逆变电焊机原理及图纸.docx

逆变电焊机原理及图纸.docx

《逆变电焊机原理及图纸.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《逆变电焊机原理及图纸.docx（15页珍藏版）》请在冰点文库上搜索。

逆变电焊机原理及图纸

主电路电气原理图

主控制板电器原理图：

逆变触发电路图：

脉冲及时序板原理图：

 IGBT逆变电焊机工作原理及输出特性

      本机采用三相交流380V电压经三相桥式整流、滤波后供给以新型IGBT为功率开关器件的逆变器进行变频（20KC）处理后，由中频变压器降压，再经整流输出可供焊接所需的电源，通过集成电路构成的逻辑控制电路对电压、电流信号的反馈进行处理，实现整机闭环控制，采用脉宽调制PWM为核心的控制技术，从而获得快速脉宽调制的恒流特性和优异的焊接工艺效果。

DC/AC逆变器的制作

--------------------------------------------------------------------------------

江苏电子网　QQ:

99296827

　　这里介绍的逆变器（见图）主要由MOS场效应管，普通电源变压器构成。

其输出功率取决于MOS场效应管和电源变压器的功率，免除了烦琐的变压器绕制，适合电子爱好者业余制作中采用。

下面介绍该逆变器的工作原理及制作过程。

--拓普电子

　1.电路图

2.工作原理

这里我们将详细介绍这个逆变器的工作原理。

方波信号发生器（见图3）

图3

　　这里采用六反相器CD4069构成方波信号发生器。

电路中R1是补偿电阻，用于改善由于电源电压的变化而引起的振荡频率不稳。

电路的振荡是通过电容C1充放电完成的。

其振荡频率为f=1/2.2RC。

图示电路的最大频率为：

fmax=1/2.2×3.3×103×2.2×10-6=62.6Hz;最小频率fmin=1/2.2×4.3×103×2.2×10-6=48.0Hz。

由于元件的误差，实际值会略有差异。

其它多余的反相器，输入端接地避免影响其它电路。

场效应管驱动电路。

图4

　　由于方波信号发生器输出的振荡信号电压最大振幅为0~5V，为充分驱动电源开关电路，这里用TR1、TR2将振荡信号电压放大至0~12V。

如图4所示。

MOS场效应管电源开关电路。

这是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS场效应管的工作原理。

图5

　　MOS场效应管也被称为MOSFET，既MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。

它一般有耗尽型和增强型两种。

本文使用的为增强型MOS场效应管，其内部结构见图5。

它可分为NPN型PNP型。

NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。

由图可看出，对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。

我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。

但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。

图6

　　为解释MOS场效应管的工作原理，我们先了解一下仅含有一个P—N结的二极管的工作过程。

如图6所示，我们知道在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流通过。

这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。

同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。

图7a　　　　　　　　　　　　　　　　图7b

　　对于场效应管（见图7），在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态（图7a）。

当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图7b），从而形成电流，使源极和漏极之间导通。

我们也可以想像为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决定。

图8给出了P沟道的MOS场效应管的工作过程，其工作原理类似这里不再重复。

图8

　　下面简述一下用C-MOS场效应管（增强型MOS场效应管）组成的应用电路的工作过程（见图9）。

电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。

当输入端为低电平时，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。

当输入端为高电平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。

在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作，其相位输入端和输出端相反。

通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。

同时由于漏电流的影响，使得栅压在还没有到0V，通常在栅极电压小于1到2V时，MOS场效应管既被关断。

不同场效应管其关断电压略有不同。

也正因为如此，使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。

图9

　　由以上分析我们可以画出原理图中MOS场效应管电路部分的工作过程（见图10）。

工作原理同前所述。

这种低电压、大电流、频率为50Hz的交变信号通过变压器的低压绕组时，会在变压器的高压侧感应出高压交流电压，完成直流到交流的转换。

这里需要注意的是，在某些情况下，如振荡部分停止工作时，变压器的低压侧有时会有很大的电流通过，所以该电路的保险丝不能省略或短接。

图10

　3.制作要点

　　电路板见图11。

所用元器件可参考图12。

逆变器用的变压器采用次级为12V、电流为10A、初级电压为220V的成品电源变压器。

P沟道MOS场效应管（2SJ471）最大漏极电流为30A，在场效应管导通时，漏-源极间电阻为25毫欧。

此时如果通过10A电流时会有2.5W的功率消耗。

N沟道MOS场效应管（2SK2956）最大漏极电流为50A，场效应管导通时，漏-源极间电阻为7毫欧，此时如果通过10A电流时消耗的功率为0.7W。

由此我们也可知在同样的工作电流情况下，2SJ471的发热量约为2SK2956的4倍。

所以在考虑散热器时应注意这点。

图13展示本文介绍的逆变器场效应管在散热器（100mm×100mm×17mm）上的位置分布和接法。

尽管场效应管工作于开关状态时发热量不会很大，出于安全考虑这里选用的散热器稍偏大。

图11

图12

图13

　4.逆变器的性能测试

　　测试电路见图14。

这里测试用的输入电源采用内阻低、放电电流大（一般大于100A）的12V汽车电瓶，可为电路提供充足的输入功率。

测试用负载为普通的电灯泡。

测试的方法是通过改变负载大小，并测量此时的输入电流、电压以及输出电压。

其测试结果见电压、电流曲线关系图（图15a）。

可以看出，输出电压随负荷的增大而下降，灯泡的消耗功率随电压变化而改变。

我们也可以通过计算找出输出电压和功率的关系。

但实际上由于电灯泡的电阻会随受加在两端电压变化而改变，并且输出电压、电流也不是正弦波，所以这种的计算只能看作是估算。

以负载为60W的电灯泡为例：

　　假设灯泡的电阻不随电压变化而改变。

因为R灯=V2/W=2102/60=735Ω，所以在电压为208V时，W=V2/R=2082/735=58.9W。

由此可折算出电压和功率的关系。

通过测试，我们发现当输出功率约为100W时，输入电流为10A。

此时输出电压为200V。

逆变器电源效率特性见图15b。

图16为逆变器连续100W负载时，场效应管的温升曲线图。

图17为不同负载时输出波形图，供大家制作是参考。

图14

图15a　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　图15b

图16、17