模拟电子标准作业修改.docx

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模拟电子标准作业修改

班级姓名学号

第1章二极管及其基本电路

基本知识点：

1、半导体的基本概念；2、PN结的形成及导电特性；

3、二极管的分类及特性；4、二极管电路的分析方法

重点：

二极管的重要特性和典型电路的分析方法

难点：

二极管电路的分析

一、基础题

1、判断下列说法的正、误，在相应的括号内画√表示正确，画×表示错误。

（1）本征半导体是指没有掺杂的纯净半导体。

（）

（2）掺杂半导体因含有杂质，所以在制造半导体器件时是没有用处的。

（）

（3）稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（），它不允许工作在正向导通状态（）。

2、二极管的最主要特性是。

3、分析下示电路中硅二极管是导通还是截止的？

输出电压VAO＝？

（a）（b）

4、描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是、、、和。

5、设某二极管在正向电流ID＝10mA时，其正向压降UD＝0.6V。

在ID保持不变的条件下，当二极管的结温降低20℃，UD约为____。

A．0.55VB．0.6VC．0.65VD．0.75V

6、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。

制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。

7、半导体中中存在两种载流子：

和。

纯净的半导体称为，它的导电能力很差。

掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。

杂质半导体分为两种：

型半导体——多数载流子是；型半导体——多数载流子是。

当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。

8、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的  ，而少数载流子的浓度则与    有很大关系。

9、当PN结外加正向电压时，扩散电流 大于漂移电流，耗尽层   。

当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层    。

 10、 在常温下，硅二极管的门限电压约     V，导通后在较大电流下的正向压降约     V；锗二极管的门限电压约      V，导通后在较大电流下的正向压降约   V。

11、在常温下，发光二极管的正向导通电压约  V     ，  高于  硅二极管的门限电压；考虑发光二极管的发光亮度和寿命，其工作电流一般控制在   mA。

12、二极管最主要的特性是____________，它的两个主要参数是反映正向特性的____________和反映反向特性的____________。

13、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。

它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。

半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。

二．判断题  

1、由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。

（ × ） 

2、在N型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P型半导体。

（ √ ） 

3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。

（× ） 

4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。

（ × ） 

5、PN结在无光照无外加电压时，结电流为零。

（ √ ）

 6、温度升高时，PN结的反向饱和电流将减小。

（ × ） 

7、PN结加正向电压时，空间电荷区将变宽。

（×  ）

三、选择题

1、二极管加正向电压时，其正向电流是由（ a ）。

       a. 多数载流子扩散形成           b. 多数载流子漂移形成       

 c. 少数载流子漂移形成           d. 少数载流子扩散形成

 2、PN结反向偏置电压的数值增大，但小于击穿电压，（  c  ）。

     a. 其反向电流增大               b. 其反向电流减小        

 c. 其反向电流基本不变           d. 其正向电流增大

 3、稳压二极管是利用PN结的（  d  ）。

       a.  单向导电性         b. 反偏截止特性 

       c.  电容特性           d. 反向击穿特性   

4、二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（ c ）。

      a.  10μA    b.  15μA     c.  20μA    d.  40μA 

5、变容二极管在电路中使用时，其PN结是（ b ）。

   a.  正向运用      b.  反向运用

四、分析题

1、图中D1-D3为理想二极管，A，B，C灯都相同，试问哪个灯最亮？

2、设硅稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V和10V，求图中电路的输出电压Uo。

已知稳压管的正向压降为0.7V。

3、图所示电路，设Ui=sinωt（V），V=2V，二极管具有理想特性，则输出电压Uo的波形应为图示_______图。

班级姓名学号

第2章BJT及其放大电路

基本知识点：

1、BJT的结构及工作原理；2、三极管的分类、特性及主要参数；3、三极管基本放大电路的动态、静态电路的分析方法4、三种基本电路的特点及用途

重点：

BJT电路的特点及交、直流分析方法难点：

画H参数等效电路

一、基础题

1、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：

区、区和区。

为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。

当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。

2、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是电容，影响高频信号放大的是电容。

3、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则IBQ，ICQ，UCEQ。

4、三极管的三个工作区域是，，。

集成运算放大器是一种采用耦合方式的放大电路。

5、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压Va=1.2V，Vb=0.5V,Vc=3.6V,试问该三极管是管（材料），型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的。

6、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB,则该放大电路总的对数增益为dB，总的电压放大倍数为。

7、三极管实现放大作用的外部条件是：

。

某放大电路中的三极管，测得管脚电压Va=-1V，Vb=-3.2V,Vc=-3.9V,这是管（硅、锗），型，集电极管脚是。

8、三种不同耦合方式的放大电路分别为：

、和__，其中能够放大缓慢变化的信号。

9、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的，而前级的输出电阻可视为后级的。

多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带。

10、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为。

11、为了保证三极管工作在放大区，要求：

①发射结偏置，集电结偏置。

②对于ＮＰＮ型三极管，应使VBC。

12、放大器级间耦合方式主要有阻容（RC）耦合、直接耦合和耦合三大类。

13、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，组态有电压放大作用，组态有电流放大作用，组态有倒相作用；组态带负载能力强，组态向信号源索取的电流小，组态的频率响应好。

14、三极管放大电路的三种基本组态是、、。

15、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有，，。

16、在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察VO和VI的波形，则VO和VI的相位差为；当为共集电极电路时，则VO和VI的相位差为。

17、放大器有两种不同性质的失真，分别是失真和失真。

18、晶体管工作在饱和区时，发射结，集电结；工作在放大区时，集电结，发射结。

（填写a正偏，b反偏，c零偏）

19、在共射、共集和共基三种放大电路组态中，希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相，可选用组态；希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相，可选用组态。

20、影响放大电路通频带下限频率fL的是电容和电容。

21、三极管工作在放大区时，它的发射结保持偏置，集电结保持偏置。

22、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带。

23、在三极管多级放大电路中，已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av=（）;Av1是（）放大器，Av2是（）放大器，Av3是（）放大器。

二、选择题

1、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源VCC应当（）

A、短路B、开路C、保留不变D、电流源

2、带射极电阻Re的共射放大电路，在并联交流旁路电容Ce后，其电压放大倍数将（　　）

A、减小　　　　B、增大C、不变D、变为零

3、有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）

A、输入电阻大B、输入电阻小C、输出电阻大D、输出电阻小

4、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（）

A、共射电路B、共基电路C、共集电路D、共集-共基串联电路

5、某NPN型三极管的输出特性曲线如图1所示，当VCE=6V，其电流放大系数β为（）

A、

=100B、

=50C、

=150D、

=25

6、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V、2.7V、2V，（见图2所示）则此三极管为（）

A、PNP型锗三极管B、NPN型锗三极管C、PNP型硅三极管D、NPN型硅三极管

7、多级放大电路的级数越多，则其（）

A、放大倍数越大，而通频带越窄B、放大倍数越大，而通频带越宽

C、放大倍数越小，而通频带越宽D、放大倍数越小，而通频带越窄

8、当放大电路的电压增益为-20dB时，说明它的电压放大倍数为（）

A、20倍B、-20倍C、-10倍D、0.1倍

9、当用外加电压法测试放大器的输出电阻时，要求（）

A、独立信号源短路，负载开路B、独立信号源短路，负载短路

C、独立信号源开路，负载开路D、独立信号源开路，负载短路

10、在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的是[]，输入电阻最小的是[]，输出电阻最小的是[]

A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定

11、在电路中，可以利用____实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。

A.共射电路B.共基电路C.共集电路D.共射-共基电路

12、在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是____。

A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真

13、若图中的电路出现故障，且经测量得知UE=0、UC=VCC（UE和UC分别为三极管发射极和集电极对地电压）。

故障的原因是下列四种之一，请判断是。

A．Rc开路B．Rc短路C．Re短路D．Rb1开路

14、图示电路中，用直流电压表测出UCE≈VCC，判断下面列出的故障理由哪些是可能的（画“√”）？

哪些是不可能的（画“×”）？

1．

开路（）；

2．

短路（）；

3．

短路（）；

4．

短路（）；

5．

开路（）；

6．e－b结开路（）。

15、已知VT1、VT2的共射电流放大系数

1＝

2＝50，求下图中所示的复合管的管型、等效电流放大系数及交流输入电阻。

16、放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是。

A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在。

C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适

三、如图所示电路中，β＝100，

，试计算：

（15分）

1．放大电路的静态工作点；（6分）

2．画出放大电路的微变等效电路；（3分）

3．求电压放大倍数Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro；（6分）

班级姓名学号

第3章FET放大电路

基本知识点：

1、FET的结构、工作原理、分类、特点及主要参数；

2、FET基本放大电路特点及动态、静态电路的分析方法

重点：

FET电路的组成特点及交、直流分析方法

难点：

FET电路的分析计算

一、基础题

1、根据器件的工作原理，BJT属于控制型器件，而FET属于控制型器件，表征各自放大能力的参数分别为、。

场效应管从结构上分为和两大类型。

2、场效应管有、、三种组态。

3、场效应管从结构上分成和两大类型，它属于控制型器件。

4、场效应管属于型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是型器件。

5、场效应管是器件，只依靠导电。

6、根据场效应管的输出特性，其工作情况可以分为、、和截止区四个区域。

7、当栅源电压等于零时，增强型FET导电沟道，结型FET的沟道电阻。

9、结型场效应管工作时栅极和源级间应加（正压，反压）；场效管在进入预夹断区后漏极电流（变大，变小，不变，零）。

10、增强型场效应三极管可以采用（分压偏置、自给偏压）偏置电路；而耗尽型场效应三极管可以采用（分压偏置、自给偏压）偏置电路。

11、N沟道结型场效应管工作在恒流区时，栅极与源极之间应加入偏置电压；N沟道增强型绝缘栅场效应管的

满足条件，导电沟道产生。

12、场效应管放大电路的输入电阻，主要由（　　）决定

A、管子类型B、gmC、偏置电路D、VGS

13、场效应管的工作原理是（）

A、输入电流控制输出电流B、输入电流控制输出电压

C、输入电压控制输出电压D、输入电压控制输出电流

14、场效应管属于（）

A、单极性电压控制型器件B、双极性电压控制型器件

C、单极性电流控制型器件D、双极性电压控制型器

班级姓名学号

第5章模拟集成电路

基本知识点：

1、几种典型电流源的结构、原理、特点；

2、差放的结构、原理、主要指标计算及用途；

3、运放的主要参数，实际运放的各自特点及用途

重点和难点：

差放的工作原理、分析计算

一、基础题

1、集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）。

A．可获得很大的放大倍数B.可使温漂小

C．集成工艺难于制造大容量电容

2、通用型集成运放适用于放大（）。

A．高频信号B.低频信号

C.任何频率信号

3、集成运放制造工艺使得同类半导体管的（）。

A.指标参数准确B.参数不受温度影响

C．参数一致性好

4、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）。

A．减小温漂B.增大放大倍数

C.提高输入电阻

5、为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用（）。

A．共射放大电路B.共集放大电路

C．共基放大电路

26、通用型集成运放适用于放大（）

A、高频信号B、低频信号C、任何频率信号D、中频信号

28、下列对集成电路运算放大器描述正确的是（）

A、是一种低电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路

B、是一种高电压增益、低输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路

C、是一种高电压增益、高输入电阻和高输出电阻的多级直接耦合放大电路

D、是一种高电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路

29、共模抑制比KCMR越大，表明电路（）

A、放大倍数越稳定B、交流放大倍数越大

C、抑制温漂能力越强D、输入信号中的差模成分越大

30、差动放大器由双端输入变为单端输入，差模电压增益是（）

A、增加一倍B、为双端输入时的一半C、不变D、不确定

31、电流源的特点是直流等效电阻（）

A、大B、小C、恒定D、不定

6、在静态时，差分放大电路两晶体管集电极电流ICQ1ICQ2；在温度增加时ICQ1ICQ2。

差分放大电路的共模抑制比KCMR=，KCMR越大，表明电路的。

7、在电压比较器中运算放大器工作在，在算术运算电路中，运放工作在。

（线性区，非线性区）。

8、双端输入、双端输出差动放大电路如图所示。

已知静态时，

，设差模电压增益

，共模电压增益

=0，

=10mV，

=5mV，则输出电压

为（）

a.125mVb.1000mVc.250mVd.500mV

在此长尾式（恒流源）差分电路中，Re的主要作用是？

9、根据下列要求，将应优先考虑使用的集成运放填入空内。

已知现有集成运致的类型是：

①通用型②高阻型③高速型④低功耗型⑤高压型⑥大功率型⑦高精度型

（1）作低频放大器，应选用。

（2）作宽频带放大器，应选用。

（3）作幅值为1μV以下微弱信号的量测放大器，应选用。

（4）作内阻为100kΩ信号源的放大器，应选用。

（5）负载需5A电流驱动的放大器，应选用。

（6）要求输出电压幅值为±80的放大器，应选用。

（7）宇航仪器中所用的放大器，应选用。

10、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。

11、已知某差动放大电路Ad=100、KCMR=60dB，则其AC=。

集成电路运算放大器一般由、中间级、输出级、四部分组成。

12、差分式放大电路能放大直流和交流信号，它对具有放大能力，它对具有抑制能力。

13、差动放大电路能够抑制和。

14、理想集成运算放大器的理想化条件是Aud=、Rid=、KCMR=、RO=

15、理想运算放大器的理想化条件中有Avd=，KCMR=。

16、电流源电路的特点是，直流等效电阻，交流等效电阻。

17、电流源的特点是输出电流，直流等效电阻，交流等效电阻。

18、工作在线性区的理想集成运放有两条重要结论是和。

19、理想运算放大器，Ad=、Ri=、Ro=。

20、在构成电压比较器时集成运放工作在开环或状态。

集成运算放大器在状态和条件下，得出两个重要结论，它们是：

和。

21、通用型集成运算放输入级大多采用电路，输出级大多采用电路。

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第6章反馈放大电路

基本知识点：

1、反馈的概念、分类；2、负反馈四种组态的判断方法；

3、负反馈对放大电路性能的影响；4、深负反馈的分析计算方法

重点和难点：

负反馈组态的判断；深负反馈的分析计算

一、填空题

1、放大电路为稳定静态工作点，应引入________；为稳定放大电路的增益，应引入______；为抑制零点漂移，应引入_________；为展宽电路的工作频带，应引入________。

2、环路增益是指放大电路和反馈网络所形成闭环环路的增益，当时称为深度负反馈，称反馈深度。

3、交流负反馈的类型有四种，即____________、___________、__________和_________。

4、已知两个共射放大电路空载时的放大倍数均为100，将它们连成两级放大电路，则总的电压放大倍数（小于、等于、大于）104。

5、深度负反馈放大器闭环放大倍数的近似估算公式为。

6、已知交流负反馈有四种组态：

A．电压串联负反馈B．电压并联负反馈

C．电流串联负反馈D．电流并联负反馈

选择合适的答案填入下列空格内，只填入A、B、C或D。

（1）欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入；

（2）欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入；

（3）欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入；

（4）欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入。

7、串联负反馈放大电路环内的输入电阻是无反馈时输入电阻的（　　）

A、1＋AF倍B、1/（1＋AF）倍C、1/F倍D、1/AF倍

8、为了使放大电路的输入电阻增大，输出电阻减小，应当采用（）

A、电压串联负反馈B、电压并联负反馈

C、电流串联负反馈D、电流并联负反馈

9、为了稳定放大电路的输出电流，并增大输入电阻，应当引入（）

A、电流串联负反馈B、电流并联负反馈

C、电压串联负反馈D、电压并联负反馈

10、如图4为两级电路，接入RF后引入了级间（）

A、电流并联负反馈B、电流串联负反馈

C、电压并联负反馈D、电压串联负反馈

11、某仪表放大电路，要求Ri大，输出电流稳定，应选（）

A、电流串联负反馈B、电压并联负反馈

C、电流并联负反馈D、电压串联负反馈

12、某传感器产生的电压信号（几乎不能提供电流），经过放大后希望输出电压与信号成正比，此放大电路应选（）

A、电流串联负反馈B、电压并联负反馈

C、电流并联负反馈D、电压串联负反馈

四、判断电路中整体反馈的反馈组态，求

的表达式。

五、判断如图所示电路中引入了何种反馈，并在深度负反馈条件下计算闭环放大倍数。

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第7章信号处理与产生电路

基本知识点：

1、有源滤波器的分类及用途；2、信号产生电路的组成、振荡条件；3、文氏电桥、典型LC振荡器的组成及特点，频率计算

重点、难点：

利用相位平衡条件判断电路能否振荡

一、填空

1、正弦波振荡电路是由、、选频网络、四个部分组成。

2、正弦波振荡电路产生振荡时，幅度平衡条件为，相位平衡条件为。

3、信号发生器原理是在电路负反馈时

=，例如电路。

在正反馈时

=，例如振荡电路。

4、石英晶体振荡器是的特殊形式，因而振荡频率具有很高的稳定性。

5、正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的条件是

、其中相位平衡条件是

、为使电路起振，幅值条件是。

6、正弦波振荡电路必须由、、、四部分组成。

7、RC正弦波振荡电路达到稳定平衡状态时有：

=、

=、

=。

8、正弦波自激振荡电路振荡的平衡条件是

、

。

9、正弦波振荡电路起振的条件是

和

。

10、有用信号频率高于1000Hz,可选用滤波器。

文氏电桥振荡器中的放大电路电压放大倍数，才能满足起振条件。

11、为了稳定电路的输出信号，电路应采用反馈。

为了产生一个正弦波信号，电路应采用反馈。

二、选择题

1、某电路有用信号频率为2kHz，可选用（）

A、低通滤波器B、高通滤波器C、带通滤波器D、带阻滤波器

2、文氏桥振荡器中的放大电路电压放大倍数（　）才能满足起振条件

A、为1/3时B、为3时C、＞3D、＞1/3

3、LC正弦波振荡器电路的振荡频率为（）

A、

B、

C、

D、

4、正弦波振荡电路利用正反馈产生振荡的相位平衡条件是（）

A、2nπ，n为整数B、（2n+1）π，n为整数C、nπ/2，n为整数D、不确定

5、RC串并联正弦波振荡电路的振荡频率为（）

A、

B、

C、

D、

三、电路如下图所示