常用场效应管型号参数管脚识别及检测表.docx
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常用场效应管型号参数管脚识别及检测表
常用场效应管型号参数管脚识别及检测表
场效应管管脚识别
场效应管的检测和使用
场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别
（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
具体方法：
将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。
也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏
测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
具体方法：
首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。
然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。
要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。
（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力
具体方法：
用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。
然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。
这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。
如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管是坏的。
根据上述方法，我们用万用表的R×100档，测结型场效应管3DJ2F。
先将管的Ｇ极开路，测得漏源电阻RDS为600Ω，用手捏住Ｇ极后，表针向左摆动，指示的电阻RDS为12kΩ，表针摆动的幅度较大，说明该管是好的，并有较大的放大能力。
运用这种方法时要说明几点：
首先，在测试场效应管用手捏住栅极时，万用表针可能向右摆动（电阻值减小），也可能向左摆动（电阻值增加）。
这是由于人体感应的交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同（或者工作在饱和区或者在不饱和区）所致，试验表明，多数管的RDS增大，即表针向左摆动；少数管的RDS减小，使表针向右摆动。
但无论表针摆动方向如何，只要表针摆动幅度较大，就说明管有较大的放大能力。
第二，此方法对MOS场效应管也适用。
但要注意，MOS场效应管的输人电阻高，栅极Ｇ允许的感应电压不应过高，所以不要直接用手去捏栅极，必须用于握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极，引起栅极击穿。
第三，每次测量完毕，应当G-S极间短路一下。
这是因为G-S结电容上会充有少量电荷，建立起ＶGＳ电压，造成再进行测量时表针可能不动，只有将G-S极间电荷短路放掉才行。
（4）用测电阻法判别无标志的场效应管
首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极Ｓ和漏极Ｄ，余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。
把先用两表笔测的源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻值记下来，对调表笔再测量一次，把其测得电阻值记下来，两次测得阻值较大的一次，黑表笔所接的电极为漏极Ｄ；红表笔所接的为源极Ｓ。
用这种方法判别出来的Ｓ、Ｄ极，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证，即放大能力大的黑表笔所接的是Ｄ极；红表笔所接地是８极，两种方法检测结果均应一样。
当确定了漏极Ｄ、源极Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的对应位置装人电路，一般G1、G2也会依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了Ｄ、S、G1、G2管脚的顺序。
（5）用测反向电阻值的变化判断跨导的大小
对ＶＭＯＳＮ沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极Ｓ、黑表笔接漏极Ｄ，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。
此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。
将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档，此时表内电压较高。
当用手接触栅极Ｇ时，会发现管的反向电阻值有明显地变化，其变化越大，说明管的跨导值越高；如果被测管的跨导很小，用此法测时，反向阻值变化不大。
二、.场效应管的使用注意事项
（1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。
（2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接人电路中，要遵守场效应管偏置的极性。
如结型场效应管栅源漏之间是ＰＮ结，Ｎ沟道管栅极不能加正偏压；Ｐ沟道管栅极不能加负偏压，等等。
（3）MOS场效应管由于输人阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。
尤其要注意，不能将MOS场效应管放人塑料盒子内，保存时最好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮。
（4）为了防止场效应管栅极感应击穿，要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地；管脚在焊接时，先焊源极；在连入电路之前，管的全部引线端保持互相短接状态，焊接完后才把短接材料去掉；从元器件架上取下管时，应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等；当然，如果能采用先进的气热型电烙铁，焊接场效应管是比较方便的，并且确保安全；在未关断电源时，绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出。
以上安全措施在使用场效应管时必须注意。
（5）在安装场效应管时，注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件；为了防管件振动，有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在弯曲时，应当大于根部尺寸５毫米处进行，以防止弯断管脚和引起漏气等。
对于功率型场效应管，要有良好的散热条件。
因为功率型场效应管在高负荷条件下运用，必须设计足够的散热器，确保壳体温度不超过额定值，使器件长期稳定可靠地工作。
总之，确保场效应管安全使用，要注意的事项是多种多样，采取的安全措施也是各种各样，广大的专业技术人员，特别是广大的电子爱好者，都要根据自己的实际情况出发，采取切实可行的办法，安全有效地用好场效应管。
常用场效应管型号参数表型号
参数
IRF530
NMOS
100V
14A
79W
IRFP9530
PMOS
100V
12A
75W
IRF540
NMOS
100V
28A
150W
IRFP9540
PMOS
60V
18A
100W
IRF630
NMOS
200V
9A
75W
IRFP9630
PMOS
200V
75W
IRF640
NMOS
200V
18A
125W
IRF720
NMOS
400V
50W
IRF730
NMOS
400V
75W
IRF740
NMOS
400V
10A
125W
IRF830
NMOS
500V
75W
IRF840
NMOS
500V
8A
125W
场效应管分类型号耐压电流封装DISCRETE
MOSFET2N700060V,TO-92
DISCRETE
MOSFET2N700260V,SOT-23
DISCRETE
MOSFETIRF510A100V,TO-220
DISCRETE
MOSFETIRF520A100V,TO-220
DISCRETE
MOSFETIRF530A100V,14ATO-220
DISCRETE
MOSFETIRF540A100V,28ATO-220
DISCRETE
MOSFETIRF610A200V,TO-220
DISCRETE
MOSFETIRF620A200V,5ATO-220
DISCRETE
MOSFETIRF630A200V,9ATO-220
DISCRETE
MOSFETIRF634A250V,TO-220
DISCRETE
MOSFETIRF640A200V,18ATO-220
DISCRETE
MOSFETIRF644A250V,14ATO-220
DISCRETE
MOSFETIRF650A200V,28ATO-220
DISCRETE
MOSFETIRF654A250V,21ATO-220
DISCRETE
MOSFETIRF720A400V,TO-220
DISCRETE
MOSFETIRF730A400V,TO-220
DISCRETE
MOSFETIRF740A400V,10ATO-220
DISCRETE
MOSFETIRF750A400V,15ATO-220
DISCRETE
MOSFETIRF820A500V,TO-220
DISCRETE
MOSFETIRF830A500V,TO-220
DISCRETE
MOSFETIRF840A500V,8ATO-220
DISCRETE
MOSFETIRF9520TO-220
DISCRETE
MOSFETIRF9540TO-220
DISCRETE
MOSFETIRF9610TO-220
DISCRETE
MOSFETIRF9620TO-220
DISCRETE
MOSFETIRFP150A100V,43ATO-3P
DISCRETE
MOSFETIRFP250A200V,32ATO-3P
DISCRETE
MOSFETIRFP450A500V,14ATO-3P
DISCRETE
MOSFETIRFR024A60V,15AD-PAK
DISCRETE
MOSFETIRFR120A100V,D-PAK
DISCRETE
MOSFETIRFR214A250V,D-PAK
DISCRETE
MOSFETIRFR220A200V,D-PAK
DISCRETE
MOSFETIRFR224A250V,D-PAK
DISCRETE
MOSFETIRFR310A400V,D-PAK
DISCRETE
MOSFETIRFR9020TFD-PAK
DISCRETE
MOSFETIRFS540A100V,17ATO-220F
DISCRETE
MOSFETIRFS630A200V,TO-220F
DISCRETE
MOSFETIRFS634A250V,TO-220F
DISCRETE
MOSFETIRFS640A200V,TO-220F
DISCRETE
MOSFETIRFS644A250V,TO-220F
DISCRETE
MOSFETIRFS730A400V,TO-220F
DISCRETE
MOSFETIRFS740A400V,TO-220F
DISCRETE
MOSFETIRFS830A500V,TO-220F
DISCRETE
MOSFETIRFS840A500V,TO-220F
DISCRETE
MOSFETIRFS9Z34-60V,12ATO-220F
DISCRETE
MOSFETIRFSZ24A60V,14ATO-220F
DISCRETE
MOSFETIRFSZ34A60V,20ATO-220F
DISCRETE
MOSFETIRFU110A100V,I-PAK
DISCRETE
MOSFETIRFU120A100V,I-PAK
DISCRETE
MOSFETIRFU220A200V,I-PAK
DISCRETE
MOSFETIRFU230A200V,I-PAK
DISCRETE
MOSFETIRFU410A500VI-PAK
DISCRETE
MOSFETIRFU420A500V,I-PAK
DISCRETE
MOSFETIRFZ20ATO-220
DISCRETE
MOSFETIRFZ24A60V,17ATO-220
DISCRETE
MOSFETIRFZ30TO-220
DISCRETE
MOSFETIRFZ34A60V,30ATO-220
DISCRETE
MOSFETIRFZ40TO-220
DISCRETE
MOSFETIRFZ44A60V,50ATO-220
DISCRETE
MOSFETIRLS530A100V,,LogicTO-220F
DISCRETE
MOSFETIRLSZ14A60V,8A,LogicTO-220F
DISCRETE
MOSFETIRLZ24A60V,17A,LogicTO-220
DISCRETE
MOSFETIRLZ44A60V,50A,LogicTO-220
DISCRETE
MOSFETSFP36N0330V,36ATO-220
DISCRETE
MOSFETSFP65N0660V,65ATO-220
DISCRETE
MOSFETSFP9540-100V,17ATO-220
DISCRETE
MOSFETSFP9634-250V,5ATO-220
DISCRETE
MOSFETSFP9644-250V,TO-220
DISCRETE
MOSFETSFP9Z34-60V,18ATO-220
DISCRETE
MOSFETSFR9214-250V,D-PAK
DISCRETE
MOSFETSFR9224-250V,D-PAK
DISCRETE
MOSFETSFR9310-400V,D-PAK
DISCRETE
MOSFETSFS9630-200V,TO-220F
DISCRETE
MOSFETSFS9634-250V,TO-220F
DISCRETE
MOSFETSFU9220-200V,I-PAK
DISCRETE
MOSFETSSD200225VN/PDual8SOP
DISCRETE
MOSFETSSD201920VP-chDual8SOP
DISCRETE
MOSFETSSD210130VN-chSingle8SOP
DISCRETE
MOSFETSSH10N80A800V,10ATO-3P
DISCRETE
MOSFETSSH10N90A900V,10ATO-3P
DISCRETE
MOSFETSSH5N90A900V,5ATO-3P
DISCRETE
MOSFETSSH60N10TO-3P
DISCRETE
MOSFETSSH6N80A800V,6ATO-3P
DISCRETE
MOSFETSSH70N10A100V,70ATO-3P
DISCRETE
MOSFETSSH7N90A900V,7ATO-3P
DISCRETE
MOSFETSSH9N80A800V,9ATO-3P
DISCRETE
MOSFETSSP10N60A600V,9ATO-220
DISCRETE
MOSFETSSP1N60A600V,1ATO-220
DISCRETE
MOSFETSSP2N90A900V,2ATO-220
DISCRETE
MOSFETSSP35N0330V,35ATO-220
DISCRETE
MOSFETSSP3N90A900V,3ATO-220
DISCRETE
MOSFETSSP4N60A600V,4ATO-220
DISCRETE
MOSFETSSP4N60AS600V,4ATO-220
DISCRETE
MOSFETSSP4N90AS900V,TO-220
DISCRETE
MOSFETSSP5N90A900V,5ATO-220
DISCRETE
MOSFETSSP60N0660V,60ATO-220
DISCRETE
MOSFETSSP6N60A600V,6ATO-220
DISCRETE
MOSFETSSP70N10A100V,55ATO-220
DISCRETE
MOSFETSSP7N60A600V,7ATO-220
DISCRETE
MOSFETSSP7N80A800V,7ATO-220
DISCRETE
MOSFETSSP80N06A60V,80ATO-220
DISCRETE
MOSFETSSR1N60A600V,D-PAK
DISCRETE
MOSFETSSR2N60A600V,D-PAK
DISCRETE
MOSFETSSR3055A60V,8AD-PAK
DISCRETE
MOSFETSSS10N60A600V,TO-220F
DISCRETE
MOSFETSSS2N60A600V,TO-220F
DISCRETE
MOSFETSSS3N80A800V,2ATO-220F
DISCRETE
MOSFETSSS3N90A900V,2ATO-220F
DISCRETE
MOSFETSSS4N60A600V,TO-220（F/P）
DISCRETE
MOSFETSSS4N60AS600V,TO-220（F/P）
DISCRETE
MOSFETSSS4N60AS600V,TO-220F
DISCRETE
MOSFETSSS4N90AS900V,TO-220F
DISCRETE
MOSFETSSS5N80A800V,3ATO-220F
DISCRETE
MOSFETSSS6N60A600V,TO-220（F/P）
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