DS18B20数据手册中文版.docx

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DS18B20数据手册中文版

DS18B20数据手册-中文版

概述

DS18B20数字温度传感器提供9-Bit到12-Bit的摄氏温度测量精度和一个用户可编程的非易失性且具有过温和低温触发报警的报警功能。

DS18B20采用的1-Wire通信即仅采用一个数据线（以及地）与微控制器进行通信。

该传感器的温度检测范围为-55℃至+125℃，并且在温度范围超过-10℃至85℃之外时还具有+-0.5℃的精度。

此外，DS18B20可以直接由数据线供电而不需要外部电源供电。

每片DS18B20都有一个独一无二的64位序列号，所以一个1-Wire总线上可连接多个DS18B20设备。

因此，在一个分布式的大环境里用一个微控制器控制多个DS18B20是非常简单的。

这些特征使得其在HVAC环境控制，在建筑、设备及机械的温度监控系统，以及温度过程控制系统中有着很大的优势。

特性

·独特的1-Wire总线接口仅需要一个管脚来通信。

·每个设备的内部ROM上都烧写了一个独一无二的64位序列号。

·多路采集能力使得分布式温度采集应用更加简单。

·无需外围元件。

·能够采用数据线供电；供电范围为3.0V至5.5V。

·温度可测量范围为：

-55℃至+125℃（-67℉至+257℉）。

·温度范围超过-10℃至85℃之外时具有+-0.5℃的精度。

·内部温度采集精度可以由用户自定义为9-Bits至12-Bits。

DS18B20分辨率可编程

1-Wire数字温度传感器

·温度转换时间在转换精度为12-Bits时达到最大值750ms。

·用户自定义非易失性的的温度报警设置。

·定义了温度报警搜索命令和当温度超过用户自定义的设定值时。

·可选择的8-PinSO（150mils）,8-PinμSOP，及3-PinTO-92封装。

·与DS1822程序兼容。

·应用于温度控制系统，工业系统，民用产品，温度传感器，或者任何温度检测系统中。

管脚定义图

定义的。

若为10位转换精度，则bit1和bit0为未定义的。

若为9位转换精度，则bit2、bit1和bit0为未定义的。

表格1为在12位转换精度下温度输出数据与相对应温度之间的关系表。

图2温度寄存器格式

表格1温度/数据对应关系

*上电复位时温度寄存器中的值为+85℃。

说明-温度报警

当DS18B20完成一次温度转换后，该温度转换值将会与用户定义的温度报警TH和TL寄存器（详见图3）中的值进行比较。

符号标志位（S）温度的正负极性：

正数则S=0，负数则S=1。

过温和低温（TH和TL）温度报警寄存器是非易失性的（EEPROM），所以其可以在设备断电的情况下保存。

过温和低温（TH和TL）温度报警寄存器在“寄存器”章节中可以解释为暂存寄存器的第2、3个字节。

图3过温和低温（TH和TL）温度报警寄存器

因为过温和低温（TH和TL）温度报警寄存器是一个8位的寄存器，所以在于其比较时温度寄存器的4位至11位才是有效的数据。

如果温度转换数据小于或等于TL及大于或等于TH，DS18B20内部的报警标志位将会被置位。

该标志位在每次温度转换之后都会更新，因此，如报警控制消失，该标志位在温度转换之后将会关闭。

主设备可以通过报警查询命令[Che]查询该总线上的DS18B20设备的报警标志位。

任何一个报警标志位已经置位的DS18B20设备都会响应该命令，因此，主设备可以确定到底哪个DS18B20设备存在温度报警。

如果温度报警存在，并且过温和低温（TH和TL）温度报警寄存器已经被改变，则下一个温度转换值必须验证其温度报警标志位。

DS18B20的供电

DS18B20可以通过DVD引脚由外部供电，或者可以由“寄生电源”供电，这使得DS18B20可以不采用当地的外部电源供电而实现其功能。

“寄生电源”供电方式在远程温度检测或空间比较有限制的地方有很大的应用。

图1展示的就是DS18B20的“寄生电源”控制电路，其由DQ口拉高时向其供电。

总线拉高的时候为内部电容（Cpp）充电，当总线拉低是由该电容向设备供电。

当DS18B20为“寄生电源”供电模式时，该VDD引脚必须连接到地。

在“寄生电源”供电模式下，只要工作在指定的时序下，则该1-Wire总线和Cpp可以提供给DS18B20足够的电流来完成各种工作以及满足供电电压（详见“交/直流电气特性”）。

然而，当DS18B20正在进行温度转换或正将暂存寄存器中的值拷贝至EEPROM时，其工作电流将会高至1.5mA。

通过1-Wire总线上的上拉电阻提供的电流将会引起不可接受的电压跌落，同时将会有很大部分电流由Cpp提供。

为了保证DS18B20有足够的电流供应，有必要在1-Wire总线上提供一个强有力的上拉，不管此时在进行温度转换还是正将暂存寄存器中的值拷贝至EEPROM中。

图4中所示的由一个MOSFET直接将总线拉至高电平能够很好的实现。

值得注意的是，1-Wire总线必须在温度转换命令[44h]或暂存寄存器拷贝命令[48h]下达10uS后提供一个强有力的上拉，同时在整个温度转换期间（Tconv）或数据传送（Twr=10ms）期间总线必须一直强制拉高。

当强制拉高时该1-Wire总线上不允许有任何其他动作。

当然，DS18B20也可以采用常规的通过外部电源连接至VDD引脚的供电方式，如图5所示。

这种供电方式具有不需要上拉的MOSFET、该1-Wire总线在温度转换期间可执行其他动作的优点。

“寄生电源”供电方式在温度超过+100℃时不推荐使用，因为在超过该温度下时将会有很大的漏电流导致不能进行正常的通信。

实际应用中，在类似的温度状态下强烈推荐该DS18B20由外部供电电源供电。

在某些情况下，总线上的主设备可能不知道连接到该总线上的DS18B20是由“寄生电源”供电还是由外部电源供电。

此时该主设备就需要得到一些信息来决定在温度转换期间是否要强制拉高。

为了得到这些信息，主设备可以在发送一个跳过ROM命令[CCh]之后再发送一个读取供电方式命令[B4h]再紧跟一个“读取数据时序”。

在读取数据时序中，“寄生电源”供电方式的DS18B20将会将总线拉低，但是，由外部供电方式的DS18B20将会让该总线继续保持高。

所以，如果总线被拉低，主设备就必须要在温度转换期间将总线强制拉高。

图4“寄生电源”供电方式

图5外部电源供电方式

64位光刻ROM编码

每片DS18B20的片内ROM中都存有一个独一无二的64位的编码。

在该内ROM编码的低8位保存有DS18B20的分类编码：

28h。

中间的48位保存有独一无二的序列号。

最高8位保存片内ROM中前56位的循环冗余校验（CRC）值。

更加详细的在“1-Wire总线系统”章节该64位ROM编码及相关的ROM功能控制逻辑允许DS18B20作为1-Wire总线协议上的设备。

64位光刻ROM编码

存储器

DS18B20的存储器组织结构如图7所示。

该存储器包含了SRAM暂存寄存器和存储着过温和低温（TH和TL）温度报警寄存器及配置寄存器的非易失性EEPROM。

值得注意的是当DS18B20的温度报警功能没有用到的时候，过温和低温（TH和TL）温度报警寄存器可以当做通用功能的存储单元。

所有的存储命令在“DS18B20功能命令”章节有详细描述。

暂存寄存器中的Byte0和Byte1分别作为温度寄存器的低字节和高字节。

同时这两个字节是只读的。

Byte2和Byte3作为过温和低温（TH和TL）温度报警寄存器。

Byte4保存着配置寄存器的数据，详见“配置寄存器”章节。

Byte5、6、7作为内部使用的字节而保留使用，不可被写入。

暂存寄存器的Byte8为只读字节，其中存储着该暂存寄存器中Byte0至Byte7的循环冗余校验（CRC）值。

DS18B20计算该循环冗余校验（CRC）值的方法在“循环冗余校验（CRC）计算”章节中有详细描述。

使用写暂存寄存器命令[4Eh]才能将数据写入Byte2、3、4中；这些写入DS18B20中的数据必须从Byte2中最低位开始。

为了验证写入数据的完整性，该暂存寄存器可以在写入后再读出来（采用读暂存寄存器命令[BEh]）。

当从暂存寄存器中读数据时，从1-Wire总线传送的数据是以Byte0的最低位开始的。

为了将暂存寄存器中的过温和低温（TH和TL）温度报警值及配置寄存器数据转移至EEPROM中，主设备必须采用拷贝暂存寄存器命令[48h]。

在EEPROM寄存器中的数据在设备断电后是不会丢失的；在设备上电后EEPROM的值将会重新装载至相对应的暂存寄存器中。

当然，在任何其他时刻EEPROM寄存器中的数据也可以通过重新装载EEPROM命令[B8h]将数据装载至暂存寄存器中。

主设备可以在产生读时序后，紧跟着发送重新装载EEPROM命令，则如果DS18B20正在进行重新装载将会响应0电平，若重新装载已经完成则会响应1电平。

DS18B20存储器图

配置寄存器

暂存寄存器中的Byte4包含着配置寄存器；如图8所示。

用户通过改变表2中R0和R1的值来配置DS18B20的分辨率。

上电默认为R0=1及R1=1（12位分辨率）。

需要注意的是，转换时间与分辨率之间是有制约关系的。

Bit7和Bit0至Bit4作为内部使用而保留使用，不可被写入。

图7配置寄存器

表2温度分辨率配置

循环冗余校验（CRC）计算

DS18B20的64位ROM编码的一部分和暂存寄存器的第9字节都为循环冗余校验（CRC）计算字节。

ROM编码的循环冗余校验（CRC）值是由ROM编码的低56位计算而来，并且该CRC计算值存储在ROM编码的最高8位。

暂存寄存器的CRC值是由存储在暂存寄存器中的值计算而来，故当暂存寄存器中的值发生改变后，该CRC值也会随之发生改变。

当总线上的主设备从DS18B20中读取数据时循环冗余校验（CRC）值给主设备提供一个数据验证码。

为了验证读取到的数据是正确的，主设备必须根据读取到的数据重新进行CRC计算，计算得到的值再与ROM编码CRC（从64位ROM中读取到的）或者暂存寄存器CRC（从暂存寄存器中读取到的）作比较。

如果主设备计算得到的CRC值与读取到的CRC值相匹配，则读取到的数据为正确的。

CRC计算值与读取值的比较以及是否执行下一个动作都是由总线上的主设备决定的。

如果主设备计算的CRC值与从DS18B20中（ROM或暂存寄存器）读取的CRC值不匹配，DS18B20内部没有任何电路能够阻止从主设备发送过来的命令。

CRC校验（ROM或暂存寄存器）的多项式等效公式为：

主设备可以根据图9中的多项式重新计算CRC值与从DS18B20中读取得到的值进行比较。

该电路包括有左移寄存器和异或门（XOR），并且左移寄存器初始状态为0。

从ROM编码的最低位或暂存寄存器的Byte0字节的最低位开始，每一步都必须有一位左移进入左移寄存器中。

当ROM编码中的第56位或暂存寄存器中Byte7字节的最高位左移后，该多项式计算式将会保存CRC校验值。

下一步，将从DS18B20中的ROM编码中或暂存寄存器中读取到的CRC校验值左移进入该计算式。

这些都完成后，如果重新计算的CRC值为正确的，则该计算式中的所有左移寄存器都会是0。

关于Maxim公司的1-Wire总线CRC校验的更多信息请参阅：

ApplicationNote27:

UnderstandingandUsingCyclicRedundancyCheckswithMaximiButtonProducts.

CRC计算式

1-Wire总线系统

1-Wire总线系统即一个总线主设备控制一个或多个从设备。

DS18B20始终是一个从设备。

当总线上只有一个从设备时，此系统被称为“单节点”系统；当总线上有多个从设备连接时，此系统被称之为“多节点”系统。

1-Wire总线上所有的命令或者数据的发送送都是遵循低位先发送的原则。

接下来关于1-Wire总线系统的描述将会分成三个部分：

硬件配置，事件序列和1-Wire总线信号（信号定义和时序）。

硬件配置

1-Wire总线被定义为仅有一根数据线。

每个设备（主设备或从设备）通过一个漏极开路或3态门引脚连接至数据线上。

这就允许每个设备“释放”数据线，当设备没有传递数据的时其他设备可以有效地使用数据线。

DS18B20的1-Wire总线接口（DQ引脚）是其内部电路组成的漏极开路（如图10所示）。

1-Wire总线需要一个5kΩ左右的外部上拉电阻；因此，1-Wire总线在闲置情况下是高电平。

如果因为任何原因一个事件需要被取消，且该事件要重新开始则该总线必须先进入闲置状态。

Infiniterecoverytimecanoccurbetweenbitssolongasthe1-Wirebusisintheinactive（high）stateduringtherecoveryperiod如果总线被拉低超过480uS，则该总线上的所有设备都会复位。

硬件配置

事件序列

访问DS18B20的事件序列如下所示：

第一步：

初始化

第二步：

ROM命令（紧跟任何数据交换请求）

第三步：

DS18B20功能命令（紧跟任何数据交换请求）

每次对DS18B20的访问都必须遵循这样的步骤来进行，如果这些步骤中的任何一个丢失或者没有执行，则DS18B20将不会响应。

除了ROM搜索命令[F0h]和报警搜索命令[ECh]之外。

当执行完这些ROM命令之后，主设备必须回到上述步骤中的第一步。

初始化

1-Wire总线上的所有事件都必须以初始化为开始。

初始化序列由总线上的主设备发出的复位脉冲以及紧跟着从设备回应的存在脉冲构成。

该回应脉冲让总线上的主设备知道在该总线上有从设备（例如DS18B20），并且已经准备好进行操作。

复位及存在脉冲时序详见“1-Wire信号”章节。

ROM命令

当总线上的主设备检测到了存在脉冲后，就可以执行ROM命令。

这些命令是对每个设备独一无二的64位ROM编码进行操作的，当总线上连接有多个设备时，可以通过这些命令识别各个设备。

这些命令同时也可以使主设备确定该总线上有多少个什么类型的设备或者有温度报警信号的设备。

总共包含有5种ROM命令，每个命令的长度都是8Bit。

主设备在执行DS18B20功能命令之前必须先执行一个适当的ROM命令。

ROM命令的执行流程图如图11所示。

搜索ROM[F0h]

当系统上电初始化后，主设备必须识别该总线上所有的从设备的ROM编码，这样就可以使得主设备确定总线上的从设备的类型及数量。

主设备学习ROM编码是一个清除的过程，则主设备要根据需要循环地发送搜索ROM[F0h]命令（搜索ROM命令跟随着数据交换）来确定总线上所有的从设备。

如果仅有一个从设备在该总线上，更加简单的读取ROM命令（下一段落有详解）可以代替搜索ROM的过程。

读取ROM[33h]

该命令在总线上仅有一个从设备时才能使用。

该命令使得总线上的主设备不需要搜索ROM命令过程就可以读取从设备的64位ROM编码。

当总线上有超过一个从设备时，若再发送该命令，则当所有从设备都会回应时，将会引起数据冲突。

匹配ROM[55h]

该匹配ROM命令之后跟随发送64位的ROM编码使得总线上的主设备能够匹配特定的从设备。

只有完全匹配该64位ROM编码的从设备才会响应总线上的主设备发出的功能命令；总线上的其他从设备将会等待下下一个复位脉冲。

跳过ROM[CCh]

主设备可以使用该命令来同时向总线上的所有从设备发送不要发送任何的ROM编码命令。

例如，主设备通过向总线上所有的DS18B20发送跳过ROM命令后再发送温度转换[44h]命令，则所有设备将会同时执行温度转。

需要注意的是，当总线上仅有一个从设备时，读取暂存寄存器[BEh]命令后面可以跟随跳过ROM命令。

在这种情况下，主设备可以读取从设备中的数据而不发送64位ROM编码。

当总线上有多个从设备时，若在跳过ROM命令后再发送读取暂存寄存器命令，则所有的从设备将会同时开始传送数据而导致总线上的数据冲突。

警报搜索[ECh]

该命令的操作与跳过ROM命令基本相同，但是不同的是只有警报标志置位的从设备才会响应。

该命令使得主设备确定在最近一次温度转换期间是否有DS18B20有温度报警。

当所有的报警搜索命令循环执行后，总线上的主设备必须回到事件序列中的第一步（初始化）。

详见“操作报警信号”章节。

DS18B20功能命令

当总线上的主设备通过ROM命令确定了哪个DS18B20能够进行通信时，主设备可以向其中一个DS18B20发送功能命令。

这些命令使得主设备可以向DS18B20的暂存寄存器写入或者读出数据，初始化温度转换及定义供电模式。

DS18B20的功能命令在下面详细描述，在表3中总结及图12中的流程图。

温度转换[44h]

该命令为初始化单次温度转换。

温度转换完后，温度转换的数据存储在暂存寄存器的2个字节长度的温度寄存器中，之后DS18B20恢复到低功耗的闲置状态。

如果该设备是采用的“寄生电源”供电模式，在该命令执行10uS（最大）后主设备在温度转换期间必须强制拉高数据线（“DS18B20的供电”章节所描述）。

如果该设备是采用的外部供电模式，主设备在温度转换命令之后可以执行读取数据时序，若DS18B20正在进行温度转换则会响应0电平，温度转换完成则响应1电平。

在“寄生电源”供电模式下，因为在整个温度转换期间总线都是强制拉高的状态，故不会有上述响应。

写入暂存寄存器[4Eh]

该命令使得主设备向DS18B20的暂存寄存器写入3个字节的数据。

第一个字节的数据写入TH寄存器（暂存寄存器的Byte2），第二个字节的数据写入TL寄存器（Byte3），第三个字节的数据写入配置寄存器（Byte4）。

所有的数据必须是以低位先发的原则。

所有的三个字节的数据在写入之前主设备必须先对从设备复位，否则数据将会损坏。

读取暂存寄存器[BEh]

该命令使得主设备可以读取暂存寄存器中存储的值。

数据从Byte0的低位开始传送直到第9个字节（Byte8-CRC）读取完毕。

主设备若只需要暂存寄存器中的部分数据，则可以在读取数据中通过复位来终止。

拷贝暂存寄存器[48h]

该命令为将暂存寄存器中的TH、TL及配置寄存器（Byte2，Byte3和Byte4）的值拷贝至EEPROM中。

如果该设备采用的“寄生电源”供电模式，在该命令发送后10us（最大）内主设备必须强制拉高1-Wire总线超过10ms。

如“DS18B20的供电”章节中详述。

召回EEPROM[B8h]

该命令将温度报警触发值（TH和TL）及配置寄存器的数据从EEPROM中召回至暂存寄存器中的Byte2，Byte3和Byte4中。

主设备可以在召回EEPROM命令之后执行读取数据时序，若DS18B20正在进行召回EEPROM则会响应0电平，召回EEPROM完成则响应1电平。

召回数据操作在上电初始化后会自动执行一次，所以设备在上电期间暂存寄存器中一直会有有效的数据。

读取供电模式[B4h]

主设备通过执行该命令之后再执行读取数据时序来确定总线上的DS18B20是否是由“寄生电源”供电。

在读取数据时序中，“寄生电源”供电的DS18B20将会拉低总线，外部电源独立供电模式的DS18B20则会释放总线让其保持在高电平。

更多详细请参阅“DS18B20的供电”章节

表3DS18B20的功能命令

图11ROM命令流程图

图12DS18B20功能命令流程图

1-Wire总线信号

DS18B20采用严谨的1-Wire总线通信协议来保证数据的完整性。

该协议定义多个信号形式：

复位脉冲，存在脉冲，写0，写1，读0，读1。

主设备执行除了存在脉冲外的所有其他信号。

初始化程序—复位和存在脉冲

与DS18B20所有的通信都是由初始化序列开始的，该序列包括从主设备发出的复位脉冲及从DS18B20响应的存在脉冲组成。

如图13所示。

当DS18B20响应复位信号的存在脉冲后，则其向主设备表明其在该总线上，并且已经做好操作命令。

在初始化序列期间，总线上的主设备通过拉低1-Wire总线超过480us来发送（TX）复位脉冲。

之后主设备释放总线而进入接收模式（RX）。

当总线释放后，5kΩ左右的上拉电阻将1-Wire总线拉至高电平。

当DS18B20检测到该上升边沿信号后，其等待15us至60us后通过将1-Wire总线拉低60us至240us来实现发送一个存在脉冲。

图13初始化时序

读/写时段

主设备通过写时段向DS18B20中写入数据，通过读时段从DS18B20中读取数据。

1-Wire总线上每一个读写时段只能传送一个位的数据。

写时段

写时段有两种情况：

“写1”时段和“写0”时段。

主设备通过写1时段来向DS18B20中写入逻辑1以及通过写0时段来向DS18B20中写入逻辑0。

每个写时段最小必须有60us的持续时间且独立的写时段间至少有1us的恢复时间。

两个写时段都是由主设备通过将1-Wire总线拉低来进行初始化（详见图14）。

为了形成写1时段，在将1-Wire总线拉低后，主设备必须在15us之内释放总线。

当总线释放后，5kΩ的上拉电阻将总线拉至高。

为了形成写0时段，在将1-Wire总线拉低后，在整个时段期间主设备必须一直拉低总线（至少60us）。

在主设备初始化写时段后，DS18B20将会在15us至60us的时间窗口内对总线进行采样。

如果总线在采样窗口期间是高电平，则逻辑1被写入DS18B20；若总线是低电平，则逻辑0被写入DS18B20。

图14读/写时段时序图

读时段

仅在读时段期间DS18B20才能向主设备传送数据。

因此，主设备在执行完读暂存寄存器[BEh]或读取供电模式[B4h]后，必须及时地生成读时段，这样DS18B20才能提供所需的数据。

此外，主设备可以在执行完转换温度[44h]或拷贝EEPROM[B8h]命令后生成读时段，以便获得在“DS18B20功能命令”章节中提到的操作信息。

每个读时段最小必须有60us的持续时间且独立的写时段间至少有1us的恢复时间。

读时段通过主设备将总线拉低超过1us再释放总线来实现初始化（见图14）。

当主设备初始化完读时段后，DS18B20将会向总线发送0或者1。

DS18B20通过将总线拉至高来发送逻辑1，将总线拉至低来发送逻辑0。

当发送完0后，DS18B20将会释放总线，则通过上拉电阻该总线将会恢复到高电平的闲置状态。

从DS18B20中输出的数据在初始化读时序后仅有15us的有效时间。

因此，主设备在开始改读时段后的15us之内必须释放总线，并且对总线进行采样。

图15读时段中的Tint，Trc及Tsample必须小于15us。

图16显示系统的时序正确保证即是保持Tinit和Trc尽可能的短，同时主设备必须在读时段开始15us时间内采样。