电子陶瓷材料产业分析.docx
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电子陶瓷材料产业分析
电子陶瓷材料产业分析
摘要
由于优越的性能，陶瓷材料在电子工业扮演着重要角色。
本文共分五章，第一章对电子陶瓷行业的产业链进行简单梳理的基础上；第二章对于陶瓷电子元器件中占据主要地位的几种材料进行了具体分析；第三章介绍了了我国电子陶瓷的相关产业政策；第四章对于国内外标杆电子陶瓷企业进行了分析，重点关注了其发展历史、财务状况和未来战略。
第五章对于一些重点国内企业进行了分析。
1电子陶瓷行业概述
传统塑料尤其是环氧树脂由于比较好的经济性，至目前为止依然占据整个电子市场的统治地位，但是许多特殊领域比如高温、线膨胀系数不匹配、气密性、稳定性、机械性能等方面显然不适合。
相对于塑料，陶瓷材料也在电子工业扮演者重要的角色，其电阻高，高频特性突出，且具有热导率高、化学稳定性佳、热稳定性和熔点高等优点。
在电子线路的设计和制造非常需要这些的性能，因此陶瓷被广泛用于不同厚膜、薄膜或和电路的基板材料，还可以用作绝缘体，在热性能要求苛刻的电路中做导热通路以及用来制造各种电子元件。
1.1基本定义
陶瓷材料用于电子工业，一般是在电子设备中作为安装、固定、支撑、保护、绝缘、隔离及连接各种无线电元件及器件的陶瓷材料，可称为绝缘陶瓷又称为装置陶瓷。
具体形式有电路基板，芯片封装外壳等，具体材质有氧化物、氮化物、碳化物以及硼化物等。
电子陶瓷材料属于精细化工和电子材料的交叉领域，如图1。
图1电子信息材料的行业分类
1.2陶瓷电子元器件的分类和性能
从使用功能分类，电子陶瓷的主要种类包括绝缘陶瓷、介质陶瓷、微波陶瓷、铁电与压电陶瓷、热释电陶瓷、电光陶瓷、电致伸缩陶瓷、敏感陶瓷、高导热陶瓷、导电陶瓷、超导陶瓷等。
具体如表1，一般我们平时所说的电子陶瓷主要指前三种。
表1电子陶瓷按用途分类
种类
典型材料和形态
应用示例
绝缘陶瓷
Al2O3、AlN、BeO（薄片、膜状多层、条状或异形体）
集成电路（IC）衬底、微波大功率器件散热支撑件、多芯片组装（MCM）用基板及封装
介质陶瓷
BaTiO3、（MgCa）TiO3（薄片、膜状多层）
高比容电容器、射频高功率电容器、抗电磁干扰滤波器
微波陶瓷
Ba（Mg1/3Ta2/3）O3、BaO-TiO2-Nd2O3（薄片）
微波、毫米波介质谐振器（DRO）、微波电路基片、介质波导及微波天线
铁电陶瓷
Pb（ZrxTi1-x）O3、PbTiO3（经极化的烧结体或薄膜）
铁电阴极、非易失性抗辐射铁电随机存储器（FRAM）
电光陶瓷
Pb1-xLax（ZryTi1-y）O3（透明致密烧结体）
电控光开关、光调制器、光存储器、强激光或核闪光护目镜
热释电陶瓷
PbTiO3（经极化烧结体或薄膜）
红外探测器、非致冷焦平面红外热成像阵列、红外瞄准镜
电致伸缩陶瓷
Pb（Mg1/3Nb2/3）O3（膜状多层）
高分辨率高精度微位移驱动器
电致变色陶瓷
WO3、NiO（多晶或非晶薄膜）
可见光，近红外，红外调制机敏窗口及屏幕显示
导电陶瓷
β-Al2O3、稳定ZrO2（烧结体、离子导电）；ZrB2、La1-xSrxCoO3（烧结体、电子导电）
高能量密度钠硫电池隔膜，HTFC燃料电池隔膜，氧传感器、磁流体发电（MHD）高温电极，固体氧化物燃料电池（SOFC）阴极
超导陶瓷
Y-Ba-Cu-O（烧结体、薄膜）
高性能微波器件（谐振器、滤波器、耦合器、延迟线）
压敏陶瓷
ZnO、SrTiO3（烧结体）
过电压保护器，浪涌及低电平噪声吸收双功能器件
热敏陶瓷
CdO-Sb2O3-WO3、NiO-CoO-FeO（烧结体，负温度系数NTC）；BaTiO3（烧结体，正温度系数PTC）
测温及热补偿器件、稳压器、限幅器，过热过电流保护装置、智能恒温加热器
湿敏陶瓷
Zn-Li2O-V2O5,MgCr2O4（多孔烧结体），Fe3O4，Cr2O3,Sb2O3（膜状）
湿度测量及控制器件
气敏陶瓷
SnO2,ZnO,ZrO2,NiO（烧结体）
易燃及有毒气体探测器，发动机空燃比控制器
电子技术中首先要求绝缘材料不导电，即要求电阻率尽量高，绝缘强度也尽量高。
目前，绝缘陶瓷按材料成分可分为传统硅酸盐陶瓷、氧化物陶瓷、非氧化物陶瓷三大系列，现有材料以后两大系列为主。
对于一种优秀的绝缘陶瓷的性能要求，主要是在电磁性能和机械性能两方面：
按照材料种类，电子绝缘陶瓷可以分为：
其中氧化物陶瓷占到绝大多数。
1.3产业链分析
本文所讨论的电子陶瓷材料，简单可以分为粉体和电子元器件，如图2，本文的讨论范围限于图中的电子陶瓷粉体和元器件。
图2电子陶瓷产业链结构
1.3.1陶瓷粉体
电子陶瓷粉体是制造电子陶瓷元器件最主要的原料，其行业竞争关系如图3。
其中绝大多数高纯超细的高端粉体制造技术基本掌握在日美德等少数发达国家。
这些技术本身已经非常成熟，核心要求在于纯度、颗粒大小和形状等方面。
是新型电子材料中技术最成熟、产量最大、综合性能最优、应用最厂、产值最高的新材料，因而在高技术陶瓷材料中仍处于最重要的地位，是高技术陶瓷工业的原动力。
图3陶瓷粉体产业竞争关系
各类陶瓷粉体中，氧化铝是电子陶瓷行业最主要的材料，一般认为氧化铝粉体占到行业产值的70%，我们粗略估计市场规模有300亿美金。
其中高端粉体（含95、96和99瓷）1995年预计市场规模为15亿美元，2000年预计需求为45万吨达到20亿美元，近年来随着行业应用的不断扩大，预计21世纪以来年复合增长率接近10%。
1995年已形成116亿美元的粉料市场和百亿美元的产品市场，预计此后的年符合增长率约9.5％。
再以氮化铝粉体为例，日本的氮化铝产量占世界产量的70%。
世界上最大的氮化铝生产商—日本德山公司1981年开始生产氮化铝，到2002年生产能力达到240吨。
氮化铝粉体行业寡头垄断的局面，令高端粉体的价格居高不下，在1997年一公斤高端粉体就超过100美元（当年产量约5000吨），随着然而氮化铝的使用量在不断增长，世界氮化铝市场供给出现短缺。
统计资料表明2011年世界AlN市场需求会达到百亿美元级。
1.3.2陶瓷元器件
近年来，由于通信、计算机、电子仪表、家用电器和数字电路技术的普及发展，电子陶瓷元器件的市场需求日益增长，目前世界电子陶瓷的市场规模达到1300亿美元左右。
据专家预计，未来几年需求量每年将以15～20%的速度增长，到2015年需求量将突破2100亿美元。
陶瓷用于制作电子元器件有多种形态，最主要的是电路基板，此外还有集成电路封装材料，汽车火花塞，电力绝缘陶瓷等。
不同的应用场景对于陶瓷材料有差异化的性能要求，例如电路基板要求材料平整度、光洁度高；有良好的电气性能；高的导热系数（大功率电路）；有与其它半导体材料相匹配的热膨胀系数；有良好的机械性能等。
而汽车火花塞陶瓷则要求能承受高频率的温度和压力变化，同时具备良好的绝缘性能。
行业特性要求从业企业具备持续研发能力：
一方面材料本身材料持续地改进性能，降低成本；另一方面对其它类型的材料进行研究，替代原有材料；此外还有一些研究致力于将若干种材料进行结合，形成一种复合材料。
因此行业的竞争激烈，同时受到上游粉料供应和下游应用市场景气程度的影响。
（图4）
这个行业的主要企业集中在美国、日本以及一些具有独特技术的欧洲公司，近年台湾也出现了一些为本国做产业配套的企业，技术水平在不断的提升。
其中，日本在电子陶瓷材料领域中一直以门类最多、产量最大、应用领域最广、综合性能最优著称，占据了世界电子陶瓷市场50％的份额。
排名前二的是村田制作所和京瓷。
美国在电子陶瓷的技术研发方面走在世界前列，但是产业化应用落后于日本，大部分技术停留在实验室阶段。
目前，美国电子陶瓷产品约占世界市场份额的30%，居全球第二位。
图4陶瓷元器件竞争关系
我国是世界电子陶瓷元器件的生产大国之一。
2007年，我国规模以上电子陶瓷企业实现工业总产值145亿元，比2006年增长30%。
目前，中国生产陶瓷基片约17～20万平方米，圆片陶瓷电容器和多层陶瓷电容器用陶瓷分别为500吨和200吨，热敏电阻和压敏电阻用陶瓷分别为450吨和320吨，压电频率元件用瓷料约650吨。
据预测，到2015年，我国电子陶瓷产品需求量将突破280亿元。
但我国大部分电子陶瓷公司脱胎于50年代建设起来的电子材料厂，存在技术落后、规模小和产品品种单一等问题，只能占据电子陶瓷的低端市场，获取微薄的利润。
近年来，国外生产电子陶瓷元器件的企业纷纷到国内投资建厂或增资扩建。
1.4行业发展动态
1.4.1陶瓷粉体
总体来看，上游粉料产业的研究聚焦于超细纳米粉体技术，获取高纯度，确定结构，粒度均匀的微粉或纳米粉使得电子陶瓷材料具有合理的显微结构。
尽管我国目前已近有几十条纳米级粉体生产线正在生产Al2O3SiO2AlN等粉体，但是这些企业普遍面临着稳定性，烧结技术，环保，价格等一系列问题，特别是一些新型粉体的非球磨制备方法如共沉淀法、溶胶-凝胶法、气象沉淀法、水热合成法等使用之后，工艺的稳定性导致产品各批号之间一致性问题难以解决。
因此，粉体材料的新制备技术并没有改变这个行业基本被日美德等国的企业垄断的局面。
而且海外龙头企业也在新制备技术的研发中处于领先位置。
1.4.2陶瓷电子元器件
总体看，电子陶瓷材料的研究开始从经验式的探索，逐步走向按所需性能进行材料设计，对电子陶瓷性能的开发和应用起到了很大的促进作用。
目前行业重点关注的技术有：
1）纳米粉体应用：
通过添加纳米粉体提高电子元器件的强度和散热性能；
2）稀土应用。
3）高导热技术：
特别对于某些电真空此间，一些大功率应用场景对于陶瓷材料的导热能力提出了更高的要求，此前较多使用的95/96氧化铝或蓝宝石陶瓷材料不能完全满足需要，因此BeO被作为替代材料，但是由于其毒性，被西方国家立法禁止。
目前高导热性能陶瓷是氮化铝，目前的研究热点是使其进一步提升热导率、降低介质损耗同时实现低成本。
4）低温烧结：
降低陶瓷烧制的温度一直是业界研究的重点问题，对于节能和降低成本具有重要作用。
近年来，对于应用面最广的氧化铝陶瓷成果尤为丰富，除了添加稀土材料外，还有使用热压烧成和冷等静压压制等低温烧结技术。
2电子陶瓷材料行业分析
2.1氧化铝
2.1.1氧化铝粉体
生产工艺：
1）碳酸铝铵热分解法
利用NH4Al（SO4）2热分解制的Al2O3是传统的生产方法。
反应如下:
NH4Al（SO4）2+4NH4HCO3→NH4Al（OH）2CO3↓+2（NH4）3SO4+3CO2+H2O
沉淀抽滤后用蒸馏水和无水乙醇洗涤，以除去吸附的杂质离子，放入干燥箱中于110℃烘干，烘干后的样品研细，在高温炉中煅烧，为防止煅烧过程中Al2O3晶粒的团聚，加入合适的煅烧分散剂，得到超细Al2O3粉体。
此法的缺点是在焙烧过程中易出现结块现象，且产生大量SO2有害气体，造成环境污染。
2）中和沉淀法
采用工业硫酸溶解工业氢氧化铝（或工业硫酸铝），经溶液精制，氨水中和析出Al（OH）3·nH2O烘干，煅烧得α-Al2O3。
该方法可以获得高纯氧化铝，但工艺过程相对复杂，人为影响因素较大。
产业状况：
日本是高端氧化铝粉体的主要生产国，99.99%高纯氧化铝的产量已经达到650吨，主要生产企业包括住友化学工业、昭和轻金属、新日本化学工业、日立化学和大明化学等，生产的高纯氧化铝粉体，平均粒径仅为0.1～0.2μm；此外还有法国的法国Baikowski公司，目前高端粉体的价格超过100元/kg。
我国产业发展状况：
我国特种氧化铝年产量约30万吨，但结构极不合理．普通级和微米级{即国内所谓的“超细糟）分别占8o％和20％、而现代高技术所需的亚微米和深亚微烽（D<05微米粉料几乎还是空白，应用厂家几乎全部由国外进口。
国内生产高纯超细氧化铝粉体的单位很多，但真正能批量生产并有一定市场份额者屈指可数。
主要生产厂有山东铝厂研究院、郑州轻金属研究院、河南济源特种氧化铝厂以及广州、大连和河南等地。
产品以中低档氧化铝（99.8～99.98%）为主，高纯氧化铝（>99.99%）的产量较小。
国产粉体的优势是价格比较低，近年来虽然国产高纯度氧化铝粉体在纯度以及微量杂质元素上实现了突破，但是还存在以下2个问题：
一是粉体批次的稳定性相对较差；二是粉体的粒度分布以及团聚情况还没有得到很好的解决。
因此国产粉体无法与进口高纯度氧化铝粉体相提并论，难以进入国际高端市场。
2.1.2氧化铝元器件
由于氧化铝在机械、热、电性能优势，且相对于大多数其他氧化物陶瓷便宜，强度及化学稳定性高，且原料来源丰富，适用于各种各样的技术制造以及不同的形状，所以被用来制造超高频、大功率电真空器件的绝缘零件，也可用来制造真空电容器的陶瓷管壳、微波管输能窗的陶瓷组件。
是最重要的电子陶瓷材料。
其最重要的用途是制造电路基板。
下面以电路基板为例，进行氧化铝元器件行业的分析。
低端基板一般只利用其耐热特性（用于高温环境），而高端产品则要求在热稳定性，机械性能，电磁性能方面，一般用于高频通信、汽车电子等行业。
全球来看，日本企业处于领导位置，如包括Maruwa、Kyocera、NipponCarbide、Meiwa、Kyoristu、Ceramtec。
而台湾地区随着近年电子和新能源行业的发展，也出现了如九豪精密、大毅电子等上市基板企业。
大陆有大量的中小企业和研究所能够生产氧化铝，但是多以95、96瓷基板为主，高端基板的供应商不多。
技术水平较高且成规模的主要企业有潮州三环等。
近年来，国内企业的水平和规模都有所提高，企业一定程度上呈现了逐步集中的态势（如图5），而数量在11年有小幅下降。
图5我国氧化铝基板企业数量
与其它电子元器件行业相同，行业景气与宏观经济呈现正相关性，但行业总体增速明显超越GDP增速（如图6），到10年国内规模企业氧化铝基板销售收入按不同文献的数据估计在200-500亿。
而价格方面则受到经济周期波动的影响比较明显，根据一些咨询公司做的价格指数，在08年低相比高位价格有20%左右的下滑，其中中低端产品的价格下滑尤为明显。
而高端特别是进口产品有些仍能维持在接近$2/cm2（但高端产品只占总市场规模的5%以下）。
图6我国氧化铝基板行业增速与GDP增速对比
2.2氮化铝
AlN是自然界中不存在的一种物质，只能通过人工合成获得。
其主要特性包括：
1）有高的导热系数：
其热传导能力大于金属铝，约为Al2O3陶瓷的10倍。
2）低的热膨胀系数：
与硅的相近因此，以AlN陶瓷为基板或封装材料制成的电子元件具有很高的热稳定性。
3）高的机械强度：
同Al2O3陶瓷相比室温强度相近但高温强度大于Al2O3陶瓷因此AlN陶瓷可作为高温结构材料使用。
4）化学稳定性好AlN：
对许多熔融金属和熔盐以及高温化学气体有优异的抗腐蚀性因此AlN陶瓷是一种理想的高温抗蚀材料。
由于AlN陶瓷具有上述优良的性质AlN陶瓷在许多领域将有广泛的应用。
陶瓷材料以其优良的导热性和气密性，广泛应用于功率电子、电子封装、混合微电子与多芯片模块等领域。
2.2.1氮化铝粉体
生产工艺：
氮化铝粉体的主流制作工艺有铝粉直接氮化法和氧化铝碳粉还原法，尽管在研究领域还有很多新的工艺提出，但市售粉体基本都是用这两种方法制造的。
1）铝粉直接氮化法
通过直接氮化法就是在高温的氮气气氛中，铝粉直接与氮气化合生成氮化铝粉体，其化学反应式为2Al（s）+N2（g）→2AlN（s）
该方法原料丰富，工艺简单，没有副反应，适合大规模工业化生产。
但该法存在产率低、粉体易团聚结块等缺点：
在反应初期，铝粉表面被氮化成氮化铝层，从而阻碍N2向颗粒中心的扩散，致使氮化铝的产率较低；此外，铝与氮气的反应是强放热反应，释放出的热量会导致粉体产生自烧结而形成团聚，从而使得粉体颗粒粗化。
2）氧化铝碳粉还原法
碳热还原法就是将混合均匀的Al2O3和C在N2气氛中加热，首先Al2O3被C还原，所得产物Al再与N2反应生成AlN，其化学反应式为Al2O3（s）+3C（s）+N2（g）→2AlN（s）+3CO（g）。
碳热还原法具有原料丰富、工艺过程简单等特点，合成的粉体纯度高、粒径小且分布均匀；其主要劣势在于合成时间较长、氮化温度较高，而且反应后还需对过量的碳进行除碳处理，导致生产成本较高。
产能状况：
目前日本的氮化铝产量占世界产量的70%。
世界上最大的氮化铝生产商—日本德山公司（此外日本东洋铝业公司、美国陶氏化学和德国Hoechsr也是全球主要的氮化铝粉体供应商）1981年开始生产氮化铝到，2002年生产能力达到240吨。
然而氮化铝的使用量在不断增长今年世界氮化铝市场需求出现短缺，特别是日本的厂商往往会优先对国内客户以优惠价格供货。
统计资料表明近几年世界AlN市场需求会达到130亿美元存在一个很大的AlN粉体原料供给缺口。
因此AlN高端粉体的价格曾经高达100美元/kg以上，但是随着主要供应商纷纷扩张产能，价格呈缓步下降的态势。
国内产业发展状况：
我国从“七五”期间开始立项研究氮化铝起步较晚。
目前国内已有几家工厂可以生产，但大多是乡镇企业。
技术不太成熟，生产的氮化铝陶瓷质量较低。
这极大地影响了AlN陶瓷在许多行业特别是电子行业的应用。
尽管近些年来我国科研人员进行了大量的AlN研究工作极大地促进了我国氮化铝陶瓷的开发生产能力，但目前我国电子级AlN粉体原料还主要依赖于进口又由于国内没有较强竞争力的AlN粉体生产厂商，因此进口AlN粉体价格居高不下，在这种情况下开发国产AlN粉体资源显得尤为必要。
2.2.2氮化铝元器件
氮化铝元器件主要用于计算机的冷却元件、铁路电气化机车的电源基板、新型燃气汽车的控制模板、激光通信的二极管的基片半导体元件等，最新用途是用于高容量的能源装置和光储系统的计数装置。
AIN基板已经大量进入市场，日本的京都，德山曹达、东芝，德国的Hoechst公司，加拿大的Sherfitt公司，美国Carlxa'tmdum等公司都有商品化／kiN基板出售，市售AIN基板的热导率一般为14O～170W／m·K，高的可达200W／m·K，基板尺寸一般是5O×50mm2Hoechst公司出售的最大AIN基板尺寸为115×115mm"．热导率180W／m·K。
日本在AIN基板制造方面，仍然处于领先地位。
如东芝公司已具备制造150×IS0mmAlN基板的能力。
国内．开展AIN基板研究的厂家很多，有清华大学、南京化工学院、建材院等单位，但大多均处于实验室阶段。
电子部43所采用常压烧结法，翻造出了氮化铝冉瓷基板，热导率达90W／m·K，最大面积为140×90mm。
3我国相关产业政策
3.1主管机构
国家发展和改革委员会、国家工业和信息化部是电子陶瓷的行业主管部门，主要负责制定行业政策、行业规划，指导行业技术法规与行业标准的制定，推进产业结构战略性调整和优化升级，推进信息化和工业化融合；负责中小企业发展的宏观指导。
行业的指导和服务职能由行业相关协会承担，关系较紧密的协会主要为中国电子材料行业协会。
3.2产业政策和主要法律法规
电子信息材料作为信息产业的基础，在国民经济中具有不可低估的作用。
国家各部委近年来陆续颁布了多项政策法规，对电子信息材料行业、尤其是新材料、功能材料行业给予鼓励和重点扶持。
2007年12月，国家发展和改革委员会颁布的《关于继续组织实施电子专用设备仪器、新型电子元器件及材料核心基础产业产业化专项有关问题的通知》中指出，为贯彻落实“十一五”高技术产业发展规划和信息产业发展规划，加强自主创新，加快产业结构调整，壮大核心基础产业，推动电子信息产业向创新效益型转变，重点发展新型电子元器件及材料包括中高档片式元器件等。
同月，国家发展和改革委员会颁布的《高技术产业化“十一五”规划》中提出，“解决新材料产业中突出的技术瓶颈，提高工艺水平，重点开展结构材料、功能材料以及节能与能源材料、环境友好材料、经济建设特殊需求材料等产业化，为信息、生物、航空、航天、新能源及相关产业提供高性能材料，把资源优势转化为产业优势和经济优势”。
2008年1月，信息产业部发布《电子基础材料和关键元器件“十一五”专项规划》，要求“突破部分关键技术，缩小电子材料与国外先进水平的差距。
重点发展技术含量高、市场前景好的电子信息材料，提高国内自主配套能力；注重环保型电子材料的开发。
”
2008年4月，科技部、财政部、国家税务总局联合发布的《国家重点支持的高新技术领域》将“高性能功能陶瓷制造技术”列于其中，明确“新型微波器件及电容器用介电陶瓷和铁电陶瓷材料制造技术”属于国家重点支持的高新技术领域。
2009年4月，政府颁布了《电子信息产业调整和振兴规划》，提出将加快电子元器件产品升级，提高片式元器件、新型电力电子器件、高频频率器件、半导体照明、混合集成电路、新型锂离子电池、薄膜太阳能电池和新型印刷电路板等产品的研发生产能力，初步形成完整配套、相互支撑的电子元器件产业体系。
2010年10月10日，国务院颁布《国务院关于加快培育和发展战略性新兴产业的决定》，表示国家将“大力发展稀土功能材料、高性能膜材料、特种玻璃、功能陶瓷、半导体照明材料等新型功能材料”。
2010年10月18日十七届五中全会闭幕，会议审议通过了有关“十二五”规划的建议，正式规划将于2011年5月出台。
规划建议中提出“培育发展战略性新兴产业。
科学判断未来市场需求变化和技术发展趋势，加强政策支持和规划引导，强化核心关键技术研发，突破重点领域，积极有序发展新一代信息技术、节能环保、新能源、生物、高端装备制造、新材料、新能源汽车等产业，加快形成先导性、支柱性产业，切实提高产业核心竞争力和经济效益。
发挥国家重大科技专项的引领支撑作用，实施产业创新发展工程，加强财税金融政策支持，推动高技术产业做强做大”。
2011年9月7日，国家工信部组织发布了《新材料产业“十二五”发展规划》，该规划的正式出台标志着新材料产业开始进入黄金增长期。
“十二五”期间，国家将实施新材料重大工程项目，对高强轻型合金材料、高性能钢铁材料、功能膜材料、新型动力电池材料、碳纤维复合材料、稀土功能材料等六类新材料进行重点支持。
根据国家发展和改革委员会《产业结构调整指导目录（2011年本）》，电子陶瓷产业符合第28项“信息产业”中第22条中的“新型电子元器件等电子产品用材料”，属于鼓励类项目。
此外，根据国务院2010年10月10日颁布的《国务院关于加快培育和发展战略性新兴产业的决定》，国家将“大力发展稀土功能材料、高性能膜材料、特种玻璃、功能陶瓷、半导体照明材料等新型功能材料”，电子陶瓷产品属于“功能陶瓷”类，为国家鼓励大力发展的产业类别。
3.3企业具体扶持状况
由于电子陶瓷复合我国的产业发展政策，因此规模较大的企业都能每年都能获得国家的各类补助，例如：
1）风华高科（国内MLCCC（片式多层陶瓷电容器）电容龙头企业）：
2010年政府补助1082万，净利润2.2亿；2011年政府补助2290万，净利润1.6亿。
2）国瓷材料（国内最大的高纯超细钛酸钡系列粉体和多层陶瓷电容器用系列粉体企业）：
2010年政府补助271万，净利润3100万；2011年政府补助635万，净利润4400万。
注：
补助仅指财报中明确的政府补助收入（多为完成某科研项目后获得的奖励），隐性的一些优惠没有计入。
4国际标杆企业分析
在选择具体企业时，我们希望尽可能选择有代表性的龙头企业，我们综合考虑了所选企业在产业链中的位置和产品类型以及所处的国家地区，尽量使得所选企业能够体现出全球电子陶瓷产业标杆企业的发展历程、经营现状和未来产略。
4.1粉体企业
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