电子设计基础关键元器件篇二二极管.docx
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电子设计基础关键元器件篇二二极管
电子设计基础关键元器件篇
（二）：
二极管
二极管又称晶体二极管，简称二极管（diode），另外，还有早期的真空电子二极管；它是一种具有单向传导电流的电子器件。
在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。
一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。
在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。
当外加电压等于零时，由于p-n结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。
常见二极管图示
一、概述
二极管的符号为
。
半导体是一种具有特殊性质的物质，它不像导体一样能够完全导电，又不像绝缘体那样不能导电，它介于两者之间，所以称为半导体。
半导体最重要的两种元素是硅（读“guī”）和锗（读“zhě”）。
我们常听说的美国硅谷，就是因为那里有好多家半导体厂商。
二极管应该算是半导体器件家族中的元老了。
很久以前，人们热衷于装配一种矿石收音机来收听无线电广播，这种矿石后来就被做成了晶体二极管。
二极管最明显的性质就是它的单向导电特性，就是说电流只能从一边过去，却不能从另一边过来（从正极流向负极）。
我们用万用表来对常见的1N4001型硅整流二极管进行测量，红表笔接二极管的负极，黑表笔接二极管的正极时，表针会动，说明它能够导电；然后将黑表笔接二极管负极，红表笔接二极管正极，这时万用表的表针根本不动或者只偏转一点点，说明导电不良（万用表里面，黑表笔接的是内部电池的正极）。
常见的几种二极管中有玻璃封装的、塑料封装的和金属封装的等几种。
像它的名字，二极管有两个电极，并且分为正负极，一般把极性标示在二极管的外壳上。
大多数用一个不同颜色的环来表示负极，有的直接标上“—”号。
大功率二极管多采用金属封装，并且有个螺母以便固定在散热器上。
1二极管的工作原理
二极管实物
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。
当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。
当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。
当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。
p-n结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
2半导体分立元器件命名方法
利用二极管单向导电的特性，常用二极管作整流器，把交流电变为直流电，即只让交流电的正半周（或负半周）通过，再用电容器滤波形成平滑的直流。
事实上好多电器的电源部分都是这样的。
二极管也用来做检波器，把高频信号中的有用信号“检出来”，老式收音机中会有一个“检波二极管”，一般用2AP9型锗管。
二、二极管的特性
1正向性
外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场得阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。
这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。
当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管导通，电流随电压增大而迅速上升。
在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。
2二极管的反向特性
外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流，由于反向电流很小，二极管处于截止状态。
这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。
3击穿
外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种形象称为电击穿。
引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。
电击穿时二极管失去单向导电性。
如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。
因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。
二极管是一种具有单向导电的二端器件，有电子二极管和晶体二极管之分，电子二极管现已很少见到，比较常见和常用的多是晶体二极管。
二极管的单向导电特性，几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。
二极管的管压降：
硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。
主要有三种颜色，具体压降参考值如下：
红色发光二极管的压降为2.0--2.2V，黄色发光二极管的压降为1.8—2.0V，绿色发光二极管的压降为3.0—3.2V，正常发光时的额定电流约为20mA。
二极管的电压与电流不是线性关系，所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。
4二极管的反向击穿
齐纳击穿 反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。
在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。
如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。
雪崩击穿 另一种击穿为雪崩击穿。
当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。
新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。
无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结永久性损坏。
3二极管电路及其分析方法
理想二极管的V–I特性如图a，虚线为实际二极管的V–I特性。
图b为其代表符号。
理想二极管在正向偏置时，其管压降为0V，反向偏置时，它的电阻为无穷大，电流为零。
恒压型V-I特性如图所示。
当二极管导通后，其管压降认为恒定不随电流而变（硅管典型值为0.7V）。
此模型提供了合理的近似，因此应用较广。
使用时只有当二极管的电流iD近似等于或大于1mA时才是正确的。
3.1二极管折线模型
对恒压降模型作一定的修正，认为二极管的管压降是随着通过二极管电流的增加而增加的即得二极管折线模型。
在模型中用一个电池和一个电阻rD来作进一步的近似。
电池的电压为二极管的门坎电压Vth（约为0.5V）。
当二极管的导通电流为1mA时，管压降为0.7V时
二极管折线模型如下图所示。
3.2小信号模型
二极管小信号模型如上图所示。
如二极管在静态工作点Q（vD=VD，iD=ID）附近工作，则可把V-I特性看成为一条直线，其斜率的倒数就是所要求的小信号模型的微变电阻rd。
rd=dvD/diD
rd的数值还可从二极管的V-I特性表达式导出。
（1）
取iD对vD的微分，可得微变电导
由此可得
（当T=300K时）
例如，当Q点上的ID=2mA时，rd=26mV/2mV=13W。
值得注意的是，式
（1）是二极管正向V-I特性一个很好的模型，称之为指数模型。
利用它并根据数学迭代原理，可以较准确地分析二极管电路。
如借助PSPICE程序，指数模型更便于使用。
4特殊二极管
稳压管的杂质浓度较大，空间电荷区很窄，容易形成强电场。
产生反向击穿时反向电流急增，如图b的特性所示。
稳压管的稳压作用在于，电流增量很大，只引起很小的电压变化。
在稳压管稳压电路中一般都加限流电阻R，使稳压管电流工作在IZmax和IZmix的范围。
齐纳二极管又称稳压管，是一种用特殊工艺制造的面结型硅半导体二极管，其代表符号如图a所示。
前已提及，这种管子的杂质浓度比较大，空间电荷区内的电荷密度也大，因而该区域很窄，容易形成强电场。
当反向电压加到某一定值时，反向电流急增，产生反向击穿，如图b的特性所示。
图中的VZ表示反向击穿电压，即稳压管的稳定电压。
稳压管的稳压作用在于，电流增量DIZ很大，只引起很小的电压变化DVZ。
曲线愈陡，动态电阻rz=DVZ/DIZ愈小，稳压管的稳压性能愈好。
一般地说，VZ为8V左右的稳压管的动态电阻较小，低于这个电压的，rZ随齐纳电压的下降迅速增加，因而低压稳压管的稳压性能较差。
稳压管的稳定电压VZ，低的为3V，高的可达300V，它的正向压降约为0.6V。
在稳压管稳压电路中一般都加限流电阻R，使稳压管电流工作在IZmax和IZmix的范围。
稳压管在应用中要采取适当的措施限制通过管子的电流，以保证管子不会因过热而烧坏。
4.1并联式稳压电路
稳压电路如图所示。
该电路能够稳定输出电压，当V1或RL变化时，电路能自动地调整IZ的大小，以改变R上的压降IRR，达到使输出电压V0（VZ）基本恒定的目的。
例如，当VI恒定而RL减小时，将产生如下的自动调整过程：
RL¯®IO®IR®VO¯®IZ¯®IR¯
VO
VO能基本维持恒定。
稳压管在直流稳压电源中获得广泛的应用。
稳压电路如图所示。
图中DZ为稳压管，R为限流电阻的作用是使电路有一个合适的工作状态。
因负载RL与稳压管两端并接，故称为并联式稳压电路。
该电路之所以能够稳定输出电压，在于当稳定电流IZ有较大幅度的变化DIZ时，而稳定电压的变化DVZ却很小。
这样，当V1或RL变化时，电路能自动地调整IZ的大小，以改变R上的压降IRR，达到维持输出电压V0（VZ）基本恒定的目的。
例如，当VI恒定而RL减小时，将产生如下的自动调整过程：
RL¯®IO®IR®VO¯®IZ¯®IR¯
VO
可见VO能基本维持恒定。
同理，亦可分析当RL增大时，亦可得出Vo基本维持恒定的结论。
二极管结电容的大小除了与本身结构和工艺有关外，还与外加电压有关。
结电容随反向电压的增加而减小，这种效应显著的二极管称为变容二极管。
图a为变容二极管的代表符号，图b是变容二极管的特性曲线。
不同型号的管子，其电容最大值可能是5~300pF。
最大电容与最小电容之比约为5:
1。
变容二极管在高频技术中应用较多。
三、二极管的应用
1、整流二极管 利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。
2、开关元件 二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。
利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。
3、限幅元件 二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。
利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。
4、继流二极管 在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起继流作用。
5、检波二极管 在收音机中起检波作用。
6、变容二极管 使用于电视机的高频头中。
7、显示元件 用于VCD、DVD、计算器等显示器上。
8、稳压二极管 反向击穿电压恒定，且击穿后可恢复，利用这一特性可以实现稳压电路。
四、二极管的类型
二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。
根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。
按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。
点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。
由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。
面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。
平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。
贴片二极管
1根据构造分类
半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。
与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。
包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：
点接触型二极管
点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。
因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。
但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。
因为构造简单，所以价格便宜。
对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。
键型二极管
键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。
其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。
与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。
多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）。
在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。
合金型二极管
在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。
正向电压降小，适于大电流整流。
因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。
扩散型二极管
在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。
因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。
最近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。
台面型二极管
PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。
其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。
初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。
因此，又把这种台面型称为扩散台面型。
对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。
平面型二极管
在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。
因此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。
由于半导体表面被制作得平整，故而得名。
并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。
最初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。
对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。
合金扩散型二极管
它是合金型的一种。
合金材料是容易被扩散的材料。
把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质，就能与合金一起过扩散，以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。
此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。
外延型二极管
用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。
制造时需要非常高超的技术。
因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。
肖特基二极管
基本原理是：
在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。
肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。
其耐压程度只有40V左右。
其特长是：
开关速度非常快：
反向恢复时间trr特别地短。
因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。
2根据用途分类
1、检波用二极管 就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。
锗材料点接触型、工作频率可达400MHz，正向压降小，结电容小，检波效率高，频率特性好，为2AP型。
类似点触型那样检波用的二极管，除用于检波外，还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。
也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。
2、整流用二极管 就原理而言，从输入交流中得到输出的直流是整流。
以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流大于100mA的叫整流。
面结型，工作频率小于KHz，最高反向电压从25伏至3000伏分A～X共22档。
分类如下：
①硅半导体整流二极管2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③用于电视机高压硅堆工作频率近100KHz的2CLG型。
内部结构
3、限幅用二极管 大多数二极管能作为限幅使用。
也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。
为了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用，通常使用硅材料制造的二极管。
也有这样的组件出售：
依据限制电压需要，把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体。
4、调制用二极管 通常指的是环形调制专用的二极管。
就是正向特性一致性好的四个二极管的组合件。
即使其它变容二极管也有调制用途，但它们通常是直接作为调频用。
5、混频用二极管 使用二极管混频方式时，在500～10，000Hz的频率范围内，多采用肖特基型和点接触型二极管。
6、放大用二极管用二极管放大，大致有依靠隧道二极管和体效应二极管那样的负阻性器件的放大，以及用变容二极管的参量放大。
因此，放大用二极管通常是指隧道二极管、体效应二极管和变容二极管。
7、开关用二极管 有在小电流下（10mA程度）使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二极管。
小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管，也有在高温下还可能工作的硅扩散型、台面型和平面型二极管。
开关二极管的特长是开关速度快。
而肖特基型二极管的开关时间特短，因而是理想的开关二极管。
2AK型点接触为中速开关电路用；2CK型平面接触为高速开关电路用；用于开关、限幅、钳位或检波等电路；肖特基（SBD）硅大电流开关，正向压降小，速度快、效率高。
8、变容二极管 用于自动频率控制（AFC）和调谐用的小功率二极管称变容二极管。
日本厂商方面也有其它许多叫法。
通过施加反向电压，使其PN结的静电容量发生变化。
因此，被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。
通常，虽然是采用硅的扩散型二极管，但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管，因为这些二极管对于电压而言，其静电容量的变化率特别大。
结电容随反向电压VR变化，取代可变电容，用作调谐回路、振荡电路、锁相环路，常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。
9、频率倍增用二极管 对二极管的频率倍增作用而言，有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃（即急变）二极管的频率倍增。
频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器，可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同，但电抗器的构造却能承受大功率。
阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管，从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短，因此，其特长是急速地变成关闭的转移时间显著地短。
如果对阶跃二极管施加正弦波，那么，因tt（转移时间）短，所以输出波形急骤地被夹断，故能产生很多高频谐波。
10、稳压二极管 是代替稳压电子二极管的产品。
被制作成为硅的扩散型或合金型。
是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管。
作为控制电压和标准电压使用而制作的。
二极管工作时的端电压（又称齐纳电压）从3V左右到150V，按每隔10%，能划分成许多等级。
在功率方面，也有从200mW至100W以上的产品。
工作在反向击穿状态，硅材料制作，动态电阻RZ很小，一般为2CW型；将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2DW型。
11、PIN型二极管（PINDiode） 这是在P区和N区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二极管。
PIN中的I是“本征”意义的英文略语。
当其工作频率超过100MHz时，由于少数载流子的存贮效应和“本征”层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。
在零偏置或直流反向偏置时，“本征”区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入“本征”区，而使“本征”区呈现出低阻抗状态。
因此，可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用。
它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中。
12、雪崩二极管（AvalancheDiode） 它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。
产生高频振荡的工作原理是栾的：
利用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越晶片需要一定的时间，所以其电流滞后于电压，出现延迟时间，若适当地控制渡越时间，那么，在电流和电压关系上就会出现负阻效应，从而产生高频振荡。
它常被应用于微波领域的振荡电路中。
13、江崎二极管（TunnelDiode） 它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。
其基底材料是砷化镓和锗。
其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。
隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。
发生隧道效应具备如下三个条件：
①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。
江崎二极管为双端子有源器件。
其主要参数有峰谷电流比（IP/PV），其中，下标“P”代表“峰”；而下标“V”代表“谷”。
江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中。
14、快速关断（阶跃恢复）二极管（StepRecovaryDiode） 它也是一种具有PN结的二极管。
其结构上的特点是：
在PN结边界处具有陡峭的杂质分布区，从而形成“自助电场”。
由于PN结在正向偏压下，以少数载流子导电，并在PN结附近具有电荷存贮效应，使其反向电流需要经历一个“存贮时间”后才能降至最小值（反向饱和电流值）。
阶跃恢复二极管的“自助电场”缩短了存贮时间，使反向电流快速截止，并产生丰富的谐波分量。
利用这些谐波分量可设计出梳状频谱发生电路。
快速关断（阶跃恢复）二极管用于脉冲和高次谐波电路中。
15、肖特基二极管（SchottkyBarrierDiode）
二极管电路
它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。
其正向起始电压较低。
其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。
其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。
这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。
由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。
其工作频率可达100GHz。
并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
16、阻尼二极管 具有较高的反向工作电压和峰值电流，正向压降小，高频高压整流二极管，用在电视机行扫描电路作阻尼和升压整流用。
17、瞬变电压抑制二极管 TVP管，对电路进行快速过压保护，分双极型和单极型两种，按峰值功率（500W－5000W）和电压（8.2V～200V）分类。
18、双基极二极管（单结晶体管） 两个基极，一个发射极的三端负阻器件，用于张驰振荡电路，定时电压读出电路中，它具有频率易调、温度稳定性好等优点。
19、发光二极管 用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小，正向驱动发光。
工作电压低，工作电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。
20.、硅功率开关二极管 硅功率开关二极管具有高速导通与截止的能力。
它主要用于大功率开关或稳压电路、直流变换器、高速电机调速及在驱动电路中作高频整流及续
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