模拟电子技术课程习题第二章基本放大电路.docx

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模拟电子技术课程习题第二章基本放大电路

模拟电子技术课程习题第二章基本放大电路（总11页）

第二章基本放大电路

在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是[]

A.共射放大电路B.共基放大电路

C.共集放大电路D.不能确定

在基本共射放大电路中，负载电阻RL减小时，输出电阻RO将[]

A.增大B.减少C.不变D.不能确定

在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是[]

A.共射放大电路B.共基放大电路

C.共集放大电路D.不能确定

在电路中我们可以利用[]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。

A共射电路B共基电路C共集电路D共射-共基电路

在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是[]

A.共射放大电路B.共基放大电路

C.共集放大电路D.不能确定

在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是[]

A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真

以下电路中，可用作电压跟随器的是[]

A．差分放大电路B．共基电路

C．共射电路D．共集电路

晶体三极管的关系式iE=f（uEB）|uCB代表三极管的

A.共射极输入特性B.共射极输出特性

C.共基极输入特性D.共基极输出特性

对于图所示的复合管，穿透电流为（设ICEO1、ICEO2分别表示T1、T2管的穿透电流）

A.ICEO=ICEO2?

ICEO

B.ICEO=ICEO1+ICEO2

C.ICEO=（1+?

2）ICEO1+ICEO2

D.ICEO=ICEO1图[]

在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是[]

A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真

对于基本共射放大电路，Rb减小时，输入电阻Ri将[]

A.增大B.减少C.不变D.不能确定

在基本共射放大电路中，信号源内阻RS减小时，输入电阻Ri将[]

A.增大B.减少C.不变D.不能确定

在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大电路是[]

A.共射放大电路B.共基放大电路

C.共集放大电路D.不能确定

在三种基本放大电路中，电流增益最小的放大电路是[]

A.共射放大电路B.共基放大电路

C.共集放大电路D.不能确定

某放大电路的负载开路时的输出电压为4V，接入3K?

的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为。

双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结、集电结。

对于基本共射放大电路，试判断某一参数变化时放大电路动态性能的变化情况（a.增大，b.减小，c.不变），选择正确的答案填入空格。

1、Rb减小时，输入电阻Ri。

2、Rb增大时，输出电阻Ro。

3、信号源内阻Rs增大时，输入电阻Ri。

4、信号源内阻Rs减小时，电压放大倍数

。

5、负载电阻RL增大时，电压放大倍数

。

6、负载电阻RL减小时，输出电阻Ro。

选择正确的答案填空。

1、复合管的额定功耗是。

（a.各晶体管额定功耗之和；b.前面管子的额定功耗；c.后面管子的额定功耗；d.各晶体管额定功耗的平均值）

2、复合管的反向击穿电压等于。

（a.各晶体管反向击穿电压之和；b.前面管子的反向击穿电压；c.后面管子的反向击穿电压；d.各晶体管反向击穿电压值中的较小者）

3、复合管的集电极最大允许电流等于。

（a.各晶体管集电极最大允许电流之和；b.前面管子的集电极最大允许电流；c.后面管子的集电极最大允许电流；d.各晶体管集电极最大允许电流值中的较小者）

4、有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的条件下测得A的输出电压小。

这说明A的。

a.输入电阻大b.输入电阻小

c.输出电阻大d.输出电阻小

在实验桌上放有下列仪器：

A、WQ-2-A型直流稳压电源：

输出电压在0~30V范围内可调；

B、FG-163型函数发生器：

可产生正弦波、三角波、方波等信号，频率范围为~20MHz，输出电阻约为50Ω；

C、DA-16型晶体管毫伏表：

频率范围为20Hz~1MHz，输入电阻在频率为1kHz时大于1MQ，输入电容为50~70pF；

D、DT-830型数字万用表：

交、直流挡的输入电阻均为10MΩ

，交流电压挡的频率范围45~500Hz，输入电容为100pF；

E、CS-1830型示波器：

频率范围为0~30MHz，输入电阻为1MΩ

，输入电容为23pF。

问测量放大电路的下列性能指标需用哪些仪器设备（只需写出上述仪器设备的标号，如A、B等）

1、静态工作点：

2、电压放大倍数：

3、输入电阻：

4、输出电阻：

5、上限截止频率（预计约1MHz）：

为了测量交流放大电路的电压放大倍数，需要在放大电路的输入端加进10mV的正弦信号。

问下列几种获取信号的方法是否正确为什么

1、调整信号发生器的电压幅度，利用信号发生器上的表头指示和衰减倍数产生10mV的正弦电压，然后将它加到放大电路的输入端。

2、调整信号发生器的电压幅度，利用晶体管毫伏表测量其输出端电压，从而得到10mV信号。

然后将它接到放大电路的输入端。

3、先将尚无输出电压的信号发生器连接到放大电路的输入端，然后由小到大地调节信号源的电压幅度，用晶体管毫伏表测量其大小，使之达到10mV。

某同学为验证基本共射放大电路电压放大倍数与静态工作点的关系，在线性放大条件下对同一个电路测了四级数据。

试找出其中错误的一组。

=，Ui=10mV，Uo=

=，Ui=10mV，Uo=

=，Ui=10mV，Uo=

=2mA，Ui=10mV，Uo=

判断下列说法是否正确，对的画√，错的画×。

1、晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。

（）

2、在基本共射放大电路中，若晶体管的β增大一倍，则电压放大倍数也相应地增大一倍。

（）

3、共集放大电路的电压放大倍数总是小于1，故不能用来实现功率放大。

（）

4、只有当两个晶体管的类型相同（都为NPN管或都为PNP管）时才能组成复合管。

（）

5、复合管的类型（NPN或PNP）与组成它的最前面的管子类型相同。

（）

6、只要把两个晶体管的复合管，一定可以提高管子的输入电阻。

（）

7、复合管的β值近似等于组成它的各晶体管β值的乘积。

（）

8、复合管的空透电流等于组成它的各晶体管的空透电流之和。

（）

9、两个同类晶体管（例如都是NPN管）复合，由于两管的UBE叠加，受温度的影响增大，所以它产生的漂移电压比单管大。

（）

10、由于场效应管的栅极几乎不取电流，所以两个场效应管不能组成复合管。

（）

11、由于场效应管的栅极几乎不取电流，所以场效应管与双极型晶体管也不能级成复合管。

（）

用两个晶体管分别组成下面的两种复合管：

1、输入电阻与单管相同的NPN型复合管；

2、输入电阻明显增大的PNP型复合管。

3、用一个NPN和一PNP型晶体管，分别组成一个NPN和一个PNP型的复合管；

4、用两个NPN型晶体管组成一个NPN型的复合管。

通常功率管的电流放大系数β较小，而小功率管的β较大，现需要一个β较大而基-射极电压UBE温漂较小的NPN型大功率管，拟采用复合管的结构来实现。

试画出该复合管的接线图。

设图所示电路中各电容对交流信号可视为短路，晶体管的?

=50，rbb’=200?

UBEQ=,求：

1）静态工作点ICQ、UCEQ各为多少？

2）

3）

4）输入电阻Ri,输出电阻Ro各为多少？

5）

1）电压放大倍数Au为多少

图

在图的电路中，T1、T2特性相同，且?

很大，求IC2和UCE2的值。

设UBE=。

图

判断如图、b所示电路是否可能对正弦信号实现放大，不能放大的说明原因。

图图

2．28设图所示电路中各电容对交流信号可视为短路，晶体管的β=50,rbb’=200Ω,UBEQ=,求:

①.求静态工作点ICQ=?

②.该电路的输入电阻Ri输出电阻Ro各为多少?

③.该电路的电压放大倍数Au为多少?

图

在右图所示电路中，设Vcc=12V，Rc=Ω，R1=R2=150KΩ，Rs=300Ω，RL=∞，晶体管的?

=49，rbb’=300Ω，UBE=，设各电容对交流信号均可视为短路。

1．估算静态工作点ICQ和UCEQ；

2．画出该电路的简化h参数微变等效电路；

3．计算出AU=UO/Ui、AUS=UO/US、Ri和RO的值；

4．若将C3开路，试问对该电路的Q点、?

AUS?

、Ri和Ro有何影响

图

指出并改正图电路中的错误使电路能够正常放大信号。