计算机组成原理课后答案第四章庞海波讲解.docx

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计算机组成原理课后答案第四章庞海波讲解

第四章思考题与习题

1.解释下列概念主存、辅存、Cache、RAM、SRAM、DRAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、CDROM、FlashMemory

答:

主存:

与CPU直接交换信息,用来存放数据和程序的存储器。

辅存:

主存的后援存储器,不与CPU直接交换信息。

CACHE:

为了解决CPU和主存的速度匹配,设在主存与CPU之间,起缓冲作用,用于提高访存速度的一种存储器。

RAM:

随机存储器:

是随机存取的,在程序执行过程中既可读出也可写入,存取时间与存储单元所在位置无关。

SRAM:

静态RAM,以触发器原理存储信息。

DRAM:

动态RAM,以电容充放电原理存储信息。

ROM:

只读存储器,在程序执行过程中只能读出,而不能对其写入。

PROM:

一次性编程的只读存储器。

EPROM:

可擦除的可编程只读存储器,用紫外线照射进行擦写。

EEPROM:

用电可擦除的可编程只读存储器。

CDROM:

只读型光盘

FlashMemory:

快擦型存储器,是性能价格比好,可靠性高的可擦写非易失型存储器

2.计算机中哪些部件可用于存储信息,请按其速度、容量和价格/位排序说明。

答:

寄存器、缓存、主存、磁盘、磁带等。

速度按顺序越来越慢,容量越来越高和价格/位越来越低

3.存储器的层次结构主要体现在什么地方?

为什么要分这些层次,计算机如何管理这些层次?

答:

存储器的层次结构主要体现在Cache—主存和主存—辅存这两个存储层次上。

Cache—主存层次在存储系统中主要对CPU访存起加速作用,即从整体运行的效果分析,接近于Cache的速度,而容量和位价却接近于主存。

主存—辅存层次在存储系统中主要起扩容作用,其容量和位价接近于辅存,而速度接近于主存

4.说明存取周期和存取时间的区别。

答:

存取周期和存取时间的主要区别是:

存取时间仅为完成一次存取操作的时间,而存取周期不仅包含操作时间,还包含操作后线路的恢复时间。

即:

存取周期=存取时间+恢复时间

5.什么是存储器的带宽?

若存储器的数据总线宽度为32位,存取周期为200ns,则存储器的带宽是多少?

解:

存储器的带宽指单位时间内从存储器进出信息的最大数量。

存储器带宽=1/200ns×32位=160M位/秒=20MB/S=5M字/秒

6.某机字长为32位,其存储容量是64KB,按字编址它的寻址范围是多少?

若主存以字节编址,试画出主存字地址和字节地址的分配情况。

答:

存储容量是64KB时,按字节编址的寻址范围就是64KB,则:

按字寻址范围=64K×8/32=16K字

按字节编址时的主存地址分配图如下:

0

1

2

3

……

……

6

5

4

65534

65532

7

……

……

65535

65533

字地址HB—————字节地址—————LB

0

4

8

……

65528

65532

7.一个容量为16K×32位的存储器,其地址线和数据线的总和是多少?

当选用下列不同规格的存储芯片时,各需要多少片?

1K×4位,2K×8位,4K×4位,16K×1位,4K×8位,8K×8位

答:

地址线和数据线的总和=14+32=46根;

各需要的片数为:

1K×4:

16K×32/1K×4=16×8=128片

2K×8:

16K×32/2K×8=8×4=32片

4K×4:

16K×32/4K×4=4×8=32片

16K×1:

16K×32/16K×1=32片

4K×8:

16K×32/4K×8=4×4=16片

8K×8:

16K×32/8K×8=2X4=8片

8.试比较静态RAM和动态RAM。

特性

SRAM

DRAM

存储

触发器

电容

破坏性读出

需要刷新

不要

需要

地址复用

运行速度

集成度

功耗

适用场合

cache

大容量主存

9.什么叫刷新?

为什么要刷新?

说明刷新有几种方法。

答:

刷新——对DRAM定期进行的全部重写过程;

刷新原因——因电容泄漏而引起的DRAM所存信息的衰减需要及时补充,因此安排了定期刷新操作;

常用的刷新方法有三种——集中式、分散式、异步式。

集中式:

在最大刷新间隔时间内,集中安排一段时间进行刷新;

分散式:

在每个读/写周期之后插入一个刷新周期,无CPU访存死时间;

异步式:

是集中式和分散式的折衷

10.半导体存储器芯片的译码驱动方式有几种?

答:

半导体存储器芯片的译码驱动方式有两种:

线选法和重合法。

线选法:

地址译码信号只选中同一个字的所有位,结构简单,费器材;

重合法:

地址分行、列两部分译码,行、列译码线的交叉点即为所选单元。

可大大节省器材用量,是最常用的译码驱动方式

11.一个8K×8位的动态RAM芯片,其内部结构排列成256×256形式,存取周期为0.1µs。

试问采用集中刷新、分散刷新及异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少?

答:

设DRAM的刷新最大间隔时间为2ms,

则异步刷新的刷新间隔=2ms/256行=0.0078125ms=7.8125µs

即:

每7.8125µs刷新一行。

集中刷新时,死时间为256*0.1us=25.6us。

分散刷新,刷新间隔0.2us,死时间为0.1us,读写周期0.2us

异步刷新,死时间0.1us,刷新间隔7.8125us。

12.画出用1024×4位的存储芯片组成一个容量为64K×8位的存储器逻辑框图。

要求将64K分成4个页面,每个页面分16组,指出共需多少片存储芯片。

答:

设采用SRAM芯片,则:

总片数=(64K×8位)/(1024×4位)=64×2=128片

题意分析:

本题设计的存储器结构上分为总体、页面、组三级,因此画图时也应分三级画。

首先应确定各级的容量:

页面容量=总容量/页面数=64K×8/4=16K×8位,4片16K×8字串联成64K×8位

组容量=页面容量/组数 =16K×8位/16=1K×8位,16片1K×8位字串联成16K×8位

组内片数=组容量/片容量=1K×8位/1K×4位=2片,两片1K×4位芯片位并联成1K×8位

存储器逻辑框图:

1KX4

SRAM

1KX4

SRAM

A9~0

-WE

-CSi

D7D6D5D4D3D2D1D0

组逻辑图如下:

(位扩展)

1KX8

页面逻辑框图:

(字扩展)

1KX8(组0)

1KX8(组1)

1KX8(组2)

1KX8(组15)

………………

4:

16

-CS0

-CS1

-CS2

-CS15

A9~0-WED7~0

A10

A11

A12

A13

-CEi

16KX8

存储器逻辑框图:

(字扩展)

16KX8(页面0)

16KX8(页面1)

16KX8(页面2)

16KX8(页面3)

2:

4

A14

A15

-CE0

-CE1

-CE2

-CE3

A13~0-WED7~0

13.设有一个64K×8位的RAM芯片,试问该芯片共有多少个基本单元电路(简称存储基元)?

欲设计一种具有上述同样多存储基元的芯片,要求对芯片字长的选择应满足地址线和数据线的总和为最小,试确定这种芯片的地址线和数据线,并说明有几种解答。

答:

存储基元总数=64K×8位=512K位=2^19位;

设存储器有X根地址线和Y根数据线

则有2^X*Y=2^19

Y=1,X=19X+Y=20

Y=2,X=18X+Y=20

Y=4,X=17X+Y=21

Y=8,X=16X+Y=24

Y=16,X=15X+Y=31

Y=32。

由上可看出:

片字数越少,片字长越长,引脚数越多。

片字数、片位数均按2的幂变化。

结论:

如果满足地址线和数据线的总和为最小,这种芯片的引脚分配方案有两种:

地址线=19根,数据线=1根;或地址线=18根,数据线=2根。

因此,有两种解答,512K*1位和256K*2位

14.某8位微型机地址码为18位,若使用4K×4位的RAM芯片组成模块板结构的存储器,试问:

(1)该机所允许的最大主存空间是多少?

(2)若每个模块板为32K×8位,共需几个模块板?

(3)每个模块板内共有几片RAM芯片?

(4)共有多少片RAM?

(5)CPU如何选择各模块板?

答:

(1)218=256K,则该机所允许的最大主存空间是256K×8位(或256KB);

(2)模块板总数=256K×8/32K×8=8块;

(3)板内片数=32K×8位/4K×4位=8×2=16片;

(4)总片数=16片×8=128片;

(5)CPU通过最高3位地址译码选板,次高3位地址译码选片。

地址格式分配如下:

15.设CPU共有16根地址线,8根数据线,并用MREQ(低电平有效)作访存控制信号,RW作读写命令信号(高电平为读,低电平为写)。

现有下列存储芯片:

ROM(2K×8位,4K×4位,8K×8位),RAM(1K×4位,2K×8位,4K×8位)及74138译码器和其他门电路(门电路自定)。

试从上述规格中选用合适芯片,画出CPU和存储芯片的连接图。

要求:

(1)最小4K地址为系统程序区,4096~16383地址范围为用户程序区;

(2)指出选用的存储芯片类型及数量;(3)详细画出片选逻辑。

答:

(1)地址空间分配图如下

A15~A12A11~A8A7~A4A3~A0

0~4K0000000000000000

0000111111111111

4K~8K0001000000000000

0001111111111111

8k~12k0010000000000000

0010111111111111

12k~16k0011000000000000

0011111111111111

4K(ROM)

4K(SRAM)

4K(SRAM)

4K(SRAM)

……

0~4095

4096~8191

8192~12287

12288~16383

……

65535

Y0

Y1

Y2

Y3

……

A15=1

A15=0

(2)选片:

ROM:

4K×4位:

2片;

RAM:

4K×8位:

3片;

(3)CPU和存储器连接逻辑图及片选逻辑

16.CPU假设同上题,现有8片8K×8位的RAM芯片与CPU相连,试回答:

(1)用74138译码器画出CPU与存储芯片的连接图;

(2)写出每片RAM的地址范围;(3)如果运行时发现不论往哪片RAM写入数据后,以A000H为起始地址的存储芯片都有与其相同的数据,分析故障原因。

(4)根据

(1)的连接图,若出现地址线A13与CPU断线,并搭接到高电平上,将出现什么后果?

答:

(1)CPU与存储器芯片连接逻辑图:

(此题画法不标准,见15题答案画法)

(2)地址空间分配

0000~1FFF0~8K;2000~3fff8K~16K;4000~5fff16k~24K6000~7FFF24k~32k

8000~9FFF32~40K;A000~Bfff40K~48K;C000~Dfff48k~56KE000~FFFF56k~64k

8KX8RAM

8KX8RAM

8KX8RAM

8KX8RAM

8KX8RAM

8KX8RAM

8KX8RAM

8KX8RAM

Y0

Y1

Y2

Y3

Y4

Y5

Y6

Y7

0~8191

8192~16383

16384~24575

24576~32767

32768~40959

40960~49151

49152~57343

57344~65535

(3)如果运行时发现不论往哪片RAM写入数据后,以A000H为起始地址的存储芯片都有与其相同的数据,则根本的故障原因为:

该存储芯片的片选输入端很可能总是处于低电平。

可能的情况有:

该片的-CS端与-WE端错连或短路;该片的-CS端与CPU的-MREQ端错连或短路;该片的-CS端与地线错连或短路。

在此,假设芯片与译码器本身都是好的。

(4)如果地址线A13与CPU断线,并搭接到高电平上,将会出现A13恒为“1”的情况。

此时存储器只能寻址A13=1的地址空间,A13=0的另一半地址空间将永远访问不到。

若对A13=0的地址空间进行访问,只能错误地访问到A13=1的对应空间中去。

17.写出1100、1101、1110、1111对应的汉明码。

答:

有效信息均为n=4位,假设有效信息用b4b3b2b1表示

校验位位数k=3位,(2k>=n+k+1)

设校验位分别为c1、c2、c3,则汉明码共4+3=7位,即:

c1c2b4c3b3b2b1

校验位在汉明码中分别处于第1、2、4位

c1=b4⊕b3⊕b1

c2=b4⊕b2⊕b1

c3=b3⊕b2⊕b1

当有效信息为1100时,c3c2c1=011,汉明码为1110100。

当有效信息为1101时,c3c2c1=100,汉明码为0011101。

当有效信息为1110时,c3c2c1=101,汉明码为1011110。

当有效信息为1111时,c3c2c1=010,汉明码为0110111。

18.已知收到的汉明码(按配偶原则配置)为1100100、1100111、1100000、1100001,检查上述代码是否出错?

第几位出错?

答:

假设接收到的汉明码为:

c1’c2’b4’c3’b3’b2’b1’

纠错过程如下:

P1=c1’⊕b4’⊕b3’⊕b1’

P2=c2’⊕b4’⊕b2’⊕b1’

P3=c3’⊕b3’⊕b2’⊕b1’

如果收到的汉明码为1100100,则p3p2p1=110,说明代码有错,第6位(b2’)出错,有效信息为:

1100

如果收到的汉明码为1100111,则p3p2p1=111,说明代码有错,第7位(b1’)出错,有效信息为:

0110

如果收到的汉明码为1100000,则p3p2p1=011,说明代码有错,第3位(b4’)出错,有效信息为:

1000

如果收到的汉明码为1100001,则p3p2p1=100,说明代码有错,第4位(c3’)出错,有效信息为:

0001

19.已经接收到下列汉明码,分别写出它们所对应的欲传送代码。

(1)1100000(按偶性配置)

(2)1100010(按偶性配置)

(3)1101001(按偶性配置)

(4)0011001(按奇性配置)

(5)1000000(按奇性配置)

(6)1110001(按奇性配置)

答:

(一)假设接收到的汉明码为C1’C2’B4’C3’B3’B2’B1’,按偶性配置则:

P1=C1’⊕B4’⊕B3’⊕B1’

P2=C2’⊕B4’⊕B2’⊕B1’

P3=C3’⊕B3’⊕B1’

(1)如接收到的汉明码为1100000,

P1=1⊕0⊕0⊕0=1

P2=1⊕0⊕0⊕0=1

P3=0⊕0⊕0=0

P3P2P1=011,第3位出错,可纠正为1110000,故欲传送的信息为1000。

(2)如接收到的汉明码为1100010,

P1=1⊕0⊕0⊕0=1

P2=1⊕0⊕1⊕0=0

P3=0⊕0⊕0=0

P3P2P1=001,第1位出错,可纠正为0100010,故欲传送的信息为0010。

(3)如接收到的汉明码为1101001,

P1=1⊕0⊕0⊕1=0

P2=1⊕0⊕0⊕1=0

P3=1⊕0⊕1=0

P3P2P1=000,传送无错,故欲传送的信息为0001。

(二)假设接收到的汉明码为C1’C2’B4’C3’B3’B2’B1’,按奇性配置则:

P1=C1’⊕B4’⊕B3’⊕B1’⊕1

P2=C2’⊕B4’⊕B2’⊕B1’⊕1

P3=C3’⊕B3’⊕B1’⊕1

(4)如接收到的汉明码为0011001,

P1=0⊕1⊕0⊕1⊕1=1

P2=0⊕1⊕0⊕1⊕1=1

P3=1⊕0⊕1⊕1=1

P3P2P1=111,第7位出错,可纠正为0011000,故欲传送的信息为1000。

(5)如接收到的汉明码为1000000,

P1=1⊕0⊕0⊕0⊕1=0

P2=0⊕1⊕0⊕0⊕1=0

P3=0⊕0⊕0⊕1=1

P3P2P1=100,第4位出错,可纠正为1001000,故欲传送的信息为0000。

(6)如接收到的汉明码为1110001,

P1=1⊕1⊕0⊕1⊕1=0

P2=1⊕1⊕0⊕1⊕1=0

P3=0⊕0⊕1⊕1=0

P3P2P1=000,传送无错,故欲传送的信息为1001。

 

20. 欲传送的二进制代码为1001101,用奇校验来确定其对应的汉明码,若在第6位出错,说明纠错过程。

答:

欲传送的二进制代码为1001101,有效信息位数为n=7位,则汉明校验的校验位为k位,则:

2k>=n+k+1,k=4,进行奇校验设校验位为C1C2C3C4,汉明码为C1C2B7C3B6B5B4C4B3B2B1,

C1=1⊕B7⊕B6⊕B4⊕B3⊕B1=1⊕1⊕0⊕1⊕1⊕1=1

C2=1⊕B7⊕B5⊕B4⊕B2⊕B1=1⊕1⊕0⊕1⊕0⊕1=0

C3=1⊕B6⊕B5⊕B4=1⊕0⊕0⊕1=0

C4=1⊕B3⊕B2⊕B1=1⊕1⊕0⊕1=1

   故传送的汉明码为10100011101,若第6位(B5)出错,即接收的码字为10100111101,则

P1=1⊕C1’⊕B7’⊕B6’⊕B4’⊕B3’⊕B1’=1⊕1⊕1⊕0⊕1⊕1⊕1=0

P2=1⊕C2’⊕B7’⊕B5’⊕B4’⊕B2’⊕B1’=1⊕0⊕1⊕1⊕1⊕0⊕1=1

P3=1⊕C3’⊕B6’⊕B5’⊕B4’=1⊕0⊕0⊕1⊕1=1

P4=1⊕C4’⊕B3’⊕B2’⊕B1’=1⊕1⊕1⊕0⊕1=0

P4P3P2P1=0110说明第6位出错,对第6位取反即完成纠错。

21.为什么在汉明码纠错过程中,新的检测位P4P2P1的状态即指出了编码中错误的信息位?

答:

汉明码属于分组奇偶校验,P4P2P1=000,说明接收方生成的校验位和收到的校验位相同,否则不同说明出错。

由于分组时校验位只参加一组奇偶校验,有效信息参加至少两组奇偶校验,如果校验位出错,P4P2P1的某一位将为1,刚好对应位号4、2、1;如果有效信息出错,将引起P4P2P1中至少两位为1,如B1出错,将使P4P2P1均为1,P4P2P1=111,

22.某机字长16位,常规的存储空间为64K字,若想不改用其他高速的存储芯片,而使访存速度提高到8倍,可采取什么措施?

画图说明。

解:

若想不改用高速存储芯片,而使访存速度提高到8倍,可采取八体交叉存取技术,8体交叉访问时序如下图:

线路图如下图:

0

8

……

M0

8K

1

9

……

M1

8K

2

10

……

M2

8K

3

11

……

M3

8K

4

12

……

M4

8K

5

13

……

M5

8K

6

14

……

M6

8K

7

15

……

M7

8K

存储管理

存储总线

23.设CPU共有16根地址线,8根数据线,并用M/-IO作为访问存储器或I/O的控制信号(高电平为访存,低电平为访I/O),-WR(低电平有效)为写命令,-RD(低电平有效)为读命令。

设计一个容量为64KB的采用低位交叉编址的8体并行结构存储器。

现有右图所示的存储芯片及138译码器。

画出CPU和存储芯片(芯片容量自定)的连接图,并写出图中每个存储芯片的地址范围(用十六进制数表示)。

RAM

…………

Ai

A0

OE

Dn

D0

WE

CE

…………

-OE允许读

-WE允许写

-CE片选

答:

芯片容量=64KB/8=8KB

每个芯片(体)的地址范围以8为模低位交叉分布如下:

8K×8RAM

8K×8RAM

8K×8RAM

8K×8RAM

8K×8RAM

8K×8RAM

8K×8RAM

8K×8RAM

Y0

Y1

Y2

Y3

Y4

Y5

Y6

Y7

0000H,0008H,……,FFF8H

0001H,0009H,……,FFF9H

0002H,000AH,……,FFFAH

0003H,000BH,……,FFFBH

0004H,000CH,……,FFFCH

0005H,000DH,……,FFFDH

0006H,000EH,……,FFFEH

0007H,000FH,……,FFFFH

地址空间分配图:

地址范围:

方案1:

8体交叉编址的CPU和存储芯片的连接图:

注:

此设计方案只能实现八体之间的低位交叉寻址,但不能实现八体并行操作。

方案2:

8体交叉并行存取系统体内逻辑如下

由于存储器单体的存取周期为T,而CPU的总线访存周期为(1/8)T,故体内逻辑要支持单体的独立工作速率。

因此在SRAM芯片的外围加了地址、数据的输入/输出缓冲装置,以及控制信号的扩展装置。

8KB

SRAM

-WE

-OE

-CE

A12~0

D7~0

片选信号扩展

A15~3

D7~0

读命令

扩展

写命令

扩展

-Yi

-RD

-WR

i体

M/-IO

CPU和各体的连接图:

由于存储器单体的工作速率和总线速率不一致,因此各体之间存在总线分配问题,存储器不能简单地和CPU直接相连,要在存储管理部件的控制下连接。

24.一个4体低位交叉的存储器,假设存取周期为T,CPU每隔1/4存取周期启动一个存储体,试问依次访问64个字需多少个存取周期?

答:

本题中,只有访问第一个字需一个存取周期,从第二个字开始,每隔1/4存取周期即可访问一个字,因此,依次访问64个字需:

存取周期个数=(64-1)×(1/4)T+T=(63/4+1)T=15.75+1=16.75T

25.什么是“程序访问的局部性”?

存储系统中哪一级采用了程序访问的局部性原理?

答:

程序运行的局部性原理指:

对局部范围的存储器地址频繁访问,而对此范围以外的地址则访问甚少的现象。

时间:

在一小段时间内,最近被访问过的程序和数据很可能再次被访问;

空间:

在空间上,这些被访问的程序和数据往往集中在一小片存储区;

在访问顺序上,指令顺序执行比转移执行的可能性大。

存储系统中Cache—主存层次采用了程序访问的局部性原理。

26.计算机中设置Cache的作用是什么?

能不能把Cache的容量扩大,最后取代主存,为什么?

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