芯片命名规则Word下载.docx
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下面几个介比较具有代表性的生产厂家，简单介绍一下：
AMD公司FLASH常识：
AM29LV640D
（1）U
（2）90RWH（3）I（4）
1：
表示工艺：
B=0.32uMC=0.32uMthin-filmD=0.23uMthin-filmG=0.16uMthin-filmM=MirrorBit
2：
表示扇区方式：
T=TOPB=BOTTOMH=UnifomhighestaddressL=UnifomlowestaddressU、BLANK=Unifom
3：
表示封装：
P=PDIPJ=PLCCS=SOPZ=SSOPE/F=TSSOPM/P/W=FPGA
4：
温度X围
C=0℃TO+60℃I=-40℃TO+85℃E=-55TO℃+85℃
MAXIM
MAXIM产品命名信息（专有命名体系）
MAXIM推出的专有产品数量在以下相当可观的速度增长.这些器件都按以功能划分的产品类别进行归类。
MAXIM目前是在其每种产品的唯一编号前加前缀“MAX”、“MX”“MXD”等。
在MAX公司里带C的为商业级，带I的为工业级。
现在的DALLAS被MAXIM收购，表以原型号形式出现，这里不做介绍。
三字母后缀：
例如：
MAX232CPE
C=等级（温度系数X围）P=封装类型（直插）E=管脚数（16脚）
四字母后缀：
MAX1480BCPI
B=指标等级或附带功能C=温度X围P=封装类型（直插）E=管脚数（28脚）
温度X围：
C=0℃至60℃（商业级）I=-20℃至85℃（工业级）E=-40℃至85℃（扩展工业级）A=-40℃至82℃（航空级）M=-55℃至125℃（军品级）
封装类型：
A—SSOP；
B—CERQUAD；
C—TO-200，TQFP；
D—陶瓷铜顶；
E—QSOP；
F—陶瓷SOP，H—SBGAJ-陶瓷DIP；
K—TO-3；
L—LCC，M—MQFP；
N——窄DIP；
N—DIP；
Q—PLCC；
R—窄陶瓷DIP（300mil）;
S—TO-52，T—TO5，TO-99，TO-100；
U—TSSOP，uMAX，SOT；
W—宽体小外型（300mil）；
X—SC-60（3P，5P，6P）；
Y—窄体铜顶；
Z—TO-92，MQUAD；
D—裸片；
/PR-增强型塑封；
/W-晶圆。
管脚数：
A—8；
B—10；
C—12，192；
D—14；
E—16；
F——22，256；
G—4；
H—4；
I—28；
J—2；
K—5，68；
L—40；
M—6，48；
N—18；
O—42；
P—20；
Q—2，100；
R—3，84；
S—4，80；
T—6，160；
U—60；
V—8（圆形）；
W—10（圆形）；
X—36；
Y—8（圆形）；
Z—10（圆形）。
注：
接口类产品四个字母后缀的第一个字母是E，则表示该器件具备抗静电功能
AD公司的命名规则：
在AD公司里都是以AD开头，尾缀带“N”的为DIP（塑封）；
带“R”的为SOP；
带“Z”、“D”、“Q”的为陶瓷直插（陶瓷封装），带“H”的为铁帽。
例：
AD694AR为SOP封装，AD1664JN为直插，AD6520SD，AD6523AQ为陶瓷直插。
AD公司前、后缀说明
ADI公司电路的前缀一般以AD开头，后面跟的字母一般表示功能，然后是3-5位的阿拉伯数字，之后跟的1-2个字母提供如后信息，A：
表示第二代品；
DI：
表示电介质隔离；
Z：
表示±
12V电源；
L：
表示低功耗。
再后一个安素养表示温度特性X围对应如下：
后缀代码温度X围描述
I,J,K,L,M0℃to60℃ 性能依次递增，M最优
A,B,C-40℃to125℃性能依次递增，C最优
S,T,U -55℃to125℃性能依次递增，U最优
电子知识
来源：
发布时间：
2009-6-216:
56:
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一、什么叫封装
封装，就是指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接。
封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。
它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。
因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。
另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。
由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB（印制电路板）的设计和制造，因此它是至关重要的。
衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。
封装时主要考虑的因素：
1、芯片面积与封装面积之比为提高封装效率，尽量接近1﹕1；
2、引脚要尽量短以减少延迟，引脚间的距离尽量远，以保证互不干扰，提高性能；
3、基于散热的要求，封装越薄越好。
封装主要分为DIP双列直插和SMD贴片封装两种。
从结构方面，封装经历了最早期的晶体管TO（如TO-89、TO92）封装发展到了双列直插封装，随后由PHILIP公司开发出了SOP小外型封装，以后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等。
从材料介质方面，包括金属、陶瓷、塑料，目前很多高强度工作条件需求的电路如军工和宇航级别仍有大量的金属封装。
封装大致经过了如下发展进程：
结构方面：
TO－>
DIP－>
PLCC－>
QFP－>
BGA－>
CSP；
材料方面：
金属、陶瓷－>
陶瓷、塑料－>
塑料；
引脚形状：
长引线直插－>
短引线或无引线贴装－>
球状凸点；
装配方式：
通孔插装－>
表面组装－>
直接安装
二、具体的封装形式
1、SOP/SOIC封装
SOP是英文SmallOutlinePackage的缩写，即小外形封装。
SOP封装技术由1968～1969年菲利浦公司开发成功，以后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等。
2、DIP封装
DIP是英文DoubleIn-linePackage的缩写，即双列直插式封装。
插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。
DIP是最普及的插装型封装，应用X围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。
3、PLCC封装
PLCC是英文PlasticLeadedChipCarrier的缩写，即塑封J引线芯片封装。
PLCC封装方式，外形呈正方形，32脚封装，四周都有管脚，外形尺寸比DIP封装小得多。
PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线，具有外形尺寸小、可*性高的优点。
4、TQFP封装
TQFP是英文thinquadflatpackage的缩写，即薄塑封四角扁平封装。
四边扁平封装（TQFP）工艺能有效利用空间，从而降低对印刷电路板空间大小的要求。
由于缩小了高度和体积，这种封装工艺非常适合对空间要求较高的应用，如PCMCIA卡和网络器件。
几乎所有ALTERA的CPLD/FPGA都有TQFP封装。
5、PQFP封装
PQFP是英文PlasticQuadFlatPackage的缩写，即塑封四角扁平封装。
PQFP封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式，其引脚数一般都在100以上。
6、TSOP封装
TSOP是英文ThinSmallOutlinePackage的缩写，即薄型小尺寸封装。
TSOP内存封装技术的一个典型特征就是在封装芯片的周围做出引脚，TSOP适合用SMT技术（表面安装技术）在PCB（印制电路板）上安装布线。
TSOP封装外形尺寸时，寄生参数（电流大幅度变化时，引起输出电压扰动）减小，适合高频应用，操作比较方便，可*性也比较高。
7、BGA封装
BGA是英文BallGridArrayPackage的缩写，即球栅阵列封装。
20世纪90年代随着技术的进步，芯片集成度不断提高，I/O引脚数急剧增加，功耗也随之增大，对集成电路封装的要求也更加严格。
为了满足发展的需要，BGA封装开始被应用于生产。
采用BGA技术封装的内存，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，BGA与TSOP相比，具有更小的体积，更好的散热性能和电性能。
BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升，采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下，体积只有TSOP封装的三分之一；
另外，与传统TSOP封装方式相比，BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。
BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率；
虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能；
厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；
寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；
组装可用共面焊接，可*性高。
说到BGA封装就不能不提Kingmax公司的专利TinyBGA技术，TinyBGA英文全称为TinyBallGridArray（小型球栅阵列封装），属于是BGA封装技术的一个分支。
是Kingmax公司于1998年8月开发成功的，其芯片面积与封装面积之比不小于1:
1.14，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高2～3倍，与TSOP封装产品相比，其具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。
采用TinyBGA封装技术的内存产品在相同容量情况下体积只有TSOP封装的1/3。
TSOP封装内存的引脚是由芯片四周引出的，而TinyBGA则是由芯片中心方向引出。
这种方式有效地缩短了信号的传导距离，信号传输线的长度仅是传统的TSOP技术的1/4，因此信号的衰减也随之减少。
这样不仅大幅提升了芯片的抗干扰、抗噪性能，而且提高了电性能。
采用TinyBGA封装芯片可抗高达300MHz的外频，而采用传统TSOP封装技术最高只可抗150MHz的外频。
TinyBGA封装的内存其厚度也更薄（封装高度小于0.8mm），从金属基板到散热体的有效散热路径仅有0.36mm。
因此，TinyBGA内存拥有更高的热传导效率，非常适用于长时间运行的系统，稳定性极佳。
三、国际部分品牌产品的封装命名规则资料
1、MAXIM更多资料请参考.maxim-ic.
MAXIM前缀是“MAX”。
DALLAS则是以“DS”开头。
MAX×
×
或MAX×
说明：
（1、后缀CSA、CWA其中C表示普通级，S表示表贴，W表示宽体表贴。
（2、后缀CWI表示宽体表贴，EEWI宽体工业级表贴，后缀MJA或883为军级。
（3、CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA后缀均为普通双列直插。
举例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通带抗静电保护
MAX202EEPE工业级抗静电保护（45℃-85℃）,说明E指抗静电保护MAXIM数字排列分类
1字头模拟器2字头滤波器3字头多路开关
4字头放大器5字头数模转换器6字头电压基准
7字头电压转换8字头复位器9字头比较器
DALLAS命名规则
例如DS1210N.S.DS1225Y-100IND
N=工业级S=表贴宽体MCG=DIP封Z=表贴宽体MNG=DIP工业级
IND=工业级QCG=PLCC封Q=QFP
2、ADI更多资料查看.analog.
AD产品以“AD”、“ADV”居多，也有“OP”或者“REF”、“AMP”、“SMP”、“SSM”、“TMP”、“TMS”等开头的。
后缀的说明：
（1、后缀中J表示民品（0-70℃），N表示普通塑封，后缀中带R表示表贴。
（2、后缀中带D或Q的表示陶封，工业级（45℃-85℃）。
后缀中H表示圆帽。
（3、后缀中SD或883属军品。
JNDIP封装JR表贴JDDIP陶封
3、BB更多资料查看.ti.
BB产品命名规则：
前缀ADS模拟器件后缀U表贴P是DIP封装带B表示工业级前缀INA、XTR、PGA等表示高精度运放后缀U表贴P代表DIPPA表示高精度
4、INTEL更多资料查看.intel.
INTEL产品命名规则：
N80C196系列都是单片机
前缀：
N=PLCC封装T=工业级S=TQFP封装P=DIP封装
KC20主频KB主频MC代表84引角
TE28F640J3A-120闪存TE=TSOPDA=SSOPE=TSOP
5、ISSI更多资料查看.issi.
以“IS”开头
比如：
IS61CIS61LV4×
表示DRAM6×
表示SRAM9×
表示EEPROM
封装：
PL=PLCCPQ=PQFPT=TSOPTQ=TQFP
6、LINEAR更多资料查看.linear-tech.
以产品名称为前缀
LTC1051CSCS表示表贴
LTC10518表示DIP封装8脚
7、IDT更多资料查看.idt.
IDT的产品一般都是IDT开头的
（1、后缀中TP属窄体DIP
（2、后缀中P 属宽体DIP
（3、后缀中J 属PLCC
IDT7134SA55P是DIP封装
IDT7132SA55J是PLCC
IDT7206L25TP是DIP
8、NS更多资料查看.national.
NS的产品部分以LM、LF开头的
LM324N3字头代表民品带N圆帽
LM224N2字头代表工业级带N塑封J陶封
LM124J1字头代表军品带J陶封
9、HYNIX更多资料查看.hynix.
DP代表DIP封装DG代表SOP封装DT代表TSOP封装。
电容知识小结
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电容
dià
nró
ng
1.[capacitance；
electriccapacity]：
电容是表征电容器容纳电荷的本领的物理量，非导电体的下述性质:
当非导电体的两个相对表面保持某一电位差时（如在电容器中），由于电荷移动的结果，能量便贮存在该非导电体之中
2.[capacitor；
condenser]：
电容器的俗称
[编辑本段]概述
定义：
电容是表征电容器容纳电荷的本领的物理量。
我们把电容器的两极板间的电势差增加1伏所需的电量，叫做电容器的电容。
电容的符号是C。
在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F,常用的电容单位有毫法（mF）、微法（μF）、纳法（nF）和皮法（pF）（皮法又称微微法）等，换算关系是：
1法拉（F）=1000毫法（mF）＝1000000微法（μF）
1微法（μF）=1000纳法（nF）=1000000皮法（pF）。
相关公式：
一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电容器的电容就是1法，即：
C=Q/U但电容的大小不是由Q或U决定的，即：
C=εS/4πkd。
其中，ε是一个常数，S为电容极板的正对面积，d为电容极板的距离，k则是静电力常量。
常见的平行板电容器,电容为C=εS/d.（ε为极板间介质的介电常数，S为极板面积，d为极板间的距离。
）
电容器的电势能计算公式：
E=CU^2/2=QU/2
多电容器并联计算公式：
C=C1+C2+C3+…+
多电容器串联计算公式：
1/C=1/C1+1/C2+…+1/
[编辑本段]电容器的型号命名方法
第一部分|第二部分|第三部分|第四部分
名称|材料|特征|序号
电容器|符号|意义|符号|意义|符号
C高频瓷T铁电
T低频瓷W微调
I玻璃J金属化
符号Y釉云母X小型
CZ纸介D电压用字母或数字
J金属化M密封
L纸涤纶Y高压
D铝电解C穿心式
A钽电解S独石
[编辑本段]电容功能分类介绍
名称：
聚酯（涤纶）电容（CL）
符号：
电容量：
40p--4μ
额定电压：
63--630V
主要特点：
小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差
应用：
对稳定性和损耗要求不高的低频电路
聚苯乙烯电容（CB）
10p--1μ
100V--30KV
稳定，低损耗，体积较大
对稳定性和损耗要求较高的电路
聚丙烯电容（CBB）
1000p--10μ
63--2000V
性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差
代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路
云母电容（CY）
10p--0.1μ
100V--7kV
高稳定性，高可靠性，温度系数小
高频振荡，脉冲等要求较高的电路
高频瓷介电容（CC）
1--6800p
63--500V
高频损耗小，稳定性好
高频电路
低频瓷介电容（CT）
10p--4.7μ
50V--100V
体积小，价廉，损耗大，稳定性差
要求不高的低频电路
玻璃釉电容（CI）
63--400V
稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）
脉冲、耦合、旁路等电路
铝电解电容
0.47--10000μ
6.3--450V
体积小，容量大，损耗大，漏电大
电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等
钽电解电容（CA）铌电解电容（）
0.1--1000μ
6.3--125V
损耗、漏电小于铝电解电容
在要求高的电路中代替铝电解电容
空气介质可变电容器
可变电容量：
100--1500p
损耗小，效率高；
可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等
电子仪器，广播电视设备等
薄膜介质可变电容器
15--550p
体积小，重量轻；
损耗比空气介质的大
通讯，广播接收机等
薄膜介质微调电容器
1--29p
损耗较大，体积小
收录机，电子仪器等电路作电路补偿
陶瓷介质微调电容器
0.3--22p
损耗较小，体积较小
精密调谐的高频振荡回路
独石电容
容量X围：
0.5PF--1ΜF
耐压：
二倍额定电压。
应用X围：
广泛应用于电子精密仪器。
各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。
独石电容的特点：
电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好等。
最大的缺点是温度系数很高，做振荡器的稳漂让人受不了，我们做的一个555振荡器，电容刚好在7805旁边，开机后，用示波器看频率，眼看着就慢慢变化，后来换成涤纶电容就好多了。
就温漂而言：
独石为正温糸数+130左右，CBB为负温系数-230，用适当比例并联使用，可使温漂降到很小。
就价格而言：
钽、铌电容最贵，独石、CBB较便宜，瓷片最低，但有种高频零温漂黑点瓷片稍贵，云母电容Q值较高，也稍贵。
里面说独石又叫多层瓷介电容，分两种类型，1型性能挺好，但容量小，一般小于0。
2U，另一种叫II型，容量大，但性能一般。
[编辑本段]电容的应用
很多电子产品中，电容器都是必不可少的电子元器件，它在电子设备中充当整流器的平滑滤波、电源和退耦、交流信号的旁路、交直流电路的交流耦合等。
由于电容器的类型和结构种类比较多，因此，使用者不仅需要了解各类电容器的性能指标和一般特性，而且还必须了解在给定用途下各种元件的优缺点、机械或环境的限制条件等。
下文介绍电容器的主要参数及应用，可供读者选择电容器种类时用。
1、标称电容量（CR
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