电阻 电容 二极管 基础知识Word下载.docx
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1.固定电阻器：
选择合适的量程，使指针指示值尽可能落到刻度的中段位置，即全刻度起始的20％～80％弧度范围内，以使测量更准确。
2.熔断电阻器的检测：
（熔断电阻器，是一种具有电阻器和熔断器双重作用的特殊元件。
它在电路中用字母“RF”或“R”表示,分为可恢复式熔断电阻器和一次性熔断电阻器两种）
若发现熔断电阻器表面发黑或烧焦，可断定是其负荷过重。
对于表面无任何痕迹的熔断电阻器好坏的判断，可借助万用表R×
1挡来测量，为保证测量准确，应将熔断电阻器一端从电路上焊下。
若测得的阻值为无穷大，则说明此熔断电阻器已失效开路，若测得的阻值与标称值相差甚远，表明电阻变值，也不宜再使用。
3.电位器的检测
旋柄转动是否平滑，开关通、断时“喀哒”声是否清脆
A万用表欧姆挡测“1”、“2”两端，如万用表的指针不动或与标称阻值相差很多，则表明该电位器已损坏。
B 检测电位器的活动臂与电阻片的接触是否良好。
用万用表的欧姆档“1”“2”（或“2”、“3”）两端，将电位器的转轴按逆时针方向旋至接近“关”的位置，阻值越小越好。
再顺时针慢慢旋转轴柄，电阻值应逐渐增大，表头中的指针应平稳移动。
当旋至“3”端时，阻值应接近电位器的标称值。
如指针在电位器的轴柄转动过程中有跳动现象，说明活动触点有接触不良的故障。
4热敏电阻的检测
①.正温度系数热敏电阻（PTC）的检测
用万用表R×
1挡，分两步
A 常温检测（室内温度接近25℃）已损坏
将两表笔接触PTC热敏电阻的两引脚测出其实际阻值，并与标称阻值相对比，二者相差在±
2Ω内即为正常。
相差过大，则说明
B 加温检测；
将一热源（例如电烙铁）靠近PTC热敏电阻对其加热，同时用万用表监测其电阻值是否随温度的升高而增大，如是，说明热敏电阻正常，若阻值无变化，说明其性能变劣，不能继续使用。
注意不要使热源与PTC热敏电阻靠得过近或直接接触热敏电阻，以防止将其烫坏。
②负温度系数热敏电阻（NTC）的检测
测标称电阻值Rt
Rt是生产厂环境温度为25℃时所测得的，所以用万用表测量Rt时，亦应在环境温度接近25℃时进行。
测试时，不要用手捏住热敏电阻体，以防止人体温度对测试产生影响
5.压敏电阻的检测
用万用表的R×
1k挡测量压敏电阻两引脚之间的正、反向绝缘电阻，均为无穷大，否则，说明漏电流大，压敏电阻已损坏，不能使用
6.光敏电阻的检测
A 用一黑纸片将光敏电阻的透光窗口遮住，此时万用表阻值接近无穷大。
此值越大说明光敏电阻性能越好。
若此值很小或接近为零，说明光敏电阻已烧穿损坏，不能再继续使用。
B 将一光源对准光敏电阻的透光窗口，此时万用表的指针应有较大幅度的摆动，阻值明显减小。
此值越小说明光敏电阻性能越好。
若很大,表明光电阻内部开路损坏，也不能再继续使用。
C 将光敏电阻透光窗口对准入射光线，用小黑纸片在光敏电阻的遮光窗上部晃动，使其间断受光，此时万用表指针应随黑纸片的晃动而左右摆动。
如果
指针不随纸片晃动而摆动，说明光敏电阻的光敏材料已经损坏。
电容器基本知识
电容器是一种储能元件，在电路中用于调谐、滤波、耦合、旁路、能量转换和延时
按其结构可分为固定电容器、半可变电容器、可变电容器三种。
电容种类
特点
实物图片
铝电解电容
有正、负极之分，使用时不能接反
纸介电容
（金属化纸介电容最多）
体积小，容量较大，用于低频电路
油浸纸介电容
把纸介电容浸在经过特别处理的油里，能增强它的耐压。
它的特点是电容量大、耐压高，但是体积较大
玻璃釉电容
稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）
脉冲、耦合、旁路
陶瓷电容
用陶瓷做介质，体积小，耐热性好、损耗小、绝缘电阻高，但容量小，适宜用于高频电路。
铁电陶瓷电容容量较大，但是损耗和温度系数较大，适宜用于低频电路
薄膜电容
涤纶薄膜电容，介电常数较高，体积小，容量大，稳定性较好适宜做旁路电容。
聚苯乙烯薄膜电容，介质损耗小，绝缘电阻高，但是温度系数大，可用于高频电路。
云母电容
介质损耗小，绝缘电阻大、温度系数小，适宜用于高频电路
钽、铌电解电容
它用金属钽[tǎn]或者铌[ní
]做正极，用稀硫酸等配液做负极，用钽或铌表面生成的氧化膜做介质制成。
它的特点是体积小、容量大、性能稳定、寿命长、绝缘电阻大、温度特性好。
用在要求较高的设备中
半可变电容
也叫微调电容。
由两片或两组小型金属弹片，中间夹着介质制成。
调节的时候改变两片之间的距离或者面积。
它的介质有空气、陶瓷、云母薄膜等。
可变电容
由一组定片和一组动片组成，它的容量随着动片的转动可以连续改变。
把两组可变电容装在一起同轴转动，叫做双连。
可变电容的介质有空气和聚苯乙两种。
空气介质可变电容体积大，损耗小，多用在电子管收音机中。
聚苯乙烯介质可变电容做成密封式的，体积小，多用在晶体管收音机中。
空气可变电容
电容在电路中的表示
标称容量和允许误差
电容器储存电荷的能力，常用的单位是F、uF、pF。
电容器上标有的电容数是电容器的标称容量。
电容器的标称容量和它的实际容量会有误差。
容量小于10000pF的时候，用pF做单位，大于10000pF的时候，用uF做单位。
没有小数点的，它的单位是pF，有小数点的，它的单位是uF。
如有的电容上标有“332”（3300pF）三位有效数字，左起两位给出电容量的第一、二位数字，而第三位数字则表示在后加0的个数，单位是pF。
额定工作电压：
在规定的工作温度范围内，电容长期可靠地工作，它能承受的最大直流电压，就是电容的耐压，也叫做电容的直流工作电压。
绝缘电阻：
电容两极之间的电阻叫做绝缘电阻，或者叫做漏电电阻，大小是额定工作电压下的直流电压与通过电容的漏电流的比值。
漏电电阻越小，漏电越严重。
电容漏电会引起能量损耗，这种损耗不仅影响电容的寿命，而且会影响电路的工作。
介质损耗:
在电场作用下消耗的能量，通常用损耗功率和电容器的无功功率之比，即损耗角的正切值表示。
损耗角越大，电容器的损耗越大，损耗角大的电容不适于高频情况下工作。
常用电容的几种特性
容量范围
直流工作电压（V）
运用频率（MHz）
准确度
漏电电阻（>
MΩ）
中小型纸介电
容
470pF-0.22uF
63-630
8以下
-Ⅲ
>
5000
金属壳密封纸
介电容
0.01uF-10uF
250-1600
直流，脉
动直流
Ⅰ>
1000-5000
中小型金属化
0.01uF-0.22uF
160、250、400
2000
金属壳密封金
属化纸介电容
0.22uF-30uF
160-1600
动电流
30-5000
3pF-0.1uF
63-500
高频、低
频
10000
10pF-0.51uF
100-7000
75-250以
下
02-Ⅲ
瓷介电容
1pF-0.1uF
低频、高
1uF-10000uF
4-500
ⅣⅤ
0.47uF-1000uF
6.3-160
ⅢⅣ
瓷介微调电容
2/7pF-7/25pF
250-500
高频
1000-10000
7pF-1100pF
100以上
低频，高
500
根据部颁标准（SJ-73）规定，电容器的命名由下列四部分组成：
第一部分（主称）；
第二部分：
（材料）；
第三部分（分类特征）；
第四部分（序号）
第一部分
第二部分
第三部分
第四部分
用字母表示主称
用字母表示材料
用数字或字母表示特征
序号
符号
意义
C
电容器
IOYVZJBFLSQHDAGNTME
瓷介
玻璃釉玻璃膜云母云母纸纸介金属化纸聚苯乙烯
聚四氟乙烯涤纶聚碳酸酯漆膜纸膜复合铝电解钽电解金属电解铌电解钛电解压敏其他材料
TWJXSDMYC
铁电微调金属化小型独石低压密封高压穿心式
包括：
品种、尺寸、代号、温度特性、直流工作电压、标称值、允许误差、标准代号。
特征（型号的第三部分）的意义
（数字）
瓷介电容器
去母电容器
有机电容器
电解电容器
1
圆片
非密封
箔式
2
管型
3
迭片
密封
烧结粉液体
4
独石
烧结粉固体
5
穿心
6
7
无极性
8
高压
9
特殊
在滤波电路中，电容的耐压值不要小于交流有效值的1.42倍。
揩振回路可以选用云母、高频陶瓷电容
隔直流可以选用纸介、涤纶、云母、电解、陶瓷等电容
滤波可以选用电解电容
旁路可以选用涤纶、纸介、陶瓷、电解等电容
电容器检测
1.固定电容器的检测.
A10pF以下的小电容，只能定性的检查其是否有漏电，内部短路或击穿现象。
用万用表R×
10k挡，用两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值应为无穷大。
若测出阻值（指针向右摆动）为零，则说明电容漏电损坏或内部击穿。
B检测10PF～0.01μF,看是否有充电现象
万用表选用R×
1k挡，两只三极管的β值均为100以上，且穿透电流要小。
可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。
万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。
由于复合三极管的放大作用，把被测电容的充放电过程予以放大，使万用表指针摆幅度加大，从而便于观察。
应注意的是：
在测试操作时，特别是在测较小容量的电容时，要反复调换被测电容引脚接触A、B两点，才能明显地看到万用表指针的摆动
C对于0.01μF以上的固定电容,可用万用表的R×
10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电，并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量
2.电解电容器的检测
A电解电容的容量较一般固定电容大得多,一般情况下，1～47μF间的电容，可用R×
1k挡测量，大于47μF的电容可用R×
100挡测量。
B 将万用表红表笔接负极，黑表笔接正极，在刚接触的瞬间，万用表指针即向右偏转较大偏度（对于同一电阻挡，容量越大，摆幅越大），接着逐渐向左回转，直到停在某一位置。
此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻，此值略大于反向漏电阻。
实际使用经验表明，电解电容的漏电阻一般应在几百kΩ以上，否则，将不能正常工作。
在测试中，若正向、反向均无充电的现象，即表针不动，则说明容量消失或内部断路.如果所测阻值很小或为零，说明电容漏电大或已击穿损坏，不能再使用。
C 对于正、负极标志不明的电解电容器，可利用上述测量漏电阻的方法加以判别。
即先任意测一下漏电阻，记住其大小，然后交换表笔再测出一个阻值。
两次测量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表笔接的是正极，红表笔接的是负极。
D 使用万用表电阻挡，采用给电解电容进行正、反向充电的方法，根据指针向右
摆动幅度的大小，可估测出电解电容的容量。
3.可变电容器的检测
A 用手轻轻旋动转轴，应感觉十分平滑，不应感觉有时松时紧甚至有卡滞现象。
将载轴向前、后、上、下、左、右等各个方向推动时，转轴不应有松动的现象。
B 用一只手旋动转轴，另一只手轻摸动片组的外缘，不应感觉有任何松脱现象。
转轴与动片之间接触不良的可变电容器，是不能再继续使用的。
C 将万用表置于R×
10k挡，一只手将两个表笔分别接可变电容器的动片和定片的引出端，另一只手将转轴缓缓旋动几个来回，万用表指针都应在无穷大位置不动。
在旋动转轴的过程中，如果指针有时指向零，说明动片和定片之间存在短路点；
如果碰到某一角度，万用表读数不为无穷大而是出现一定阻值，说明可变电容器动片与定片之间存在漏电现象多聚物
晶体二极管基础知识
主要参数
正向电流IF：
在额定功率下，允许通过二极管的电流值。
正向电压降VF：
二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。
最大整流电流（平均值）IOM：
在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。
反向击穿电压VB：
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。
正向反向峰值电压VRM：
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些
反向电流IR：
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。
结电容C：
电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。
最高工作频率FM：
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
常用二极管
（1）整流二极管：
将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，它是面结合型的功率器件，因结电容大，故工作频率低。
IF在1安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；
IF在1安以下的采用全塑料封装（见图二）由于近代工艺技术不断提高，国外出现了不少较大功率的管子，也采用塑封形式。
（2）检波二极管检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。
（3）开关二极管在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，它的特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。
开关二极管有接触型，平面型和扩散台面型几种，一般IF＜500毫安的硅开关二极管，多采用全密封环氧树脂，陶瓷片状封装，如图三所示，引脚较长的一端为正极。
图3、硅开关二极管全密封环环氧树脂陶瓷片状封装
（4）稳压二极管
稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的，因为它能在电路中起稳压作用，故称为、稳压二极管（简称稳压管）其图形符号见图4
图4、稳压二极管的图形符号
稳压管的伏安特性曲线如图5所示，当反向电压达到Vz时，即使电压有一微小的增加，反向电流亦会猛增（反向击穿曲线很徒直）这时，二极管处于击穿状态，如果把击穿电流限制在一定的范围内，管子就可以长时间在反向击穿状态下稳定工作。
图5、硅稳压管伏安特性曲线
（5）变容二极管
变容二极管是利用PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被广泛地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中，变容二极管主要是通过结构设计及工艺等一系列途径来突出电容与电压的非线性关系，并提高Q值以适合应用。
变容二极管的结构与普通二极管相似，其符号如图6所示
图6、变容二极管图形符号
（6）瞬态电压抑制器
TVS（TransientVoltageSuppresser瞬态电压抑制器）二极管和MLV（Multi-LayerVaristor，多层变阻器）等ESD保护器是近几年发展起来的一种固态二极管，专门用于ESD保护。
TVS二极管是和被保护电路并联的，当瞬态电压超过电路的正常工作电压时，二极管发生雪崩，为瞬态电流提供通路，使内部电路免遭超额电压的击穿或超额电流的过热烧毁。
由于TVS二极管的结面积较大，使得它具有泄放瞬态大电流的优点，具有理想的保护作用。
改进后的TVS二极管还具有适应低压电路（＜5V）的特点，且封装集成度高，适用于在印制电路板面积紧张的情况下使用。
很低的箝位电压,经过多次ESD过程后不会劣化.这些特点决定了它有广泛的适用范围，尤其在高档便携设备的接口电路中有很好的使用价值。
由于TVS响应时间远小于1ns,能够迅速地将ESD故障电流放电到接地端，而且其漏电流和结电容都很低，要测量其响应就要用快速脉冲发生器-TLP脉冲发生器。
右图
是其测试的特性图。
瞬态电压抑制器（TransientVoltageSuppressor）简称TVS，是一种二极管形式的高效能保护器件，有的文献上也为TVP、AJTVS、SAJTVS等。
当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10-12秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。
由于它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点，目前已广泛应用于计算机系统、通讯设备、电源、家用电器等各个领域。
具体有以下三大特点：
1、将TVS二极管加在信号及电源线上，能防止微处理器或单片机因瞬间的肪冲，如静电放电效应、交流电源之浪涌及开关电源的噪音所导致的失灵。
2、静电放电效应能释放超过10000V、60A以上的脉冲，并能持续10ms；
而一般的TTL器件，遇到超过30ms的10V脉冲时，便会导至损坏。
利用TVS二极管，可有效吸收会造成器件损坏的脉冲，并能消除由总线之间开关所引起的干扰（Crosstalk）。
3、将TVS二极管放置在信号线及接地间，能避免数据及控制总线受到不必要的噪音影响。
TVS与压敏电阻的比较
关键参数或极限值
TVS
压敏电阻
反应速度
10-12s
5×
10-8
有否老化现象
否
有
最高使用温度
175℃
115℃
元件极性
单极性与双极性
单极性
反向漏电流典型值
5Μa
200μA
箝位因子（VC/VBR）
≤1.5
≥7~8
密封性质
密封不透气
透气
价格
较贵
便宜
二极管的选用常识
（1）正向特性
不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。
（2）反向特性
不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。
（3）击穿特性
当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿
（4）频率特性
由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。
导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。
1.普通二极管的检测
二极管的极性通常在管壳上注有标记，如无标记，可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断
项目
正向电阻
反向电阻
测试方法
测试情况
硅管：
表针指示位置在中间或中
间偏右一点；
锗管：
表针指示在右端靠近满刻度的地方（如图所示）表明管子正向特性是好的如果表针在左端不动，则管子内部已经断路
表针在左端基本不动，极靠近OO位置，锗管：
表针从左端起动一点但不应超过满刻度的1/4（如上图所示），则表明反向特性是好的，如果表针指在0位，则管子内部已短路
2.普通发光二极管的检测
（1）用万用表检测。
利用具有×
10kΩ挡的指针式万用表可以大致判断发光二极管的好坏。
正常时，二极管正向电阻阻值为几十至200kΩ,反向电阻的值为∝。
如果正向电阻值为0或为∞，反向电阻值很小或为0，则易损坏。
这种检测方法，不能实地看到发光管的发光情况，因为×
10kΩ挡不能向LED提供较大正向电流。
如果有两块指针万用表（最好同型号）可以较好地检查发光二极管的发光情况。
用一根导线将其中一块万用表的“+”接线柱与另一块表的“-”接线柱连接。
余下的“-”笔接被测发光管的正极（P区），余下的“+”笔接被测发光管的负极（N区）。
两块万用表均置×
10Ω挡。
正常情况下，接通后就能正常发光。
若亮度很低，甚至不发光，可将两块万用表均拨至×
1Ω若，若仍很暗，甚至不发光，则说明该发光二极管性能不良或损坏。
应注意，不能一开始测量就将两块万用表置于×
1Ω，以免电流过大，损坏发光二极管。
（2）外接电源测量。
用3V稳压源或两节串联的干电池及万用表（指针式或数字式皆可）可以较准确测量发光二极管的光、电特性。
为此可按图10所示连接电路即可。
如果测得VF在1.4～
3V之间，且发光亮度正常，可以说明发光正常。
如果测得VF=0或VF≈3V，且不发光，说明发光管已坏。
3.红外发光二极管的检测
由于红外发光二极管，它发射1～3μm的红外光，人眼看不到。
通常单只红外发光二极管发射功率只有数mW，不同型号的红外LED发光强度角分布也不相同。
红外LED的正向压降一般为1.3～2.5V。
正是由于其发射的红外光人眼看不见，所以利用上述可见光LED的检测法只能判定其PN结正、反向电学特性是否正
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