平板显示技术考试试题.docx

上传人:b****1 文档编号:14617672 上传时间:2023-06-25 格式:DOCX 页数:20 大小:436.53KB
下载 相关 举报
平板显示技术考试试题.docx_第1页
第1页 / 共20页
平板显示技术考试试题.docx_第2页
第2页 / 共20页
平板显示技术考试试题.docx_第3页
第3页 / 共20页
平板显示技术考试试题.docx_第4页
第4页 / 共20页
平板显示技术考试试题.docx_第5页
第5页 / 共20页
平板显示技术考试试题.docx_第6页
第6页 / 共20页
平板显示技术考试试题.docx_第7页
第7页 / 共20页
平板显示技术考试试题.docx_第8页
第8页 / 共20页
平板显示技术考试试题.docx_第9页
第9页 / 共20页
平板显示技术考试试题.docx_第10页
第10页 / 共20页
平板显示技术考试试题.docx_第11页
第11页 / 共20页
平板显示技术考试试题.docx_第12页
第12页 / 共20页
平板显示技术考试试题.docx_第13页
第13页 / 共20页
平板显示技术考试试题.docx_第14页
第14页 / 共20页
平板显示技术考试试题.docx_第15页
第15页 / 共20页
平板显示技术考试试题.docx_第16页
第16页 / 共20页
平板显示技术考试试题.docx_第17页
第17页 / 共20页
平板显示技术考试试题.docx_第18页
第18页 / 共20页
平板显示技术考试试题.docx_第19页
第19页 / 共20页
平板显示技术考试试题.docx_第20页
第20页 / 共20页
亲,该文档总共20页,全部预览完了,如果喜欢就下载吧!
下载资源
资源描述

平板显示技术考试试题.docx

《平板显示技术考试试题.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《平板显示技术考试试题.docx(20页珍藏版)》请在冰点文库上搜索。

平板显示技术考试试题.docx

平板显示技术考试试题

平板显示技术考试

[填空题]

1增强场致电子发射的几个方法是什么?

参考答案:

根据F-N场发射公式,发射电流与功函数、电场强度密切相关,所以要获得大的场致发射电流,可以:

①提高栅极工作电压U,增加表面电场;

②采用低表面逸出功的发射材料或在阴极表面涂敷低逸出功材料;

③改变阴极的几何形状以增大几何因子。

[填空题]

2目前为什么大多研究单位将平面型阴极型FED作为研究重点?

参考答案:

三极管结构中按栅极位置的不同,可分为前栅型FED、后栅型FED和平面栅型FED。

前栅型FED在制造过程中容易破坏场致发射源,另外器件的均匀性难以保证。

后栅型FED是将栅极埋在阴极之下,解决了前栅结构的制作困难问题,但是该结构失去了栅极对阳极的屏蔽作用,因此不能提高阳极电压,否则会直接使阴极产生场致电子发射。

前栅与后栅场致发射显示器都需要制作绝缘层,而大面积的绝缘层制作对设备及工艺要求很高,且绝缘性能很难保证,故器件成本高,不易实现大面积显示。

而平面栅型FED是将阴极与栅极做在同一个平面上,阴极与栅极中间由微小间隙隔开平行分布。

采用普通的光刻工艺一次性就可以在基片上完成阴极与栅极的制作,避免了前栅与后栅结构中绝缘层及上电极的制作,大大降低了工艺的复杂性及难度。

由于制作工艺简单,制作成本远小于前栅和后栅结构,故平面栅型场致发射显示板更易大面积化和实用化。

[填空题]

3荧光粉厚度对显示性能的影响是什么?

参考答案:

一般为2-3层,4-9um,荧光粉呈弱电性。

[填空题]

4简述液晶材料的基本种类及其主要特点。

参考答案:

[填空题]

5LED是电压型器件还是电流型器件,如何实现LED的亮度控制?

参考答案:

[填空题]

6如何降低PDP工作电压?

参考答案:

(一)阴极材料方面:

降低阴极材料的逸出功或降低次级电子发射系数;

(二)根据潘宁效应调整放电气体种类及气压;

(三)调节杂质气体的种类及气压;

(四)调整PDP的器件结构,降低P*d的值;

(五)改变PDP的驱动方式,例如放电电压叠加的方式等来降低工作电压。

[填空题]

7简述扭曲效应显示器件和超扭曲向列液晶显示器工作原理的差异。

为什么采用超扭曲向列效应的液晶显示板能增大液晶显示屏的行数?

参考答案:

[填空题]

8简述LCD视角窄的原因。

参考答案:

LCD视角窄的缺点是由液晶的工作原理本身决定的。

液晶分子是棒状的,分子不同的排列方式存在着不同的光学各向异性。

入射光线和液晶分子指向矢夹角越小,双折射越小。

偏离显示板法线方向以不同角度入射到液晶盒的光线与液晶分子指向矢的夹角不同,因此造成不同视角下,有效光程差nd不同。

而液晶盒的最佳光程差是按垂直入射光线设计的,这样视角增大时,最小透过率增加,对比度下降。

而且偏离法线方向越远,对比度下降越严重,还可能出现暗态的透过率大于亮态透过率的现象,也就是发生了对比度反转现象。

[填空题]

9简述PDP多灰度级显示的实现方法。

参考答案:

彩色PDP利用调节维持脉冲个数的方法来实现多灰度级显示。

对于表面放电型彩色PDP,通常采用寻址与显示分离(ADS)的子场驱动方法。

在显示一幅图像时,是在一场时间内顺序扫描寻址各显示行,然后整屏所有显示单元同时维持显示。

ADS实现多灰度显示的原理是将某一种颜色的电平信号量化为n位数据,对显示数据按位进行显示,每位的显示期的维持放电时间长度,即发光脉冲个数和该位的权重相关联,权重越大,该显示期的发光脉冲个数越多,反之,则发光脉冲个数越少。

这样,各位显示的亮度也就不同,一位的显示时间称为一个子场。

每个子场包括准备期、寻址期和维持显示期。

通过不同子场的点亮的组合可以实现多灰度级的显示。

[填空题]

10以ITO阳极-空穴传输层-发光层-电子传输层-金属阴极结构OLED为例说明每一功能层的作用,并简述其工作原理。

参考答案:

空穴传输层(HTL)负责调节空穴的注入速度和注入量,电子传输层(ETL)负责调节电子的注入速度和注入量,注入的电子和空穴在发光层中因库仑相互作用,结合在束缚状态中形成激子,激子衰变辐射出光子。

阳极ITO起到导电和空穴注入电极的作用,金属阴极起到导电和电子注入电极的作用。

有机电致发光的发光过程:

(1)载流子的注入。

电子和空穴分别从阴极和阳极注入夹在电极之间的有机功能薄膜层。

包括隧穿注入和热发射注入。

(2)载流子的传输。

载流子分别从电子传输层和空穴传输层向发光层迁移,将注入至有机层的载流子运输至复合界面处。

(3)载流子复合。

空穴和电子在发光层中相遇,复合。

(4)激子产生,并通过辐射和非辐射过程释放能量。

有机固体中的最低能量激发态分为单线态和三线态,前者导致荧光发射,后者导致磷光发射。

[填空题]

11OLED如何实现彩色显示?

参考答案:

[填空题]

12为什么用限流电阻可改善微尖型FED电子发射的均匀性和稳定性?

参考答案:

场发射在空间上的均匀性和时间上的稳定性方面较差,这是由发射原理决定的。

在场发射中,为了产生有效发射,发射体表面电场非常强,不可能实现完全的空间电荷限制。

发射电流不仅与阳极或栅极电压有关,而且与发射体参数有关。

微尖场发射过程中受表面形态变化、离子轰击、气体吸附等多种因素影响,造成发射电流起伏不定。

如果没有自动反馈控制,场发射阴极很难正常工作。

提高发射均匀性和稳定性的一个常用方法是增加串联电阻,其作用为:

(1)限流作用。

当个别发射体发射过大时,由于电阻的分压作用使电流受限,从而均衡了各发射体的发射能力;

(2)当个别发射微尖与栅极发射短路时,电阻承受了电压降,其他微尖仍能正常工作。

由于微尖数量极大,个别微尖的损失影响不大。

如果没有串联电阻,整个发射阵列就会失效。

[填空题]

13明视觉、暗视觉光谱光效率函数的含义是什么?

参考答案:

[填空题]

14黑白全电视信号由哪些信号组成?

说明这些信号各自的作用。

参考答案:

黑白全电视信号是指包含图像信号、复合同步脉冲、复合消隐脉冲的电信号。

图像信号是带有显示图像信息的电信号。

复合同步脉冲:

为了实现发送端与接收端图像各点一一正确对应,发送端与接收端的扫描必须同步。

复合同步脉冲包括行同步脉冲和场同步脉冲。

复合消隐脉冲:

电子束扫描逆程在光栅上表现为回扫线,它不传输图像信息,反而会干扰图像质量,须设法把行、场回扫线消隐掉。

采用消隐脉冲把逆程期间的电子柬截止,在发送时将行、场消隐脉冲组合在一起构成复合消隐脉冲。

[填空题]

15彩色电视传送色差信号比直接传送基色信号有什么优越性?

参考答案:

[填空题]

16简述PDP显示的面板结构。

参考答案:

PDP的显示面板由排列成矩阵型的像素点阵构成,每一个像素由红绿蓝三基色的子像素构成。

子像素是独立的,由单个放电单元独立进行放电发光。

面板结构:

1)在下玻璃基板上垂直配置扫描电极,上面用介质层覆盖。

2)光刻制作壁障,用来隔开各个像素,防止放电之间的干扰。

3)壁障外形成彩色荧光粉(红、绿、蓝)。

4)在上基板上水平配置信号电极,是用来为维持放电控制显示亮度的。

电极外面覆盖介质层。

再涂覆一层MgO保护层,用于得到稳定的放电和较低的保持电压,并延长显示器寿命。

[填空题]

17简述热电子发射和冷发射的区别。

参考答案:

热电子发射是利用加热物体提供能量使电子从物体表面逸出的过程。

当物体温度升高,电子的无序热运动能量随之增大。

升高到一定程度,电子克服体内的束缚力从物体表面逸出,发射出来进入真空。

冷阴极发射是一种场致电子发射的过程,又称自发射。

当物体表面电场加强,不需要加热,阴极体内的电子在电场下获得足够的能量后,克服体内的束缚力,利用隧道效应从表面发射出来进入真空。

[填空题]

18简述液晶显示器亮度决定因素有哪些?

并计算分析实际亮度能达到多少?

参考答案:

液晶显示器亮度决定因素有背光源的亮度、液晶屏的透过率。

其中液晶屏的透过率由偏振片1的透过率、液晶屏的开口率、彩膜的透过率、电极的透过率、偏振片2的透过率决定。

根据背光源的亮度计算显示器的亮度,如一个亮度为3000cd/m2的背光源,液晶屏的透过率大约为5~10%左右,可以得到的显示屏亮度为150~300cd/m2左右。

[填空题]

19简述柔性显示面临的技术瓶颈。

参考答案:

面临的技术瓶颈主要有:

1)性能差;

2)寿命低;

3)生产设备不成熟;

4)相关高科技技术还未匹配。

[填空题]

20以三片式液晶面板投影机说明透射式投影原理。

参考答案:

首先,利用光学系统把强光通过分光镜形成RGB三束光,分别透射过RGB三色液晶屏上;接着,信号源调制液晶屏,通过控制液晶单元的透光或阻断,来控制光路;然后,经过三片液晶屏的光线在棱镜中汇聚,由投影镜头投射到屏幕上实现彩色显示。

[填空题]

21在一个演出的场合需要使用200英寸以上的显示器,你选择哪种显示器?

为什么?

参考答案:

择发光二极管显示器。

因为发光二极管显示器是采用无数个小发光二极管拼接组成的显示器。

不受组装数量的限制,适合于大型、户外显。

更多内容请访问《睦霖题库》微信公众号

[填空题]

22简述液晶的种类。

参考答案:

从组成和产生液晶态的物理条件看,液晶可以分为热致液晶和溶致液晶两大类。

按照刚性中心部分的形状可以把液晶分成两种类型:

细长棒状和扁平盘状。

[填空题]

23简述液晶相的分类。

参考答案:

细长棒状液晶根据液晶相分为:

向列相、近晶相、胆甾相。

[填空题]

24简述液晶显示器残像产生的原因。

参考答案:

液晶中快态离子在电场作用下引起离子的传输,导致在相对低的频率下光传输中图像的闪烁,获得错误的灰度级。

[填空题]

25简述液晶材料的物理性质对显示性能的影响。

参考答案:

弹性常数和旋转的粘度决定着液晶的响应时间和阈值电压的主要因数;介电各向异性决定着液晶在电场下是p型还是n型的特性,大的介电常数可以降低阈值电压;光学各向异性决定着液晶的光学性质;阈值电压决定着在低功耗下的工作范围。

[填空题]

26简述液晶显示器的分类及英文缩写。

参考答案:

液晶显示器主要分为无源矩阵和有源矩阵液晶显示器。

无源矩阵液晶显示器又包括TN、STN、HTN、FSTN、ECB、铁电液晶、Ch-N相转变模式等液晶显示器。

有源矩阵液晶显示器又包括二端子和三端子器件两类。

二端子器件有MIM、MSI(SiNx硅氧化膜)、DR、BTB二极管、Pin二极管/(a-Si)等。

三端子器件主要有MOSFET和TFT,TFT有非晶硅a-SiTFT、多晶硅p-SiTFT、氧化物ZnOTFT、化合物CdSeTFT,CdSTFT、有机TFT(OTFT)等。

[填空题]

27简述铁电液晶的工作原理。

参考答案:

当对铁电液晶的液晶屏加上直流电压时,自发极化的偶极矩与电场相互作用,使液晶分子自极化方向指向电场方向,螺距变长。

当电场超过一定值时,螺旋结构消失。

当电场方向反向时,分子的极化方向也反向,液晶分子相对于层面法线的倾斜角也从θ变成-θ,即在基板面内变化了角度2θ。

在E<-Ec时,通过下偏振片的光,通过铁电液晶层,到上偏振片,与上偏振片光轴垂直,不能透光为暗态;当E>+Ec时,通过下偏振片的光,通过铁电液晶层,刚好扭曲了2θ,与上偏振片光轴几乎平常,光透过为亮态。

[填空题]

28简述VA技术如何实现光学补偿的。

参考答案:

VA技术凸起物附近的液晶分子略有倾斜,分子状态正好对称。

左右相邻的液晶分子长轴方向分别指向不同的方向,分子状态对称。

利用这种不同指向的液晶分子长轴方向来实现光学补偿。

[填空题]

29描述MVA技术的工艺方案。

参考答案:

MVA型TFT-LCD的阵列工艺:

玻璃基板投入→Gate电极→TFT硅岛→源、漏电极→钝化及过孔→像素电极→MVA凸起物,共5+1次光刻。

MVA型TFT-LCD的彩膜工艺:

玻璃基板投入→黑矩阵(BM)膜→彩色膜(RGB)→保护膜(OC)→透明导电膜(ITO)→衬垫(PS)→MVA凸起物。

[填空题]

30描述IPS技术的显示原理。

参考答案:

以p型液晶的IPS技术为例。

在未加电压下,入射光通过上偏振片的线性偏振光在液晶屏内从上到下旋转90°后,到下偏振片时,正好与偏振片的光轴方向垂直,不透光,呈现黑态(或关态)。

在电极之间施加一个足够的电压,会相应的产生一个电场E,使液晶分子重新排列后,沿电场方向排列,透过上偏振片的线偏振光经过液晶分子到下偏振片后,与下偏振片的光轴平行,透光,呈现亮态(或开态)。

[填空题]

31简述单像素双畴FFS模式的实现的原理。

参考答案:

双畴的FFS结构中,共用电极线在中间,把像素电极分成上下两部分。

条形电极的方向不同,分别与信号线成一定的角度。

表面取向层的摩擦方向,平行信号线方向。

不加电压下,液晶分子沿摩擦方向排列。

加电压后,正性液晶分子平行电场方向排列。

像素电极上部分的液晶分子顺时针旋转,像素电极下部分的液晶分子逆时针旋转。

两个方向旋转的液晶分子形成了两个不同的畴。

[填空题]

32请画出TN-LCD的结构图,简述TN型液晶显示器的组成并在图中标出各部分的名称。

参考答案:

TN型液晶显示器是由偏振片、玻璃基板、彩膜、透明电极(ITO)、取向层和液晶组成。

[填空题]

33不同种类的液晶材料是不是都能应用到显示中?

在各种类型的显示中,液晶材料是不是可以互换?

请举一个例子分析为什么?

参考答案:

各种类型的液晶材料基本都用于开发液晶显示器。

如向列相液晶显示器、聚合物分散液晶显示器、双(多)稳态液晶显示器、铁电液晶显示器和反铁电液晶显示器等。

在多种液晶显示器中,开发最成功、市场占有量最大、发展最快的是向列相液晶显示器。

不可以互换。

因为显示原理不一样,结构和参数设计都不一样,所以不可以互换。

[填空题]

34举例说明色差问题产生的原因。

参考答案:

色差产生的原因是随着视角的变化,液晶分子双折射导致的光程差发生了变化。

光程差不同,相位延迟不同,观看到的光波长不同。

因此,透射光的波长与光程差△nd一起波动。

平行液晶分子长轴时,△n最小;垂直液晶分子长轴时,△n最大。

平行于液晶分子长轴观看到的波长偏小,色彩偏蓝色;垂直液晶分子长轴观看到的波长偏大,色彩偏黄色。

[填空题]

35IPS技术为什么有硬屏之称?

通过与其他广视角技术对比举例说明。

参考答案:

IPS技术的液晶屏内液晶分子排列呈水平状。

当遇到外界压力时,分子结构向下稍微下陷,但整体分子还是呈现水平状排列。

比较硬,没有闪光现象,用手轻轻按或划不容易出现水纹样变形,又有硬屏之称。

但VA型液晶屏内液晶分子垂直排列,轻按后出现大面积明显的闪光区域,就是俗称的水纹现象。

IPS硬屏的分子复原速度更快,消除了敲击软屏时难以避免的残影,显示效果清晰。

IPS技术的液晶屏稳定性、抗压性高,动态画面表现好。

[填空题]

36为什么说PVA技术有降低亮点的可能性?

还有那些技术可以降低亮点呢?

参考答案:

PVA技术属于常黑模式的液晶显示器,不加电场下,屏幕为黑色。

在生产制作中,如果有一个TFT坏点,也同样不会产生“亮点”,大大降低了液晶显示器面板出现“亮点”的可能性。

MVA技术、VA技术等。

[填空题]

37简述隔垫物的种类及优缺点。

参考答案:

隔垫物有球形隔垫物和柱形隔垫物。

球形隔垫物是液晶显示器中较早采用的隔垫物类型,具有材料成本低、稳定性高等优点,且液晶量不受隔垫物密度的影响,但是工艺产率低,抗震动能力差。

柱形隔垫物具有设备成本低、工艺流程少、图像质量优良,但是材料成本高,且易产生比重姆拉。

[填空题]

38简述ACF的作用。

参考答案:

ACF是各向异性导电胶膜,将ACF粘贴在要导通的电极和电极之间,在适当的压力、温度、时间下聚合物树脂开始流动,导电粒子则夹在组件电极与电极之间起导通的作用,相邻的电极之间无法接触绝缘不导通。

[填空题]

39简述COF工艺特点。

参考答案:

1)轻薄短小;

2)适应于更大的分辨率;

3)线间距很细;

4)节省空间。

[填空题]

40简述取向工艺的作用。

参考答案:

取向工艺是在彩膜基板和阵列基板上形成均匀的一层表面取向层,经过摩擦使PI层具有统一的取向和预倾角,使液晶分子有规律地排列。

[填空题]

41描述采用ODF工艺的制屏工艺流程。

参考答案:

ODF工艺是用液晶滴下机滴入液晶,可以形成均一的液晶屏。

滴下液晶后,在真空中把涂布有边框胶、滴有高精度量液晶的基板和均匀散布隔垫物的基板,通过高精度的对位后贴合在一起,再经过UV照射和加热固化边框胶、液晶再取向等工艺技术形成液晶屏。

[填空题]

42分析为什么COF工艺具有轻薄短小的特点?

参考答案:

COF工艺将液晶屏的驱动IC直接邦定到柔性电路板上,衬底厚度非常薄,重量轻。

采用柔韧的材料,能弯折180°,以及卷对卷的生产特性,设计灵活性更高。

[填空题]

43为什么ODF工艺更适合5代线以上的生产线?

参考答案:

ODF工艺是用液晶滴下机滴入液晶,可以形成均一的液晶屏。

滴下液晶后,在真空中把涂布有边框胶、滴有高精度量液晶的基板和均匀散布隔垫物的基板,通过高精度的对位后贴合在一起,再经过UV照射和加热固化边框胶、液晶再取向等工艺技术形成液晶屏。

对于5代线以上的生产线的大型玻璃尺寸更实用。

液晶滴填充的方法,时间短、效率高。

[填空题]

44简述LED背光源的优势。

参考答案:

1)更轻薄;

2)光衰期长;

3)效率高,耗电少;

4)色域广;

5)环保。

[填空题]

45简述彩色显示的原理。

参考答案:

液晶显示器利用红、绿、蓝三色彩膜的加法混色法获得各种色彩。

背光源的白光射入液晶层,通过不同程度地控制每个像素上液晶分子的扭曲,照射到彩膜上红、绿、蓝三基色染料的光不同程度地通过,形成不同颜色的光在人眼混合形成彩色图像。

[填空题]

46简述彩膜的工艺流程。

参考答案:

黑矩阵光刻→彩色层(R、G、B)分别光刻→形成保护层→形成ITO共用电极→检查。

[填空题]

47分析交叉串扰产生的原因。

参考答案:

1)无源矩阵驱动方式导致在相同行或列上的像素会被同一电极线上电压影响:

2)液晶显示像素是一个无极性电容,具有双向导通性的特性。

液晶材料的电容C性质以及电极线的电阻R性质是引起交叉串扰的另一个原因。

[填空题]

48分析常见的LED电视、LED显示和真LED电视的区别,哪一种显示是大多数厂商极力推出的产品?

参考答案:

LED电视:

实质上还是液晶显示器的一种,与传统的CCFL背光源的液晶电视相比仅仅是背光源种类的不同。

LED显示:

是一种将数个小LED点阵拼接排列组合起来的显示系统。

真LED电视:

每个像素都由RGB三种颜色的LED自发光体组成,一个个做到像素级大小的LED点阵式电视,是完全不同于液晶显示器的一种真LED电视,又叫作晶体LED显示。

大多数厂商极力推出的产品是采用了LED背光源的液晶电视,即常说的LED电视。

[填空题]

49画出阵列基板单元像素的平面图形及等效电路,简述其结构。

参考答案:

栅极与栅线相连,源极与信号线相连,漏极与像素电极相连。

阵列基板上的像素电极和彩膜基板上的共用电极,形成了液晶材料两端的电极。

液晶屏的像素电极部分等效于一个电容Clc。

同时,像素电极与栅极同时制作出来的存储电容电极之间隔着绝缘膜构成了存储电容Cs,与液晶电容Clc并联。

因此,有源矩阵液晶显示器的一个单元像素等效为一个晶体管开关,连接两个并联液晶电容Clc与存储电容Cs的等效电路。

[填空题]

50采用动态驱动法,分析显示一个数字“2”,行和列的驱动波形。

参考答案:

以7行、6列的无源矩阵点阵为例,显示数字“2”为例。

用0表示段码电极与共用电极同相,用1表示反相。

[填空题]

51简述TFT在液晶显示器中的作用。

参考答案:

TFT在液晶显示器中起着开关的作用,器件性能的优劣直接影响图像显示的质量。

[填空题]

52非晶硅半导体有什么特点?

非晶硅是哪种半导体?

参考答案:

非晶硅材料的特点:

1)非晶硅材料长程无序,短程有序;

2)配位数相同,非晶硅的键长和键角略有改变;

3)非晶硅中存在一些缺陷。

非晶硅是弱n型半导体。

[填空题]

53简述晶体与非晶材料在导电上的差别?

参考答案:

非晶硅材料的特点决定了非晶硅在载流子导电上与单晶硅不同。

1)非晶硅中费米能级通常是“钉扎”在带隙中,不随掺杂而变化,也基本上不随温度变化;

2)非晶硅的迁移率比单晶硅低2~3个数量级;

3)非晶硅在氢化后,禁带宽度将随着氢化程度的不同可在1.2~1.8eV之间变化,而单晶硅具有确定的禁带宽度;

4)非晶硅存在扩展态、带尾局域态、带隙中的缺陷态,这些状态中的电子都可能对导电有贡献;

5)非晶硅的光吸收边有很长的拖尾,而单晶硅的光吸收边很陡。

[填空题]

54主导TFT器件工作的半导体现象是什么?

它的物理意义和主要影响参数?

为提高TFT器件在液晶显示器中的开关作用,从半导体的角度应该提高什么,降低什么?

参考答案:

TFT器件中主要的半导体现象是电导现象。

在电场的作用下载流子会定向地运动,导电能力由电导率决定。

电导率反映半导体材料导电能力的物理量,又由载流子密度和迁移率来决定。

非晶硅半导体材料没有进行掺杂,载流子密度很低。

因此,决定薄膜晶体管性质的主要参数是迁移率。

从半导体的角度应该提高迁移率,降低载流子浓度,或者降低暗电导率。

[填空题]

55简述背沟道阻挡结构的优缺点。

参考答案:

优点是a-Si:

H层可以做得比较薄,一般厚度是300~500Å,薄膜的生产性好,关态电流很小;刻蚀选择比大,刻蚀条件宽松,工艺简单;缺点是比背沟道刻蚀型结构要多增加一次光刻,成本增加,节拍时间长。

[填空题]

56简述4次光刻的工艺流程。

参考答案:

栅极→a-Si:

H有源岛、源漏电极、n+a-Si沟道切断→SiNx保护膜、过孔→ITO像素电极

[填空题]

57述5次光刻中第5次像素电极光刻形成的ITO的作用。

参考答案:

ITO的作用:

1)TFT处ITO,作像素电极用。

与彩膜基板上的共用电极一起形成液晶像素的上下电极,控制液晶分子的旋转实现显示;

2)存储电容上的ITO为存储电容的另一个电极。

与第一次光刻的金属电极一起形成了存储电容的上下电极,两个电极之间的介质层为绝缘层和钝化层;

3)外引线处的ITO为栅线和信号线金属的保护层。

为防止金属电极直接曝露在大气下氧化,在外引线曝露金属电极的部分覆盖上ITO起到保护的作用。

[填空题]

58简述7次光刻的第二次光刻中O2灰化的作用。

参考答案:

O2灰化是在4层CVD之后阻挡层i/sSiNx膜的上面进行氧气O2等离子体处理,把表面具有亲水性的i/sSiN薄膜变成疏水性的SiOx薄膜,增强与光刻胶的附着性。

[填空题]

59源漏电极很多工厂采用的复层材料Mo/Al/Mo,试分析上下层Mo的作用。

参考答案:

1)下层Mo的作用:

Al直接与a-Si接触很容易向a-Si扩散使漏电流增大,影响TFT的关态特性,所以在Al层下面要增加一层Mo。

2)上层Mo的作用:

Al容易产生小丘,表面粗超度不好,且Al与上面层ITO直接接触,容易还原ITO材料,降低ITO的电阻率,

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
相关搜索
资源标签

当前位置:首页 > 总结汇报 > 学习总结

copyright@ 2008-2023 冰点文库 网站版权所有

经营许可证编号:鄂ICP备19020893号-2