

温度降低，材料的电子或载流子运动才能加强，数量也添加，传递电荷的才能加强，导电性加强.

金属材料受力后电阻率的变更.

（1）拉力

在弹性范围内单向拉伸或改变应力能进步金属的ρ，并有

（2）压力

对大多数金属来说，在受压力状况下电阻率降低.

—压力系数，为负.

几乎全部纯元素随温度变更电阻压力系数几乎不变.

正常金属元素：

电阻率随压力增大而下降；（铁、钴、镍、钯、铂、铱、铜、银、金、锆、铪等）

失常金属元素：

碱金属、碱土金属、稀土金属和第V族的半金属，它们有正的电阻压力系数，但随压力降低肯定值后系数变号，研讨标明，这种失常征象和压力作用下的相变有关.高压力还能导致物质的金属化，惹起导电类型的变更，而且有助于从尽缘体—半导体—金属—超导体的某种变化.

固溶、冷加工对金属材料电阻率的影响及缘故原由.

构成固溶体时，导电功能降低.即便是在低导电性的金属中溶入高导电性的金属溶质也是云云，但电阻随成分连续变更而无渐变.对于连续固溶体，当组元A溶入组元B时，电阻由B组元的电阻值逐步增大至极大值后再逐步减小到A组元的电阻值.

缘故原由：

（1）惹起晶体点阵畸变，添加了电子的散射，原子半径差越大，固溶体的电阻也越大；

（2）杂质对理想晶体的局部毁坏；

（3）合金化惹起能带结构变更，挪动费米面（0K时电子最高能级）并改变了电子能态的密度和无效导电电子数；

（4）合金化影响弹性常数，使点阵振动的声子谱改变.

一样平常，冷加工惹起电阻率增大.室温下测得经相当大的冷加工变形后纯金属（如铁、铜、银、铝）的电阻率,比未经变形的统共只添加2%～6%.只要金属钨、钼例外,当冷变形量很大时,钨电阻可添加30%～60%,钼添加15%～20%.一样平常单相固溶体经冷加工后,电阻可添加10%～20%.而有序固溶体电阻添加100%,甚至更高.也有相反的状况,如Ni-Cr，Ni-Cu-Zn，Fe-Cr-Al等中构成K形态,则冷加工变形将使合金电阻率降低.

缘故原由：

冷加工惹起金属晶格畸变，添加电子散射几率；同时也会惹起金属晶体原子结合键的改变，导致原子间距变更.

固溶体的有序化对其电阻率有何影响？

为什么？

固溶体发生有序时，其电阻率分明降低.

固溶体发生有序化时对导电性的影响：

（1）使点阵规律性加强，减少了对电子的散射而使电阻率降低

（2）使组元间的互相化学作用加强，使无效电子数减少，从而惹起电阻率的降低.

上述两种相反的作用中，第一种作用占主导地位，因此有序化一样平常表示为电阻率降低.有序化程度越高，电阻率就越低.

将下列物质按热导率大小排序，并阐明理由：

（1）铬

（2）银（3）Ni-Cr合金（4）石英（5）铁

（2）银＞（5）铁＞（3）Ni-Cr合金＞

（1）铬＞（4）石英

银在五种物质中导电功能最佳，铁次之.合金热导率通常小于纯金属.铬的性子比较接近半导体.石英是尽缘体.导电率：

（2）银＞（5）铁＞（3）Ni-Cr合金＞

（1）铬＞（4）石英.根据魏德曼—弗兰兹定律，热导率与电导率之间存在如下关系：

.以是，

（2）银＞（5）铁＞（3）Ni-Cr合金＞

（1）铬＞（4）石英.

为什么说材料热学功能的物理本质都与晶格热振动有关?

固体材料的各种热学功能就其物理本质而言，均与构成材料的质点（原子、离子）热振动有关.固体材料由晶体或非晶体组成，点阵中的质点（原子、离子）总是围绕其均衡地位作巨大振动，这种振动称为晶格热振动.

材料中质点之间的振动存在的关系和作用.

材料内能的本质、热容的物理本质.

Cp与Cv的物理意义是什么？

能否经过实验丈量？

Cp与Cv哪个大，为什么？

若温度降低时物体的体积不变，物体吸取的热量只用来满足温度降低物体内能的添加，此种条件下的热容称为定容热容（Cv）.若温度降低时物体的压力不变，物体吸取的热量除了用来满足温度降低物体内能的添加外，还对外做功，此种条件下的热容称为定压热容（Cp）.对于金属，Cv不克不及直接经过实验丈量，需由实验测得Cp，再换算得到Cv.Cp大于Cv，这是由于定压比热容中含有体积收缩功，

.故在相反质量的条件下，Cp更大.

材料热容随温度的变更规律.

Ⅰ区：

T：

0～5K，Cv∝T

Ⅱ区：

cv∝T3，T达到

时，Cv＝3R.

Ⅲ区：

cv＞3R，添加部分次要是自在电子热容的贡献.

热容经验定律的内容及其与实践符合的状况.

若晶体有N个原子，则有3N个自在度.金属原子的热振动既具有动能，又具有位能，两者不竭地互相转换，且均匀动能与均匀位能统计地相称（每个振动自在度均匀动能和均匀位能都为1/2kT）.以是一摩尔金属的总内能应为Um＝3NkT＝3RT.金属的定容摩尔热容为：

热容经验定律杜隆－珀替定律（Dulong-Petitrule）的内容是全部金属的摩尔热容是一个与温度有关的常数，其数值接近于3R.

与实践符合的状况是：

（1）以为热容与温度有关，与现实不符.

（2）以为全部元素热容相反，构成化合物时，分子热容等于各原子热容之和，与现实不完全相符.

（3）低温时、轻元素与现实不同很大.

（4）除轻元素外，大部分元素与固体物质在非低温时，与现实非常接近.

与实践不符合的缘故原由：

假设与前提成绩，原子（各种元素、任何温度）均匀动能、位能相称，模型过于简化.把原子的振动能量看作是连续的，不符合能量不连续性的量子化条件.

热容爱因斯坦模型、德拜模型的前提及其与现实符合状况，不完全相符的缘故原由.

爱因斯坦模型

（1）前提：

晶格中每个原子（离子）都在其格点作振动，各个原子的振动是独立而互不依赖，每个原子都具有相反的四周环境，因此其振动频率v都是相反的，原子振动的能量是不连续的、量子化的.可把原子的振动看作是谐振子的振动.

（2）现实符合状况：

在高温时热容和杜隆—珀替定律同等，并和热容曲线符合得较好.

值一样平常在100～300K范围.

（3）不完全相符的缘故原由：

在低温时，热容与温度之间的关系中存在指数项，不符合实验的Cv=T3关系，即随着温度的降低，爱因斯坦热容理论值比实验值要更快公开降而趋近于零.缘故原由在于把原子的振动看成是孤立的，并忽略了振子振动频率的不同.

德拜模型

（1）前提：

在爱因斯坦量子热容理论根底上加以美满的.以为：

晶体中各原子间存在着弹性的斥力和吸力，这种力使原子热振动互相受牵连而达到相邻原子间和谐地振动.波长较长，属于声频波范围（相当于弹性振动波）.由于弹性波波长宏大于晶格常数，可近似地把晶体视为连续介质，把弹性波的振动也可近似地视为连续的，其振动频率可连续分布在零到vm之间.

（2）现实符合状况：

在高温下原子都几乎以最大频率振动，因此使热容接近于一个常数.此时德拜热容理论与经典热容理论、爱因斯坦热容理论同等.在低温时，金属温度降低所吸取的热量次要是用来加强晶格的振动，即便得具有高频振动的振子数急剧地增多，Cv与T3成反比.当T=0K时，Cv=0.这也完全符合实验规律.

（3）不完全相符的缘故原由：

在很接近0K的温度范围，德拜热容理论与实验规律存在着毛病.缘故原由在于德拜理论只考虑了晶格振动对热容的贡献，而未考虑自在电子对热容的贡献.在极低的温度下，由于晶格振动的能量已趋近于零，自在电子的动能便不成被忽略，它成为对热容的次要贡献者.

材料热容与温度关系的经验公式.

分析材料热收缩特性的工程意义.

会使釉层脱

材料热收缩系数随温度的变更状况.

材料热收缩的机理.

格律乃森定律的内容及缘故原由.

格律乃森（Grüneisen）从晶格振动理论导出金属体收缩系数与热容间存在的关系式：

式中：

γ是格律乃森常数，是暗示原子非线性振动的物理量，一样平常物质γ在1.5-2.5间变更；K是体积模量；V是体积；CV是等容热容.

从热容理论知,低温下CV随温度T3变更,则收缩系数在低温下也按T3规律变更,即收缩系数和热容随温度变更的特征基本同等.体收缩系数与定容热容成反比，它们有类似的温度依赖关系，在低温下随温度降低急剧增大，而到高温则趋向陡峭.

固溶和冷加工对材料的λ（热导率）有何影响？

为什么？

程减小，热

哪些要素会影响材料的热导率？

怎样影响？

（1）对于纯金属，影响其电导率要素有：

温度、晶粒大小、晶向、杂质.具体地来说：

根据导热机制可以推论高电导率的金属就有高的热导率.

①热导率与温度关系：

在低温时,热导率随温度降低而不竭增大，并达到最大值.随后，热导率在一小段温度范围内基本坚持不变；当温度降低到某一温度后，热导率开始急剧下降，并在熔点处达到最低值.但像铋和锑这类金属凝结时,它们的热导率添加一倍，这可能是过渡至液态时，共价键合减弱，而金属键合加强的结果.在德拜温度以上略成直线关系，

.在德拜温度以下，某些金属的热导率遵照格留涅申定律而变更，

铁磁性金属或合金的热导率与温度曲线在居里点时有迁移转变.

②晶粒大小的影响：

一样平常状况是晶粒粗大，热导率高；晶粒愈细，热导率愈低.

③立方晶系的热导率与晶向有关.非立方晶系晶体热导率表示出各向异性.

④所含杂质猛烈影响热导率.当加入大批杂质时，组元的热导率降低很剧烈，但随着浓度的添加对热导率的影响要小得多.

（2）对于合金

两种金属构成连续无序固溶体时,溶质组元浓度愈高,热导率降低愈多,而且热导率最小值靠近原子浓度50%处.当组元为铁及过渡族金属时，热导率最小值比50%处有较大的偏离.当为有序固溶体时，热导率进步，最大值对应于有序固溶体化学组分.

（3）对于无机非金属材料

比较而言,金属材料热导率的影响要素比较单一，而无机非金属材料就复杂一点.因此，金属材料热导率的影响要素对无机非金属材料都异样的有作用，只是由于陶瓷材料相结构复杂一点，包含玻璃相和肯定孔隙率.

①化学组成的影响：

对于无机非金属材料来说，材料结构的绝对原子质量愈小，密度愈小，弹性模量愈大,德拜温度愈高,则热导率愈大,以是轻元素的固体和结合能大的固体热导率较大，固溶体的状况与金属固溶体的变更趋向类似，和金属固溶体类似，杂质浓度很低时，杂质降低热导率效应非常分明；杂质浓度增高时，杂质效应减弱，在低温下杂质效应将会更分明.

②晶体结构的影响：

晶体结构愈复杂，晶格振动的非线性程度愈大，其散射程度愈大，因此声子均匀自在程较小，以是热导率便低了.

③晶粒大小和各向异性的影响：

与对金属的热导率影响相反.异样化学组成的多晶体的热导率总比单晶小.

④非晶体的热导率：

非晶体的热导率在全部温度下都比晶体小.玻璃是无机的非晶体材料，其热导率变更有其特殊性.

⑤分散相的影响：

稀有复相陶瓷的典型微观结构是分散相均匀地分散在连续相中.热导率可以按下式计算：

式中：

κc、κd分别为连续相和分散相的热导率；φd为分散相的体积分数.

⑥气孔率的影响：

无机材料常含有气孔，气孔对热导率的影响较复杂.假如温度不是很高，且气孔率不大，尺寸很小，分布又均匀，可以以为此时的气孔是复相陶瓷的分散相,此时热导率可以按上式处理.只是由于与固相相比，其热导率很小，可以近似以为零,且κc/κd很大，此时κ≈κs（1-φ气孔）.式中：

κs为陶瓷固相热导率；φ气孔为气孔的体积分数.考虑气孔的辐射传热时，按下式计算：

式中：

P为气孔面积分数；PL是气孔的长度分数；ε为辐射面的热发射率；G是几何因子；纵向长条气孔G=1，横向圆柱形气孔G=π/4,球形气孔G=2/3；d是气孔最大尺寸.

（5）对于本征半导体

在本征半导体中，导带中电子和价带中的空穴随温度降低而添加，这导致热导率随温度降低而降低.

可以采纳哪些措施进步材料的磁导率？

其理论根据是什么？

（1）消弭材料中的杂质；

（2）把晶粒培育到充足大并呈等轴状；（3）构成再结晶织构；（4）采取磁场中退火.

（1）的理论根据是如当杂质固溶在材料中会形成点阵歪曲，当杂质呈夹杂物存在时则使畴壁穿孔，这都会给畴壁迁移形成阻力，导致磁导率下降，矫顽力上升.

（2）的理论根据是晶粒充足大，使得晶界减少，畴壁迁移变得愈加容易.

（3）的理论根据是再结晶织构具无方向性，在该方向的磁导率会分明增大.

（4）的理论根据是在沿轴向的磁场中缓慢冷却时，磁畴将在室温磁化时沿应伸长（在正磁致伸缩状况下）的方向事后伸长，这样经过磁场中退火的样品，其磁致伸缩将不妨碍磁化，样品的磁化将变得愈加容易，从而在该方向会有高的磁导率.

铁磁性物质中的互相作用能有哪些？

各有什么特点？

其中哪种能量最大？

铁磁性物质中的互相作用能有：

磁晶各向异功能、磁弹功能、交换作用能、退磁能.

磁晶各向异功能是指沿分歧晶轴方向的能量差.其特点是在易磁化轴上，磁晶各向异功能最小.

物体在磁化时要伸长（或紧缩），假如遭到限定，不克不及伸长（或延长），则在物体外部发生压应力（或拉应力），物体外部将发生的磁弹功能.其特点是物体外部缺陷、杂质等都可能添加其磁弹功能.

交换作用能是指近邻原子间静电互相作用能，其特点是各向异性，比别的各项磁自在能大102～104数量级.它使强磁性物质相邻原子磁矩有序陈列，即自发磁化.而别的各项磁自在能

退磁能是指退磁场与铁磁体的互相作用能.其特点是退磁能与材料的退磁因子N，磁化强度M的平方成反比.N值、M2越大，退磁能越大.

总的来说，磁晶各向异功能、磁弹功能、退磁能不改变其自发磁化的本质，而仅改变其磁畴结构.

其中，交换作用能的能量最大.

物质抗磁性发生的根源是什么？

为什么任何物质在磁场中都发生抗磁性？

理论研讨证明,抗磁性来源于电子轨道运动,故可以说任何物质在外磁场作用下均应有抗磁性效应.但只要原子的电子壳层完全填满了电子的物质,抗磁性才能表示出来,否则抗磁性就被此外磁性掩盖了.

无外H的时分：

电子壳层已填满的原子总磁矩为0.

有外H作用时：

即便总磁矩为0的原子，也会发生磁矩.不管循轨运动的方向是绕H轴向顺时针还是逆时针，电子的循轨运动在外H作用下都会发生抗磁矩,即发生的附加磁矩总是与外H方向相反，这就是物质发生抗磁性的缘故原由.

物质顺磁性发生的根源是什么？

物质的顺磁性是怎样发生的？

物质顺磁性发生的根源是：

原子（离子）的固有磁矩.

无外H的时分：

由于热运动的影响，固有磁矩的取向为无序的，宏观上无磁性.

外H作用下：

固有磁矩与H作用，有较高的静磁能，为降低静磁能，固有磁矩改变与H的夹角，趋于排向外H方向，表示为正向磁化.在常和气H不是很高的状况下，M与H成反比，磁化要克服热运动的干扰，磁矩难以有序陈列，故顺磁化进行非常困难，磁化率较小.

铁磁性材料为什么会构成肯定外形和大小的磁畴？

为了最大限制地减小退磁能，磁畴必须构成三角畴的封闭结构，即呈封闭磁路，这样可使退磁能等于零.当铁磁晶体构成磁畴时，虽然降低了退磁场能，但添加了畴壁能.对大块晶粒来说，后者比前者要小很多，因此分畴在能量上是有利的.

影响磁畴壁迁移的要素有哪些？

怎样影响？

（1）铁磁材料中的夹杂物、第二相、空隙的数量及其分布.

（2）内应力崎岖大小和分布，崎岖越大、分布越不均匀，对磁畴壁的迁移阻力越大.为进步材料磁导率，就必须减少夹杂物的数量，减少内应力.

（3）磁晶各向异功能的大小，由于壁移本质上是原子磁矩的转动，它必定要经过难磁化方向，故降低磁晶各向异功能也可进步磁导率.

（4）磁致伸缩功能和磁弹功能也影响较小壁移过程，由于壁移也会惹起材料某一方向的伸长,另一方向则要延长,故要添加磁导率,应使材料具有较小的磁致伸缩和磁弹功能.

铁磁性材料的技术磁化机制.

分别用应力理论和杂质理论解释铁磁性材料技术磁化过程.

有人建议：

银有良好的导电性而且可以在铝中固溶肯定的数量，因此可用银使铝固溶强化，以供高压输电线运用.请详述：

（a）这个意见能否基本正确；

（b）能否提够另一种达到上述目的的方法；

（c）阐述你所提供方案的良好性.

（a）不正确.由于构成固溶体时，导电功能降低，即便是在低导电性的金属中溶入高导电性的金属溶质也是云云.Ag价格昂贵，不宜用与高压输电线.

（b）运用铝包钢芯铝绞线.绞制是为了增大团体绞线的柔软性，与钢芯共绞是为增大绞线的团体强度.

（c）铝包钢芯铝绞线是由铝包钢丝​做加强芯和硬铝线绞合组成的架空导线.铝包钢芯铝绞线和平凡钢芯铝绞线相比，绞线分量轻5%，载流量进步2～3%，弧垂减小1～2%，电力损耗减少4～6%，且防腐功能好、运用寿命长、结构