集成电路版图基础知识练习.docx
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集成电路版图基础知识练习
一、填空
1.ls（填写参数）命令用于显示隐藏文件。
（-a）
2.进入当前目录的父目录的命令为（%cd..）
3.查看当前工作目录的命令为：
（%pwd）
4.目录/home/www/uuu已建立，当前工作目录为/home/www，采用绝对路径进入/home/www/uuu的命令为：
（%cd/home/www/uuu）
5.假设对letter文件有操作权限，命令%chmoda+rwletter会产生什么结果：
（对所有的用户增加读写权限。
）
6.显示当前时间的命令为：
（%date）
7.打开系统管理窗口的命令为：
（%admintool）
8.与IP地址为的主机建立FTP连接的命令为：
（%ftpor%ftp%open）
9.建立FTP连接后，接收单个文件的命令为：
（%get）
10.建立FTP连接后，发送多个文件的命令为：
（%mput）
11.有一种称为2P5MCMOS单井工艺,它的特征线宽为______，互连层共有_____层，其电路类型为_______。
7CMOS
12.请根据实际的制造过程排列如下各选项的顺序：
a.生成多晶硅
b.确定井的位置和大小
c.定义扩散区，生成源漏区
d.确定有源区的位置和大小
e.确定过孔位置
正确的顺序为：
____________________。
bdace
13.集成电路中的电阻主要有__________,____________,_____________三种。
井电阻，扩散电阻，多晶电阻
14.为方便版图绘制，通常将Contact独立做成一个单元，并以实例的方式调用。
若该Contact单元称为P型Contact，由4个层次构成，则该四个层次分别为：
_________，_________,_________,___________.active,P+diffusion,contact,metal.
15.CMOS工艺中，之所以要将衬底或井接到电源或地上，是因为___________________________________。
报证PN结反偏，使MOS器件能够正常工作。
16.版图验证主要包括三方面：
________，__________，__________;完成该功能的Cadence工具主要有（列举出两个）：
_________，_________。
DRC,LVS,ERC,Diva,Dracula
17.造成版图不匹配的因数主要来自两个方面：
一是制造工艺引起的，另一个是__________;后者又可以进一步细分为两个方面：
_______________，_____________。
片上环境波动，温度波动，电压波动。
18.DRC包括几种常见的类型，如最大面积（MaximumDimension），最小延伸（MinimumExtension），此外还有_________，_________，_________。
最小间距，最小宽度，最小包围（MinimumEnclosure）。
19.减少天线效应的三种方法有：
____________，____________，__________。
插入二极管，插入缓冲器，Jumper（或者，通过不同的金属层绕线）。
20.由于EDA工具的不统一，出现了各种不同的文件格式，如LEF,DEF等，业界公认的Tapeout的文件格式为_______，它不可以通过文本编辑器查看，因为它是______（文件类型）。
GDSII，流文件。
21.根据的冯.诺依曼的“101页报告”，计算机的五大部件是：
输入装置、_________、_________、_________、输出装置。
逻辑部件、运算部件、存储器
22.流水线中可能存在三种冲突，它们是：
_________、_________、_________，从而造成流水线停顿，使流水线无法达到最高性能。
资源冲突、数据冲突、控制冲突
23.写出JK触发器的特性方程：
__________________。
（）
24.随着1000M网卡等高速设备的出现，传统的PCI总线无法满足PC系统的数据传输需求，INTEL于2001年提出了第三代局部总线技术_________。
3GIO或PCIExpress
25.AMBA是为了设计高性能的嵌入式微控制器系统而推出的片上通信标准，它包括ASB、_________、_________等三套总线。
AHB、APB
26.SoC的设计基于IPCore的复用，IPCore包括三种：
_________、_________、_________。
软核、固核、硬核
27.RISCCPU的三大特点是：
_________、_________、_________。
ALU的数据源自Register、只用LD/ST指令可以访问MEMORY、指令定长
28.ARM处理器包含两种指令集：
_________、_________。
Arm指令、thumb指令
29.MCS80C51是CISCCPU，属于哈佛结构，arm属于_________CPU。
RISC
30.Arm7TDMI中，T代表_________、D代表_________、M代表_________、I代表_________。
Thumbm、debug、multiplier、ise
31.固体分为晶体和非晶体两大类。
32.半导体材料中锗和硅属于金刚石结构，砷化镓属于闪锌矿结构。
33.施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子，同时向导带提供电子，使半导体成为电子导电的n型半导体。
受主杂离后成为不可移动的带负电的受主离子，同时向价带提供空穴．使半导体成为空穴导电的p型半导体。
34.晶体中电子的能量状态是量子化的。
电子在各状态上的分布遵守费米分布规律。
35.电子在热运动时不断受到晶格振动和杂质的散射作用，因而不断地改变运动方向。
半导体中的主要散射机构是电离杂质散射和晶格振动散射。
36.pn结有电容效应，分为势垒电容和扩散电容。
37.在放大模式偏置下，双极型晶体管的EB结正向偏置，CB结反向偏置。
38.CMOS的英文全称是ComplementaryMetalOxideSemiconductor。
39.MOS场效应晶体管分为四种基本类型：
N沟增强型、N沟耗尽型、P沟增强型、P沟耗尽型。
40.衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压，反向偏置电压增大，则MOS器件的阈值电压也随之增大，这种效应称为体效应。
41.用Cadence软件设计集成电路版图的输出数据的格式是（GDSII格式）。
42.在nwell上画pmos器件时需要在nwell上加（n+接触孔），并用金属线把这个（n+接触孔）与nwell内的（最高）电位相连接。
43.在P型衬底上画nmos器件时需要在P型衬底上加（p+接触孔），并用金属线把这个（p+接触孔）与P型衬底内的（最低）电位相连接。
44.建立一个新的layoutlibrary时需要（Compileanewtechfile），或者（Attachedtoanexistingtechfile）,或（Don’tneedatechfile）。
45.在layout编辑命令中，Hierachy命令一栏下，有两个相反的操作命令他们分别是makecell和（flatten）。
46.用DRACULA做layout的LVS检查时，首先要把schematic转成CDL的netlist,并对这个netlist做（LOGLVS）。
47.用DRACULA做layout的DRC检查时，先要运行PDRACULA命令，然后再执行（文件。
48.用DRACULA做layout的LVS检查时，先要运行PDRACULA命令，然后再执行（文件。
49.用DRACULA做layout的DRC检查后，修改完所有错误的标志是用vi命令在后缀名为（sum）的文件里看到ERRORSWINDOWSIZE是（0）。
50.用DRACULA做layout的LVS检查后，修改完所有错误的标志是用vi命令在名为（）的文件里看到unmatchingdevices是（0），以及没有（sizeerror）的描述。
51.集成电路产业包括：
IC设计、IC制造、IC封装、IC测试。
52.现代主流的集成电路加工技术为CMOS工艺，即最基本的器件是由PMOS和NMOS组成。
53.PMOS是在N阱上形成P型沟道的MOSFET晶体管。
54.对于CMOS集成电路，通常器件间的电性绝缘采用介质绝缘的方式，如LOCOS（局部场氧隔离）或STI（浅沟道隔离）。
55.集成电路制造与集成电路设计相关纽带是光刻掩膜版。
56.集成电路制造工艺技术主要包括：
热工艺、离子注入、光刻、清洗与刻蚀、金属化、表面平坦化。
57.集成电路制造中最为重要的工序是光刻。
58.现在，主流的掺杂技术是离子注入。
59.光刻的图形曝光方式有：
接触式曝光、接近式曝光和投影式曝光。
60.集成电路金属薄膜的沉积通常采用溅射物理气相沉积。
二、判断
1.标准Solaris操作系统中，普通用户只能在自己的宿主目录下创建新的目录。
√
2.Solaris是SUN公司推出的在工作站上运行的操作系统。
√
3.Solaris系统只支持单用户。
×
4.Solaris是多进程、多任务的分时操作系统。
√
5.%ls–l命令是连续列出文件的名称。
×
6.%echo命令是将用户在该命令之后放置的任何命令行复制到屏幕上。
√
7.%id是显示用户正在使用的计算机名称。
×hostname
8.FTP是本地或者远程主机之间传输文件的工具。
√
9.vi是文本编辑器。
√
10.vi命令方式下，字母I是打开新行命令。
×
11.过孔上往往有较大的寄生电阻，因此为了减少因此产生的IRDrop，单个过孔的面积应该尽可能的大。
×
12.Bi-CMOS工艺就是用标准的Bipolar工艺来制造MOS器件。
×
13.对于N型衬底的单井CMOS工艺，NMOS的衬底应该接到高电位上。
×
14.尽管版图中各个层次大致对应于相应的工艺步骤，但划版图时，各个层次划的先后顺序是无关紧要的，它不会影响芯片最后的制造。
√
15.在采用标准单元镜像的布图中，绕线是通过绕线通道（RoutingChannel）进行的。
×
16.因为有逻辑综合的存在，所以数字设计才能够脱离底层的物理器件，用HDL来设计。
√
17.设计规则的出现实际上是为了寻求一种芯片良率和芯片面积的权衡。
√
18.并不是所有LVS的错误都会造成版图功能上的错误。
√
19.通过各种匹配措施，在版图上能够精确的划出一个125欧的扩散电阻。
×
20.用保护环（GuardingRing）可以在一定程度上防止Latchup效应的出现，比如说，在P沟道的MOS管上用P+的环。
×
21.半导体内总的正电荷和总的负电荷必须相等，整个半导体是电中性的。
（正确）
22.pn结平衡时，势垒区（即空间电荷区）内电子（或空穴）的扩散和漂移相抵消，整个pn结出现统一的费米能级。
（正确）
23.pn结反向偏置时，外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的，加强了势垒区的电场。
导致势垒降低，势垒区宽度变小。
（错误）
24.结型晶体管是电流放大型器件。
（正确）
25.齐纳二极管是利用二极管的雪崩击穿机理。
（错误）
26.双极型晶体管的工作区域可分为：
饱和区、正向工作区、反向工作区和截止区。
（正确）
27.改变氧化层厚度可以控制阈值电压。
（正确）
28.正向电压加到理想MOS二极管上时，能带向上弯曲，多数载流子积累。
（错误）
29.MOS器件工作在亚阈值区，对于漏电流起决定作用的是扩散而不是漂移。
（正确）
30.10、器件电容决定MOS晶体管的动态特性，门电容和源漏结电容是主要的确定因素。
（正确）
31.做DRC检查需要GDSII文件和DRC命令文件两个基本文件？
对
32．做LVS检查需要GDSII文件，网表文件（netlist）,和LVS命令文件这三个基本文件。
对
33、在Virtuosolayout的快捷键命令中，f是fit整个layout画面的意思，那么r是代表清除尺子的意思。
错
34、在Virtuosolayout的快捷键命令中，f是fit整个layout画面的意思，那么m是移动一个图形的意思。
对
35、在Virtuosolayout的快捷键命令中，f是fit整个layout画面的意思，那么k是
是copy一个图形的意思。
错
36、在运行PDRACULA检查DRC时，软件告诉我要运行的STAGE的数字如果大于或不等于运行文件是得STAGE的数字，这说明我的错改少了。
错
37、在运行PDRACULA检查LVS时，软件告诉我要运行的STAGE的数字如果等于大于或不等于运行文件是得STAGE的数字，这说明我的错改少了。
错
38、建立一个新的layoutcellview时不一定需要重建一个新的library，有时只需要在一个已有的library中再开一个新的cellview就可以了。
（对）
39、在集成电路版图设计中，器件之间的联接是通过引线孔和金属层联接的，如有源区的引出，多晶硅电阻的联接。
（对）
40、用EDA软件（如Cadence）画集成电路版图，不需要建立层次和单元，只需用Createrectangle命令一个器件一器件的画，相同的器件用copy命令copy一下就可以了。
（错）
41、集成电路制造需要在告别净化环境下进行，而光刻区对净化级别要求最高，如普通制造环境为1000级，则光刻区的净化环境则为10000级。
（错，光刻区数量级应小于普通环境，如获至宝100级）
42、集成电路制造需要在告别净化环境下进行，通常净化室内气压应高于净化室外气压。
（对）。
43、PMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。
（对）
44、NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。
（错，应是P阱，N沟道）
45、NMOS源漏城需进行N+型掺杂；（对）
46、集成电路制造与集成电路设计相关纽带是光刻掩膜版。
（对）
47、离子注入是集成电路制造中最为重要的工序。
（错，应是光刻）
48、在现代集成电路加工技术中，主流的掺杂技术是扩散掺杂。
（错，应为离子注入）
49、先进集成电路加工中，主要采用投影式光刻曝光技术。
（对）
50、通常湿法刻蚀的刻蚀轮廓比干法刻蚀好。
（错，相反）
三、选择
1.选择描述正确的语句：
（A）
A．UNIX是著名的多用户、多进程、多任务的分时操作系统。
B．UNIX是著名的单用户、多进程、多任务的分时操作系统。
C．UNIX是著名的多用户、单进程、多任务的分时操作系统。
D．UNIX是著名的多用户、多进程、单任务的分时操作系统。
2.当执行下列操作时，可以得到什么信息？
（A）
％who
A．当前用户的登录标识。
B．显示主计算机名称。
C．显示用户的系统标识。
D．显示当前目录。
3.采用下列命令更改文件权限，更改后的文件权限为：
（C）
%chmod700file1
A．rw-r--r--
B．rwxr-----
C．rwx------
D．---rwxrwx
4.帮助命令为：
（A）
A．man
B．more
C．mv
D．men
5.以文件名形式查找文件的命令参数为：
（A）
A．-name
B．-size
C．-atime
D．-mount
6.通配符用于匹配多个字符，[12345]可以和下列那个选项匹配：
（A）
A．1
B．12
C．123
D．12345
7.退到根目录的命令为：
（B）
A．%cd.
B．%cd/
C．%cd~
D．%cd..
8.采用cp命令进行文件拷贝过程中，使用什么参数可以提示拷贝的目的目录有相同文件名的文件存在？
（B）
A．-a
B．-i
C．-r
D．-b
9.Solaris操作系统中，普通用户能在创建新的目录。
（D）
A．别的用户的宿主目录下
B．任何目录下
C．同一组中所有用户的宿主目录下
D．自己的宿主目录下
10.假设对文件file有操作权限，使file对所有人开放写权限的命令为。
（A）
A．%chmoda+wfile
B．%chmodu+wfile
C．%chmoda+rfile
D．%chmodu+rfile
11.在一个一般的制程中，下列材料集成电阻，方块电阻（SheetResistance）最大的是（B.）
A.扩散电阻B.井电阻C.多晶硅电阻D.铝层连线电阻
12.一个标准单元库可包括如下信息：
（A、B、C、D）
A.时序信息B.逻辑功能信息C.功耗信息D.面积信息
13.下列关于标准单元说法正确的是：
（CD）
A.标准单元只能采用单层金属连线，但该层可以是所给金属层次中的任意一层。
B.标准单元的高度和宽度都是固定的。
C.标准单元中必须包含电源线。
D.标准单元中的输入输出引脚要放在网格上，以便于自动绕线。
14.在ICFB中完成一个完整的集成电路版图绘制，下列哪些文件是必需的（ABCD）
A.Technology文件B.DRC文件C.LVS文件D.Display文件
15.标准单元中关于HalfGridSpacing的说法正确的有（ABC）
A.它为了保证标准单元在构成芯片以后，其内部各引脚仍在芯片的网格上。
B.它在不违反引脚网格约束的前提下，减少了无谓的面积损耗。
C.它是指标准单元内部信号连线与单元边界（CellBoundary）的距离为半个网格间距。
D.由于标准单元中的引脚应放在网格上，HalfGridSpacing违背了这一规定。
16.一般地，在同一个制程中，下列集成电容，单位面积电容最小的是（A）
A.Metal1-to-Metal2B.Metal1-to-Poly2C.Poly1-to-bulkDPoly2-to-Poly1
17.在ICFB启动时，它会按一定的顺序搜索并加载文件，关于这一操作下列说法正确的是（BC）
A.ICFB首先搜索其安装目录下面的文件，并始终加载该文件。
B.ICFB首先搜索当前目录下的文件，若发现该文件存在，则加载该文件。
C.ICFB首先搜索当前目录下的文件，若发现该文件不存在，则搜索用户目录，查看是否有该文件，若有则加载它。
D.ICFB首先搜索当前目录下的文件，若发现该文件不存在，则加载安装目录下面的文件。
18.下列由制程引起的版图不匹配有（ABC）
A.扩散的不一致性B.注入的不一致性C.CMP引起的非理想平面D.温度梯度
19.下列方法中，用于版图匹配的有（AB）
A.器件相邻放置B.器件同方向放置C.在器件周围加金属线D.在器件周围加保护环
20.下列关于DRC文件说明正确的是（BD）
A.DRC文件是用来说明设计规则的文件。
B.DRC文件中定义了各个层之间的逻辑操作，关系操作等。
C.DRC的工作原理是统一的，因此一个DRC文件可以用于各种不同的DRC工具。
D.DRC文件是使用来指导工具对版图进行设计规则检查的脚本文件。
21.关于StickDiagram，下列说法正确的是（C）
A.StickDiagram包括了所有版图的信息。
B.StickDiagram的信息是不完整的，因此它对于版图没有任何帮助。
C.StickDiagram是版图的抽象表示，它可以帮助高效的画出版图。
D.StickDiagram没有层次的概念。
22.关于LVS,下列说法正确的是（BC）
A.LVS出现错误说明原先版图上必定有逻辑连接错误。
B.可以通过一些开关控制某些LVS错误的出现和消除。
C.和DRC一样，LVS对版图中的各个层进行操作，但它可以把其中的器件抽取出来。
D.LVS永远把金属连线作为理想连线来对待，所以，LVS不可能辨认出用金属构建的电阻。
23.关于CrossTalk,下列说法正确的是（BC）
A.电路的输出端不能浮空，否则CrossTalk可能会引起电路的误操作。
B.CrossTalk是由于连线之间存在耦合电容引起的。
C.在两条敏感连线之间加入一条接地金属线，可以减少CrossTalk的影响。
D.一般来说，连线上信号的频率越高，CrossTalk影响就越小。
24.下列工具列表中，综合工具为（A），布局布线工具（F）
ADesignCompilerB.AllegroC.VirtuosoD.DraculaF.SoCEncounter
25.关于高宽长比MOS管的版图，下列说法正确的是（ABCD）
A.高宽长比MOS管通常采用Multi-finger的方式绘制。
B.高宽长比MOS管采用Multi-finger后其源/漏极的面积会减少。
C.高宽长比MOS管可以通过若干个小MOS管的并联形式绘制。
D.高宽长比MOS管采用Multi-finger后其栅极电阻会减小。
26.下列关于Latchup效应说法不正确的是（D）
A.衬底耦合噪声是造成Latchup问题的原因之一。
B.Latchup效应在电路上可以解释为CMOS集成电路中寄生三极管构成的正反馈电路。
C.Latchup效应与两个寄生三极管的放大系数有关。
D.Latchup效应与井和衬底的参杂浓度无关。
27.下列关于保护环说法正确的是（ABC）
A.保护环的目的是给衬底或井提供均匀的偏置电压。
B.保护环可以接在VDD或GND上。
C.保护环可以减少衬底耦合噪声对敏感电路的影响。
D.保护环无助于Latchup效应的避免。
28.下列哪些属于ERC错误的有（ACD）
A.浮动衬底
BP衬底接到GND上
井接到GND上
D.电路短路
29.关于集成电路中的无源器件说法正确的是（ABD）
A.集成电路无法高效的实现高值无源器件。
B.要精确实现某一特定阻值的电阻几乎是不可能的。
C.由于制造工艺上的偏差，无源器件的比例容差（RatioTolerance）也必定很大。
D.尽管存在制造工艺上的偏差，但是无源器件的比例容差（RatioTolerance）可以控制在很小的范围内。
30.在一个DRC文件中有如下命令：
（metal1=（geomOr“metal1”））
......
（ngate=（geomAndndiffpoly1）
.......
（drc（metal1width<））
则下列说法正确的是（AD）
A.该DRC文件是为Diva写的
层上，最小间距为
标识某一个MOS管的栅极。
D.如果某一条metal1金属线的宽度为，则DRC会报错
31.在VLIW（VeryLongInstructionW
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