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电路基础复习题带答案

 

高职计算机电路复习题一

一、填空题

 

1、根据导电的程度,物质可分为导体、绝缘体和半导体。

2、半导体的导电性能具有两个显著特点是敏感性和掺杂性。

3、半导体按导电类型可分为P型半导体和N型半导体。

4、带有一定电量且能在电场力作用自由运动称为载流子。

5、物体的导电能力取决于该物体内载流子的浓度和运动速度。

6、半导体的重要特点是自由电子和空穴同时参加导电。

7、N型半导体是在本征半导体中加入微量的

价元素,它的多数载流子是

自由电子,

少数载流子是

空穴,产生的电流主要是

电子流。

8、P型半导体是在本征半导体中加入微量的

价元素,它的多数载流子是

空穴

少数载流子是自由电子

,产生的电流主要是

空穴电流

9、PN结的最基本的性质是

单向导电性

性。

10、反向连接:

PN结的外加电源正极接N型区,负极接P区

11、正向连接:

PN结的外加电源正极接

型区,负极接

12、二极管是具有单向导电性

性的两

极器件。

13、PN结的单向导电性:

(1)当PN结两端加上正向电压时,PN结处于导通状态。

此时形成正向的电流,呈现的电阻阻值小。

(2)当PN结两端加上反向电压时,PN结处于截止状态。

此时形成

反向

的电流,

呈现的电阻阻值

较大

14、P型半导体上引出的电极叫

正极或阳极,用符号“+”表示。

15、N型半导体上引出的电极叫

负极或阴极,用符号“-”表示。

16、二极管的符号是

17、二极管按材料分

锗二极管、

二极

按结构分点接触

型二极管、

面接触

型二极管。

18、点接触型二极管由于PN结的面积很

小,故适用于高

频信号的检波,适合微

电流的整流及脉冲电路。

19、面接触型二极管由于PN结的面积大,能承受较大的电流,适用于整流,不适用于高

频电路。

20、二极管的伏安特性,是指加到二极管两端的电压与流过二极管的电流之间的关系

 

1

 

曲线。

21、二极管的伏安特性:

(1)正向特性:

a、分两个区分别是导通区、死区。

b、死区:

外加正向电压很小时,正向电流很小,二极管表现出有较大的电阻,

我们把这个基本截止状态的区域称为“死区”。

c、死区电压:

硅管0.5V,锗管0.2V。

d、正向导通区:

当加在二极管两端的电压超过一定的数值以后,二极管的电阻变得很小,

正向电流开始显著增加,二极管处于正向导通时,其正向电压变化不大。

e、导通电压:

硅0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。

(2)反向特性:

a、分两个区分别是反向饱和区、反向击穿区区。

b、二极管两端加反向电压时,外加电压在一定范围内变化,反向电流很小,且基本维持

不变,且和反向电压的数值无关、反向电流随温度的上升

增长很快。

c、在同样温度下,硅管的反向电流比锗管

小得多

d、反向电流也称为反向饱和电流

,它的大小是衡量二极管质量好坏的一个重要标志。

反向电流越大,说明二极管单向导电性能

越差

e、反向击穿:

当反向

电压增大到一定数值后,反向电流会突然

增大

,这时二极管

失去单向导电性,这种现象称为

反向击穿。

f、发生击穿时的电压称为

反向击穿电压

,二极管反向击穿后,反向电流很大,会导致PN

结烧坏。

g、二极管的电阻不是一个常数,它的伏安特性曲线不是一条直线,二极管是一个非线性

电阻器件。

22、晶体二极管的主要参数

它是反映器件性能的质量指标,是正确选择和使用管的依据。

(1)最大整流电流:

是指二极管允许通过的最大正向平均电流,是为了保证二极管

的温升不超过允许值而规定的限制。

(2)最高反向工作电压;二极管反向电压高时会引起二极管反向击穿,因此要限制反向工

作的电压。

(3)反向饱和电流:

是指管子未击穿时的反向电流值,它越小说明管子的单向导电性

能越好,它受温度影响很大。

 

2

 

二、综合题

1、PN结的单向导电性。

2、二极管的反向击穿。

高职计算机电路复习题二

 

一、填空题

1、导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体

2、在N型半导体中,主要依靠自由电子导电,在P型半导体中主要依靠空穴导电。

3、PN结具有

单向导电性

性能。

4、PN结的正向接法是电源的正极接

P

区,电源的负极接N

区。

5、硅二极管的死区电压约为

0.5V

,锗二极管的死区电压为约为

0.2V。

6、二极管导通后,硅管管压降约为

0.7

伏,锗管压降为0.3

伏。

7、三极管是由

个PN结及其划分为三

区组成。

8、三极管的两个结分别称为

发射结

和集电结。

9、三极管具有

电流

放大作用。

10、三极管具有电流放大作用的条件是

发射结正向偏置,集电结反向偏置。

11、三极管的β值太小,则其

电流放大能力

较差。

12、场效应管这是电压

控制型器件。

13、PN结加正偏电压时导通,加反偏电压时截止,这就是PN结的单向导电性导电性。

14、三极管具有电流放大的作用,即Ib的微小变化控制了Ic的较大变化。

15、三极管的三种工作状态即饱和状态,截止状态,放大状态。

16、三极管构成放大器时,有三种基本连接方式,即共射极连接,共集电极连接,共基极连接。

17、二极管的单向导电性,即正偏导通,反偏截止;导通后,硅管的管压降约为0.7v锗管的管压降约为0.3V。

18、三极管集电极输出电流IC=9mA,该管的电流放大系数β=50,则其输入电流IB=0.18mA。

19、在硅或锗单晶片上经过特殊的工艺加工,在P型区和N型区的结合部有一个特殊的薄层,

称为PN结。

20、由半导体二极管的伏安特性曲线可知:

二极管的导电性能可分为和两部分,前者又可

分为区和区,后者分为区和区。

21、要求导通电压低时应选用锗管,要求反向电流小时应选用硅管,

22、工作在放大状态的NPN管三个电极的电位关系是Uc>Ub>Ue。

工作在放在状态的PNP管

 

3

 

三个电极的电位关系是Uc

23、三极管的结构有两种形式分别为

双极

型和场效应

型。

24、三极管的两个结分别是

发射

结和

集电

结。

25、三极管的三个区分别是

发射

区、集电

区、基

区。

26、三极管的三个极分别是

发射极、

基极、

集电极

27、NPN晶体管的符号是

28、PNP晶体管的符号是

29、三极管并不是两个PN结的简单组合,它不能用两个二极管代替。

30、一般不可以将发射结和集电极互换。

31、目前国产晶体三极硅管多为NPN型平面管,锗管多为PNP型合金管。

32、三极管放大的外部条件:

一、必须给发射结施加一个正向EB,硅管一般为0.6-0.8v,锗管一般为0.2-0.3v。

二、还应给集电结施加一个反向Ec。

33、三极管三个电极中的电流分配关系为Ie=Ic+Ib。

因为基极电流最小,所以Ie≈Ic。

34、直流电流放大系数为β。

35、三极管的共射极交流放大系数为

β=

36、β和β在意义上虽然为

不同

但数值较相似。

37、当IB=0时,IC=IE=ICEO,这里ICEO称为

穿透电流

,ICEO越小管子的性能越稳定。

38、三极管具有电流放大

作用。

一个Ib

的变化,可以换来一个

的Ic

化,从而实现以小控制大

的目的。

39、三极管有三种连接方式分别是

共射极、共集电极、共基极连接,无论哪种连接方

式,为了保证管子具有放大作用,电路必须满足

发射结正向偏置

、集电结反向偏置条件。

40、三极管输出特性曲线的三个区分别是

饱和区、放大区、

截止区

41、截止区:

在IB=0时,这条曲线以下的区域称其为

截止区

特点是:

两结都处于

向或零偏置,如果IB再增大,Ic

将增加很小,甚至不再增加。

饱和区的电压

UCE称为饱和

压降,记作Uces

42、放大区:

发射结

正偏

,集电结反偏

,电流Ib

对Ic

控制作用。

43、交流电流放大系数

是衡量三极管放大能力的重要指标,β太小,则电流放大能力差

β太大,则稳定性

性差,一般β值在20—200之间为宜。

44、ICE、ICB愈小的管子其稳定性能愈

,硅

管的温度稳定性比

管好。

45、三极管的极限参数

 

4

 

(1)集电极最大允许电流Icm当三极管的IC增加到一定数值时,放大系数β值将显著

下降当IC超过极限值太多,极可能烧坏管子。

(2)集电极—基极击穿电压BUceo这是指发射极开路时,集电极、基极间所能

承受的最在反向电压。

(3)集电极–发射极击穿电压BUceo这是指基极开路时,集电极、发射极间

所能承受的最大反向电压、否则甚至烧坏管子。

(4)集电极最大允许功率损耗Pcm是指集电极电压Uce和流经电流Ic的乘积,

功率损耗将引起管子发热、结温上升。

最终将烧坏管子。

46、场效应管:

利用输入电压

产生的电场效应来控制输出

电流而得名。

47、场效应管只依靠自由电子

或空穴

中的一种

多数载流子

形成电流。

48、场效应管按结构不同可分为

结型FET和绝缘栅FET

49、发光二极管即LED能把电

能直接快速地转换成光能

管,当给它的PN结注入一定

的正

向电流时,就会发光,发光的颜色分为

红橙黄绿

等。

50、双极型晶体管是电流控制型器件,而效应晶体管则是

电压控制型器件。

51、在同样的温度下,硅管的反向电流比锗管小。

52、二极管是一个非线性性电阻器件。

它的伏安特性曲线是一条曲线.

53、反向电流大小是衡量二极管质量好坏的一个重要标志,

54、已知某三极管的IB1=10μA时IC1=0.8mA,当IB2=40μA时IC2=2.4mA,该三极管的β值为53.3

 

55、测得工作在放大电路中的PNP型三极管两个电极的电压分别为:

U1=3.5V、U2=2.8V、U3=15V。

则三极管是_________,U1_____极、U2____极、U3=_____极。

56、一个放大器的输入信号为75mV,其输出信号为5V,其电压放大倍数是__________

二、选择题

1、在P型半导体,主要依靠B来导电。

A、电子B、空穴C、电子和空穴

2、PN结的P区接电源负极,N区接电源正极,称为B偏置接法。

A、正向B、反向C、零

3、在二极管正向导通时,二极管呈现A电阻。

A、较小B、较大C、不确定

4、二极管正向导通的条件是其正向电压值C

A、大于0B、大于0.3VC、大于死区电压

5、二极管的正极电位是20V,负极电位是10V,则二极管处于A

 

5

 

A、正偏B、反偏C、不稳定

6、三极管是由B个PN结所组成。

A、1B、2C、3

7、在一般情况下,三极管的电流放大系数随温度的增加而A。

A、增加B、减小C、不变

8、处于放大状态的三极管,其发射极电流是基极电流的C倍。

A、1B、βC、1+β

9、三极管在饱合状态时,ICBIB控制

A、受到B、不在受C、等待

10、穿透电流在温度升高时B。

A、增加B、减小C、不变

11、工作在放大区的某三极管,当IB1=20μA,IC1=1mA,IB1=40μA,IC1=2.05mA,则β值为B

A、50B、52.5C、55D、57.5

12当锗晶体二极管加上0.3V正向电压时,该管的状态为A

A、导通B、截止C、放大D、饱和

13、三极管的两个PN结都反偏,则三极管的状态为B

A、导通B、截止C、放大D、饱和

14、测得NPN三极管的三个电极电压分别是UB=0.9V,UE=0.2V,UC=9V,该三极管处于A

A、导通B、截止C、放大D、饱和

15、在放大电路中,若测得管的三个电位分别是1V、1.2V、6V,这个三极管的类型是C

A、PNP型锗管B、PNP型硅管C、NPN型锗管D、NPN型硅管

16、在放大电路中,若测得NPN三极管的三个电极电压分别是U1=0.9U2=0.2VU3=9V,则分别

代表三极管的三个极是A

A、becB、bceC、ebcD、cbe

17、NPN型三极管处于放大状态时,各极电位关系是A

A、UC>UB>UEB、UCUC>UBD、UE>UC>UB

18、工作在放大区的三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它

的β约为C

A、83B、91C、100

19、电路中的一只二极管的正极电位是5V,负极电位是3V,则该二极管A

A、正向导通B、截止C、击穿D、开路

20、三极管的两个PN结都反偏,则晶体三极管的状态是C

 

6

 

A、放大B、饱和C、截止D、导通

21、PN结的最基本特性是D

A、电流控制型器件B、电流放大作用

C、电压放大作用D、单向导电性

22、下列不是晶体二极管的特点是D

A、单向导电性B、非线性电阻器件

C、有整流作用D、有电流放大作用

23、晶体三极管的特点是C

A、电压放大作用B、单向导电性

C、电流放大作用D、有整流作用

24、场效应管是A型半导体三极管。

A、单极B、双极

25晶体三极管B种载流子参与导电。

A、1B、2C、3

 

26、当晶体管工作在放大区时,B

A、发射结和集电结均反偏;

B、发射结正偏,集电结反偏;

C、发射结和集电结均正偏

27、稳压管是实现稳压功能的半导体器件,它利用二极管的___B___。

A、正向特性;B、反向击穿特性;

C、反向特性;D、单向导电性

28、二极管的伏安特性曲线反映的是A的关系曲线。

A、VD—IDB、VD—RDC、ID—RDD、F—ID

三、综合题

1、判断下图中二极管的工作状态。

2试确定下图中硅二极管两端的电压值。

3、判断三极管的工作状态。

4、晶体三极管的结构(极、区、结)

5、三极管的电流放大作用

6、三极管的三种连接方式

7、判断三极管的状态

 

7

 

8、三极管的输出特性曲线上Q1点处IB=0.1mA、IC=5.4mA,在Q2点处IB=0.15mA、IC=8mA。

(1)求Q1点和Q2点的β值。

(2)由曲线上Q1点和Q2点计算β。

(3)判断二极管的状态,并计算电压UA、U0的数值。

9、右图是3DG6A的输出特性曲线。

(1)从曲线上求Q1点、Q2点的β值。

(2)由曲线上Q1点和Q2点计算β值。

 

高职计算机电路复习题三

一、填空题

1、基本放大电路的组成原则是:

使发射结

偏置,集电结

偏置。

为保证不

失真地放大输入信号,必须合理地设置

静态工作点

2、三极管是温度敏感器件,体现在当温度

升高

时,集电极电流

Ic

增加,静态工

作点

上移;

3、共射极基本放大电路的特点是:

输出信号和输入信号以三极管的射极为共同端,输出电压与输入电压反相;

4、场效应管是电压控制型器件。

5、能把微弱的电信号(电压、电流等)转换成所需数值电信号的电路称为放大电路,

简称放大器

6、基本放大电路的组成原则是:

使发射结正向偏置,集电结反向偏置。

为保证不

失真地放大输入信号,必须合理地设置静态工作点

7、三极管是温度敏感器件,当温度变化时,三极管的主要参数都将发生变化,这种变化集中

体现在当温度升高时,集电极电流IC增加,静态工作点上移;温度降低时,ICQ减

小静态工作点下移。

这样,导致放大器工作不稳定甚至不能正常工作。

8、静态工作点

9、未加输入信号(静态)时,放大电路中三极管的基极、集电极电流和基极-发射极、集电

极-发射极之间的电压分别用Ibq、Icq、Ubeq、Uceq来表示,当电路参

数一定后,这组数值就确定了,在三极管输入、输出特性上体现为一个点,习惯

称之为静态工作点。

10、画直流通路的方法:

电容可视为开路,电感可视为短路。

11、画交流通路的方法:

电容可视为路,电源可视为路

 

8

 

12、基本放大电路静态工作点不稳定的原因:

当、,以及时,都将导致静态

工作点的变化。

13、对放大器的基本要求

(1)足够大的

(2)良好的

(3)较小的

14、共集电极放大电路又叫

的特点是:

(1)

输出信号和输入信号以三极管的

极为共同端;

(2)

其输入电阻

,输出电阻

因此在电路中常常起阻抗作用;

(3)

该电路有有

放大作用

(4)

该电路的电压放大倍数

,而又十分

,并且输出电压与输入电压

相位,所

以又称为

,简称

(5)

带负载能力强(因为输出电阻小),因此又常常用做放大电路的

15、共基极放大电路特点

(1)输入电阻,输出电阻

(2)电流放大作用虽但其电压放大倍数

(3)输出电压与输入电压相位

(4)这种电路常见于

16、共射极入大电路的特点

(1)输入电阻和输出电阻

(2)具有的电流放大倍数和电压放大倍数

(3)输出电压与输入电压相位

(4)这种电路广泛用于

17、放大倍数通常也叫做,通常用表示。

它是表征放大器能力的一项重

要指标。

18、放大器对频率特别和频率特别的信号的放大倍数是有差异的,这个现象称为

频率特性。

19、由于放大器的特性而引起的信号和信号的差异称为失真。

这种失

真越小,说明放大器的性能越好。

20、耦合电容在电路中起传送流,隔断流的作用。

21放大器的放大作用,是利用三极管的极对极电流的控制作用来实现的。

 

9

 

22、合理的设置静态工作点的目的是

23、放大器末加交流信号时的状态叫做

静态

24、放大器必须设置

静态工作点

才能避免产生非线性失真。

25、直流通路是放大器的

等效电路,是放大器输入回路与输出回路

电流的通路径。

画直流通路时将

视为开路,其他不变,直流通路主要用于分析放大器的

26、交流通路是放大器的

等效电路,是放大器

信号的流经途径。

它的画法是,将

视为短路,其余元件照画。

27、一个放大器的

静态工作点的设置

是否合适,是放大器能否正常工作的重要条件。

28、对于一个放大电路来说,一般希望其输入电阻

高些

以减轻信号源的负担;对于一个

放大电路来说,一般希望其输出电阻

低些

,以增大带负载的能力。

29、利用直流

通路可以近似估算放大电路的静态工作点,利用

交流

通路可以估算

放大器的动态参数。

30、由NPN三极管组成的放大电路中,三个极的电压关系是

二、连线

1、放大电路能把B、电压控制器件

2、放大电路中晶体管的工作特点是C、三极管参数改变

3、交流通路的画法是D、微弱的电信号转换成较大的电信号

5、温度变化将导致E、共集电极电路

6、共集电极放大电路也称F、放射结正向偏置,集电结反向偏置

7、场效应管是G、射极输出器或者射随

8、放大电路的输出级常常采用H、将电容短路、直流电源短路

A、将电容开路,电感短路

三、选择

1、共发射极放大电路中三极管的

A

是输入回路的公共端。

A、基极

B

、发射极

C

集电极

2、在基本放大电路的三种组态中,

C

组态只有电流放大作用而没有电压放大作用。

A、共射

B

、共基

C

、共集

3放大电路中的饱和失真与截止失真称为

B失真。

A、线性

B

、非线性

C

、交越

4、无信号输入时,放大电路的状态称为A

A、静态B、动态C、静态和动态

 

10

5、射极输出器具有C放大作用。

A、电压B、电流C、电压和电流

6、估算放大电路的静态工作点用A通路。

A、直流通路B、交流通路

7、研究放大电路的电压放大倍数、输入电阻、输出电阻必须按B等效电路计算。

A、直流

B、交流

8、当环境温度升高时β将A

A

、升高

B

、下降

9、当环境温度升高时IC将B

A

、增大

B

、减小

10、当环境温度升高时,静态工作点将

AA

、上移

B

、下移

11、稳定静态工作点的放大电路UBB

A、基本是恒定的B、随温度的升高而增大C、随温度的升高而

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