如图芯片引脚图
Vcc：
电源
Vss：
地
P（端口（P0.0〜P0.7,39〜32引脚）：
P0口是一个漏极开路的8位双向I/O口。
作为输出端口，每个引脚能驱动8个TTL负载，对端口P0写入1”时，可以作为高阻抗输入。
在访问外部程序和数据存储器时，P0口也可以提供低8位地址和8位数据的复用总线。
此时，P0口内部上拉电阻有效。
在FlashRO编程时，P0端口接收指令字节；而在校验程序时，则输出指令字节。
验证时，要求外接上拉电阻。
P1端口（P1.0〜P1.7，1〜8引脚）：
P1口是一个带内部上拉电阻的8位双向I/O口。
P1的输出缓冲器可驱动（吸收或者输出电流方式）4个TTL输入。
对端口写入1时，通过内部的上拉电阻把端口拉到高电位，这是可用作输入口。
P1口作输入口使
用时，因为有内部上拉电阻，那些被外部拉低的引脚会输出一个电流。
此外，P1.0和P1.1还可以作为定时器/计数器2的外部技术输入（P1.0/T2）和定时器/计数器2的触发输入（P1.1/T2EX）。
P2端口（P2.0〜P2.7,21〜28引脚）：
P2口是一个带内部上拉电阻的8位双向I/O端口。
P2的输出缓冲器可以驱动（吸收或输出电流方式）4个TTL俞入。
对端口写入1时，通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平，这时可用作输入口。
P2作为输入口使
用时，因为有内部的上拉电阻，那些被外部信号拉低的引脚会输出一个电流。
在访问外部程序存储器和16位地址的外部数据存储器（如执行MOVX@DF”R令）时，P2送出高8位地址。
在访问8位地址的外部数据存储器（如执行MOVX@R1指令）时，P2口引脚上的内容（就是专用寄存器（SFR区中的P2寄存器的内容），在整个访问期间不会改变。
在对FlashROM编程和程序校验期间，P2也接收高位地址和一些控制信号。
P3端口（P3.0〜P3.7，10〜17引脚）：
P3是一个带内部上拉电阻的8位双向I/O端口。
P3的输出缓冲器可驱动（吸收或输出电流方式）4个TTL俞入。
对端口写入1时，通过内部的上拉电阻把端口拉到高电位，这时可用作输入口。
P3做输入口使用
时，因为有内部的上拉电阻，那些被外部信号拉低的引脚会输入一个电流。
在对FlashROM编程或程序校验时，P3还接收一些控制信号。
RST（9引脚）：
复位输入。
当输入连续两个机器周期以上高电平时为有效，用来完成单片机的复位初始化操作。
看门狗计时完成后，RST引脚输出96个晶振周期的高电平。
特殊寄存器AUXFR地址8EH上的DISRTO位可以使此功能无效。
DISRT（默认状态下，复位高电平有效。
ALE/PROG（30引脚）：
地址锁存控制信号（ALE是访问外部程序存储器时，锁存低8位地址的输出脉冲。
在Flash编程时，此引脚也用作编程输入脉冲。
在一般情况下，ALE以晶振六分之一的固定频率输出脉冲，可用来作为外部定时器或时钟使用。
然而，特别强调，在每次访问外部数据存储器时，ALE永冲将会跳过。
如果需要，通过将地址位8EH勺SFR勺第0位置1”，ALE操作将无效。
这一位置1”，ALE仅在执行MOV或MO指令时有效。
否则，ALE各被微弱拉高。
这个ALE使能标志位（地址位8EH勺SFR勺第0位）的设置对微控制器处于外部执行模式下无效。
PSEN（29引脚）：
外部程序存储器选通信号是外部程序存储器选通信号。
当AT89C51R从外部程序存储器执行外部代码时，PSEN在每个机器周期被激活两次，而访问外部数据存储器时，PSEN将不被激活。
EA/VPP（31引脚）：
访问外部程序存储器控制信号。
为使能从0000H到FFFFH勺外部程序存储器读取指令，EA必须接GND注意加密方式1时，EA将内部锁定位
RESET为了执行内部程序指令，EA应该接VCC在Flash编程期间，EA也接收12伏VPP电压。
XTAL1（19引脚）：
振荡器反相放大器和内部时钟发生电路的输入端。
XTAL2（18引脚）：
振荡器反相放大器的输入端。
第2章系统的硬件设计和连接
2.1、时钟电路
STC89C5内部有一个用于构成振荡器的高增益反相放大器，引脚RXD叮XD分别
是此放大器的输入端和输出端。
时钟可以由内部方式产生或外部方式产生。
如下:
C3
Cap
30pF
22、复位电路
RST引脚是单片机复位端，高电频有效。
在引脚端输入至少连续两个单片
机周期的高电频，单片机复位。
使用时，在引脚与VSS引脚之间接一个10KQ的
下拉电阻，与VCC引脚之间接一个约10疗的电解电容，即可保证上电自动复位。
如下：
2.2、显示模块
||*GND
4-VJEIs9Qs吕scnEoa
AUMsu
200>
*azo
9
10
VCC
寸gcjUIXI巴:
弐二-一M壬01G
8一〔二L0|°一
|pGND
GND<|
E：
1（
RPOT
IK
vcc
LCD160引脚功能图:
引脚号
引脚名
电平
输入/输出
作用
1
Uss
电沁
2
Ucc
电源（*5«）
3
Uee
对比调整电压
4
RS
0/1|
输入
"端入数据
5
R/W
0/1|
输入
丽向L怕写入韻今或数据"从LC醮取曙盒
6
E
1,1-*0
输入
使能信号J哎诱甲信息，—肌下虑沿）换厅指茅
1
DEB
0/1
输入席i出
数据总銭肌最低位＞
e
DU1
0/1
输入/输岀
数据总线UnM
9
DB2
0/1
输入/输出
数据总线line2
10
0/1
输入/输出
数据总线lines
11
DB4
0/1
输入箱出
数据总线llnZ
12
DBS
0/1
输入/输岀
数据总|
15
DBA
0/1
输入/输岀
数据总线15"|
14
DB7
0/1
输入/输岀
数据总线linM（最高位〉
15
A
+Vcc
LCD背光电源正极
16
K
接地
LU）背光电源负极
vcc
R4
2.3、传感器模块
第3章总结
回顾起此次单片机课程设计，我仍感慨颇多，从理论到实践，在接近二星期的日子里，可以说得是苦多于甜，但是可以学到很多很多的的东西，同时不仅可以巩固了以前所学过的知识，而且学到了很多在书本上所没有学到过的知识。
通过这次课程设计使我懂得了理论与实际相结合是很重要的，只有理论知识是远远不够的，只有把所学的理论知识与实践相结合起来，从理论中得出结论，才能真正为社会服务，从而提高自己的实际动手能力和独立思考的能力。
在设计的过程中遇到问题，可以说得是困难重重，难免会遇到过各种各样的问题。
首先，说说焊接的美观程度,这是我所骄傲的，我焊接的很美观、明了。
但在设计的过程中也发现了自己的不足之处，对以前所学过的知识理解得不够深，把硬件焊接出来后，由于编程不熟，导致推迟了对硬件功能的检测，最终在指导老师的耐心指导下完成所有功能检测，两位老师的耐心指导，使我意识到专业知识的重要性，以后会更加努力！
第4章
程序:
U8codetable2[]="wendushidu"
U8codetable3[]="
sbitRS=P2A6;
sbitRW=P2A5;
sbitE=P2A7;
voidwrite_com（U8com）
{
E=0;
RS=0;
RW=0;
Delay（5）;
E=1;
PO=com;
E=0;
}
voidwrite_date（U8date）
{
E=0;
RS=1;
RW=0;
Delay（5）;
E=1;
P0=date;
E=0;
P0=0;
}
voidinit（）
{
U8num;
Delay（15）;
write_com（0x38）;
write_com（0x38）;
write_com（0x38）;
write_com（0x0c）;
write_com（0x06）;
write_com（0x01）;
for（num=0;num<15;num++）
{
write_date（table2[num]）;
Delay
（1）;
}
write_com（0x80+0x40）;
for（num=0;num<15;num++）
{
write_date（table3[num]）;
Delay
（1）;
}
}
voidwrite_dht11（U8add,U8date）
{
U8shi,ge;
shi=date/10;
ge=date%10;
write_com（0x80+0x40+add）;
write_date（0x30+shi）;
write_date（0x30+ge）;
}
typedefunsignedcharU8;
typedefunsignedintU16;
sbitP1_0=P2A0;
U8U8FLAG,k;
U8U8T_data_H,U8T_data_L,U8RH_data_H,U8RH_data_L,U8checkdata;
U8
U8T_data_H_temp,U8T_data_L_temp,U8RH_data_H_temp,U8RH_data_L_temp,U8checkdata_temp;
U8U8comdata;
voidDelay（U16z）
{
U8x,y;
for（x=z;x>0;x__）
for（y=110;y>0;y--）;
}
voiddelay_10us（）
{
U8i;
i--;
i--;
i--;
i--;
i--;
i--;
}
voidCOM（void）//数据01确认
{
U8i;
{
U8FLAG=2;
while（（!
P1_0）&&U8FLAG++）;〃1bit是否结束
delay_10us（）;
delay_10us（）;
delay_10us（）;
U8temp=0;〃26us~28us表示为0
if（P1_0）U8temp=1;//超过28us依然为高电平表示为1
U8FLAG=2;
while（（P1_0）&&U8FLAG++）;
if（U8FLAG==1）break;//U8FLAG溢出超时则跳出for循环
//判断数据位是0还是1
//如果高电平高过预定0高电平值则数据位为1
U8comdata<<=1;
U8comdata|=U8temp;
}
}
voidRH（void）//-----湿温度读取子程序
{
//总线由上拉电阻拉高主机延时20us
delay_10us（）;
delay_10us（）;
delay_10us（）;
delay_10us（）;
P1_0=1;〃主机设为输入判断从机响应信号
if（!
P1_0）〃判断从机是否有低电平响应信号如不响应则跳出，响应则向
下运行
{
U8FLAG=2;
while（（!
P1_0）&&U8FLAG++）;//判断从机是否发出80us的低电平响应
信号是否结束
U8FLAG=2;
while（（P1_0）&&U8FLAG++）;//判断从机是否发出80us的高电平，如发出则进入数据接收状态
COM（）;〃数据接收状态
U8RH_data_H_temp=U8comdata;〃湿度整数8位
COM（）;
U8RH_data_L_temp=U8comdata;//湿度小数8位
COM（）;
U8T_data_H_temp=U8comdata;//温度整数8位
COM（）;
U8T_data_L_temp=U8comdata;//温度小数8位
COM（）;
U8checkdata_temp=U8comdata;//校验位
P1_0=1;
U8temp=（U8T_data_H_temp+U8T_data_L_temp+U8RH_data_H_temp+U8RH_data_L_tem
P）；
if（U8temp==U8checkdata_temp）//数据校验正确执行
{
U8RH_data_H=U8RH_data_H_temp;
U8RH_data_L=U8RH_data_L_temp;
U8T_data_H=U8T_data_H_temp;
U8T_data_L=U8T_data_L_temp;
U8checkdata=U8checkdata_temp;
}
#include
#include
U16a,b,t;
U8flag,i;voidmain（）
{
RW=1;
t=0;
flag=O;
TMOD=0x01;
TH0=（65536-50000）/256;
TL0=（65536-50000）%256;
EA=1;
ET0=1;
TR0=1;
init（）;
P1_0=1;
P2=0xff;
Delay（40）;
while
（1）
{
RH（）;
write_dht11（0,U8T_data_H）;
write_dht11（3,U8T_data_L）;
write_dht11（9,U8RH_data_H）;
write_dht11（12,U8RH_data_L）;
if（flag==2）//100后flag为2,进行比较
{
if（a==U8T_data_H&&b==U8RH_data_H）Buzzer=0;
while（a==U8T_data_H&&b==U8RH_data_H）;flag=0;
}
test（）;
voidtimerO（）interrupt1
{
TH0=（65536-50000）/256;
TL0=（65536-50000）%256;
t++;
if（t==2000）//100秒检测一次
{
t=0;
flag=2;//100秒后flag为2
}
if（flag==0）//最开始flag为0赋值
{
a=U8T_data_H;
b=U8RH_data_H;
flag=1;//flag变化
}
}
电路原理图：
TO
n|
JnAL
IP—
；3tF
电路PC图:
Lil
二丄
；?
jz
m-j
XIiClvk
J匸■=■BC5]
GN2
Hv?
P
AH
ISTAll^5AD-MtAHPi^AE72JAII圉二AE
MJJU
i.;-rllnF-二IL<一工OHS
MB»ineUhlt
.-F"rj
Jr
l±r二
元件参数表:
Oorment
□escriptior
DesiquatoT
Footprint
LibRef
QjarW
DHT
HDR1X4
DHT11
B9C5I
39C51
勺
89C52
Cap2
O（i[Mci（or
c7
CAPRS4誉
Cflp2
Cap
WgGlkK
C2,C3.t^
CAPH^.M-51x32
LEDI
DI
RAD3.4
LEDI
1
DC
DC
DC1
DC
DC
KEY-E
KEY-1
KEY-1
KEY-1
key-i
KEY-C
KEY-G
KLY-2
KEY-G
KEY-6
LDClfO?
LDCi602
ICD1
LCOTen2
LCD1602
Headw2
Header,2-FTi
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