数字电子技术第三套复习题.docx

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数字电子技术第三套复习题

数字电子技术第三次作业

一、单项选择题(3分,共3题,每小题1分)

1.闪存在运行时具有()功能。

A.读/无写B.无读/写C.读/写D.无读/无写

2.一片64k×8存储容量的只读存储器(ROM),有()。

A.64条地址线和8条数据线B.64条地址线和16条数据线C.16条地址线和8条数据线D.16条地址线和16条数据线

3.某模拟信号的上限截止频率为10MHz,则A/D转换器的采样频率应为()。

A.大于10MHzB.小于20MHzC.10~20MHzD.大于20MHz

二、填空题(12分,共12题,每小题1分)

1.闪存具有较强的在系统______和______能力,掉电时数据______。

2.动态随机存储器具有______、______和______操作,掉电时数据______。

3.随机存取存储器(RAM)分为______和______。

按所用元件的不同,分为______和______型。

4.掩模ROM的存储单元用半导体元件的______存储1或0,掉电后,数据不丢失,是非易失型存储器。

5.可编程只读存储器是利用叠栅MOS管的浮栅______存储0或1的。

6.为了保证控制系统的准确性和快速性,DAC和ADC必须有足够的______和足够快的______。

7.数模转换器(DAC)的输入是______数字量,其输出是与输入数字量成比例的电压或电流(zd)。

DAC由______、______、______、______组成。

8.逐次比较模数转换器输出数字量的______越多,转换时间______。

转换器的输入是取样保持电路输出的取样电压,保持时间______逐次比较模数转换器的转换时间。

9.存储器芯片容量为64K*8位,则该芯片的地址线有______条。

10.按功能,存储器分为______、______和______。

按寻址方式,存储器分为______和______。

11.按取样、______、______和编码4个步骤实现模数转换。

在______电路中完成取样和保持,实现模拟量的时间离散化。

在保持期内完成______,实现对模拟量的幅值离散化。

12.模数转换器的位数越多,分辨率______。

三、判断改错题(4分,共4题,每小题1分)

1.工作时,动态随机访问存储器(DRAM)可以不进行刷新操作。

2.工作时,随机访问存储器(RAM)能从任何一个随机地址读出和写入数据。

3.逐次比较模数转换器属于直接型转换器,转换速度较快。

4.ROM和RAM中存入的信息在电源断掉后都不会丢失。

四、简答题(8分,共8题,每小题1分)

1.简述MP3播放器的工作原理。

2.什么是字扩展?

有何特点。

3.静态RAM和动态RAM有哪些区别?

4.闪存是如何写入数据的?

5.PROM、EPROM和E2PROM在使用上有哪些优缺点?

6.RAM和ROM在电路结构和工作原理上有何不同?

它们各适用于什么场合?

7.简述防混滤波器的作用。

8.画出4字×4位RAM的单地址结构图。

五、问答题(3分,共3题,每小题1分)

1.某温度控制电路中,测试的温度信号经变换、放大和防混滤波后,转换为低压模拟信号,其最大幅值不超过5V,为了将此信号转换成计算机能识别的数字信号,并要求模拟信号每变化20mV(相当于温度1℃)能使数字信号最低位发生变化,那么应选几位的转换器?

若温度传感器输出的信号为(0~50mV),放大器的放大倍数应为多大?

当ADC的输入信号为1.2V时,输出端的2进制数是多少?

2.在选择取样-保持电路的外接电容器电容量时应考虑哪些因素?

3.掉电时,只读存储器的数据会丢失吗?

六、计算题(40分,共8题,每小题5分)

1.画出由512字×4位RAM构成的1024字×4位的存储体。

2.一个4位R-2R倒T型电阻D/A转换器,当输入数字量为0001时,对应的输出模拟电压为0.02V,试计算当数字量为1101时输出电压为多少伏?

3.若A/D转换器(包括取样-保持电路)输入模拟信号的最高变化频率为10kHz,试说明取样频率的下限是多少。

完成一次A/D转换所用时间的上限应为多少?

4.某8位ADC输入电压范围为0~10V,当输入下列电压值时,转换成多大的2进制数字量:

(1)39.3mV;

(2)4.48V;(3)7.81V。

5.一个R-2R倒T型D/A转换器可分辨0.0025V电压,其满刻度输出电压为10V,求该转换器至少是多少位。

6.画出由512字×4位RAM构成的1024字×8位的存储体。

7.试用256×4位的RAM扩展成1024×8位存储器。

8.权电阻D/A转换电路如下图所示,推导出输出电压Vo的表达式和当前的输出电压,并说明输出电压的变化范围。

七、分析题(15分,共1题,每小题15分)

二极管ROM电路如下图所示。

已知A1A0取值为00、01、10、11时,地址译码器输出W0~W3分别出现高电平。

根据电路结构,说明内存单元0~3中的内容是什么?

图中“·”表示如虚线框所示的二极管连接。

八、设计题(15分,共1题,每小题15分)

用4

2位RAM构成8

4位RAM,画出电路图。

答案:

一、单项选择题(3分,共3题,每小题1分)

1.C2.C3.D

二、填空题(12分,共12题,每小题1分)

1.

参考答案:

读;写;不会丢失

解题方案:

评分标准:

2.

参考答案:

读;写;刷新;丢失

解题方案:

评分标准:

3.

参考答案:

静态随机存储器(SRAM);动态随机存取存储器(DRAM);双极型;MOS

解题方案:

评分标准:

4.

参考答案:

有或无

解题方案:

评分标准:

5.

参考答案:

有无电荷

解题方案:

评分标准:

6.

参考答案:

转换精度;转换速度

解题方案:

评分标准:

7.

参考答案:

二进制;数码寄存器;开关网络;解码网络;电压基准

解题方案:

评分标准:

8.

参考答案:

位数;越长;大于

解题方案:

评分标准:

9.

参考答案:

16

解题方案:

评分标准:

10.

参考答案:

只读存储器;随机读写存储器;闪存;顺序寻址存储器;随机寻址存储器

解题方案:

评分标准:

11.

参考答案:

保持;量化;取样和保持;量化和编码

解题方案:

评分标准:

12.

参考答案:

越高

解题方案:

评分标准:

三、判断改错题(4分,共4题,每小题1分)

1.

参考答案:

错。

如果不进行刷新操作,DRAM的数据会丢失。

解题方案:

评分标准:

2.

参考答案:

对。

解题方案:

评分标准:

3.

参考答案:

对。

解题方案:

评分标准:

4.

参考答案:

解题方案:

评分标准:

四、简答题(8分,共8题,每小题1分)

1.

参考答案:

MP3播放器可以播放数字化的音频文件。

音频文件制造商,录制音乐并通过模数转换器转换为数字信号,按MP3格式对该数字信号进行数据压缩,形成MP3音频数字文件。

MP3播放器读MP3音频数字文件,按MP3格式解压,还原为原始数字信号,通过数模转换器还原为模拟音频信号,驱动扬声器或耳机发声。

解题方案:

评分标准:

2.

参考答案:

存储器的字数增加、而每字的位数不变称为字扩展。

字扩展的特点是地址总线位数增加、数据总线的位数不变。

解题方案:

评分标准:

3.

参考答案:

静态RAM的存储单元为RS触发器,工作时不需刷新,但存储容量较小。

动态RAM的存储单元是利用MOS管具有极高的输入电阻,在栅极电容上可暂存电荷的特点来存储信息的,由于栅极电容存在漏电,因此,工作时需要周期性地对存储数据进行刷新。

解题方案:

评分标准:

4.

参考答案:

在闪存中源极受编程电路的控制。

读写时源极接地;擦除时源极接较高电压。

由于存储阵列的闪存MOS管的源极全部连接在一起,利用隧道效应,可以实现众多存储单元的批量擦除。

闪存的数据改写同样遵循先擦除后写入的原则。

通常先批量擦除欲改写的众多存储单元,然后以字为单位写入数据。

解题方案:

评分标准:

5.

参考答案:

PROM是可编程一次的只读存储器。

EPROM是可擦除的可编程只读存储器(可多次编程),EEPROM是电擦除的可编程只读存储器(可多次编程),使用最方便。

解题方案:

评分标准:

6.

参考答案:

比较如下:

(1)ROM(或PROM)的存储存矩阵中的存储元件是一般的二极管、三极管或MOS管,它们本身没有记忆功能。

对ROM这些元件只在一定交叉点上才有,取决于存储的内容。

而RAM的存储矩阵中每个交叉点上均有具有记忆功能的存储元件,如触发器或具有电容的MOS管等。

(2)ROM的存储单元中存入数据不能更改,只能读出。

而RAM的存储单元中存入的数据不仅可读出,而且可随时更改,即写入新的数据。

(3)ROM和RAM的地址译码器相同,都是N取一译码器。

(4)ROM的读出电路是单向总线,即单向三态缓冲器。

RAM的I/O电路是双向总线,即双向三态缓冲器。

(5)ROM存储的信息是永久的,RAM存储的信息是暂时的,机器失电,信息立即消失。

对利用电容存储的动态RAM还要定时进行刷新。

解题方案:

评分标准:

7.

参考答案:

消除取样信号的频谱混叠,保证满足取样定理的条件。

解题方案:

评分标准:

8.

参考答案:

4字×4位RAM单地址结构的结构框图如下图所示。

解题方案:

评分标准:

五、问答题(3分,共3题,每小题1分)

1.

参考答案:

,则n=8,应选8位的转换器。

放大倍数应为100。

当ADC的输入信号为1.2V时,输出端的2进制数是00111101。

解题方案:

评分标准:

2.

参考答案:

采样-保持电路的外接电容器的容量大小取决于采样频率及充电回路电阻值,采样频率越高,回路电阻越大,电容量应越小。

解题方案:

评分标准:

3.

参考答案:

不会丢失数据。

解题方案:

评分标准:

六、计算题(40分,共8题,每小题5分)

1.

参考答案:

电路如图所示。

解题方案:

评分标准:

2.

参考答案:

当数字量为1101时,输出电压为0.26V。

解题方案:

评分标准:

3.

参考答案:

取样频率的下限:

完成一次A/D转换所用时间的上限

解题方案:

评分标准:

4.

参考答案:

(1)00000001;

(2)01110010;(3)11000111。

解题方案:

评分标准:

5.

参考答案:

由题中条件可知:

解题方案:

评分标准:

6.

参考答案:

电路如图所示。

解题方案:

评分标准:

7.

参考答案:

电路如图所示。

解题方案:

评分标准:

8.

参考答案:

解题方案:

评分标准:

七、分析题(15分,共1题,每小题15分)

0.

参考答案:

0、1、2、3单元的存储数据分别是:

1011,0110,1101,0111。

解题方案:

评分标准:

八、设计题(15分,共1题,每小题15分)

0.

参考答案:

如图所示:

所需片数=(8

4)/(4

2)=4

解题方案:

评分标准:

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