VB中，VC/VE在两边，
这跟通常的BJT符号中的位置是一致的，电压方向和电流方向同样是一致的：
“正电源上，负电源下”。
一般的电路中，有了NPN，就可以按“上下对称交换”的方法得到PNP的版本。
（三极管）晶体管（Transistor）分两类：
双极性晶体管-BJT:
电流控制器件；
场效应晶体管-FET:
电压控制器件。
BJT（BipolarJunctionTransistor）双极结型/双载子晶体管
是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件，有PNP和NPN两种组合结构。
FET（FieldEffectTransistor）场效应晶体管/场效应管
由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.
属于电压控制型半导体器件。
根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧。
现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
功率晶体管
耗散功率大于1瓦的晶体管。
包括:
低频功率管、高反压功率管、结型高频功率管、微波功率管和场效应功率管等。
功率晶体管的主要特点是功率耗散大，因此在设计器件时通常采取如下措施：
提高器件的击穿电压、增加有源区面积、减小管芯本体厚度、改善管芯与载体的热传导性能、提高底盘的功率容量等。
场效应（晶体）管/单极型晶体管
FET（FieldEffectTransistor）
由多数载流子参与导电,属于电压控制型半导体器件。
优点:
输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等.
特点:
（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID；
（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。
（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
（5）场效应管的抗辐射能力强；
（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
工作原理:
“漏极-源极间流经沟道的ID，用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制ID”。
更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。
在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。
从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。
将这种状态称为夹断。
这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。
但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。
因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。
其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS（off），此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。
而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。
主要作用:
1.场效应管可应用于放大。
场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。
常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3.场效应管可以用作可变电阻。
4.场效应管可以方便地用作恒流源。
5.场效应管可以用作电子开关。
分类简介
结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。
按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；
按导电方式：
耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
结型场效应管（J-FET）
分类：
N沟道结型和P沟道结型
三个电极：
栅极；漏极；源极
电路符号中栅极的箭头方向可理解为两个PN结的正向导电方向。
工作原理：
（以N沟道结型场效应管为例），N沟道结构型场效应管的结构及符号，由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN结基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，当漏极电源电压ED一定时，如果栅极电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流ID就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，ID变大，所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。
绝缘栅场效应管（IG-FET）
（P/N-MOSG管组成：
Mental+Oxygen+Semiconductor）
分类——结构形式:
N沟道型和P沟道型
各自又分为增强型和耗尽型两种。
工作原理：
（以N沟道增强型MOS场效应管）它是利用UGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。
在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。
当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
工作方式：
耗散型：
当栅压为零，有较大漏极电流。
增强型：
当栅压为零，漏极电流为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流。
用万用表判断三极管的极性和质量
1.基极b
把万用表的欧姆档旋到X100或X1K，将黑表笔接到自认为的基极上，然后用红表笔去接碰其余的管脚，如果两次测量的电阻都很大或都很小，则黑表笔接的是基极。
两次测量电阻都很大时此管为PNP型的，电阻都很小为NPN型的。
2.集电极c和发射极e
判断集电极c和发射极e的原理：
把三极管接成单管放大电路，以测量管脚在不同接法时的电流放大系数的大小来比较，当管脚接法正确时的电流放大系数较接法错误时的电流放大系数大，由此可判断出c和e。
虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，红表笔所接的一定是发射极e。
3.管型
找出三极管的基极后，我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定管子
的导电类型（图1）。
将万用表的黑表笔接触基极，红表笔接触另外两个电极中的任一电极，
若表头指针偏转角度很大，则说明被测三极管为NPN型管；若表头指针偏转角度很小，则被
测管即为PNP型。
晶体三极管三种接法
名称
E共发射极电路
c共集电极电路
（射极输出器）
B共基极电路
输入阻抗
中
（几百欧～几千欧）
大
（几十千欧以上）
小
（几欧～几十欧）
输出阻抗
中
（几千欧～几十千欧）
小
（几欧～几十欧）
大
（几十千欧～几百千欧）
电压放大倍数
大
小
（小于1并接近于1）
大
电流放大倍数
大
（几十）
大
（几十）
小
（小于1并接近于1）
功率放大倍数
大
（约30～40分贝）
小
（约10分贝）
中
（约15～20分贝）
频率特性
高频差
好
好
应用
多级放大器中间级，低频放大
输入级、输出级或作阻抗匹配用
高频或宽频带电路及恒流源电路开关三极管的使用
交流~输入+输出回路->共“X”（b\c\e）极=接地的极
当把直流电源短路，X电极接地
集电极与发射极
双向晶体管可以把集电极和发射极互换使用。
其他类型的不可以互换使用。
NPN型和PNP型三极管配对,工作特性上互相弥补:
OTLamplifier（无输出功率放大器）电路中的对管。
BE是正偏，BC是反偏：
VCE=VCB-0.7。
E所以VBO>VCEO
OTL（OutputTransformerLess）电路
省去输出变压器的功率放大电路
OTL电路为单端推挽式无输出变压器功率放大电路。
通常采用电源供电，从两组串联的输出中点通过电容耦合输出信号。
是一种没有输出变压器的功率放大电路。
过去大功率的功率放大器多采用变压器耦合方式，以解决阻抗变换问题，使电路得到最佳负载值。
但是，这种电路有体积大、笨重、频率特性不好等缺点，目前已较少使用。
OTL电路不再用输出变压器，而采用输出电容与负载连接的互补对称功率放大电路，使电路轻便、适于电路的集成化，只要输出电容的容量足够大，电路的频率特性也能保证，是目前常见的一种功率放大电路。
特点：
采用互补对称电路（NPN、PNP参数一致，互补对称，均为射随组态，串联，中间两管子的射极作为输出），有输出电容，单电源供电，电路轻便可靠。
“两组串联的输出中点”可理解为采用互补对称电路（NPN、PNP参数一致，互补对称，均为射随组态，串联，中间两管子的射极作为输出）。
优点:
只需要一组电源供电。
缺点:
需要能把一组电源变成了两组对称正、负电源的大电容；低频特性差。
CMOS电路与TTL电路
CMOS电路
TTL电路
构成
单级器件
场效应管
双极型器件
双极晶体管
功耗
负载力小,
功耗小,省电（uA级）
负载力大
功耗较大（1～5mA/门）（mA级）
空载功耗
仅约为几十纳（10-9）瓦
与CMOS门的静态功耗相比，是较大的，约为数十毫瓦（mw）
工作频率
速度慢（几百ns）
较TTL略低
速度快（数ns）
高速CMOS速度与TTL差不多相当
不用端
必须处理:
连到高电平或低电平
因为CMOS是高输入阻抗器件,理想状态是没有输入电流的.如果不用的输入引脚悬空,很容易感应到干扰信号,影响芯片的逻辑运行,甚至静电积累永久性的击穿这个输入端,造成芯片失效.
多数不用处理
驱动
CMOS驱动TTL，要考虑驱动电流不能太低。
74HC/74HCT型CMOS可直接驱动74/74LS型TTL，除此需要电平转换
TTL驱动CMOS，要考虑电平的接口。
TTL可直接驱动74HCT型的CMOS，其余必须考虑逻辑电平的转换问题。
应用
设计便携式和电池供电的设备多用CMOS芯片，
应用最广，具有输入阻抗高、扇出能力强、电源电压宽、静态功耗低、抗干扰能力强、温度稳定性好等特点，但多数工作速度低于TTL电路。
对速度要求较高的最好选用TTL中的74SXXX系列
主要区别:
输入转换电平
输入时互补的:
保证了转换电平是电源电压的1/2
输入多射击晶体管的结构:
决定了转换电平是2倍的PN结正向压降，大约为1.4V。
电源只有5V的，且输入电流的方向是向外的！
电平
L电平：
小于等于0.3Vcc；
H电平：
大于等于0.7Vcc
L电平：
小于等于0.8V；
H电平：
大于等于2V
输出电位发生跳变时
（由低到高或由高到低）
都会产生数值较大的尖峰电流，引起较大的动态功耗。
由于CMOS的输入阻抗都比较大，一般比较容易捕捉到干扰脉冲，所以NC的脚尽量要接个上拉电阻，而且CMOS具有电流闩锁效应，容易烧掉IC，所以输入端的电流尽量不要太大，最好加限流电阻。
平板显示器
目前竞争最激烈的平板显示器有四个品种：
1．场致发射平板显示器（FED）
2．等离子体平板显示器（PDP）；
3．有机薄膜电致发光器（OLED）
4．薄膜晶体管液晶平板显示器（TFT-LCD）。
LCD（LiquidCrystalDisplay）
液晶显示器
构造：
在两片平行的玻璃当中放置液态的晶体，两片玻璃中间有许多垂直和水平的细小电线，透过通电与否来控制杆状水晶分子改变方向，将光线折射出来产生画面。
是液晶投影机是液晶显示技术和投影技术相结合的产物。
工作原理：
利用了液晶的电光效应，通过电路控制液晶单元的透射率及反射率，从而产生不同灰度层次及多达1670万种色彩的靓丽图像。
液体分子质心的排列虽然不具有任何规律性，但是如果这些分子是长形的（或扁形的），它们的分子指向就可能有规律性。
于是我们就可将液态又细分为许多型态。
分子方向没有规律性的液体我们直接称为液体，而分子具有方向性的液体则称之为“液态晶体”，又简称“液晶”。
液晶产品其实对我们来说并不陌生，我们常见到的手机、计算器都是属于液晶产品。
液晶是在1888年，由奥地利植物学家Reinitzer发现的，是一种介于固体与液体之间，具有规则性分子排列的有机化合物。
一般最常用的液晶型态为向列型液晶，分子形状为细长棒形，长宽约1nm～10nm，在不同电流电场作用下，液晶分子会做规则旋转90度排列，产生透光度的差别，如此在电源ON/OFF下产生明暗的区别，依此原理控制每个像素，便可构成所需图像。
LCD投影机的主要成像器件是液晶板。
LCD投影机的体积取决于液晶板的大小，液晶板越小，投影机的体积也就越小。
现在LCD已经替代CRT成为主流，价格也已经下降了很多，并已充分的普及。
TFT（ThinFilmTransistor）
薄膜场效应晶体管
指液晶显示器上的每一液晶象素点都是由集成在其后的薄膜晶体管来驱动。
从而可以做到高速度高亮度高对比度显示屏幕信息。
LCD（LiquidCrystalDisplay）:
TFT,OLED,UFB,TFD,STN等类型的液晶显示器.
TFT（ThinFilmTransistor）：
属于有源矩阵液晶显示器。
是有源矩阵类型液晶显示器,在其背部设置特殊光管,可以主动对屏幕上的各个独立的像素进行控制,这也是所谓的主动矩阵TFT的来历,这样可以大的提高反应时间,约为80毫秒,而STN（SuperTwistedNematic）：
反应时间为200毫秒!
也改善了STN闪烁（水波纹）模糊的现象,有效的提高了播放动态画面的能力,和STN相比,TFT有出色的色彩饱和度,还原能力和更高的对比度,太阳下依然看的非常清楚。
缺点：
比较耗电,成本较高.
TFD（ThinFilmDiode）：
和TFT一样TFD也是有源矩阵驱动。
TFD技术被手机屏幕巨头精工爱普生开发出来专门用在手机屏幕上。
它是TFT和STN的折衷，有着比STN更好的亮度和色彩饱和度，却又比TFT更省电。
特点：
在于“高画质、超低功耗、小型化、动态影像的显示能力以及快速的反应时间”。
显示原理：
在于它为LCD上每一个像素都配备了一颗单独的二极管来作为控制源，由于这样的单独控制设计，使每个像素之间不会互相影响，因此在TFD的画面上能够显现无残影的动态画面和鲜艳的色彩。
最初开发出来的TFD只能显示4096色，但如果采用图像处理技术可以显示相当于26万色的图像。
不过相对TFT在色彩显示上还是有所不及。
UFB：
三星自己研究开发的一种显示屏。
结合了TFT和STN的优点,就是高亮度和底电耗相结合,因为它采用了特别的光栅设计,可减小像素间矩,以获得更佳的图像质量,通常可以显示到65536色,和TFT的亮度不相上下,而电耗比TFT小和多!
售价和STN差不多,可以说是一种物廉价美的显示屏!
OLED：
即有机发光显示器。
与传统的LCD不同的是OLED无需背光灯,采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光，目前这种显示屏因为技的难度还不能做大，只能生产小尺寸的用作手机外屏上使用！
CRT：
家用电视不属于LCD。
靠电子束（即阴极电子束）扫描打在前面显示屏产生字幕和画面的一种显示器。
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