太阳能光伏电池及其应用总复习题.docx

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太阳能光伏电池及其应用总复习题

复习大纲

1.铝背场的作用：

①减少少数载流子在背面复合的概率；

②作为背面的金属电极；

③提高电池的开路电压；

④提高太阳电池的收集效率；

⑤降低电池的反向饱和暗电流和背表面复合速率；

⑥制作良好的欧姆接触。

2.简述晶体硅的制备工艺过程？

答：

晶体硅太阳电池的制备工艺：

p型硅片-清洗制绒-扩散制结（p-n结）-去周边层-去PSG（磷硅玻璃）-镀减反射膜-印刷电极-高温烧结-检测-分选-入库包装。

3.太阳能的利用形式：

光化学转化、太阳能光热转化和太阳能光电转化。

4.太阳能电池理论效率最高为75%。

5.太阳常数：

是指大气层外垂直于太阳光线的平面上，单位时间、单位面积内所接受的太阳能辐射。

也就是说，在日地平均距离的条件下，在地球大气上界，垂直于光线1cm2的面积上，在１分内所接受的太阳能辐射能量；为（１３６７±７）Ｗ/㎡。

６．太阳能能量转换方式主要分为光化学转化、太阳能光热转化和太阳能光电转化三种方式。

７．P-N结的形成原理。

答：

⑴Ｐ型和Ｎ型半导体都呈电中性；

⑵Ｐ型半导体的多子是空穴；Ｎ型半导体的多子是电子；

⑶当Ｐ型半导体与Ｎ型半导体连接在一起时，由于ＰＮ结中不同区域的载流子分布存在浓度梯度，Ｐ型半导体材料中过剩的空穴通过扩散作用流动至Ｎ型半导体材料；同理，Ｎ型半导体材料中过剩的电子通过扩散作用流动至Ｐ型半导体材料。

电子或空穴离开杂质原子后，该固定在晶格内的杂质原子被电离，因此在结区周围建立起了一个电场，以阻止电子或空穴的上述扩散流动，该电场所在的区域及耗尽区或者空间电荷区，故而称为ＰＮ结。

如图所示：

在交界面，由于扩散运动，经过复合,出现空间电荷区。

８．P-N结半导体光生伏特效应的原理。

答：

在半导体被光照射、产生光传导现象时，如果由光产生的载流子在不同位置具有不均一性，或者由于PN结产生了内部载流子的话，就因扩散或者漂移效应而引起电子和空穴密度分布不平衡，从而产生电力，这一现象称为光生伏特效应（photovoltaiceffect）.

9.太阳能电池的主要参数是短路电流、开路电压、填充因子和光电转换效率。

10.太阳能电池的寄生电阻是指串联电阻Rs和并联电阻Rsh；

（1）串联电阻Rs主要包括半导体内部的体电阻、电极用的金属与半导体表面层之间的接触电阻、电极用的金属本身的电阻和器件内部及外部线路互相连接的引线接触电阻；

⑵并联电阻Rsh主要包括来自非理想的PN结和PN结附近的杂质，会引起PN结部分短路，特别是太阳能电池的边缘部分漏电现象，会使Rsh值减小。

11.简述制绒的定义、目的、原理、作用以及工艺流程；

答：

（1）制绒的定义：

制绒是利用硅的各向异性腐蚀的特性在表面刻出类似于金字塔（单晶硅sc-si）或者是蜂窝状（多晶硅mc-si）的结构。

（2）目的：

为了在硅片上获得绒面结构，利用陷光原理，增加光透性，减少光的反射，提高ISC;增加光的吸收率，去除损伤层，增加PN结面积（PN结厚，VOC增加，Eg宽）。

（3）原理：

陷光原理。

（4）绒面的作用：

①减少了太阳光的反射；②增加太阳光在硅片内部的有效运动长度，就是增加了被吸收的机会。

（5）工艺流程：

①即先采用较高浓度的碱（NaoHorKoH）在高温条件下对单晶硅片进行短时间“粗抛”以去除硅片在线切割过程中形成的切割损伤。

②漂洗（去离子水、超声波）

③再用低浓度的碱（NaoHorKoH）和异丙醇（IPA：

其作用是降低硅片表面张力，较少气泡在硅片表面的粘附，是硅片的金字塔更加均匀一致）的混合溶液对（100）晶面的方向的单晶硅片较长时间的各向异性腐蚀，这样可以在硅片表面形成类“金字塔”状的绒面，有效地增强了硅片表面对入射光的吸收，从而提高光生电流密度Jsc。

④HF清洗

⑤HCL清洗

12.简述碱制绒、酸制绒的原理；

答：

Ⅰ.碱性制绒原理：

•1.适用范围：

单晶硅SC-Si；

•2.组份：

NaoHorKoH;

•3.反应式：

2NaoH+H2o+Si=Na2Sio3+2H2or

2KoH+H2o+Si=K2Sio3+2H2

Ⅱ.酸性制绒原理：

•1.适用范围：

多晶硅

•2.组份：

HNO3orHF

•3.反应式：

Si+4HNO3=SiO2+4NO2+2H2O

SiO2+4HF=SiF4+2H2O

SiF4+2HF=H2[SiF6]

13.简述表面织构化；

答：

晶体硅在进行切片时，是硅片表面留下一层10-20um的损伤层，而在太阳电池制备时首先要利用化学腐蚀去除损伤层，然后制备表面绒面机构，若选择择优化学腐蚀剂就可以在硅片表面形成倒金字塔结构，称为绒面结构，又称表面织构化。

14.PN结的十一种叫法，分别是电子-空穴结、复合层|区、阻挡层、结电容、高阻区、耗尽层|区、空间电荷层|区、势垒电场、内|自电场区。

15.Rsh叫内部并联电阻，分流电阻，泄露电阻，旁漏电阻

16.三氯氧磷扩散的原理：

POCL3高温下，分解成PCL5，PCL5进一步分解成P2O5，并放出CL2，P2O5淀积在硅片表面与硅反应生成SIO2和磷原子，并在表面形成一层磷硅玻璃，然后磷原子再向硅中扩散，形成N型。

17．丝网印刷的工艺三步骤：

背Ag,背Al,正Ag。

18.磷扩散的工艺：

气态磷扩散、固态磷扩散和液态磷扩散等形式。

19.减反射膜的基本原理：

利用光在减反射膜上、下表面反射所产生的光程差，使得两束反射光干涉想消，从而减弱反射，增加透射。

20.减反射层薄膜材料要求：

①透光性好②对光吸收系数③良好的耐化学腐蚀性④良好的硅片粘结性⑤良好的导电性能

21．在实际晶体硅太阳电池工艺中，常用的减反射层材料有TiO2、SnO2、SiO2、SiNx、ITO（纳米铟锡金属氧化物）和MgF2等，其厚度一般在60-100nm左右。

.

22.常用的减反射膜制备方法：

①化学气相沉积（CVD）②等离子化学气相沉积（PECVD）③喷涂热解④溅射⑤蒸发

23.硅材料的禁带宽度Eg=1.12ev间接带隙材料

锗材料的禁带宽度Eg=0.67ev间接带隙材料

磷化铟材料的禁带宽度Eg=1.35ev直接带隙材料

砷化镓材料的禁带宽度Eg=1.43ev直接带隙材料

锑化镉材料的禁带宽度Eg=1.45ev直接带隙材料

硫化镉材料的禁带宽度Eg=2.4ev直接带隙材料

铜铟镓锡材料的禁带宽度Eg=1.04ev直接带隙材料

铜铟镓硫材料的禁带宽度Eg=1.50ev直接带隙材料

24．硅材料有多种晶体形式，包括单晶硅、多晶硅和非晶硅

25．单晶硅熔炼方法包括区熔单晶硅FZ和直拉单晶硅CZ。

26.单晶硅片的一般制作流程：

高纯多晶硅原料熔化

→种晶→缩颈→放肩→等径→收尾→圆柱状单晶硅→切断、滚圆、切片、化学清洗→单晶硅片。

27.迁移率是指载流子在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的量度，运动的越快，迁移率越大；运动得慢，迁移率下。

28．硅共价键的键角是109°28′

29．各种硅材料的优缺点对比：

直拉单晶硅：

优点：

电池效率高，工艺稳定成熟；

缺点：

成本相对较高。

薄膜非晶硅：

优点：

制作成本低

缺点：

光电转换率低，存在光致衰减行为，稳定性较差。

铸造多晶硅

优点：

成本相对较低，光电转换效率较高

缺点：

高密度的位错、微缺陷和晶界，影响光电转换效率。

薄膜多晶硅：

优点：

潜在低成本，相对高效率

缺点：

光电转换效率低

32．高纯多晶硅的制备方法：

①三氯氢硅氢还原法

②硅烷热分解法

③四氯化硅还原法

33.区熔单晶硅的制备过程：

首先以高纯多晶硅作为原料，制成棒状，并将多晶硅棒垂直固定；在多晶硅棒的下端放置具有一定晶向的单晶硅，作为单晶生长的籽晶，其晶向一般为<111>或（100）；然后在真空或氩气等惰性气体保护下，利用高频感应线圈加热多晶硅棒，使多晶硅棒的部分区域形成熔区，并依靠熔区的表面张力保持多晶硅棒的平衡和晶体生长的顺利进行。

34.区熔单晶硅中的碳和氧的浓度都低于红外光谱的探测极限，

分别为1×1016cm-3和5×1016cm-3。

35.直拉单晶硅的制备工艺一般工作流程：

多晶硅的装料→熔化→种晶→缩颈→放肩→收尾

37.单晶硅的电阻率ρ与掺杂浓度cs的关系式：

38.大规模集成电路用单晶硅加工工艺流程：

切断（割断）→滚圆→磨定位标志→切片→倒角→研磨→腐蚀→热处理→背面损伤→抛光→清洗→检验→包装。

39.太阳电池用单晶硅加工工艺流程：

切断（割断）→滚圆（切方块）→切片→化学腐蚀

40.线切割的优缺点：

优点：

①效率高--每次切片250块以上（1台线切割机的产量=35台内圆切割机的产量）；

②耗材少--线切割的直径只有180μm；

③切割应力小，切割后表面损伤小。

缺点：

①硅片的平整度差；

②设备相对昂贵，维修困难

42.腐蚀效果的主要影响因素：

①腐蚀液的类型

②腐蚀液的配比

③腐蚀温度

④是否搅拌

⑤硅片放置的方式

43.直拉单晶硅中杂质有哪些，来源、存在形式以及如何控制，如何解决？

答：

杂质：

主要杂质：

碳，氧；其他杂质：

H、N；金属杂质:

Cu,Co,Ni,Mn,Fe,Mn,Cr,Zn,Ti

来源：

O：

晶体生长过程中石英干锅的污染：

C：

①多晶硅原料；

②晶体生长炉内的剩余气体

③石英坩埚与石墨加热件的反应

H：

是在器件加工过程中引入的，主要用来钝化金属杂质和缺陷。

N：

是在晶体生长阶段加入的杂质，对控制微缺陷和增加机械强度有益。

金属杂质：

①硅片滚圆、切片、倒角、磨片等制备过程中，直接与金属工具接触；

②在硅片清洗或湿化学抛光过程中，使用不够纯的化学试剂；

③在工艺过程中，使用不锈钢等金属设备。

存在形式：

O：

①氧可以与空位结合，形成微缺陷；

②氧以团簇形成氧团簇，具有电学性能；

③形成氧沉淀，引入诱生缺陷。

④B-O复合体。

C：

间隙态

金属杂质：

间隙态、替位态、复合体存在。

控制：

O：

采取精细的工艺和外加磁场加以控制。

直拉单晶硅中的金属杂质的控制和去除方法：

1.减少加工中的污染2.化学腐蚀去除表面金属；3.吸杂技术:

背面吸杂和内吸杂

45.影响直拉单晶硅中的氧浓度的因素：

答：

①熔硅中的热对流；

②熔硅与石英坩埚的接触面积；

③晶体生长时的机械强制对流；

④SiO自熔硅表面的蒸发；

⑤氧与晶体中点缺陷的作用。

46.在熔点附近的晶体硅中，氧的饱和固溶度约为2.75×1018cm-3；直拉单晶硅中间隙氧的间隙范围是（5-20）×1017cm-3范围内.

47.影响单晶硅中氧沉淀形成、结构、分布和状态的因素：

①初始氧浓度

②热处理的温度

③热处理的时间

④碳、氮及其他杂质原子的浓度、原始晶体硅的生长条件、热处理气氛、次序等。

48.直拉单晶硅在高温形成氧沉淀时有三个阶段：

①氧沉淀少量形成，表现出一个孕育期；

②氧沉淀快速增加；

③氧沉淀增加缓慢，接近饱和。

49直拉单晶硅中O、C的分布情况；

答：

O：

头高尾低；C：

头低尾高。

53根据氧沉淀的形成情况，热处理的温度一般分为：

①低温（600-800℃）热处理

②中温（850-1050℃）热处理

③高温（1100-1250℃）热处理

54.氧沉淀形成热处理温度一般可分为低温、中温和高温三个热处理温度段，分别叙述三个温度段中氧沉淀形态的主要形态。

答:

①低温（600-800℃）:

棒状，又称针状或带状;

②中温（850-1050℃）:

片状沉淀;

③高温（1100-1250℃）:

多面体沉淀。

57.晶体硅中的效率衰减效应主要是由晶体中哪种复合体引起？

并说明在晶体硅中如何消除这种复合体产生的衰减效应？

列举几种避免该复合体产生的新技术新想法。

答:

1.硼氧复合体;2.硼氧复合体的缺陷可以经低温（200℃左右）热处理予以消除.3.避免该复合体产生的新技术新想法:

①利用低氧单晶硅如区熔单晶硅或磁控直拉单晶硅（MCZ）;②利用n型单晶硅;③利用镓代替硼掺杂制备p型单晶硅.

58.简述利用光电导衰减法测量硅的少数载流子的原理。

答:

无光照射时样品中高频电流：

i=Imsinwt（w-高频源角频率）当样品受到光照射时，样品受光照射时，样品受光激发，产生非平衡载流子，

电导率增加，样品的电阻减小

59.引入位错的主要途径？

答:

直拉单晶硅中位错引入的主要途径:

①在晶体硅生长时，由于籽晶的热冲击，会在晶体中引入原生位错;

②在晶体滚圆、切片等加工工艺中，由于硅片表面存在机械损伤层，也会引入位错，在随后的热加工过程中，也可能延伸进入硅片体内;

③是热应力引入位错，这是由于在硅片的热加工过程中，由于硅片中心部位和边缘温度的不均匀分布，有可能导致位错的产生。

60.晶体硅中位错对太阳电池的影响主要是哪几个方面？

答:

载流子浓度、少数载流子寿命、载流子的迁移率、p-n结的影响

61.简述硅电池片制作工艺，说明每步的目的，原理，控制因素及提高太阳能电池效率的途径？

答：

制作工艺：

p型硅片-清洗制绒-扩散制结（p-n结）-去周边层-去PSG（磷硅玻璃）-镀减反射膜-印刷电极-高温烧结-检测-分选-入库包装。

１．目的：

1清洗制绒：

为了在硅片上获得绒面结构，利用陷光原理，增加光透性，减少光的反射，提高ISC;增加光的吸收率，去除损伤层，增加PN结面积（PN结厚，VOC增加，Eg宽）。

2扩散制结（p-n结）:

在P型硅表面，通过扩散P原子构成p-n结。

3去周边层：

清除扩散制结形成的N型周边层。

4去PSG（磷硅玻璃）：

清除扩散制结过程表面的PSG层。

5镀减反射膜：

减少电池表面太阳光的反射。

6印刷电极：

形成良好的电极接触。

7高温烧结：

干燥硅片上的浆料，燃尽浆料的有机组分，使浆料和硅片形成良好的欧姆接触。

2．原理：

①清洗制绒：

•碱制绒原理：

2NaoH+H2o+Si=Na2Sio3+2H2or

2KoH+H2o+Si=K2Sio3+2H2

•酸性制绒原理：

Si+4HNO3=SiO2+4NO2+2H2O

SiO2+4HF=SiF4+2H2O

SiF4+2HF=H2[SiF6]

②扩散制结（p-n结）:

若氧气充足：

5POCl3=P2O5+3PCl5

▪在有氧气的存在时，POCl3热分解的反应式为：

4POCl3+3O2=2P2O5+Cl3

P2O5+5Si=5SiO2+4P

③去周边层：

等离子体刻蚀的基本原理：

1在低压下，反应气体在射频功率的激发下，产生电离并形成等离子体，等离子体是由带电的电子和离子组成，反应腔体中的气体在电子的撞击下，除了转变成离子外，还能吸收能量并形成大量的活性基团，其电离反应式一般为：

A2→A+A++E（A2-电离气体A-化学性质很活泼的自由基A+-为正离子E-电子2自由基和被刻蚀材料之间的化学反应对材料产生腐蚀作用3反应生成挥发性极强的气体脱离被刻蚀物质表面，并被真空系统抽出腔体。

④减反射膜的基本原理：

利用光在减反射膜上、下表面反射所产生的光程差，使得两束反射光干涉想消，从而减弱反射，增加透射。

⑤印刷电极：

利用丝网图形部分网孔透浆料，非图文部分网孔不透浆料的基本原理进行印刷。

6高温烧结：

银浆，银铝浆，铝浆印刷过的硅片，经过烘干使有机溶剂完全挥发，膜层收缩成为固状物紧密物黏附在硅片上，此时金属电极材料层和硅片接触在一起，即烧结。

3．控制因素：

①清洗制绒：

T,V,C,t（Sc-si）T,t（Poly-si）

②扩散制结（p-n结）:

T,C,t

③去周边层：

C

④去PSG（磷硅玻璃）：

T,t,C

⑤减反射膜的基本原理：

T,t,C,密度

⑥印刷电极：

T,t

⑦高温烧结：

T,t

4.提高太阳能电池效率的途径

①要使太阳能电池的转换效率提高，必须提高开路电压、短路电流、填充因子；

①要获得较高的短路电流Isc，太阳能电池有源材料和太阳能电池结构应在紫外光、可见光和近红外光的光谱范围上，有较高、较宽和较平坦的光谱响应，內量子效率应接近于1；

②要获得较高的开路电压Voc，太阳能电池内部必须正向暗电流I0较低而并联电阻Rsh较高；

③要获得较高的填充因子FF,太阳能电池必须正向暗电流I0较低，理想因子“n”接近于1，串联电阻Rs必须较低（1C㎡的太阳能电池面积应该使Rs<1欧），而并联电阻Rsh必须较高（>104欧．cm2）

②入射光的有效利用，通过减反射膜减少表面反射，表面材料进行刻蚀，进行光封装；

③采用聚光系统，增加光的辐照度，即聚光太阳能电池;

④利用新型的太阳能电池结构

⑤光生载流子收集效率的改善，背电场、超晶格的利用；

⑥光生成载流子复合损失的减少，光生活性层的膜质改善，结界面的复合抑制；

⑦直接电阻（串联电阻）损失的减少，透明电极的低电阻化，集电极的最佳化；

⑧电压因子损失的减少。

背电场漂移型光电效率的利用。

62.简述单晶硅与多晶硅的制作工艺流程，谈谈各自的影响因素与改进措施？

答：

1.单晶硅：

多晶硅的装料→熔化→种晶→缩颈→放肩→收尾

多晶硅：

2.影响因素：

.单晶硅：

温度、浓度、时间、位置多晶硅：

温度、浓度、时间、位置

3.改进措施：

对于单晶硅而言，采用新型直拉单晶硅的生长技术；对于多晶硅而言，采用电磁感应冷坩埚连续拉晶法。

65.铸造多晶硅的优点与缺点？

答：

优点：

是材料的利用率高、能耗小、制备成本低，而且其晶体生长简便，易于大尺寸生长。

缺点：

是含有晶界、高密度的位错、微缺陷和相对较高的杂质浓度，其晶体的质量明显低于单晶硅，从而降低了太阳电池的光电转换效率。

66.铸造多晶硅的主要制备工艺？

答：

①浇铸法；②直熔法。

67.简述浇铸法的工作原理和基本原理？

答：

工作原理：

在制备多晶硅时，首先将多晶硅的原料在预熔坩埚内熔化，然后硅熔体逐步流入到下部的凝固坩埚，通过控制凝固坩埚的加热设备，使得凝固坩埚的底部温度最低，从而硅熔体在凝固坩埚底部开始逐渐结晶。

结晶时始终控制固液界面的温度梯度，保证固液界面自底部向上部逐渐平行上升，最终达到所有的熔体结晶。

基本原理：

在一个坩埚内将硅原料溶化，然后浇铸在另一个经过预热的坩埚内冷却，通过控制冷却速率，采用定向凝固技术制备大晶粒的铸造多晶硅。

68.简述直熔法的工作原理和基本原理？

答：

工作原理：

硅原材料首先在坩埚中熔化，坩埚周围的加热器保持坩埚上部温度的同时，自坩埚的底部开始逐渐降温，从而使坩埚底部的熔体首先结晶。

同样的，通过保持固液界面在同一水平面并逐渐上升。

使得整个熔体结晶为晶锭。

在这种制备方法中，硅原材料的熔化和结晶都在同一个坩埚中进行。

基本原理：

直接熔融定向凝固法，简称直熔法，又称布里奇曼法，即在坩埚内直接将多晶硅溶化，然后通过坩埚底部的热交换等方式，使得熔体冷却，采用定向凝固技术制造多晶硅，所以，也有人称这种方法为热交换法（HeatExchangeMethod，HEM）。

69.铸造多晶硅的原材料是如何选择的？

答：

选用半导体级的高纯多晶硅和微电子工业用单晶硅生产的剩余料（质量相对较差的高纯硅、单晶硅棒的头尾料、单晶硅生长完成后剩余在石英坩埚中的硅底料）为最好。

70.简述直熔法制备铸造多晶硅的具体工艺？

答：

装料→加热→化料→晶体生长→退火→冷却。

71.铸造多晶硅中需要解决的主要问题

①尽量均匀的固液界面温度；

②尽量小的热应力；

③尽量大的晶粒；

④尽可能少的来自于坩埚的污染。

72在铸造多晶硅中，防止温度梯度的方法

①铸造多晶硅在生长时，生长系统必须很好的隔热，以便保持熔区温度的均匀性，没有较大的温度梯度出现。

②保证在晶体部分凝固、熔体体积减小后，

温度没有变化。

73.铸造多晶硅中有哪些杂质，杂质的来源、存在形式？

答：

杂质：

⑴主要杂质O和C

⑵其它杂质N和H

⑶金属杂质Cu、Fe、Cr、Zn、Ag、B、Co等。

来源：

O：

一是来自于原材料，因为铸造多晶硅的原料是微电子工业的头尾料、锅底料等，本身就含有一定量的氧杂质。

二是来自于晶体生长过程

C：

1.原材料中的C含量可能比较高；2.在晶体制备过程中由于石墨坩埚或石墨加热器的蒸发，使C杂质进入晶体硅中。

N：

来源于表面涂层Si3N4

H：

来源于保护气体而成为杂质

金属杂质：

器件加工过程中，过渡金属

存在形式：

C：

替位态O：

间隙态、氧沉淀、复合体N：

氮对H：

复合体、悬挂键

74铸造多晶硅中金属杂质的吸杂工艺有磷吸杂和铝吸杂（这两种吸杂都属于外吸杂）；磷吸杂和铝吸杂的影响因素有温度、时间、间隙、替位态、原生硅片的缺陷密度。

··

75.带硅主要生长技术

①边缘限制薄膜带硅生长技术（EFG）

②线牵引带硅生长技术（SRG）

③枝网带硅工艺（DWG）

④衬底上的带硅生长技术（RGS）

⑤工艺粉末带硅生长技术（SSP）

78.简述多晶硅薄膜，划分；制备途径；常用技术；特点；缺陷杂质？

多晶硅薄膜:

所谓的多晶硅（poly-Si）薄膜材料是指在玻璃、陶瓷、廉价硅等低成本衬底上，通过化学气相沉积等技术，制备成一定厚度的多晶硅薄膜。

划分；①晶粒较大，完全由多晶硅颗粒组成；

②由部分晶化、晶粒细小的多晶硅镶嵌在非晶硅中组成。

制备途径:

①通过化学气相沉积等技术，在一定的衬底材料上直接制备；

②首先制备非晶硅薄膜，然后通过固相晶化、激光晶化和快速热处理晶化等技术，将非晶硅薄膜晶化成多晶硅薄膜

常用技术:

真空蒸发、溅射、电化学沉积、化学气相沉积、液相外延和分子束外延

特点:

1.晶粒大小的不一；2.具有晶体硅的基本性质；3.低成本，制备简单，可以大面积制备

缺陷：

晶界、位错、点缺陷

主要杂质：

H（作用1.钝化晶界和位错的悬挂键；2.可以钝化与氧相关的施主态或其他金属杂质引入的能级；）其它杂质C、O、金属杂质

79.一步工艺法：

是指通过化学气相沉积等技术，在一定的衬底材料上直接制备；

两部工艺法：

是指首先制备非晶硅薄膜，然后通过固相晶化、激光晶化和快速热处理晶化等技术，将非晶硅薄膜晶化成多晶硅薄膜。

1、  什么叫光学大气质量？

大气质量为1.5时，其天顶角为多少？

 答：

晴天，决定总入射功率的最重要的参数是光线通过大气层的路程。

太阳在头顶正上方时，路程最短。

实际路程和此最短路程之比称为光学大气质量。

大气质量为1.5时，其天顶角为48.2度。

2、  太阳电池的光谱响应的意义是什么？

请简答光谱响应的大小取决于哪两个因素？

答：

太阳电池的光谱响应是指一定量的单色光照到太阳电池上，产生的光生载流子被收集后形成的光生电流的大小。

因此，它不仅取决于光量子的产额，而且取决于收集效率。

3、  请简述太阳能光伏发电系统对蓄电池的基本要求。

答：

蓄电池的功能是储存太阳能电池方阵受光照时发出电能并可随着向负载供电。

太阳能光伏发电系统对蓄电池的基本要求：

①自放电率低；②使用寿命长；③深放电能力强；④充电效率高；⑤少维护或免维护；⑥工作温度范围宽；⑦价格低廉。

4、  充放电控制器在光伏系统中的作用是什么？

答：

充放电控制器是太阳能独立光伏系统中至关重要的部件,其主要功能是对独立光伏系统中的储能元件－蓄电池进行充放电控制,以免蓄电池在使用过程中出现过充或过放的现象,影响蓄电池寿命,从而提高系统的可靠性。

5、  请简述太阳能光伏发电系统竣工技术文件包括哪些？

答：

太阳能工程在安装调试完成后，竣工技术文件应包含以下内容：

a安装工程量总表

b工程说明

c测试记录

d竣工图纸

e竣工检验记录

f工程量