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材料科学基础

 

第二章

晶向指数和晶面指数

晶向指数[uvw]

晶体中因对称关系而等价的各组晶向可归并为一个晶向族,用<uvw>表示。

代表原子排列相

同,空间位向不同的所有晶向。

晶面指数(hkl)

步骤:

(1)设定参考坐标系;

(2)求待定晶面在三个坐标轴上的截距;

(3)取各截距的倒数;(4)将三个倒数化为互质的整数比,并加上圆括号,

记为(hkl),即表示该晶面的指数。

如果截距为负数,在相应的指数上方加一负号。

例:

已知某晶面在坐标轴上截距为1/2,1/3,2/3,求该晶面指数。

答:

该晶面指数为(463)

推论:

在立方晶系中,具有相同指数的晶向和晶面必定是相互垂直的。

如[111]垂直于(111)。

例:

求金刚石结构中通过(0,0,0)和(3/4,3/4,1/4)两点决定的晶向,并求与该晶向垂直的晶面。

答:

两点坐标相减后,将其化为一组互质的整数,晶向指数为[331]。

因为立方系中同名晶

面和晶向互相垂直。

则(331)与[331]垂直。

六方晶系指数

采用a1,a2,a3及c四个晶轴表示,其中a1,a2,a3之间的夹角均为120°,晶面指数以

(hkil)四个指数来表示,晶向指数用[uvtw]来表示,要求i=-(h+k),t=-(u+v)。

晶带:

所有平行或相交于某一晶向直线的晶面构成一个晶带,此直线称为晶带轴。

晶带定律:

晶带轴[uvw]与该晶带的晶面(hkl)之间存在以下关系hu+kv+lw=0

1)2)3)4)见笔记本

立方晶系简单晶胞的晶面间距:

dhkl

低指数的面间距较大,高指数的面间距较小。

晶面间距越大,贝y该晶面上的原子排列越密集;晶面间距越小,贝y排列越稀疏。

2.2种典型的金属晶体结构

面心立方结构(A1或fee),体心立方结构(A2或bee),密排六方结构(A3或hcp)晶胞中的原子数(n)

晶胞顶角处的原子被几个晶胞所共有,晶面上的原子被两个晶胞共有,体内的原子单独被一

面心立方结构丹=8X吉+EX号=3

体心立方结构冷=8x£+l=2*

O

密排六方结构壮=12X£+2X寺+3=6口

个晶胞所有。

点阵常数(或晶格常数)

:

由晶胞的棱边长度(a,b,c)来表示。

面心立方结构:

4R

体心立方结构:

4R

a

」2

a二—

点阵常数与原子半径(R)

例:

已知Ni的晶体结构为面心立方结构,其原子半径为

R=0.1243nm,求Ni的晶格常数和

密度。

(Ni的摩尔质量Ar为58.69g/mol,阿伏伽德罗常数NA为6.023X1023)解:

配位数(CN)和致密度(K)

配位数:

指晶体结构中任一原子周围最近邻且等距离的原子数。

致密度:

指晶体结构中原子体积占总体积的百分数。

例:

已知Mn的同素异构体有一立方结构,其晶格常数a=0.632nm,空览;U=7.26g/cm3,

原子半径R=0.122nm,确定该Mn晶胞中的原子数及其致密度。

(Mn的摩尔质量Ar为

54.94g/mol,阿伏伽德罗常数

mnAr

3

VaNA

即:

n

ra3Na

Ar

43

20汽一兀Rnv

20—~0.1223

0.632

33=0.466

-Fe中的C原子所处的位置,若此位置全部被C原子占据,那么,在此情

况下,-Fe能溶解C的质量分数为多少?

实际上碳在铁中的最大溶解质量分数是2.11%,

二者在数值上有差异的原因是什么?

答:

(仁;-Fe为fee结构,八面体间隙的半径为0.414R,四面体间隙半径为0.225R,所以

C原子一般处于八面体间隙位置。

由于fee结构中的的八面体间隙数为4,和原子数相等,

若此类位置全部被C'-Fe中C的原子数分数为50%,质量分数

=12心2+56)=17.6%。

(2)实际上碳在铁中的最大溶解质量分数是2.11%,大大小于理论值,这是因为fee中八面

体间隙半径=0.414R=0.414X0.1288=0.054nm,而C原子的半径为0.077nm,大于八面体间闻.:

半*bFl"汀弊人会引起-Fe晶格畸变,这就妨碍了碳原子进一步的溶入。

合金相分为固溶体和中间相两大类。

固溶体:

是以某一组元为溶剂,在其晶体点阵中溶入其他组元原子(溶质原子)所形成的均

匀混合的固态溶体,它保持着溶剂的晶体结构类型。

中间相:

是指组成合金相的异类原子有固定的比例,所形成的固相的晶体结构与所有组元均

不同,且这种相的成分多数处于A在B中的溶解限度和B在A中的溶解限度之间,即落在相图的中间部位。

随着异类原子的溶入,将引起溶剂晶格常数的改变及晶格畸变,致使合金性能发生变化。

形成固溶体而使合金的强度、硬度升高的现象称为固溶强化。

置换固溶体:

当溶质原子溶入溶剂中形成固溶体时,溶质原子占据溶剂点阵的阵点,或者说

溶质原子置换了溶剂点阵的部分溶剂原子所形成的固溶体。

金属元素彼此之间一般都能形成置换固溶体。

影响置换固溶体中溶解度的因素:

(1)晶体结构

(2)、原子尺寸因素(3)、化学亲和力(电负性因素)

4)、原子价因素(5)、温度

当原子尺寸因素有利时,在某些以一价金属为基的固溶体中,溶质的原子价越高,其溶解度

越小。

电子浓度:

合金中价电子数目与原子数目的比值,即e/a。

A(100—x)+Bx

e/a

100

A-溶剂的原子价B-溶质的原子价

x-溶质的原子数分数(%)

例:

根据下表所给值,确定哪一种金属可作为溶质与Ti形成溶解度较大的固溶体,并计算

固溶体中此溶质原子数分数为10%时,相应的质量分数是多少?

Ti

hepa=0.295nm

r=0.145nm

Ar=47.87g/mol

Be

hep

a=0.228nm

r=0.111nm

Ar=9.01g/mol

Al

fee

a=0.404nm

r=0.143nm

Ar=26.98g/mol

V

bee

a=0.304nm

r=0.131nm

Ar=50.94g/mol

Cr

bee

a=0.288nm

r=0.125nm

Ar=52.0g/mol

解:

金属原子一般形成置换固溶体,置换固溶体的固溶度的大小主要取决于晶体结构类型、

原子尺寸、

原子价和化学亲和力等因素。

(1)V、Cr与Ti的晶体结构不同,差异较大,所以一般溶解度较小;

(2)Be与Ti的晶体结构相同,但原子半径相差太大,△r=23%>15%,所以溶解度也不大;

(3)AI与Ti的晶体结构虽然不同,但相近均为密排结构,且原子半径非常接近,二者的化学亲和力也很小,所以AI在Ti中可有较大的固溶度。

当Ti中AI的原子数分数为10%时,相应的质量分数为:

 

例已知Cu基固溶体的极限电子浓度为1.36,Cu的原子价为1,Zn的原子价为2,Sn的原

子价为4。

(1)Cu-Zn和Cu-Sn组成固溶体最多可溶入多少原子数分数的Zn和Sn?

(2)

若Cu晶体中固溶入Zn的原子数分数为10%,最多还能溶入多少原子数分数的Sn?

解:

(1)设最多可溶入原子数分数为x1的Zn和x2的Sn,根据电子浓度公式得

1X(100-10-x3)+2汉10+4x:

x3

每个晶胞中的原子数为

(°.379510JJ"13=4.002

A19.40910

 

a=0.4514nm,

例:

渗碳体(Fe3C)是一种间隙化合物,它具有正交点阵结构,其点阵常数

b=0.508nm,c=0.6734nm•其密度=7.66g/cm3,求渗碳体每单位晶胞中含Fe原子和C原子的数目。

(Fe的摩尔质量Ar(Fe)为55.85g/mol,C的摩尔质量Ar(C)为12.011g/mol,阿伏伽德罗常数NA为6.023X1023)

解:

设渗碳体晶胞中C原子个数为x个,则Fe原子的个数为3x个。

mxxAr(C)+3xxAr(Fe)

p==

Va汉bxc汇Na

abcNa

即:

xA

A,C)+3AjFe)

7.660.45140.5080.673410刀6.0231023“c

==3.968叱4

12.011355.85

3x二12

故渗碳体中每单位晶胞内的C原子数为4个,Fe原子数为12个。

第三章

晶体缺陷:

指实际晶体中与理想的点阵结构发生偏差的区域。

这些区域具有晶体结构的基本

特性,仅是晶体中少数原子的排列特征发生了改变。

晶体缺陷对晶体的性能,特别是对结构敏感的性能有很大影响,通过控制点阵中的缺陷,可

获得性能更优异和有实用价值的材料。

根据晶体缺陷的几何特征,可将其分为三类:

(1)点缺陷:

在三维空间各个方向上尺寸都很小,又叫零维缺陷,如空位、间隙原子、杂质和溶质原子等。

(2)线缺陷:

在两个方向上尺寸很小,另外一个方向上延伸较长,也称一维缺陷,如各类位错。

(3)面缺陷:

在一个方向上尺寸很小,另外两个方向上扩展很大,也称二维缺陷,如晶界、相界、孪晶界和堆垛层错等。

点缺陷的类型:

肖特基缺陷弗仑克尔缺陷原子进入其它空位处,使空位消失或移位。

例1:

MgO二」密览对=3.58g/cm3,其晶格常数为0.42nm,MgO为面心立方结构,求每个

MgO晶胞中所含的空位数。

(Mg的摩尔质量Ar(Mg)=24.31g/mol,O的摩尔质量Ar(O)=16g/mol,阿伏伽德罗常数NA=6.023X1023。

设单位晶胞内所含的空位数为x个,

(4-x)(Ar(Mg)Ar(O))

a3Na

Na江p江a3

_A,Mg)A,O)

6.

02310233.58(0.4210一7)3

24.3116

点缺陷的平衡浓度

点缺陷一方面造成点阵畸变,使晶体内能升高;另一方面,使晶体熵值增大,因此在一定温度下有一定的平衡浓度

n人/

Aexp(

N

例4:

在某晶体的扩散试验中发现,在500C时,1010个原子中有1个原子具有足够的激活

能,可以跳出其平衡位置而进入间隙位置;在600C时,此比例会增加到109。

(1)求此跳

跃所需要的激活能。

(2)在700C时,具有足够能量的原子所占的比例为多少?

(2)在700C时,

如果一个柏氏矢量是另外两个柏氏矢量之和,则按矢量加法法则有:

aaa

b=db2[u1v1w1][u2v2w2][u1u2,v^v2,w1w2]

nnn

位错强度用|b来表示,

柏氏矢量越大,表明该位错导致点阵畸变越严重,它所处的能量也越高。

例5:

某晶体中有一条位错线b1=a[001],该位错线的一端露头于晶体表面,另一端与两条

位错线相连接,其中一条位错线b2,求另一条位错线b3的柏氏矢量。

a—aa—a—

b3二d-b2二a[001][111][002][111][111]

2222

运动位错交割后,每根位错线上都可能产生一扭折或割阶,其大小和方向取决于另一个位错

的b,但具有原位错线的b。

所有的割阶都是刃型位错,而扭折可以是刃型,也可以是螺型的。

扭折与原位错线在同一个滑移面上,可以随着主位错线一起运动,几乎不产生阻力,还易于

消失。

割阶与原位错线不在同一滑移面上,除非割阶产生攀移,否则割阶就不能随主位错线一起运

动,成为位错运动的障碍,产生割阶硬化。

位错的应变能:

位错的存在引起点阵畸变,导致能量增高,此增量即为位错的应变能。

位错的应变能包括位错中心畸变能和弹性应变能。

常以弹性应变能代表位错的应变能。

单位长度位错的总应变能E:

位错的线张力T:

位错的线张力是使位错由曲变直的力;在数值上等于单位长度位错的应变能。

对于两端固定的位错弧段,其曲率半径r取决于它所受到的切应力:

作用在位错上的力:

在外切应力作用下,位错将在滑移面上产生滑移运动。

由于位错的移动方向总是与位错线垂

直,可虚拟为有一个垂直于位错线的力。

Fd为作用在单位长度位错上的力:

Fd的方向与位错线垂直并指向滑移面的未滑移部分。

Fd"b

单位长度两平行螺位错的交互作用力fr:

Gbb2

r为两位错间的距离。

fr

2兀r

fr的方向平行于两位错线的连线,且两位错同号相斥,异号相吸。

例6:

假设有两根能量均为E1的左螺旋位错线,当他们无限靠拢时,总能量E为多少?

解:

由于位错的应变能与b2成正比,同号螺位错的能量相同,其柏氏矢量必定相同。

当两个同号位错无限靠拢时,即合并为一根位错,则新位错的柏氏矢量为2b,则其总能量E=4E1。

但实际上此位错反应是无法进行的,因为合并后能量增加,何况同性相斥,两同号位错间的排斥力将不允许他们无限靠拢。

例7:

晶体滑移面上有一位错环,其b=2.5510-10m,外力场在其柏氏矢量方向的切应力

为=10-4G,求此位错环在晶体中能扩张的半径为多大?

解:

当位错所受外力与其线张力达到平衡时,所对应的曲率半径R,即为位错环在晶体中能

扩张的半径,则

Gb

2R

例&在面心立方晶体中,把2个平行的同号同b的螺型位错从距离100nm推近到8nm,

需要做多少功?

已知b=2.1210-10m,G=71010Pa。

解:

两平行单位长度螺位错间的作用力F与其距离r之间的关系式为Gb

则两单位长度位错从100nm推到8nm需要做的功为F=——

2.r

 

例10:

已知铜晶体的G=4x1010Pa,b=2.5x10-10m.取=0.75,严重变形铜晶体中的位错=1011m/cm3。

试计算单位体积严重变形铜晶体内储存的位错应变能。

解:

(1)单位长度位错的应变能为

E二:

Gt2=0.7541010(2.510-10)2二1.87510—9J/m

(2)单位体积内位错的应变能为

E=EP=1.875汉10一_1011二187.5J/cm3

例11:

如图所示,有两个被钉扎住的刃型位错AB和CD,他们的长度X相等,b的大小和方向也均相同,每个位错都可以看做F-R位错源。

(1)试分析在其增殖过程中二者间的交互作用;(2c1,若能形成一个大的位错源,

c为多少?

 

解:

两位错在外力作用下将向上弯曲并不断扩大,当他们扩大相遇时,由于相遇处两位错线

均平行于b,并且方向相反,分别属于左螺旋和右螺旋位错,他们互相抵消,将于相互连结

处断开,放出一个大的位错环,形成以A-D两点被钉扎的新位错源。

由于新位错源AD的长度为5X,由临界切应力公式得:

GbGb

 

例12:

判断下列位错反应能否进行

(1)a[100]a[010]——[111]—[111]

22

aa——

(2)a[100][111][111]

22

解:

(1)几何条件:

反应前a[100]a[010]=a[110]

亠一aa—a

反应后2【111]2【111]=2【220]=a[110]

能量条件:

反应前a|b|2二(a1200)2-(a-..012-0)2二2a2

反应后x|b|^(|121212)2(|...12■12■(-1)2)2

32o2a2a

2

又满足能量条件,故反应式成立。

解:

(2)几何条件:

反应后与反应前一致。

此反应既满足几何条件

a[111]-a[111]=邑[200]=日[100],

222

能量条件:

反应前'|b|2=a2

反应后X|b|2=(a<12+12+12)2+(a山2+(-1)2+(-1)2)2

22

322

aa

2

此反应虽然满足几何条件,但不满足能量条件,

故该反应式不能成立。

小角度晶界:

相邻晶粒位向差小于100的晶界。

包括对称倾斜晶界、不对称倾斜晶界、扭转晶界

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