E02158GJ型保护板原材料规格书A.docx
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E02158GJ型保护板原材料规格书A
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阶段标记
页数13
原材料技术条件及零部件规格书
名称主板-E02158
编号LSH314.101CT04
拟制
审核
会签
标准化
批准
天津力神电池股份有限公司
1目的
为公司提供原材料技术条件，确保原材料质量处于受控状态，满足生产要求。
2适用范围
适用于316-PP505690-4S5P-PCM型锂离子电池项目，可作为采购进货检验依据。
3技术条件及相关内容
3.1产品简述：
3.1.1名称：
E02158
3.1.2BOM：
001.19.0000483000
3.2技术要求（@25ºC）
3.2.1过充保护电压：
4.275V0.025V
3.2.2过充恢复电压：
4.075V0.050V
3.2.3过放保护电压：
2.30V0.080V
3.2.4过放恢复电压：
2.70V0.100V
3.2.5过流保护电流：
15.5A+/3A（电芯14.4V）
3.2.6短路保护功能：
OK
3.2.7均衡起始电压：
4.18V0.025V
3.3.8工作温度：
-45℃～55℃
3.3.9存储温度：
-40℃～85℃
3.3元器件布件图：
底层
无底层布件
3.4焊盘定义：
顶层
底层
无底层焊盘
符号
定义
P+/P-
PACK的正/负端（数据地）
DQ
1-WIRE通信数据端
B+
电池组总正端（电压最高点）
B1P
第一节正端
B2P
第二节正端
B3P
第三节正端
B4P
第四节正端
B-
电池总负端（电压最低点）
3.5机械尺寸：
3.6元器件列表：
所有器件符合工业级标准（工作温度范围达-40℃至+85℃）：
规格型号
位号
封装
数量
0.1uF/50V,20%
C1,C2,C3,C4,C5,C7,C8,C9,C10,C11,C12,C15,C17,C19
0603
14
1uF/50V,20%
C6
1210
1
2.2uF/50V,20%
C13,
0805
1
1uF/50V,20%
C16
0805
1
0.47uF/50V,20%
C14
0603
1
10uF/25V,20%
C18
1206
1
330pF/50V,20%
C20
0603
1
UDZSTE17/18B
D1,D3
UMD2
2
P6SMB36A
D2
SMB（DO-21AA）
1
UDZSTE175.6B
D4
UMD2
1
10uH,20%
L1
0603
1
SI4435BDY
Q1,Q2,Q4,Q5,Q6,Q7,Q8,Q9
SO-8
8
CPH3323
Q3,Q10,Q11,Q12
SOT-23
4
BSS84
Q13
SOT-23
1
2N7002
Q15
SOT-23
1
470,5%,1/16W
R1,R6,R20,R31
0603
4
200,5%,1/4W
R2,R3,R4,R14,R15,R16,R24,R25,R26,R35,R36,R37
1206
12
1K,5%,1/16W
R5,R9,R12,R17,R18,R21,R22,R23,R27,R38
0603
10
1M,5%,1/16W
R7
0603
1
1,5%,1/16W
R8
0603
1
5.1k,5%,1/16W
R10,R11,R48
0603
3
6.8k,5%,1/16W
R13
0603
1
200,5%,1/16W
R19
0603
1
0.010,1%,2W
R28,R30,R32,R57,R58
2512
5
51,5%,1/16W
R29
0603
1
0,5%,1/16W
R33,R41,R44,R49
0603
4
4.7M,1%,1/16W
R34
0603
1
1.5M,1%,1/16W
R39
0603
1
4.7K,5%,1/16W
R40
0603
1
1M,1%,1/16W
R42,R45,
0603
2
100K,1%,1/16W
R54
0603
1
300K,1%,1/16W
R47
0603
1
150,5%,1/16W
R52
0603
1
S-8241ADTMC
U1,U2,U4,U5
SOT-23-5
4
S8254AAGFT
U3
TSSOP-16
1
LT3014ES5#TRMPBF
U6
SOT-23-5
1
ATmega48V-10AU
U7
TQFP-32A
1
MAX6814
U8
SC70-5
1
DS2788
U9
TSSOP-14
1
ZC51272A
YJ1
ZC51272A
1
注：
1、标明粉红色的C13容值更改；R54，R47电阻值更改；
2、标明红色的元器件L1、U8、U9、YJ1、C18为客供件；但标明绿色的C18可变更为10uF/25V,20%，1206；
3、液晶显示屏由原来的距PCB板1.2mm改为贴近PCB焊接，需再留有高度空间；
4、PCB尺寸略增大，长度由68mm增大为69.2mm，外形改为梯形，最大尺寸70.35mmPCB走线略调整；
5、保护板表面喷涂三防漆。
3.7印制板线路图
底层：
3.8DS2788文件烧写
3.8.1DS2788烧写接口如下：
其中：
DQ为DS2788通信总线，GND为数据地线。
3.8.2DS2788基本参数烧写
3.8.2.1DS2788基本参数初步烧写。
单击File，选择Flod，该文件为.tex格式，该格式文件明如下TBP316-1_2788_GJ.txt，
"11085","11085","11317","11412","11500","312","305","298","52","34",
"29","29","29","18","0","4.1968","600.0","2.9085","480",
"5.00","1.02637","1.11426","61","11400.00",
"0.3126","00h","-0.3126","20C","10C"
单击Write$copy键，进行基本参数烧写。
（注意检流电阻为：
5.00mΩ；，电压较准参数为（参数值0.99~1.15）；电流校准参数（参数值0.99~1.05）
3.8.2.2DS2788主要参数校准。
修正电压较准参数（参数值在0.99~1.15之间），并在主界面读取软件电压测量值，使得软件测量电压与实际测量电压压差不超过50mV；
修正电流校准参数（参数值在0.99~1.05之间）。
3.8.3DS2788老化系数烧写
单击Write和Done键进行老化系数烧写，老化系数设置为98%（烧写后老化系数有略微改变，但变化在97%~98%之间）。
3.8.4通信地址烧写
寄存器相对地址和相应参数烧写如下
a、额定容量：
10000mAh,对应十六进制为2710h，
其中低位地址20h：
27h,高位地址21h：
10h；
b、节数：
4串，对应十六进制为04h,地址为2Ch，
单击Write和Done键进行通信地址烧写。
3.9单片机ATmega48烧写
3.9.1AVR并行ISP烧写器接口和保护板烧写接口如下：
3.9.1.1AVR并行ISP烧写器接口
3.9.1.2保护板上单片机ATmega48烧接口如下
3.9.2烧写方法（AVRstudio4烧写界面）
3.9.2.1熔丝配置
a.如图选择BOOLEVEL=110
b.如图选择默认振荡频率（内部晶振8M），CKSEL=0010，SUT=10
c.内部晶振频率分频设置：
不分频
熔丝配置并烧写完成后界面如下
3.9.2.2烧写文件写入
a、器件选择：
ATmega48
b、烧写模式：
ISPmode
c、Flash路径设置：
3.9.2.3烧写文件
烧写文件为.hex格式，该格式文件如下：
TBP316_A_RET_2788.hex
3.10剩余相对容量修正烧写，测试液晶显示功能
单击Write和Done键进行剩余容量烧写，剩余容量初次烧写为7000mAh，此时液晶显示应为3格。
4检验项目及检验方法
4.1目测检查保护板没有弯曲变形，表面洁净，无腐蚀，无异物。
4.2目测检查保护板上的器件位置，应与3.3条中的元器件布件图相符。
4.3利用游标卡尺测量保护板关键机械尺寸（*标注），应与3.4相符。
4.4利用保护板测试仪测试保护板的电气性能，应与3.2相符。
4.5利用专用烧写工具烧写测试保护板液晶显示和通信功能，应符合3.8、3.9、3.10的要求。
5存储
原材料应密闭包装，避免潮湿和化学气氛。
6运输
6.1包装规格要求
防静电包装。
6.2运输要求
应防止碰撞、防破损。
7修订历史记录
修订状态
拟制人
修订原因
修订记录
发布日期
0
刘彩秋
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--------
2009-7-16
1
刘彩秋
DS2788外部分压电阻变更
1、C13：
由原来1.0uF/50V,20%
改变为2.2uF/50V,20%
2010-2-22
2、C18：
由10uF/50V,20%，1206
改变为10uF/25V,20%，1206
3、R54：
由原来1M1%,1/16W
改变为100K,1%,1/16W;
4、R47：
由原来3M,1%,1/16W
改变为300K,1%,1/16W
2
刘彩秋
方便批量生产
1、B1P焊盘位置调整
2、信号采样焊盘大小调整
3、LTC3014走线调整，增加抗干扰能力
2010-4-28
3
刘彩秋
适应整体防水
保护板喷涂三防漆
2010-5-18
4
刘彩秋
标准化管理
软件烧写方法归入规格书
2010-7-1
升级会员 