半导体英文词汇.docx

半导体英文词汇.docx

《半导体英文词汇.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《半导体英文词汇.docx（9页珍藏版）》请在冰点文库上搜索。

半导体英文词汇

Acceptor-Anelement,suchasboron,indium,andgalliumusedtocreateafreeholeinasemiconductor.Theacceptoratomsarerequiredtohaveonelessvalenceelectronthanthesemiconductor.

受主-一种用来在半导体中形成空穴的元素，比如硼、铟和镓。

受主原子必须比半导体元素少一价电子

AlignmentPrecision-Displacementofpatternsthatoccursduringthephotolithographyprocess.

套准精度-在光刻工艺中转移图形的精度。

Anisotropic-Aprocessofetchingthathasverylittleornoundercutting

各向异性-在蚀刻过程中，只做少量或不做侧向凹刻。

AreaContamination-Anyforeignparticlesormaterialthatarefoundonthesurfaceofawafer.Thisisviewedasdiscoloredorsmudged,anditistheresultofstains,fingerprints,waterspots,etc.

沾污区域-任何在晶圆片表面的外来粒子或物质。

由沾污、手印和水滴产生的污染。

Azimuth,inEllipsometry-Theanglemeasuredbetweentheplaneofincidenceandthemajoraxisoftheellipse.

椭圆方位角-测量入射面和主晶轴之间的角度。

Backside-Thebottomsurfaceofasiliconwafer.（Note:

Thistermisnotpreferred;instead,use‘backsurface’.）

背面-晶圆片的底部表面。

（注：

不推荐该术语，建议使用“背部表面”）

BaseSiliconLayer-Thesiliconwaferthatislocatedunderneaththeinsulatorlayer,whichsupportsthesiliconfilmontopofthewafer.

底部硅层-在绝缘层下部的晶圆片，是顶部硅层的基础。

Bipolar-Transistorsthatareabletousebothholesandelectronsaschargecarriers.

双极晶体管-能够采用空穴和电子传导电荷的晶体管。

BondedWafers-Twosiliconwafersthathavebeenbondedtogetherbysilicondioxide,whichactsasaninsulatinglayer.

绑定晶圆片-两个晶圆片通过二氧化硅层结合到一起，作为绝缘层。

BondingInterface-Theareawherethebondingoftwowafersoccurs.

绑定面-两个晶圆片结合的接触区。

BuriedLayer-Apathoflowresistanceforacurrentmovinginadevice.Manyofthesedopantsareantimonyandarsenic.

埋层-为了电路电流流动而形成的低电阻路径，搀杂剂是锑和砷。

BuriedOxideLayer（BOX）-Thelayerthatinsulatesbetweenthetwowafers.

氧化埋层（BOX）-在两个晶圆片间的绝缘层。

Carrier-Valenceholesandconductionelectronsthatarecapableofcarryingachargethroughasolidsurfaceinasiliconwafer.

载流子-晶圆片中用来传导电流的空穴或电子。

Chemical-MechanicalPolish（CMP）-Aprocessofflatteningandpolishingwafersthatutilizesbothchemicalremovalandmechanicalbuffing.Itisusedduringthefabricationprocess.

化学-机械抛光（CMP）-平整和抛光晶圆片的工艺，采用化学移除和机械抛光两种方式。

此工艺在前道工艺中使用。

ChuckMark-Amarkfoundoneithersurfaceofawafer,causedbyeitheraroboticendeffector,achuck,orawand.

卡盘痕迹-在晶圆片任意表面发现的由机械手、卡盘或托盘造成的痕迹。

CleavagePlane-Afractureplanethatispreferred.

解理面-破裂面

Crack-Amarkfoundonawaferthatisgreaterthan0.25mminlength.

裂纹-长度大于0.25毫米的晶圆片表面微痕。

Crater-Visibleunderdiffusedillumination,asurfaceimperfectiononawaferthatcanbedistinguishedindividually.

微坑-在扩散照明下可见的，晶圆片表面可区分的缺陷。

Conductivity（electrical）-Ameasurementofhoweasilychargecarrierscanflowthroughoutamaterial.

传导性（电学方面）-一种关于载流子通过物质难易度的测量指标。

ConductivityType-Thetypeofchargecarriersinawafer,suchas“N-type”and“P-type”.

导电类型-晶圆片中载流子的类型，N型和P型。

Contaminant,Particulate（seelightpointdefect）

污染微粒（参见光点缺陷）

ContaminationArea-Anareathatcontainsparticlesthatcannegativelyaffectthecharacteristicsofasiliconwafer.

沾污区域-部分晶圆片区域被颗粒沾污，造成不利特性影响。

ContaminationParticulate-Particlesfoundonthesurfaceofasiliconwafer.

沾污颗粒-晶圆片表面上的颗粒。

CrystalDefect-Partsofthecrystalthatcontainvacanciesanddislocationsthatcanhaveanimpactonacircuit’selectricalperformance.

晶体缺陷-部分晶体包含的、会影响电路性能的空隙和层错。

CrystalIndices（seeMillerindices）

晶体指数（参见米勒指数）

DepletionLayer-Aregiononawaferthatcontainsanelectricalfieldthatsweepsoutchargecarriers.

耗尽层-晶圆片上的电场区域，此区域排除载流子。

Dimple-Aconcavedepressionfoundonthesurfaceofawaferthatisvisibletotheeyeunderthecorrectlightingconditions.

表面起伏-在合适的光线下通过肉眼可以发现的晶圆片表面凹陷。

Donor-Acontaminatethathasdonatedextra“free”electrons,thusmakingawafer“N-Type”.

施主-可提供“自由”电子的搀杂物，使晶圆片呈现为N型。

Dopant-Anelementthatcontributesanelectronoraholetotheconductionprocess,thusalteringtheconductivity.DopantsforsiliconwafersarefoundinGroupsIIIandVofthePeriodicTableoftheElements.

搀杂剂-可以为传导过程提供电子或空穴的元素，此元素可以改变传导特性。

晶圆片搀杂剂可以在元素周期表的III和V族元素中发现。

Doping-Theprocessofthedonationofanelectronorholetotheconductionprocessbyadopant.

掺杂-把搀杂剂掺入半导体，通常通过扩散或离子注入工艺实现。

EdgeChipandIndent-Anedgeimperfectionthatisgreaterthan0.25mm.

芯片边缘和缩进-晶片中不完整的边缘部分超过0.25毫米。

EdgeExclusionArea-Thearealocatedbetweenthefixedqualityareaandtheperipheryofawafer.（Thisvariesaccordingtothedimensionsofthewafer.）

边缘排除区域-位于质量保证区和晶圆片外围之间的区域。

（根据晶圆片的尺寸不同而有所不同。

）

EdgeExclusion,Nominal（EE）-Thedistancebetweenthefixedqualityareaandtheperipheryofawafer.

名义上边缘排除（EE）-质量保证区和晶圆片外围之间的距离。

EdgeProfile-Theedgesoftwobondedwafersthathavebeenshapedeitherchemicallyormechanically.

边缘轮廓-通过化学或机械方法连接起来的两个晶圆片边缘。

Etch-Aprocessofchemicalreactionsorphysicalremovaltoridthewaferofexcessmaterials.

蚀刻-通过化学反应或物理方法去除晶圆片的多余物质。

FixedQualityArea（FQA）-Theareathatismostcentralonawafersurface.

质量保证区（FQA）-晶圆片表面中央的大部分。

Flat-Asectionoftheperimeterofawaferthathasbeenremovedforwaferorientationpurposes.

平边-晶圆片圆周上的一个小平面，作为晶向定位的依据。

FlatDiameter-Themeasurementfromthecenteroftheflatthroughthecenterofthewafertotheoppositeedgeofthewafer.（Perpendiculartotheflat）

平口直径-由小平面的中心通过晶圆片中心到对面边缘的直线距离。

Four-PointProbe-Testequipmentusedtotestresistivityofwafers.

四探针-测量半导体晶片表面电阻的设备。

FurnaceandThermalProcesses-Equipmentwithatemperaturegaugeusedforprocessingwafers.Aconstanttemperatureisrequiredfortheprocess.

炉管和热处理-温度测量的工艺设备，具有恒定的处理温度。

FrontSide-Thetopsideofasiliconwafer.（Thistermisnotpreferred;usefrontsurfaceinstead.）

正面-晶圆片的顶部表面（此术语不推荐，建议使用“前部表面”）。

Goniometer-Aninstrumentusedinmeasuringangles.

角度计-用来测量角度的设备。

Gradient,Resistivity（notpreferred;seeresistivityvariation）

电阻梯度（不推荐使用，参见“电阻变化”）

Groove-Ascratchthatwasnotcompletelypolishedout.

凹槽-没有被完全清除的擦伤。

HandScribeMark-Amarkingthatishandscratchedontothebacksurfaceofawaferforidentificationpurposes.

手工印记-为区分不同的晶圆片而手工在背面做出的标记。

Haze-Amassconcentrationofsurfaceimperfections,oftengivingahazyappearancetothewafer.

雾度-晶圆片表面大量的缺陷，常常表现为晶圆片表面呈雾状。

Hole-Similartoapositivecharge,thisiscausedbytheabsenceofavalenceelectron.

空穴-和正电荷类似，是由缺少价电子引起的。

Ingot-Acylindricalsolidmadeofpolycrystallineorsinglecrystalsiliconfromwhichwafersarecut.

晶锭-由多晶或单晶形成的圆柱体，晶圆片由此切割而成。

LaserLight-ScatteringEvent-Asignalpulsethatlocatessurfaceimperfectionsonawafer.

激光散射-由晶圆片表面缺陷引起的脉冲信号。

Lay-Themaindirectionofsurfacetextureonawafer.

层-晶圆片表面结构的主要方向。

LightPointDefect（LPD）（Notpreferred;seelocalizedlight-scatterer）

光点缺陷（LPD）（不推荐使用，参见“局部光散射”）

Lithography-Theprocessusedtotransferpatternsontowafers.

光刻-从掩膜到圆片转移的过程。

LocalizedLight-Scatterer-Onefeatureonthesurfaceofawafer,suchasapitorascratchthatscatterslight.Itisalsocalledalightpointdefect.

局部光散射-晶圆片表面特征，例如小坑或擦伤导致光线散射，也称为光点缺陷。

Lot-Wafersofsimilarsizesandcharacteristicsplacedtogetherinashipment.

批次-具有相似尺寸和特性的晶圆片一并放置在一个载片器内。

MajorityCarrier-Acarrier,eitheraholeoranelectronthatisdominantinaspecificregion,suchaselectronsinanN-Typearea.

多数载流子-一种载流子，在半导体材料中起支配作用的空穴或电子，例如在N型中是电子。

MechanicalTestWafer-Asiliconwaferusedfortestingpurposes.

机械测试晶圆片-用于测试的晶圆片。

Microroughness-Surfaceroughnesswithspacingbetweentheimpuritieswithameasurementoflessthan100μm.

微粗糙-小于100微米的表面粗糙部分。

MillerIndices,ofaCrystallographicPlane-Asystemthatutilizesthreenumberstoidentifyplanorientationinacrystal.

Miller索指数-三个整数，用于确定某个并行面。

这些整数是来自相同系统的基本向量。

MinimalConditionsorDimensions-Theallowableconditionsfordeterminingwhetherornotawaferisconsideredacceptable.

最小条件或方向-确定晶圆片是否合格的允许条件。

MinorityCarrier-Acarrier,eitheraholeoranelectronthatisnotdominantinaspecificregion,suchaselectronsinaP-Typearea.

少数载流子-在半导体材料中不起支配作用的移动电荷，在P型中是电子，在N型中是空穴。

Mound-Araiseddefectonthesurfaceofawafermeasuringmorethan0.25mm.

堆垛-晶圆片表面超过0.25毫米的缺陷。

Notch-Anindentontheedgeofawaferusedfororientationpurposes.

凹槽-晶圆片边缘上用于晶向定位的小凹槽。

OrangePeel-Aroughenedsurfacethatisvisibletotheunaidedeye.

桔皮-可以用肉眼看到的粗糙表面

OrthogonalMisorientation-

直角定向误差-

Particle-Asmallpieceofmaterialfoundonawaferthatisnotconnectedwithit.

颗粒-晶圆片上的细小物质。

ParticleCounting-Wafersthatareusedtotesttoolsforparticlecontamination.

颗粒计算-用来测试晶圆片颗粒污染的测试工具。

ParticulateContamination-Particlesfoundonthesurfaceofawafer.Theyappearasbrightpointswhenacollineatedlightisshinedonthewafer.

颗粒污染-晶圆片表面的颗粒。

Pit-Anon-removableimperfectionfoundonthesurfaceofawafer.

深坑-一种晶圆片表面无法消除的缺陷。

PointDefect-Acrystaldefectthatisanimpurity,suchasalatticevacancyoraninterstitialatom.

点缺陷-不纯净的晶缺陷，例如格子空缺或原子空隙。

PreferentialEtch-

优先蚀刻-

PremiumWafer-Awaferthatcanbeusedforparticlecounting,measuringpatternresolutioninthephotolithographyprocess,andmetalcontaminationmonitoring.Thiswaferhasverystrictspecificationsforaspecificusage,butlooserspecificationsthantheprimewafer.

测试晶圆片-影印过程中用于颗粒计算、测量溶解度和检测金属污染的晶圆片。

对于具体应用该晶圆片有严格的要求，但是要比主晶圆片要求宽松些。

PrimaryOrientationFlat-Thelongestflatfoundonthewafer.

主定位边-晶圆片上最长的定位边。

ProcessTestWafer-Awaferthatcanbeusedforprocessesaswellasareacleanliness.

加工测试晶圆片-用于区域清洁过程中的晶圆片。

Profilometer-Atoolthatisusedformeasuringsurfacetopography.

表面形貌剂-一种用来测量晶圆片表面形貌的工具。

Resistivity（Electrical）-Theamountofdifficultythatchargedcarriershaveinmovingthroughoutmaterial.

电阻率（电学方面）-材料反抗或对抗电荷在其中通过的一种物理特性。

Required-T