大学物理实验——霍尔效应优质PPT.ppt

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N型载流子是电子；

P型载流子是空穴有一N型半导体薄片：

厚为d，宽为b，AC电极间距为l,洛伦兹力,霍尔电场霍尔电压,动态平衡时,P型半导体,测量霍尔电压,IS,IS,mV,实验中的副效应：

不等势电压V0厄廷豪森效应VE能斯特效应VN里纪-勒杜克效应VRL,副效应的消除方法用对称测量法测量+B,+ISVAA=V1,-B,+ISVAA=V2,-B,-ISVAA=V3,+B,-ISVAA=V4,VAA,仪器介绍,霍尔片,IS输入,+IS,-IS,霍尔片,输出,VH,VH,+,-,mV,+,-,霍尔效应测试仪,SH,VHV（mV）,IS（mA）IM（A）,IS调节,IM调节,IS输出,IM输出,VHV输入,-3.21,.123,仪器介绍,实验内容,保持IM值不变,（取IM=0.600A），改变IS，测量VH，用最小二乘法处理数据，计算霍尔系数RH，计算载流子浓度n。

电磁铁励磁电流，电磁铁常数电磁铁磁感应强度B的国际单位：

特斯拉T，单位换算,RH霍尔系数,1.测量霍尔电压,计算霍尔系数,实验内容,2.测AC间电压，计算电导率，迁移率。

将实验仪“VH输出”开关倒向，在零磁场下（怎样获得零磁场？

），取，测量。

注意:

IS取值不要大于0.20mA，以免过大，毫伏表超量程。

霍尔片,输出,VH,VH,+,-,mV,数据处理,记录B0、IM，计算磁感应强度B（计算过程）。

记录霍尔片几何参量b、d、l（122页）。

用最小二乘法处理数据，记录截距A，斜率B，相关系数r。

用斜率B计算霍尔系数RH。

判断材料的导电类型（N型P型）。

数据处理,计算载流子浓度（单位体积内含有载流子的个数，单位）计算电导率（描述物体的导电能力，是电阻率的倒数。

单位：

西门子/米（S/m））计算迁移率（是指载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的大小的量度，运动得快，迁移率大；

运动得慢，迁移率小。

单位）,注意事项,霍尔片性脆易碎，电极甚细易断，严禁撞击或用手触摸，否则易遭损坏。

在需要调节霍尔片位置时，必须谨慎，切勿随意改变Y轴方向的高度，以免霍尔片与磁极面摩擦而受损。

决不允许将“IM输出”接到“IS输入”或“VH、V输出”处，否则，一旦通电，霍尔样品即遭损坏。

测量V时，IS不宜过大，以免数字电压表超量程，通常IS取为0.2mA左右。

最小二乘法（直线拟合y=A+Bx）,相关系数,斜率,截距,如果相关系数|r|趋于1，说明VH和IS线性关系好，截距A趋于0，说明VH和IS是正比关系，有因为,返回,最小二乘法（直线拟合y=A+Bx）,返回,霍尔效应（Halleffect）,IS,P型半导体,返回,不等势电压,不等势电压是由于霍尔元件的材料本身不均匀，以及电压输入端AA引线在制作时不可能绝对对称地焊接在霍尔片的两侧。

因此，当电流流过霍尔元件时，在电极AA间也具有电势差，记为，其方向只随方向不同而改变，与磁场方向无关。

因此，可通过改变方向予以消除。

IS,返回,厄廷豪森效应,返回,1887年厄廷豪森发现，由于载流子的速度不相等，它们在磁场的作用下，速度大的受到的洛仑兹力大，绕大圆轨道运动，速度小则绕小圆轨道运动，这样导致霍尔元件的一端较另一端具有较多的能量而形成一个横向的温度梯度。

因而产生温差效应，形成电势差，记为，其方向取决于和的方向。

可判断出和始终同向。

能斯特效应,返回,由图所示由于输入电流端引线D、E点处的电阻不相等，通电后发热程度不同，使D和E两端之间出现热扩散电流，在磁场的作用下，在A、A两端出现横向电场，由此产生附加电势差，记为。

其方向与无关，只随磁场方向而变。

D,E,里纪-勒杜克效应,由于热扩散电流的载流子的迁移率不同，类似于厄廷豪森效应中载流子速度不同一样，也将形成一个横向的温度梯度，产生附加电势差，记为，其方向只与磁场方向有关，与同向。

返回,取+B、+测得取B、+测得取B、测得取+B、测得消去、和得因为，一般可忽略不计，所以,副效应的消除方法,返回,