SamsungNANDFLASH命名规则.docx

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SamsungNANDFLASH命名规则

Samsung-NAND-FLASH命名规则

三星的purenandflash（就是不带其他模块只是nandflash存储芯片）的命名规则如下：

1.Memory（K）

2.NANDFlash:

9

3.SmallClassification

（SLC:

SingleLevelCell,MLC:

MultiLevelCell,

SM:

SmartMedia,S/B:

SmallBlock）

1:

SLC1ChipXDCard

2:

SLC2ChipXDCard

4:

SLC4ChipXDCard

A:

SLC+MuxedI/FChip

B:

MuxedI/FChip

D:

SLCDualSM

E:

SLCDUAL（S/B）

F:

SLCNormal

G:

MLCNormal

H:

MLCQDP

J:

Non-MuxedOneNand

K:

SLCDieStack

L:

MLCDDP

M:

MLCDSP

N:

SLCDSP

Q:

4CHIPSM

R:

SLC4DIESTACK（S/B）

S:

SLCSingleSM

T:

SLCSINGLE（S/B）

U:

2STACKMSP

V:

4STACKMSP

W:

SLC4DieStack

4~5.Density（注：

实际单位应该是bit，而不是Byte）

12:

512M

16:

16M

28:

128M

32:

32M

40:

4M

56:

256M

64:

64M

80:

8M

1G:

1G

2G:

2G

4G:

4G

8G:

8G

AG:

16G

BG:

32G

CG:

64G

DG:

128G

P:

TSOP1（Lead-Free）

Q:

TSOP2（Lead-Free）

R:

TSOP2-R

S:

SMARTMEDIA

T:

TSOP2

U:

COB（MMC）

V:

WSOP

W:

WAFER

Y:

TSOP1

13.Temp

C:

Commercial

I:

Industrial

S:

SmartMedia

B:

SmartMediaBLUE

0:

NONE（ContainingWafer,CHIP,BIZ,Exception

handlingcode）

3:

WaferLevel3

14.BadBlock

A:

AppleBadBlock

B:

IncludeBadBlock

D:

DaisychainSample

K:

SandiskBin

L:

1~5BadBlock

N:

ini.0blk,add.10blk

S:

AllGoodBlock

0:

NONE（ContainingWafer,CHIP,BIZ,Exception

handlingcode）

15.NAND-Reserved

0:

Reserved

16.PackingType

-Commontoallproducts,exceptofMaskROM

-DividedintoTAPE&REEL（InMaskROM,dividedintoTRAY,AMMOPackingSeparately）

【举例说明】

K

9

G

A

G

0

8

U

0

M

-

P

C

B

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

K9GAG08U0M详细信息如下:

1.Memory（K）

2.NANDFlash:

9

3.SmallClassification

（SLC:

SingleLevelCell,MLC:

MultiLevelCell,

SM:

SmartMedia,S/B:

SmallBlock）

G:

MLCNormal

4~5.Density

AG:

16G（Note:

这里单位是bit而不是byte，因此实际大小是16Gb=2GB）

6.Technology

0:

Normal（x8）

7.Organization

0:

NONE8:

x8

8.Vcc

U:

2.7V~3.6V

9.Mode

0:

Normal

10.Generation

M:

1stGeneration

11."─"

12.Package

P:

TSOP1（Lead-Free）

13.Temp

C:

Commercial

14.CustomerBadBlock

B:

IncludeBadBlock

15.Pre-ProgramVersion

0:

None

整体描述就是：

K9GAG08U0M是，三星的MLCNandFlash，工作电压为2.7V~3.6V，x8（即I/O是8位），大小是2GB（16Gb），TSOP1封装。

三星内存颗粒

编码规则：

K 4 X X X X X X X X - X X X X X

主要含义：

第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表DRAM。

第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。

64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。

第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

第11位——连线“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns （CL=3）；7C为7.5ns （CL=2） ；80为 8ns；10 为10ns （66MHz）。

知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。

例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。

颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。

注：

“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。

关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：

一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。

通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。

所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。

在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。

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Micron内存颗粒

Micron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。

下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。

含义：

MT——Micron的厂商名称。

48——内存的类型。

48代表SDRAM；46 代表DDR。

LC——供电电压。

LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。

16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：

16M（地址）×8位数据宽度。

A2——内存内核版本号。

TG——封装方式，TG即TSOP封装。

-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

实例：

一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。

该内存支持ECC功能。

所以每个Bank是奇数片内存颗粒。

其容量计算为：

容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。

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西门子内存颗粒

目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：

容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。

编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。

Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。

所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。

HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。

其它也是如此，如：

HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。

Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。

-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；

-8——表示该内存的工作频率是100MHz。

例如：

1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。

其容量计算为：

 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。

1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。

其容量计算为：

 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。

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Kingmax内存颗粒

Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。

并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。

Kingmax内存颗粒有两种容量：

64Mbits和128Mbits。

在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。

容量备注：

KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；

KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；

KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；

KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；

KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。

Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：

-7A——PC133 /CL=2；

-7——PC133 /CL=3；

-8A——PC100/ CL=2；

-8——PC100 /CL=3。

例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为：

 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。

内存颗粒编号与内存品牌知识介绍

通过查验内存颗粒的型号，我们就可以计算出内存的容量

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HY颗粒编号

HY XX X XX XX XX X X X X X XX

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

1、HY代表是现代的产品

　　2、内存芯片类型：

（57=SDRAM，5D=DDR SDRAM）；

　　3、工作电压：

空白=5V，V=3.3V,U=2.5V　

　　4、芯片容量和刷新速率：

64：

64M 4K刷新；66：

64M 2K刷新；28：

128M 4K 刷新；56：

256M 8K刷新；57：

256M 4K刷新；12：

512M 8K刷新；1G：

1G 8K刷新

　　5、代表芯片输出的数据位宽：

40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

　　6、BANK数量：

1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系

　　7、I/O界面：

1 :

SSTL_3、　2 :

SSTL_2

　　8、芯片内核版本：

可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新

　　9、代表功耗：

L=低功耗芯片，空白=普通芯片

　　10、内存芯片封装形式：

JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ

　　11、工作速度：

55 :

183MHZ、5 :

200MHZ、45 :

222MHZ、43 :

233MHZ、4 :

250MHZ、33 :

300NHZ、L DR200、H DR266B、　K DR266A

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TOSHIBA DDR内存:

TC XX X XX XX X XX X XX

1 2 3 4 5 6 7 8 9

　　1、TC代表是东芝的产品

　　2、59代表SDRAM代表是SDRAM

　　3、代表内存种类：

S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM

　　4、代表容量：

64=64Mb，M7=128Mb

　　5、表示数据位宽：

04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

　　6、表示内核的版本：

可以为空白或A、B、C等字母，越往后代表内核越新

　　7、代表封装：

FT为TSO II封装

　　8、代表内存功耗：

L=低功耗，空白=普通

　　9、代表速度：

75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，10=10ns［100MHz CL=3

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宇瞻DDR内存:

W XX XX XX XX

1 2 3 4 5

　　1、W代表内存颗粒是由Winbond生产

　　2、代表显存类型：

98为SDRAM，94为DDR RAM　

　　3、代表颗粒的版本号：

常见的版本号为B和H；

　　4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装

　　5、工作频率:

0：

10ns、100MHz；8：

8ns、125MHz；Z：

7.5ns、133MHz；Y：

6.7ns、150MHz；6：

6ns、166MHz；5：

5ns、200MHz