半导体物理习题.doc
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-CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIAN
半导体物理习题
附:
半导体物理习题
第一章晶体结构
1.指出下述各种结构是不是布拉伐格子。
如果是,请给出三个原基矢量;如果不是,请找出相应的布拉伐格子和尽可能小的基元。
(1)底心立方(在立方单胞水平表面的中心有附加点的简立方);
(2)侧面心立方(在立方单胞垂直表面的中心有附加点的简立方);
(3)边心立方(在最近邻连线的中点有附加点的简立方)。
2.证明体心立方格子和面心立方格子互为正、倒格子。
3.在如图1所示的二维布拉伐格子中,以格点O为原点,任意选取两组原基矢量,写出格点A和B的晶格矢量和。
4.以基矢量为坐标轴(以晶格常数a为度量单位,如图2),在闪锌矿结构的一个立方单胞中,写出各原子的坐标。
5.石墨有许多原子层,每层是由类似于蜂巢的六角形原子环组成,使每个原子有距离为a的三个近邻原子。
试证明在最小的晶胞中有两个原子,并画出正格子和倒格子。
第二章晶格振动和晶格缺陷
1.质量为m和M的两种原子组成如图3所示的一维复式格子。
假设相邻原子间的弹性力常数都是β,试求出振动频谱。
2.设有一个一维原子链,原子质量均为m,其平衡位置如图4所示。
如果只考虑相邻原子间的相互作用,试在简谐近似下,求出振动频率ω与波矢q之间的函数关系。
3.若把聚乙烯链—CH=CH—CH=CH—看作是具有全同质量m、但力常数是以,交替变换的一维链,链的重复距离为a,试证明该一维链振动的特征频率为
并画出色散曲线。
第三章半导体中的电子状态
1.设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近的能量为 (3.1)
价带极大值附近的能量为 (3.2) 式中m为电子质量,Å。
试求出:
(1)禁带宽度;
(2)导带底电子的有效质量;
(3)价带顶电子的有效质量;
(4)导带底的电子跃迁到价带顶时准动量的改变量。
2.一个晶格常数为a的一维晶体,其电子能量E与波矢k的关系是 (3.3)
(1)讨论在这个能带中的电子,其有效质量和速度如何随k变化;
(2)设一个电子最初在能带底,受到与时间无关的电场ε作用,最后达到大约由 标志的状态,试讨论电子在真实空间中位置的变化。
3.已知一维晶体的电子能带可写成 ,
式中a是晶格常数。
试求:
(1)能带的宽度;
(2)电子在波矢k状态时的速度。
第四章半导体中载流子的统计分布
1.在硅样品中掺入密度为的磷,试求出:
(1)室温下的电子和空穴密度;
(2)室温下的费米能级位置(要求用表示出来,是本征费米能级。
硅的本征载流子密度:
)。
2.计算施主密度的锗材料中,室温下的电子和空穴密度(室温下锗的本征载流子密度)。
3.对于p型半导体,在杂质电离区,证明 并分别求出和两种情况下,空穴密度p和费米能级Ef的值,
说明它们的物理意义。
式中g是受主能级的自旋简并度。
4.两块n型硅材料,在某一温度T时,第一块与第二块的电子密度之比为(e是自然对数的底)。
(1)如果第一块材料的费米能级在导带底之下3kT,试求出第二块材料中费米能级的位置;
(2)求出两块材料中空穴密度之比。
5.制作p-n结需要一种n型材料,工作温度是100℃,试判断下面两种材料中哪一种适用,并说明理由。
(1)掺入密度为磷的硅材料;
(2)掺入密度为砷的锗材料。
6.一块有杂质补偿的硅材料,已知掺入受主密度,室温下测得其恰好与施主能级重合,并得知平衡电子密度为。
已知室温下硅的本征载流子密度,试求:
(1)平衡少子密度是多少?
(2)掺入材料中的施主杂质密度是多少?
(3)电离杂质和中性杂质的密度各是多少?
第五章半导体中的电导和霍尔效应
1.在室温下,高纯锗的电子迁移率。
设电子的有效质量,试计算:
(1)热运动速度平均值(取方均根速度);
(2)平均自由时间;
(3)平均自由路程;
(4)在外加电场为10伏/厘米时的漂移速度,并简单讨论(3)和(4)中所得的结果。
2.在一块掺硼的非简并p型硅样品中含有一定浓度的铟,在室温(300K)下测得电阻率
。
已知所掺的硼浓度,硼的电离能,铟的电离能,试求样品中铟的浓度(室温下-3,)。
3.如图5所示的硅样品,尺寸为H=1.0毫米,W=4.0毫米,毫米。
在霍尔效应实验中,I=1毫安,B=4000高斯。
实验中测出在77-400K的温度范围内霍尔电势差不变,其数值为毫伏,在300K测得毫伏。
试确定样品的导电类型,并求出:
(1)300K的霍尔系数R和电导率;
(2)样品的杂质密度;
(3)300K时电子的迁移率。
4.设,试证明:
(1)半导体的电导率取极小值的条件是
和
(2)
其中是本征半导体的电导率,。
5.含有受主密度和施主密度分别为和的p型样品,如果两种载流子对电导的贡献都不可忽略,试导出电导率的公式:
如果样品进入本征导电区,上式又简化成什么形式?
式中是本征载流子密度,。
第六章非平衡载流子
1.用光照射n型半导体样品(小注入),假设光被均匀地吸收,电子-空穴对的产生率
为g,空穴的寿命为τ。
光照开始时,即t=0,。
试求出:
(1)光照开始后任意时刻t的过剩空穴密度;
(2)在光照下达到稳定态时的过剩空穴密度。
2.一个n型硅样品,。
设非平衡载流子的产生率,试计算室温下电导率和准费米能级。
3.一个均匀的p型硅样品,左半部被光照射(图6),电子-空穴对的产生率为g(g是与位置无关的常数),试求出在整个样品中稳定电子密度分布,并画出曲线。
设样品的长度很长和满足小注入条件。
4.一个n型锗样品(施主密度),截面积为10-2cm2,长为1cm。
电子和空穴的寿命均为。
假设光被均匀地吸收,电子-空穴对产生率g=1017/cm3·s,试计算有光照时样品的电阻。
(纯锗的迁移率数值:
。
)
5.一个半导体棒,光照前处于热平衡态、光照后处于稳定态的条件,分别由图7(a)和(b)给出的能带图来描述。
设室温(300K)时的本征载流子密度,试根据已知的数据确定:
(1)热平衡态的电子和空穴密度和;
(2)稳定态的空穴密度;
(3)当棒被光照设时,“小注入”条件成立吗?
试说明理由。
6.如图8所示,一个很长的n型半导体样品,其中心附近长度为2a的范围内被光照射。
假定光均匀地穿透样品,电子-空穴对的产生率为g(g为常数),试求出小注入情况下样品中稳态少子分布。
第七章半导体中的接触现象
1.试推导出计算结的电压电流关系式。
2.锗结中及区的室温电阻率均为时,计算结的电势差。
如果电阻率变为时,它的值又是多少?
3.在锗结中300K时n型层的电阻率为,p型层的为。
设电子迁移率为0.36m2/V·s,空穴迁移率为0.17m2/V·s,在热平衡时结电势VD等于0.5V,求出势垒厚度()。
4.在Ge突变结中,区电阻率为,区的为,热平衡时势垒高度为,,结面是直径为的圆,试求出这时的结电容。
如果加3V反向偏电压时,它的电容是多少?
第八章半导体表面
1.对于由金属/氧化物/n型半导体构成的理想MOS结构:
(1)分别画出积累层和耗尽层的能带图;
(2)画出开始出现反型层时的能带图,并求出开始出现反型层的条件;
(3)画出开始出现强反型层时的能带图,并求出开始出现强反型层的条件。
2.对于n型半导体,利用耗尽层近似,求出耗尽层宽度和空间电荷面密度随表面势变化的公式。
3.利用载流子密度的基本公式
和,
证明在表面空间电荷区中,载流子密度可以写成:
,
其中和是体内的电子和空穴密度,是表面空间电荷区中的电势。
4.一个n型硅样品,电阻率为,试在开始出现强反型时,求出表面空间电荷区中恰好为本征的位置与空间电荷区边界的距离。
硅的相对介电常数,。
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