模拟电子技术第4章习题答案.docx
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模拟电子技术第4章习题答案
4基本放大电路
自我检测题
一．选择和填空
1.在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中，希望电压放大倍数绝对值大，可选
用A或C；希望带负载能力强，应选用
B；希望从信号源索取电流小，应选用
B；希
望既能放大电压，又能放大电流，应选用
A；希望高频响应性能好，应选用
C。
（A．共射组态，B．共集组态，C．共基组态）
2．射极跟随器在连接组态方面属共
集电极接法，它的电压放大倍数接近
1，输入电
阻很大，输出电阻很小。
3．H参数等效电路法适用
低频小信号情况。
4．图解分析法适用于
大信号情况。
5．在线性放大条件下，调整图选择题
5所示电路有关参数，试分析电路状态和性能指
标的变化。
（A．增大，B．减小，C．基本不变）
（1）当Rc增大时，则静态电流ICQ将C，电压放大倍数
Av将A，输入电阻Ri将C，
输出电阻Ro将A；
（2）当VCC增大，则静态电流ICQ将A，电压放大倍数
Av将A，输入电阻Ri将B，
输出电阻Ro将C。
6．在图选择题5所示电路中
，当输入电压为1kHz、5mV的正弦波时，输出电压波形
出现底部削平失真。
回答以下问题。
（1）这种失真是B失真。
（A．截止，B．饱和，C．交越，D．频率）
（2）为了消除失真，应B。
（A．增大RC，B．增大Rb，C．减小Rb，D．减小
+VCC
RbRcC2
C1
T
vo
vi
VCC，E．换用β大的管子）。
RL
图选择题5
7.随着温度升高，晶体管的电流放大系数_A_，穿透电流ICEO_A_，在IB不变的情况
下b-e结电压VBE_B_。
（A．增大，B．减小，C．不变）
8．随着温度升高，三极管的共射正向输入特性曲线将C，输出特性曲线将A，输出
特性曲线的间隔将E。
（A．上移，B．下移，C．左移，D．右移，E．增大，F．减小，G．不变）
9．共源极放大电路的vo与vi反相位，多作为中间级使用。
10．共漏极放大电路无电压放大作用，vo与vi同相位。
11．共栅极放大电路vo与vi反相位。
12.在相同负载电阻情况下，场效应管放大电路的电压放大倍数比三极管放大电路
低，输入电阻高。
13.场效应管放大电路常用的栅压偏置电路如图选择题
13所示，说明下列场效应管可
以采用哪些类型的偏置电路。
（1）结型场效应管可以采用图示电路中的
b、d
；
（2）增强型MOS场效应管可以采用图示中的
c、d；
（3）耗尽型MOS场效应管可以采用图示电路中的
a、b、c、d。
VDD
VDD
VDD
VDD
Rd
C2
Rd
C2
Rg2
Rd
C2
Rg2
Rd
C2
C1
C1
C1
C1
VT
VT
VT
VT
v
vo
vi
vo
vo
viRg
o
viRg
Rs
Cs
Rg1
viRg1
Cs
Rs
（a）
（b）
（c）
（d）
图选择题13
14．在共源组态和共漏组态两种放大电路中，
A的电压放大倍数
Av
比较大，
B的输
出电阻比较小。
B的输出电压与输入电压是同相的。
（A．共源组态，B．共漏组态）
15．在多级放大电路中，为了使各级静态工作点互不影响
应选用
阻容耦合。
16．多级放大电路的电压放大倍数是各级电压放大倍数的
乘积。
17．在三级放大电路中，已知各级电压放大倍数分别是
Av1
25、Av2
100、Av3
40，
则三级放大电路
Av10
5折合为100dB。
18．在三级放大电路中，已知各级电压增益分别是
20dB、25dB、35dB，则三级放大
电路总增益为
80dB，折合为
104倍。
19．在多级放大电路中，后一级的输入电阻可视为前一级的负载电阻，而前一级的输出电阻可视为后一级的信号源内阻。
20．两个单管放大电路如图选择题20（a）、（b）所示。
令（a）图虚线内为放大电路Ⅰ
（b）图虚线内为放大电路Ⅱ，由它们组成的阻容耦合多级放大电路如图（c）、（d）、（e）所
示，在典型参数范围内，就下列问题在图（c）、图（d）、图（e）中选择一个（或几个）填
空：
（1）输入电阻比较大的多级放大电路是c、e
（2）输出电阻比较小的多级放大电路是d、e
（3）源电压放大倍数Avs值最大的多级放大电路是
；
；
e。
+VCC
+VCC
R
b2
Rc1
C2
R
b3
C1
C
Rs
C1
Rs
T
T
II
I
RL
v
ovi
vs
vs
Rb1
Re2
vo
Re1
Ce
（a）
（b）
（c）
+VCC
Rs
C1
C
C2
RsC1
C
C
+VCC
C2
RLvo
+VCC
C2
IIIIIIII
vsvovsRLvo
（d）（e）
图选择题20
21.多级放大电路如图选择题21所示。
试选择正确的答案填空：
T1构成A放大电路
组态；T2构成C放大电路组态；T3构成B放大电路组态。
（A．共射，B．共集，C．共基）
R3R4
C2
T
R2
C1
T
vi
R1R5
+VCC
T3
C4
2
R
6
vi
1
C3
图选择题21
22．在多级放大电路常见的三种耦合方式中选择合适的一种或几种填空。
（A．阻容耦合，B．直接耦合，C．变压器耦合）
（1）要求各级静态工作点互不影响，可选用AC；
（2）要求能放大变化缓慢的信号，可选用B；
（3）要求能放大直流信号，可选用B；
（4）要求电路输出端的温漂小，可选用AC；
（5）要求能实现阻抗变换，使负载与输出级阻抗相匹配，可选用C。
23.试判断图选择题23中复合管的接法哪些是合理的，哪些是错误的，在正确的复合
管中进一步判断它们的等效类型。
从括号内选择正确答案用A、B、C⋯填空，管①是B；
管②是E；管③是A；管④是C；管⑤是E。
（A．NPN管，B．PNP管，C．N沟道场效应管，D．P沟道场效应管，E．错
误的）
12345
图选择题23
24.图选择题24中给出不同连接方式的复合管，为下列不同要求选择合适的复合管，
用a、b、c、d填空（如果存在多种选择，应都选择）。
要求等效PNP型，应选择B、C
要求等效输入电阻大，应选择A、B。
；
（a）（b）（c）（d）
图选择题24
二．判断题（正确的在括号内画√，错误的画×）
1．组成放大电路的基本原则之一是电路中必须包含有源器件（√
）。
有源器件是指：
为满足晶体管正常工作条件，需加上直流电源（×）
。
2．为了保证晶体管工作在线性放大区，双极型管的发射结和集电结都应加上正向偏置
电压。
（×）
3．直流放大器必须采用直接耦合方式（√）
，所以它无法放大交流信号。
（×）
4.放大电路的静态是指：
（1）输入端开路时的电路状态。
（×）
（2）输入信号幅值等于零时的电路状态。
（√）
（3）输入信号幅值不变化时的电路状态。
（×）
（4）输入信号为直流时的电路状态。
（×）
5．H参数等效电路法和图解法都能求解电路的静态工作点。
（×）
6．H参数模型是交流小信号模型，所以无法解直流放大电路的电压放大倍数。
（×）
7．晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，所以它与静态工作点无关。
（×）
8．在共射放大电路中，当负载电阻
RL减小，电压放大倍数下降，（√
）输出电阻
也减小。
（×）
9．共集放大电路电压放大倍数小于
1，所以不能实现功率放大。
（×）
10．图判断题10所示放大电路具备以下特点：
（1）电压放大倍数接近于1，负载RL是否接通关系不大；
（√）
（2）输出电阻比2k
小得多，（√）与晶体管的β大小无关；（×）
（3）输入电阻几乎是
rbe的β倍。
（×）
+VCC（+12V）
Rb
180k
C1
TC2
vi
Re
RL
2k
vo2k
Ri
Ro
图判断题10
11．结型场效应管通常采用两种偏置方式，
即自偏压和分压式偏置电路。
（√
）
12.在共源放大电路中，当负载电阻减小时，电压放大倍数绝对值下降，输出电阻也减
小。
（×）
13．MOS场效应管的栅极输入电流几乎等于零，所以MOS管组成的放大电路的输入
电阻总可以视为无穷大（×）
14．场效应管的跨导随漏极静态电流增大而增大（√），输入电阻则随漏极静态电流
增大而减小。
（×）
15．场效应管的栅极电流几乎等于零，所以场效应管放大电路的输入电阻通常很大
（√），输出电阻也很大。
（×）
16．共漏放大电路电压放大倍数总是小于1（√），所以不能实现功率放大。
（×
）
17．场效应管的跨导gm=IDQ/VGSQ（×）还是gm＝
ID/VGS。
（√）
18．增强型绝缘栅场效应管可以采用自偏压电路。
（
×）
19．耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自偏压电路。
（
×）
20．如果输入级是共射放大组态，
则输入电阻只与输入级有关。
（
√）
21．如果输入级是共集放大组态，
则输入电阻还与后级有关。
（√
）
22．如果输出级是共射放大组态，
则输出电阻只与输出级有关。
（√
）
23．如果输出级是共集放大组态，
则输出电阻还与前级有关。
（√
）
24．放大直流信号，只能采用直接耦合方式。
（√
）
25．放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。
（×
）
26．欲提高多级放大电路的输入电阻，试判断以下一些措施的正确性：
（1）输入级采用共集组态放大电路。
（
√）
（2）输入级中的放大管采用复合管结构。
（
√）
（3）输入级中的放大管采用场效应管。
（
√）
27．复合管的β值近似等于组成复合管的各晶体管的
值乘积。
（
√）
28．一个NPN管和一个PNP管可以复合成NPN管也可以复合成
PNP管。
（
√）
习题
4.1定性判断图题4.1中哪些电路不具备正常的放大能力，并说明不能放大的原因。
Rc
C2
Rc
C2
Rc
C2
C1
C1
C1
VCC
T
VCC
T
VCC
T
vi
vo
Rb
vo
Rb
vo
vi
vi
VBB
VBB
（a）（b）（c）
图题4.1
解：
（a）不能放大，输入回路无偏置电压
（b）能放大
（c）不能放大，VCC极性不正确。
4.2放大电路及晶体管输出特性如图题
4.2所示。
按下述不同条件估算静态电流
IBQ（取
VBE0.7V）并用图解法确定静态工作点
Q（标出Q点位置和确定
ICQ、VCEQ的值）。
（1）VCC＝12V，Rb
150k
，Rc
2k
，求Q1；
（2）VCC＝12V，Rb
110k
，Rc
2k
，求Q2；
（3）VCC＝12V，Rb
150k
，Rc
3k
，求Q3；
（4）VCC＝8V，Rb
150k
，Rc
2k，求Q4。
icmA
+VCC
8
125
A
Rc
Rb
C2
6
100
A
C1
4
75A
T
vo
RL
50A
vi
2
IB=25A
o
4
8
12
vCEV
图题4.2
解：
IBQVCCVBE，作出各种情况下直流负载线
VCEVCC
ICQRc，得Q点见下图
Rb
icmA
8
125
A
6
Q2
100
A
Q
Q1
75
A
4
3
2
Q4
50
A
IB=25A
0
4
8
12
vCEV
（1）Q1：
IBQ≈75μA，ICQ≈4mA，VCEQ≈4V
（2）Q2：
IBQ≈100μA，ICQ≈5.2mA，VCEQ≈1.7V.
（3）Q3：
IBQ≈75μA，ICQ≈3.5mA，VCEQ≈1.5V
（4）Q4：
IBQ≈49μA，ICQ≈2.5mA，VCEQ≈3V
4.3某晶体管输出特性和用该晶体管组成的放大电路如图题4.3所示，设晶体管的VBEQ
＝0.6V，电容对交流信号可视为短路。
（1）在输出特性曲线上画出该放大电路的直流负载线和交流负载线，标明静态工作点
Q；
（2）确定静态时ICQ和VCEQ的值；
（3）当逐渐增大正弦输入电压幅度时，首先出现饱和失真还是截止失真？
（4）为了获得尽量大的不失真输出电压，Rb应增大还是减小？
iCmA
+VCC
6
60
A
（+6V）
Rb
Rc
5
50
A
270k
1.5k
C2
4
40A
T
vo
RL
3
30
A
C1
1.5k
2
20
A
vi
1
IB=10A
o
5
6
vCEV
1234
图题4.3
解：
（1）IBQ
VCCVBEQ
60.6
A，直流负载线
VCE
VCCICQRc61.5ICQ，
Rb
20
270
作图如下，得ICQ≈2mA，VCEQ≈3V。
交流负载线方城为
iC
1
vCE
1
ICQRL）
RL
（VCEQ
RL
即
iC
（
1
vCE
4.5）（
）
0.75
mA
0.75
作出交流负载线如下图
iC
mA
6
60
A
5
交流负载线
50
A
4
40A
直流负载线
3
Q
30A
2
20
A
1
IB=10
A
0
1
2
3
4
5
6
vCEV
（2）ICQ≈2mA，VCEQ≈3V
（3）交流负载线上Q点到截止区的距离比Q点到饱和区的距离短，所以首先出现截止
失真。
（4）减小Rb，使IBQ增加。
4.4已知图题4.4所示电路中的晶体管
β
＝50，bb'
100
，调整
b使静态电流ICQ=0.5mA，
r
R
C1、C2对交流信号可视为短路。
（1）求该电路的电压放大倍数
Av；
（2）若晶体管改换成β＝100的管子，其它元件（包括
Rb）都不变，Av将发生什么变
化？
（基本不变，约减小到原来的
12，约增大一倍）
（3）若晶体管改换成β＝200的管子，情况又如何？
+VCC（+12V）
RbRc
8.2k
C1
C
2
RL
T
vi
vo
8.2k
图题4.4
解：
（1）r
be
r
（1
）26（mV）
1005126
2.75k
bb
IEQ（mA）
0.5
Av
RL
504.1
rbe
75
2.75
（2）
Rb不变，IBQ
基本不变，所以
rbe基本不变，因此
Av约增大一倍。
（3）Rb不变，IBQ基本不变，β增加4倍，ICQ增加4倍，VCEQ进入饱和区，晶体管饱和，失去正常放大能力。
4.5已知图题
4.5所示电路中晶体管
＝50，rbb'
100，VBEQ＝0.7V。
判断在下列两种情
况下晶体管工作在什么状态。
（1）Rb＝10k
，Rc＝1k
（2）Rb＝510k
，Rc＝5.1k
如果工作在线性放大状态，则进一步计算静态工作点
IBQ、ICQ、VCEQ以及电压放大倍数
Av、输入电阻Ri、输出电阻Ro（设电容C1、C2对交流信号可视为短路）。
+VCC（+12V）
Rc
C2
Rb
C1
T
vo
vi
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