2字节Flash模块S12XFTMR256K1V1.docx

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2字节Flash模块S12XFTMR256K1V1

A.1.3.4试验

该引脚用于生产测试只。

该测试引脚必须绑到VSS在所有应用程序。

A.1.4电流注入

电力供应必须保持在瞬间内经营VDD35或VDD监管和经营范围最大电流的条件。

如果积极的注入电流（输入电压“VDD35）大于IDD35，

注入电流可能流VDD35出来，并可能在外部电源的结果是否规管措施。

确保外部VDD35负载电流的分流比最大注入电流更大。

这个

将是最大的风险当MCU没有消费力，例如，如果没有系统时钟存在，或者如果时钟率非常低这将降低整体能耗。

A.1.5编列绝对最大额定值

绝对最大额定值是压力等级只。

阿功能操作下的最大值或境外

不能保证。

这些范围之外的压力可能会影响可靠性或造成永久性损坏的设备。

该器件包含电路免遭损坏，由于高电压或静电电场保护，但它是表示，正常的预防措施，避免采取任何应用高电压低于最高额定电压，这种高阻抗电路。

操作的可靠性得到加强，如果未使用的投入与适当的逻辑电平（例如，无论VSS35或VDD35）。

S12XS系列参考手册，修订版1.09

飞思卡尔半导体657

电气特性

表A-1。

绝对最大Ratings1

除了设备的绝对最大额定值1可能受到损害。

2该器件包含一个内部电压调节器生成的逻辑和PLL电源的I输出/O电源。

绝对最大额定值时适用的设备是从外部电源供电。

3所有数字I/O引脚内部钳位在VSSX和VDDX，或VSSA和VDDA。

4这些引脚内部钳位在VSSPLL和VDDPLL。

A.1.6ESD保护和抗锁定

所有的ESD测试是-AEC-Q100标准的汽车级压力测试资格集成电路与民防部队一致的。

在公共服务电子化设备资格应力进行的人体模型（HBM）和充电设备模型。

一个设备将被视为失败后，如果接触ESD脉冲的设备不再符合规定的设备规范。

完整的直流参数和功能进行测试设备为规范适用于热温度室温后，除非指明，否则设备规范。

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658飞思卡尔半导体

电气特性

表A-2。

ESD和闩锁测试条件

模型描述符号值单位

人体系列电阻R11500欧姆

存储100pF的电容C

每个引脚数脉冲

正面

负

每个引脚的脉冲带电设备号

正面

负

闩锁最小输入电压限制--2.5V

最大输入电压上限-7.5V

表A-3。

公共服务电子化以及栓锁保护特性

数荤等级符号最小值最大值单位

1架C人体模型（HBM）VHBM2000-V

2C电荷器件模型（CDM）的角落针

电荷器件模型（CDM）的边脚VCDM750

500-

-V

C阳性3架C闭锁电流在TA=125

负伊拉特

100

-100

-马

C阳性4ç闭锁电流在TA=27

负伊拉特

+200

-200

-马

A.1.7运行条件

本节描述了设备的操作状况。

除非另有说明，这些条件适用于所有下列数据。

注意

请参阅设备的额定温度（丙，五，男）就学校的环境温度局长和结温巧。

对于功耗的计算参考第A.1.8，“功耗和散热特性”。

表A-4。

运行条件

等级符号最小典型最大单位

的I/O，调节器和模拟电源电压VDD353.1355.5V

非易失性存储器逻辑电源VDDF2.72.82.9voltage1V

电压差VDDX的VDDA

VDDX参考表A-14

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飞思卡尔半导体659

电气特性

表A-4。

运行条件

1该器件包含一个内部电压调节器生成的逻辑和PLL电源的I输出/O电源。

2这是指振荡器的基频。

典型的晶体谐振器公差与支持。

3请参阅表A-最大总线频率调制频率限制启用24

4请参考第A.1.8，“功耗和散热特性”有关环境温度之间的电讯和设备结温勺关系的更多细节。

注意

使用内部电压调节器，操作是保证权力，直到低电压复位断言。

A.1.8功耗和散热性能

功耗和热特性密切相关。

用户必须保证，最高工作结温不超过。

℃（焦耳）可从：

平均芯片结温在

ç勺=结温，[

ç电讯管理局局长=环境温度，[

JA勺局长帕金森•

帕金森=总芯片功率消耗，[我们]

荤/我们]JA=封装的热阻，[

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660飞思卡尔半导体

电气特性

总功耗可以计算：

帕金森=品脱+先锋

品脱=芯片内部功耗，[我们]

先锋=

ṛ

逊

字母i

IIOi

先锋是所有输出电流的I/O端口与VDDX，相关的总和，即

体积

导通状态电阻=

----------;为低电平输出

我

其他职等

导通状态电阻=

VDD35-VOH电

-------------我----------------------;为高输出驱动

俄亥俄州

两个内部稳压器启用和禁用的案件必须考虑：

1。

内部稳压器禁用

V=++

内径品脱国际直拨电话

2。

内部稳压器启用

VDDPLLIDDPLL

非洲工业发展

多哈发展议程

VDDAVDDR+工发品脱=IDDR

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飞思卡尔半导体661

电气特性

表A-5。

热封装特性（9S12XS256）1

1热电阻值达到包模拟

2结到环境的热阻，

模拟将是等同于JEDEC规格JESD51-21

横向配置自然对流。

三结到环境的热阻，

模拟将是等同于JEDEC规格JESD51-71

横向配置自然对流。

4结对案件热阻是模拟的是相等于测量值用冷板与技术

冷板温度为“情况”下使用。

这一基本冷板测量技术来描述的MIL-

STD883D方法1012.1。

这是正确的热指标用来计算热性能时，包

正在使用的散热片。

5热特性参数

是“抵抗”的交界处的顶部中心参考点热电偶

案件在JESD51定义2。

是一个有用的价值来估计处于稳定状态的客户端温度

环境。

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662飞思卡尔半导体

电气特性

表A-6。

热封装特性（9S12XS128）1

1热电阻值达到包模拟

2结到环境的热阻，

模拟将是等同于JEDEC规格JESD51-21

横向配置自然对流。

三结到环境的热阻，

模拟将是等同于JEDEC规格JESD51-71

横向配置自然对流。

4结对案件热阻是模拟的是相等于测量值用冷板与技术

冷板温度为“情况”下使用。

这一基本冷板测量技术来描述的MIL-

STD883D方法1012.1。

这是正确的热指标用来计算热性能时，包

正在使用的散热片。

5热特性参数

是“抵抗”的交界处的顶部中心参考点热电偶

案件在JESD51定义2。

是一个有用的价值来估计处于稳定状态的客户端温度

环境。

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飞思卡尔半导体663

电气特性

A.1.9编列的I/O特性

本节介绍首先，我的特点，除EXTAL，XTAL，测试和电源引脚/O引脚。

表A-7。

在3.3V的I/O特性

条件是3.13V“VDD35”3.6C，除非另有说明C结温度为+150V的温度范围为-40

I/O的所有I特性/O引脚除了EXTAL，XTAL，测试和电源引脚。

数荤等级符号最小典型最大单位

1个P输入高电压多层中转房屋0.65*VDD35--V

科技投入高压多层中转房屋--VDD35+0.3V的

2个P输入低电压白细胞介--0.35*VDD35V

科技投入低电压白细胞介VSS35-0.3--V

3科技投入滞后VHYS-250-压

第4aP输入漏电流（引脚在高阻抗输入模式）1输入电压=VDD35或VSS35

荤C至150米温度范围-40

荤C至130V温度范围-40

C第一C至110C温度范围-40

在

-1

-0.75

-0.5

0.75

0.5

阿

4B条C输入漏电流（引脚在高阻抗输入模式）输入电压=VDD35或VSS35

荤40

荤27

荤70

荤85

荤100

荤105

荤110

荤120

荤125

荤130

C第一150

在--

240-不适用

5C输出高电压（引脚输出模式）IOH驱动能力=-0.75毫安V部分驱动器

俄亥俄州VDD35-0.4--V

6个P输出高电压（引脚输出模式）全部驱动器IOH驱动能力=-4毫安VOH电VDD35-0.4--V

7C输出低电压（引脚输出模式）部分驱动人工=0.9毫安体积--0.4V的

8个P输出低电压（引脚输出模式）全部驱动人工=四点七五毫安V

其他职等--0.4V的

9个P内部上拉电阻

多层中转房屋分钟“输入电压的”白介最大RPUL25-50亩

10个P内部下拉电阻

多层中转房屋分钟“输入电压的”白介最大RPDH25-50亩

11个D输入电容霉素-6-公积金

12泰斯拉注射current2

单针极限

总的设备限制，所有注入电流的总和

机构间委员会

IICP

-2.5

-25-

2.5

二五毫安

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664飞思卡尔半导体

电气特性

表A-7。

在3.3V的I/O特性

1最大漏电流在最高工作温度发生。

2请参阅第A.1.4，“电流注入”更多细节

3参数只适用于停止或伪停止模式。

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飞思卡尔半导体665

电气特性

表A-8。

5-V输入/输出特性

条件是4.5V“VDD35”5.5C，除非另有说明C结温度为+150V为-40

I/O的所有I特性/O引脚除了EXTAL，XTAL，测试和电源引脚。

数荤等级符号最小典型最大单位

1个P输入高电压V

希0.65*VDD35--V

科技投入高压多层中转房屋--VDD35+0.3V的

2个P输入低电压白细胞介--0.35*VDD35V

科技投入低电压白细胞介VSS35-0.3--V

3科技投入滞后VHYS-250-压

第4aP输入漏电流（引脚在高阻抗输入模式）1输入电压=VDD35或VSS35

荤C至150米温度范围-40

荤C至130V温度范围-40

C第一C至110C温度范围-40

在

-1

-0.75

-0.5

0.75

0.5

阿

4B条C输入漏电流（引脚在高阻抗输入模式）输入电压=VDD35或VSS35

荤40

荤27

荤70

荤85

荤100

荤105

荤110

荤120

荤125

荤130

C第一150

在--

240-不适用

5C输出高电压（引脚输出模式）IOH驱动能力=-2毫安V部分驱动器

俄亥俄州VDD35-0.8--V

6个P输出高电压（引脚输出模式）全部驱动器IOH驱动能力=-10mA的VOH电VDD35-0.8--V

7C输出低电压（引脚输出模式）部分驱动人工=2毫安体积--0.8伏特

8个P输出低电压（引脚输出模式）全部驱动器人工=一十毫安V

其他职等--0.8伏特

9个P内部上拉电阻

多层中转房屋分钟“输入电压的”白介最大RPUL25-50亩

10个P内部下拉电阻

多层中转房屋分钟“输入电压的”白介最大RPDH25-50亩

11个D输入电容霉素-6-公积金

12泰斯拉注射current2

单针限制

总的设备限制，所有注入电流的总和

机构间委员会

IICP

-2.5

-25-

2.5

二五毫安

13个P港口小时，，P中断输入脉冲过滤（站）3tPULSE-šĵ-3

14个P港口第H，J，P中断输入脉冲传递（站）3tPULSEš10--

15个D港第H，J，P中断输入脉冲过滤（站）tPULSE--3tcyc

S12XS系列参考手册，修订版1.09

666飞思卡尔半导体

电气特性

表A-8。

5-V输入/输出特性

1最大漏电流在最高工作温度发生。

2请参阅第A.1.4，“电流注入”更多细节

3参数只适用于停止或伪停止模式。

A.1.10电源电流

本节介绍设备的当前消费特点以及测量的条件。

A.1.10.1典型的运行电流测量条件

自从输出驱动电流消耗负载依赖，所有的测量都没有输出负载和最小I/O活动。

电流测量的单芯片模式，S12XCPU代码从Flash执行。

VDD35=5V时，内部电压调节器已启用且频率为40MHz的总线

在循环使用4MHz的振荡控制皮尔斯模式。

由于薄型和BDM模块通常不用于终端应用，对这些模块的供电电流值未指定。

对当前存在的消费开销列出的模块的独立，由于电压调节

和时钟逻辑，不是专门为特定的模块。

这列名为“间接”的表行。

表A-9显示了典型的运行电流的外围设备的配置。

表A-9。

模块配置典型供给（VDDR+VDDA）=5V的电流VDD35

周边配置

S12XCPU420周期循环：

384DBNE周期加子程序的入口，以刺激堆叠（RAM访问）

MSCAN配置为环回模式使用的是比特率500kbit/秒

掌握的SPI配置模式，不断传送数据（0x55或包含0xAA）在2Mbit的/秒

脊髓损伤进入循环模式配置，不断传输的高速数据传输波特率19200（0x55）

脉宽调制切换配置在1kHz时率其引脚

TIM的外围应输出配置比较模式。

脉冲累加器和模数计数器启用。

扶贫外围被配置为在其最大指定

频率，并在不断转换序列中的所有输入通道的电压。

架空VREG提供从5V输入电压为1.8V锁相环

A.1.10.2最大运行电流测量条件

电流在单芯片模式，与VDD35S12XCPU=5.5V时，内部电压调节器测量启用从一个4MHz的输入40MHz的总线频率。

特征参数是根据使用

S12XS系列参考手册，修订版1.09

飞思卡尔半导体667

电气特性

4MHz的闭环控制皮尔斯振荡器。

生产测试参数测试了4MHz的方波

振荡器。

表A-10显示了最大的外设配置运行电流

表A-10。

模块配置的最大供给（VDDR+VDDA）=5.5V的电流VDD35

周边配置

S12XCPU420周期循环：

384DBNE周期加子程序的入口，以刺激堆叠（RAM访问）

MSCAN配置为环回模式使用的是比特率为1Mbit/s的

掌握的SPI配置模式，不断传送数据（0x55或包含0xAA）在的4Mbit/s

脊髓损伤进入循环模式配置，不断传输的高速数据传输波特率57600（0x55）

脉宽调制切换配置在其引脚40kHz的速度

TIM的外围应输出配置比较模式。

脉冲累加器和模数计数器启用。

扶贫外围被配置为在其最大指定

频率，并在不断转换序列中的所有输入通道的电压。

架空VREG提供从5V输入电压为1.8V锁相环

A.1.10.3停止现状

无粘结端口必须正确初始化的电流消耗，以防止由于浮动投入。

典型停止电流测量VDD35=5V时，最大电流停止与VDD35=5.5V的衡量。

伪停止电流的测量与4MHz的LCP的模式振荡器配置。

生产测试参数

测试与4MHz的方波振荡器。

A.1.10.4测量结果

表A-11。

模块电源电流运行

条件列于表甲，在常温下9条，除非另有说明

数荤评分最小典型最大单位

1个TS12XCPU-1.1-马

二大匙MSCAN-0.5-

3Ť的SPI-0.4-

4Ť脊髓损伤-0.6-

5吨的PWM-0.9-

6Ť的TIM-0.3-

7Ť扶贫-1.7-

8t桥式-13.6-

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668飞思卡尔半导体

电气特性

表A-12。

运行和等待的现状特征

1以下外设上：

ATD0/TIM/PWM/SPI0/SCI0-SCI1/CAN0

2以下外设上：

ATD0/TIM/PWM/SPI0/SCI0-SCI1

3下列外设上：

ATD0/TIM/PWM/SPI0

4以下外设上：

ATD0/TIM/PWM

5下列外设上：

ATD0/TIM

S12XS系列参考手册，修订版1.09

飞思卡尔半导体669

电气特性

表A-13。

伪停止和全面停止当前

条件列于表A-4，除非另有说明

数荤等级符号最小典型最大单位

伪停止电流（空气污染指数，RTI的，以及缔约方会议的残疾人）锁相环起飞，LCP的模式

荤10A条荤荤荤荤荤荤荤℃-40

荤27

荤70

荤85

荤105

荤110

荤130

荤IDDPS-150

-155

171

199

216

233

270

350

452300

400

阿-

伪停止电流（空气污染指数，RTI的，以及缔约方会议的残疾人）锁相环关闭，全汉模式

荤第10BPPPPP-40

荤27

荤110

荤130

荤IDDPS-150

-60

160

210

40080

100

2400

阿2400

伪停止电流（空气污染指数，RTI的，以及缔约方会议的启用）锁相环起飞，LCP的模式

11荤荤荤荤荤荤荤27

荤70

荤85

荤105

荤125

荤IDDPS-150

-186

209

245

270

383

487-

阿-

停止电流

荤12个P陆炳荤荤荤荤荤P-40

荤27

荤70

荤85

荤105

荤110

荤125

荤130

荤互动系统-150

-20

220

250

38060

阿2000

停止电流（API的活动）

荤13ŤŤŤŤŤ-40

荤27

荤85

荤110

荤互动系统-130

-25

100

255-

阿-

停止电流（扶贫活动）

荤14吨ŤŤ27

荤85

荤互动系统-125

-190

230

400-

阿-

S12XS系列参考手册，修订版1.09

670飞思卡尔半导体

A.2节特色扶贫

本节描述的特征模拟到数字转换器。

电气特性

A.2.1条扶贫工作特性

在表A-14和表A-15显示在何种条件下运作的国际运动。

存在以下制约因素得到全面的，全方位的结果：

内径自由程跳跃VIN的VR

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