光纤光栅制作与发展.docx

上传人:b****6 文档编号:15789557 上传时间:2023-07-07 格式:DOCX 页数:34 大小:616.26KB
下载 相关 举报
光纤光栅制作与发展.docx_第1页
第1页 / 共34页
光纤光栅制作与发展.docx_第2页
第2页 / 共34页
光纤光栅制作与发展.docx_第3页
第3页 / 共34页
光纤光栅制作与发展.docx_第4页
第4页 / 共34页
光纤光栅制作与发展.docx_第5页
第5页 / 共34页
光纤光栅制作与发展.docx_第6页
第6页 / 共34页
光纤光栅制作与发展.docx_第7页
第7页 / 共34页
光纤光栅制作与发展.docx_第8页
第8页 / 共34页
光纤光栅制作与发展.docx_第9页
第9页 / 共34页
光纤光栅制作与发展.docx_第10页
第10页 / 共34页
光纤光栅制作与发展.docx_第11页
第11页 / 共34页
光纤光栅制作与发展.docx_第12页
第12页 / 共34页
光纤光栅制作与发展.docx_第13页
第13页 / 共34页
光纤光栅制作与发展.docx_第14页
第14页 / 共34页
光纤光栅制作与发展.docx_第15页
第15页 / 共34页
光纤光栅制作与发展.docx_第16页
第16页 / 共34页
光纤光栅制作与发展.docx_第17页
第17页 / 共34页
光纤光栅制作与发展.docx_第18页
第18页 / 共34页
光纤光栅制作与发展.docx_第19页
第19页 / 共34页
光纤光栅制作与发展.docx_第20页
第20页 / 共34页
亲,该文档总共34页,到这儿已超出免费预览范围,如果喜欢就下载吧!
下载资源
资源描述

光纤光栅制作与发展.docx

《光纤光栅制作与发展.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《光纤光栅制作与发展.docx(34页珍藏版)》请在冰点文库上搜索。

光纤光栅制作与发展.docx

光纤光栅制作与发展

光纤光栅的制作与发展

1.1光纤材料的光敏性

光纤光栅的光敏性是指物质的物理或者化学性质在外部光的作用下发生暂时或永久性改变的材料属性。

对光纤材料的光敏性而言,则是指折射率、吸收谱、内部应力、密度和非线性极化率等多方面的特性发生永久性改变。

石英材料的分子结构通常为四面体结构,每个硅原子通过形成共价键与四个氧原子相连。

虽然Ge原子与Si原子同为四价元素,可以代替Si原子在石英玻璃四面体结构中的位置,但是Ge的掺入仍将对石英玻璃的分子结构产生干扰并不可避免的形成缺陷中心。

由于纯石英玻璃的吸收带位于160nm处,对波长在190nm以上一直到红外区的光具有大于90%的透过率。

这些波长的光不会对石英材料的性质产生任何形式的影响,因此,光纤的光敏性与掺杂有关。

一般认为掺锗石英光纤材料的光敏现象源于缺陷中心。

起初,曾认为光敏性仅能从掺锗光纤中出现,光栅不能从纯硅纤芯生长,OH基对光纤的光敏性不是必要的。

但是后来实验表明,光敏性存在于众多种类的光纤。

比如,基于硅基光纤的掺铕光纤,掺铈光纤,掺饵锗光纤,以及掺氟浩盐光纤的掺锶饵光纤等。

然而从实用的观点来看,最引人注意的光敏光纤就是广泛应用于通信产业和光传感领域的纤芯掺锗光纤。

在光纤材料中掺锗以后将产生位于180nm,195nm,213nm,240nm,281nm,325nm,517nm等多个附加的吸收带,其中240nm和195nm为强吸收带。

240nm吸收带的宽度约为30nm,325nm吸收带的强度仅为240nm吸收带的1/1000。

通常,对光纤材料光敏性研究主要集中在240nm和193nm的紫外光波段上。

1.2光纤材料的增敏技术

自光敏性的发现和第一次证实锗硅光纤中的光栅以来,增加光纤中的光敏性就成为了一个重要的考虑因素。

标准单模通讯光纤中掺有3%的锗,典型的光致折射率变化为~3×10-5。

由于光纤材料的光敏性与光纤的掺杂浓度基本上成正比关系,因此提高光纤材料感光性最直接的方法就是提高光纤芯区的锗掺杂浓度。

一般地,增加掺锗浓度可导致~5×10-4的光致折射率变化。

但是用这种方法提高光纤材料的光敏性有一个很大的不利因素,即增加光纤芯区含锗量将增大光纤芯区和包层折射率之差。

为保证光纤只能进行单模传输,必须减少光纤的芯径。

当芯区的锗含量很高时,光纤的芯径将要非常小,这将影响光敏光纤与普通单模光纤的匹配性能。

因此,寻求更为有效的光纤材料增敏方法具有非常重要的意义。

提高光纤材料紫外感光特性的方法可以从以下几个方面考虑:

(1)增加光纤材料中的缺陷浓度。

(2)在光纤材料中掺入具有较大紫外吸收系数的杂质。

(3)在光纤的芯区或包层中掺入适当杂质,尽可能增大二者之间的热特性失配度。

目前,已经有多种有效的光纤材料增敏方案在实验室应用。

这些方案主要分为三种,即载氢技术、光纤还原法和多种掺杂。

1.2.1载氢增敏技术

1993年,AT&TBell实验室的P.J.Lemaire等人首次引入了掺锗石英光纤材料的载氢增敏技术。

掺锗3mol%的光纤被放入气压为2.0~76MPa(典型值为15MPa),温度为20~75oC的氢气中,这种方法将氢气以分子形态扩散入光纤的芯区。

载氢光纤在收到紫外光照射的时候或者加热时将引起氢气的与掺锗石英玻璃之间的化学反应,即H2分子在Si-O-Ge区发生变化,形成与折射率有关的Ge-OH,Si-OH,Ge-H,Si-H等化学键和缺氧锗缺陷中心,从而提高光纤材料的光致折射率变化,可以使任何类型的掺锗石英光纤材料的光敏性提高1~2个数量级,并在其上写入高反射率的光栅。

这样可使折射率变化Δn比原来的变化提高两个数量级,可达~5.9×10-3。

另外,也可以对光纤载氘来达到光纤增强光敏性的目的。

载氢技术的优势是可在任何锗硅或无锗光纤中生产Bragg光栅,而且未曝光的载氢光纤段在通信窗口的吸收损耗可以忽略。

载氢光纤的形成的折射率变化是持久的,但是由于光纤中存在未反应的氢,使光栅的折射率随时间而发生变化,引起紫外写入光栅的Bragg波长的变化。

因此,载氢光纤的热稳定性很差,一般在室温下放置两个星期其折射率深度就下降11%。

探索提高温度稳定性的光纤光栅制作技术具有重要意义,一种方法是对其进行加速老化,即用事后热处理来稳定其波长;另一种方法是载氢光纤先经均匀曝光预处理再写入光栅。

1.2.2光纤材料的换原性处理

由于光纤材料的光敏性与光纤材料的中的缺氧锗缺陷浓度直接相关,且两者近似地成正比关系,因此可以通过在光纤拉制中完成后用氢灯对所要曝光的光纤段进行“焰刷”处理。

1993年,F.Bilodeau等人把拉制好的标准通信锗光纤拟写入光栅的一段放在~1700oC的氢氧焰下灼烧,使光纤在240nm处的吸收增加。

该作用指发生在含GeO的纤芯,对包层没有影响。

紫外照射灼烧后的光纤可得到大于10-3的折射率变化,使光纤材料的光敏性提高了一个数量级。

用这种方法增强光敏性不会产生折射率的飘移。

由于对曝光区段的光纤进行处理,因此这种方法对两个主要的通信窗口几乎没有影响。

可在标准通信光纤中写制出强Bragg光栅。

然而,该技术的主要缺点是高温灼绕破坏了光纤,有长期稳定性的问题。

对光纤材料进行还原性处理的另一种方法是在光纤预制棒的制作过程中施加还原性条件或者对光纤预制棒在高温氢气中进行后处理使芯区的缺氧锗缺陷浓度增加,可将光纤材料的光敏性提高2~3倍。

这种方法最大的缺点就是氢气与GeO2反应生成的OH-离子将在1.4um处产生一个很强的吸收带。

这个吸收带对光信号在两个主要通信窗口的传输具有非常不利的影响。

1.2.3多种掺杂

在锗硅光纤材料中,掺入B、Sn或Al等元素可提高光纤材料的光敏性,其中以B/Ge双掺杂光纤材料的光敏性最强,其光敏性要比含锗量相当的单掺锗光纤材料要高出约一个数量级。

这些光纤都可以采用MCVD技术生产。

在石英玻璃中掺入B将使物理性质发生很大的变化,比如,掺B后石英玻璃的热膨胀系数增大,同时熔点降低。

在几百摄氏度高温下的退火实验,证实了在B/Ge光纤的纤芯区将由于B的掺入而引入较大的应力。

利用B/Ge双掺提高光纤材料光敏性最主要的有利因素是B的掺入能够引起光纤材料芯区的折射率的降低。

因此,B/Ge双掺光纤材料可以具有较高的锗掺杂浓度,同时又不引起光纤芯包折射率的增大,从而可实现与普通单模光纤的良好匹配。

因此,对这种高度光敏光纤材料的研究具有很大的意义。

(1)避免了对光纤材料进行长时间且具有危险性的氢气敏化处理。

(2)可避免由于载氢增敏在光栅区域引起的羟基吸收损耗,这一损耗在长度较大的Chirp光纤光栅中是十分严重的。

(3)提高了光栅的制作效率。

如果对B/Ge双掺光纤材料进一步载氢处理,可以在教短的曝光时间内获得很高的光栅反射率。

 

1.2.4预加应力增敏技术

在写入光栅的过程中,对掺锗光纤施加适当应力,将会提高光纤的光敏性。

图1表明,施加3%应变的应力情况下,可使光敏性提高2倍以上,而且形成的光栅的热稳定性也将保持不变。

在同样的曝光条件下写入Bragg光栅时,施加应力的光纤将会得到高达18dB的反射深度,而未加应力的光纤的反射深度仅为7dB,因此利用这种方法将会明显缩短光纤光栅的写入时间。

光纤光栅的写入方法

用掺杂光纤制作光栅的方法主要有内写入和外写入法。

内写入技术是一个全息制作过程,它利用光在纤芯内部传播时形成驻波所产生的双光子吸收的原理;外写入技术则主要有点-点成栅技术,相干UV光全息干涉技术和相位掩模技术等。

2.1内写入法

该法制作光栅同光学全息法制作光栅相似,利用菲涅尔反射,使得反射光与入射光在适当条件下干涉,在纤芯内部形成驻波。

由于光致折射效应,在沿光纤长度的波节波腹处通过曝光可以诱导出周期性的折射率变化形成光栅。

这样制作的光栅,曝光时对装置的稳定性要求很高,得到折射率变化较小,仅为10-6,而波长不易改变,其特点见表1。

由于该技术的写入效率低,写入的Bragg波长受激光写入波长限制等原因,制作的光栅性能太差,所以该方法已较少使用。

表1各种主要写入光栅方法的比较:

2.2外写入法

相对于内写入法,外写入法的形式很多,方法也更为灵活,能够制作各种特定波长的Bragg光栅。

2.2.1外写入全息法

1989年UTRC的研究人员首次用紫外光全息法制成了高反射率的Bragg光栅,反射率可达76%。

它是在选择适当的波长后,使光纤芯径在两束干涉光的诱导下发生折射率的永久性变化而形成的。

光栅的周期由入射光的波长和两光束之间的夹角决定,系统设置如图1。

一小段去掉包层的光纤在两束相互垂直的诱导光的作用下,经侧面曝光形成光栅。

利用可调谐准分子泵浦染料激光器件为光源,波长为486nm~500nm,经倍频得到244nm的UV光,图中水银弧灯和高精度的单色仪用来观察Bragg光栅的反射光谱。

这种光栅的侧面UV光曝光全息法反射效率高,方便灵活,可调整入射光束的夹角和全息图条纹的间距来得到不同波长的Bragg光栅。

这种光栅稳定性好,但它对光源的相干性和光路的稳定性要求较高。

2.2.2全息干涉计方法

全息相干法是最早用于横向写人制作FBG的一种方法,图2示出的是M-Z干涉计法工作装置示意图。

人射紫外光经分光镜分成两束。

经全反射后相交于光纤上,产生干涉场,形成正弦分布明暗相间的干涉条纹;光纤经过一定时间照射,在纤芯内部引起和干涉条纹同样分布的折射率变化,从而在光纤上就写人了正弦分布的体光栅。

干涉条纹间距如式

(1)。

这种方法的最大优点在于突破了纵向驻波法对布喇格中心反射波长的限制,可以在最感兴趣的波段内对之进行更充分的运用。

它既行之有效,又操作简单,所以受到普遍重视,也得到了相当的运用。

采用改变两光束夹角或旋转光纤放置位置的方法都可以方便的实现改变反射中心波长之目的,或者将光纤以一定弧度放置于相干场,很容易得到带有chirp的光纤光栅。

这些都是全息相干法优点所在。

图2干涉计写光纤光栅方法

这种方法亦存在很大的缺点,给制作带来诸多问题。

首先,全息相干对光源的空间相干性和时间相干性都有很高的要求:

空间相干性由激光器输出光的横模特性决定。

如果激光器处于多横模振荡,那么输出光束就有较大的空间发散性,通过测定激光的近场图和远场图可知:

输出光斑是由一系列的尖峰所组成,每一尖峰的宽度约为微秒数量级,并且是无规划分布的,这就说明整个输出光束的截面内并非全部相干,相干区域仅是很小的一部分,所以输出光束的多横模现象将严重影响全息相干法的效果。

另外,输出光的纵模特性决定了它的时间相干性。

如果是多纵模振荡,或纵模存在严重漂移(如由温度变化引起),都将增加输出线宽,由

可以看出,线宽增加大大缩短了相干长度,对全息相干法写人效果也极为不利,增大了光路的调节难度;其次,欲得到准确的布喇格中心反射波长,对光路的调整有着极高的精度要求,从d和λB容易得出:

假如采用λ=240nm的紫外光,光纤折射率n=1.45,那么要得到λB=1550nm的反射中心波长,θ为12.97o;如果光路调整使θ偏差0.01o,可得到中心波长偏差ΔλB=67.27nm,可见制作的FBG的中心波长已经远离了1550nm。

这说明了对光路调整θ要求是极其苛刻的。

全息相干法要有一定的曝光时间,这就要求在这一段曝光时间内光路保持良好的防振,以避免波长量级的扰动造成光路错动,恶化相干效果,因此要将光路中的元件都置于一个防震平台上。

全息相干法的光源大多为Ar十二倍频和染料二倍频激光器,并配以高质量的相干光路。

一般来说,其装置体积都很大。

2.2.3外写入单脉冲法

所用的内写入法和侧面曝光全息法,要求写入光有足够高的能量密度,一般为几百焦尔每平方厘米,曝光时间为数秒至几分不等,而且对整个系统的稳定性要求极高,需要排除诸如气流振动、温度漂移、光源不稳定等因素的影响。

对此,研究人员提出了利用准分子激光器制作光栅的单脉冲法。

Ask-ins等人利用该方法,采用Kr+F准分子激光器作光源制作光栅,所需能量密度小(1J/cm2),曝光时间短(20ns),得到的光纤折射率为10-5,最高可达10-4,效率高,其性能见表1。

同以往的方法相比,该方法一次性曝光,可以免除外界的干扰,对于制作大批量的光栅有重要的意义。

Archambault等人利用该方法制作出了深度折射率调制的高反射率光栅,光栅折射率变化可达5×10-4,反射率为65%,FWHM为6GHz,这是目前据文献报道最窄的带宽,其性能见表1。

图2是利用该方法制作光栅的系统结构示意图。

图中柱面镜可分别放置在a,b位置将两束光汇聚在光纤上。

图2单脉冲写入法装置

2.2.4外写入掩模法

主要指相位掩模法。

相位掩模是个衍射元件,由计算机控制经刻蚀而成。

入射的UV光经过

图3相位掩模法示意图

掩模形成衍射,衍射光侧面照射光纤,是因光敏效应可在掩模后的不同位置形成不同周期的光栅所致。

图3为用相位掩模制作光栅的一种系统结构示意图。

相位掩模放在一个靠近光纤的精密光刻装置中,掩模光栅的条纹与光纤轴正交,正入射的UV光经掩模后作相位调制,产生衍射;在入射光方向Talbot距离内形成不同的干涉条纹。

在图3所示系统中,Hill等人采用压制零级衍射(约占入射能量的5%)的方法使入射光的正、负级衍射光发生干涉,形成对比强烈的干涉条纹,对纤芯曝光形成光栅。

实验中用249nm的准分子激光器作光源,对AndrewD型光纤曝光,得到的光栅性能见表1。

在该方法所示的基础上,用单脉冲准分子激光器能够作为高质量的光栅,反射率几乎可达100%,见表1所示。

用这种方法曝光时间大大缩短,保证了光源的时间和空间的相干性,提高了效率,为以后在拉制光纤的同时大批量写入光栅奠定了基础。

利用零级压制法制作光栅也可用Nd3+:

YLF激光器作光源,经四倍频后输出UV光,由掩模调制后的诱导光用较短的时间就能够制成高质量的Bragg反射光栅。

该方法对于大批量地快速写入光栅有十分重要的参考价值。

相位掩模技术的放大原理

用相位掩模法制作的光纤光栅,其周期受掩模周期和光纤折射率的控制,与入射光的波长无关。

对于已有固定周期的掩模,可用一个透镜来改变写入光栅的Bragg波长,其原理如图4所示。

由几何关系可知,经过透镜后的放大倍率可以表示为M=(f-p-q)/(f-p)式中,f,p,q分别为透镜的焦距!

透镜与掩膜的距离,以及掩膜与光纤轴间的距离。

其中当透镜为正透镜时,f为正;当为负透镜时,f为负。

实验证明,用正透镜可以减小所建光栅的Bragg波长,减少的大小与p,q值有关。

位相光栅衍射写人法是现在最有前途、使用最广的一种方法。

目前,能够见到的位相光栅衍射相干法大致可分为四类,分别示于图S(a),(b),(c),(d)。

从对光栅的要求来看,(a),(b)为一类,(c),(d)各为一类。

它们的使用方法各不相同,对位相光栅的工艺要求也有高低之别,但都是为了使位相光栅的衍射光相交而产生高质量的干涉场,以便有效地实现FBG的制作。

在(a),(b)中,要求人射光垂直人射位相光栅,根据光栅方程

可得,人射角θ=0o时,有dsinθ=mλ,d为位相光栅栅距,φ为衍射角。

显然,士1级衍射光发生相干,则条纹间距为

可见正入射并利用正负一级衍射光产生相干时,所得条纹间距总等于位相光栅距的一半,而与人射光波长无关,这一点正是该方程的优点所在。

图(c)是斜入射利用0级和一1级衍射光产生相干的示意图,这种情况较正人射要复杂一些,由光栅方程(8)可得

:

所以得到两衍射光产生的干涉场条纹间距为:

从图6中可以看出,当光纤与位相光栅出射面紧贴时,经与干涉条纹有夹角

所以有光纤光栅栅距为:

从上面的分析可以看出,在位相光栅近场干涉场中,士1级衍射光相干条纹间距为d/2,而0级和1级衍射光相干条纹间距为d,更高级衍射光相干条纹间距又不相同,这样在光纤上就会存在多组条纹不同间距的条纹,显然对于制出高质量的FBG是极不利的。

因此,必须对位相光栅参数提出特殊要求,才可能避免其近场中多套相干条纹的混杂。

为消除光的影响,必须对位相光栅的刻蚀深度有严格要求。

图4中d是在位相光栅法上的改进方法,紫外光首先经位相光栅,产生士1级,这二光束在矩形棱镜内部反射而在底面产生干涉场,在光纤内写出光栅。

这个技术对位相光栅产生的0级消除不是十分苛刻,因为空间滤波将其消除。

这方法很稳定,允许较快地改变,是非接触式,设备亦较小型。

2.2.5分波面干涉法

采用分波面干涉法可以实现FGB的制作,相比之下,它较全息相干法结构上更为简单,可

(a)(b)

采用更少或更灵活的光学元件。

图4中示出了三个棱镜分波面法。

图中,(a)是一端为斜面的长方棱镜;(b)是直角三角棱镜;(c)是等腰三角棱镜。

(c)

图(a),(b)中紫外光束从斜面人射,调节光束位置,使1/2光束从棱镜反射,在底面和另1/2光束形成干涉场。

光纤紧贴底面,进行曝光,从而将光栅写人光纤纤芯上。

这种方法制得的光栅距为

a为晶体人射斜面与水平面的夹角,n1为对应人射波长的晶体的照射率。

由此可见,只需控制人射斜面的倾角,就可以得到所需的光栅周期。

等腰三角棱镜法在(c)图中紫外光束从棱镜人射,干涉场在棱镜底面产生,光纤置于底面附近,得到的光栅栅距为

式中,θ为棱镜的下角。

计算发现,在λB=1550nm时,a=24.5o,若a角有0.1的偏差,

偏约2nm,对应λB偏差约6nm。

可见这种方法较前面的M-Z干涉法,对角度调整的要求较低,同时光路亦简单。

分波面法:

虽然两光束光程很小,从相干性要求看,对光束的空间相干性亦有较高的要求,也必须对激光光束进行预先横模优化。

2.2.6逐点写人法

这是一种非相干写人技术。

利用聚集光束在光纤上逐点曝光而形成光栅,结构如图7所示。

每写一个条纹,必须移动光纤。

由于L很小,因此微电机移动距离也很小,是小于lμm量级的。

这是极苛刻的,因而一般用此法制作长周期光栅。

也可用逐点谐波法,即电机每移动一步,步距是光栅栅距的几倍,以降低对电机和传动机构的要求。

这种方法依据从高阶布喇格光栅方程2n

=mλB。

得到。

2.2.7其他写入光栅的主要方法

在未来的光纤通信和光纤传感领域中,光纤光栅有着巨大的应用潜力。

为快速有效地在光纤上写入光栅,提出了许多方法,如在光纤拉制生产同时写入光栅的在线写入法,以及用于模式转换的点-点式光栅写入法。

在线光栅写入法写入光栅时,用一定带宽的脉冲准分子激光器作为光源,光束经由一系列反射镜的反射,经过一定的距离,到达制作光栅的位置,让相干光照射在光纤上形成全息图,通过控制落在光纤上的全息图尺寸和拉制光纤时光纤的移动速度,在极短的时间内可以在同一光纤上写入多个光栅。

实验表明,光栅的反射率与拉制光纤的速度及脉冲能量有关,脉冲能量越大,反射率越高。

用这种方法制作光栅的关键是光源光束截面的质量要好。

基于大批量生产的在线光栅写入法是在光纤拉制过程中未包层以前在纤芯建立光栅,再将光栅的纤芯包层制成光纤,用这种方法制作光栅,快速经济,在准分布式传感和复用传感网络中有广阔的应用前景。

在此基础上又发展出在一根光纤上写入不同Bragg波长光栅的新技术,可以在一定范围内调节反射镜的角度使两束干涉光之间的夹角发生改变,从而得到不同Bragg波长的光栅。

据文献报道,在光纤拉制过程中用准分子激光器1h内可以写入约450个光栅,同时可以通过计算机自动控制反射镜倾角建立有不同Bragg波长光栅组成的光纤光栅阵列。

模式转换的光栅写入方法,即点-点曝光写入法,其工作原理是:

用狭缝控制光敏光纤的曝光宽度(曝光宽度与狭缝宽度相同),光纤上的点由于光照而使折射率有所变化,用准分子激光器作光源,点曝光后沿光纤轴移动适当距离,再对另外一点曝光,这样逐点曝光可以在一段光纤上建立光栅结构。

利用该技术可通过控制曝光点间的相互宽度来建立周期性或非周期性的光栅结构。

使用这种技术方便灵活,可实现对不同波长的控制,但是它对机械传动精度的要求极高。

结语:

光纤Bragg光栅的应用十分广泛。

它既可作为窄带滤波器用于波分复用,也可作为宽带的高反射镜构成光纤激光放大器,同时也可作为敏感元件进行传感,而新发展的啁啾光栅则可作为色散补偿元件在光通信中得到应用。

国外对光纤Bragg光栅的研究正方兴未艾,国内也已经开始在此方面的研究,上海光机所、华南师范大学等单位制作出了高性能的光纤光栅,这必将推动我国光纤通信和光纤传感技术的进一步发展。

我们相信随着新工艺、新方法的出现,光纤Bragg光栅将在未来得到更广泛的发展和应用。

光纤光栅的制备

光纤光栅的分类光纤光栅按折射率变化周期的长短大体可分为两类

1)短周期光纤光栅(FBG,也叫反射或布喇格光栅):

光栅周期一般为零点几个微米,耦合发生在正向与反向传输的模式之间,它的一个重要特性是将某一频段内的光反射回去,如图4所示。

2)长周期光纤光栅(LPG,也叫传输光栅):

光栅周期在100Lm以上,耦合发生在同向传输的模式之间,它的特性是将导波中某频段的光耦合到包层中损耗掉而让其他频段的光通过,如图5所示。

因为长周期光纤光栅的出现较晚,其理论分析及实际应用还有待于进一步的发展。

图4短周期光纤光栅(m为衍射级数)

图5长周期光纤光栅

光纤光栅按常见的折射率分布大体可分为周期性光纤光栅和非周期性光纤光栅。

周期性光纤光栅也叫均匀光纤光栅,而非周期性光纤光栅又称为啁啾光纤光栅(chirpedgratings),又可分为线性Chirped光栅、Taper型光栅、Morie型光栅和Blazed型光栅等类型。

3.1周期性光纤光栅的制作方法

目前,制作周期性光纤光栅的方法大致可分为4类:

纵向驻波干涉法、横向全息曝光法、点光源写入法、位相母板复制法。

1)纵向驻波干涉法。

这是加拿大通信研究中心的K。

O。

Hill等人首次发现光纤光敏性的方法。

它利用注入光纤的入射光和从光纤另一端面返回的反射光在光纤内形成驻波,经过一定时间曝光后使光纤芯的折射率形成周期性分布而制成光纤光栅。

驻波干涉法制作光纤光栅的优点是装置较简单,缺点是Bragg反射波长仅由写入光波长决定,而且写入效率低,光栅很长(Hill的实验中光栅长为1m)。

2)双光束全息干涉横向写入法。

这是1989年美国东哈特福德联合技术研究中心的G。

Meltz等人首先实现的。

将一小段掺锗光敏裸光纤在两束相干紫外光束交叠区域所形成的干涉场中曝光,引起纤芯折射率的周期性扰动,从而形成光栅。

与纵向驻波干涉法相比,该写入法写入效率大大提高,并且可以通过改变两干涉光束之间的夹角来调整光栅的周期,易于获得所希望的Bragg反射波长。

但这种方法也有其缺点:

一是对光源的相干性要求较高,二是对系统的稳定性要求较高。

3)点光源写入法。

这种方法是利用一点光源,沿光纤长度方向等间距地曝光,使光纤芯的折射率形成周期性分布而制成光纤光栅。

这种方法的优点是灵活性高,周期容易控制,可以制作变迹光栅;对光源的相干性没有要求。

缺点是由于需要亚微米间隔的精确控制,难度较大,而且受光点几何尺寸限制,光栅周期不能太小,适于写入长周期光栅。

4)相位母板复制法。

这种方法是将光敏光纤贴近位相光栅母板,利用位相光栅母板近场衍射所产生的干涉条纹在光纤中形成折射率的周期性扰动,从而形成光纤光栅。

用相位母板复制法制作光纤光栅的优点是:

工艺简单,重复性好,成品率高,便于大规模生产;光栅周期与曝光用的光源波长无关。

缺点是母板制作成本较高,一块母板只能制作一种固定周期的光纤光栅,但用光学系统放大或拉伸光纤的办法也可制作周期稍有不同的光栅。

3.2长周期光纤光栅的制作

长周期光纤光栅的制作现在主要有以下几类方法:

3.2.1紫外光致折变

当紫外光照射掺锗光纤时能引起光纤芯径折射率的永久性变化,1976年K.O.Hill的这一发现使得光纤光栅在光通信网络中

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
相关搜索
资源标签

当前位置:首页 > 高等教育 > 教育学

copyright@ 2008-2023 冰点文库 网站版权所有

经营许可证编号:鄂ICP备19020893号-2