内存知识详解文档格式.docx
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服务器内存具有普通PC内存所不具备的高性能、高兼容性和高可靠性。
2、主频
内存主频和CPU主频一样，习惯上被用来表示内存的速度，它代表着该内存所能达到的最高工作频率。
内存主频是以MHz（兆赫）为单位来计量的。
内存主频越高，在一定程度上代表着内存所能达到的速度越快。
内存主频决定着该内存最高能在什么样的频率正常工作。
大家知道，计算机系统的时钟速度是以频率来衡量的。
晶体振荡器控制着时钟速度，在石英晶片上加上电压，其就以正弦波的形式震动起来，这一震动可以通过晶片的形变和大小记录下来。
晶体的震动以正弦调和变化的电流形式表现出来，这一变化的电流就是时钟信号。
而内存本身并不具备晶体振荡器，因此，内存工作时的时钟信号，是由主板芯片组的北桥或直接由主板的时钟发生器提供的。
也就是说，内存无法决定自身的工作频率，其实际工作频率是由主板来决定的。
一般情况下，内存的工作频率是和主板的外频相一致的。
通过主板调节CPU的外频，也就调整了内存的实际工作频率。
内存工作时，有两种工作模式：
一种是同步工作模式。
此模式下，内存的实际工作频率与CPU外频一致，这是大部分主板所采用的默认内存工作模式。
另外一种是异步工作模式。
这样，允许内存的工作频率与CPU外频可存在一定差异。
它可以让内存工作在高出或低于系统总线速度33MHz，又或者让内存和外频以3:
4、4:
5等特定比例的频率上。
利用异步工作模式技术，就可以避免以往超频而导致的内存瓶颈问题。
举个例子：
一块845E的主板，最大只能支持DDR266内存，其主频是266MHz，这是DDR内存的等效频率，其实际工作频率是133MHz。
在正常情况下（不进行超频），该主板上内存工作频率最高可以设置到DDR266的模式。
但如果主板支持内存异步功能，那么就可以采用内存、外频频率以5:
4的比例模式下工作。
这样，内存的工作频率就可以达到166MHz，此时主板就可以支持DDR333（等效频率333MHz，实际频率166MHz）了。
目前的主板芯片组，几乎都支持内存异步。
英特尔公司从810系列，到目前较新的875系列都支持，而威盛公司则从693芯片组以后，全部都提供了此功能。
3、传输类型
传输类型，是指内存所采用的内存类型。
不同类型的内存，传输类型各有差异，在传输率、工作频率、工作方式、工作电压等方面，都有不同。
目前，市场中主要有的内存类型有SDRAM、DDRSDRAM和RDRAM三种。
其中，DDRSDRAM内存占据了市场的主流，而SDRAM内存规格已不再发展，处于被淘汰的行列。
RDRAM则始终未成为市场的主流，只有部分芯片组支持，而这些芯片组也逐渐退出了市场，RDRAM前景并不被看好。
1）SDRAM
SDRAM，即SynchronousDRAM（同步动态随机存储器），曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天，SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。
既然是“同步动态随机存储器”，那就代表着它的工作速度是与系统总线速度同步的。
SDRAM内存又分为PC66、PC100、PC133等不同规格，而规格后面的数字，就代表着该内存最大所能正常工作的系统总线速度，如PC100，那就说明此内存可以在系统总线为100MHz的电脑中同步工作。
与系统总线速度同步，也就是与系统时钟同步，这样就避免了不必要的等待周期，减少数据存储时间。
同步还使存储控制器知道在哪一个时钟脉冲期由数据请求使用，因此数据可在脉冲上升期便开始传输。
SDRAM采用3.3伏工作电压，168Pin的DIMM接口，带宽为64位。
SDRAM不仅应用在内存上，在显存上也较为常见。
2）DDR
严格的说，DDR应该叫DDRSDRAM，人们习惯称为DDR。
部分初学者也常看到DDRSDRAM，就认为是SDRAM。
DDRSDRAM是DoubleDataRateSDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。
DDR内存是在SDRAM内存的基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系。
因此，对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；
而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据。
因此，称为双倍速率同步动态随机存储器。
DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下，达到更高的数据传输率。
与SDRAM相比，DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据输送和输出的主要步骤，既独立执行，又保持与CPU完全同步。
DDR使用了DLL（DelayLockedLoop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号）技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。
DDR本质上不需要提高时钟频率，就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。
从外形体积上看，DDR与SDRAM相比差别并不大。
他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。
但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。
DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。
3）RDRAM
RDRAM（RambusDRAM）是美国的RAMBUS公司开发的一种内存。
与DDR和SDRAM不同，它采用了串行的数据传输模式。
在推出时，因为其彻底改变了内存的传输模式，无法保证与原有的制造工艺相兼容，而且内存厂商要生产RDRAM，还必须要加纳一定专利费用，再加上其本身制造成本，就导致了RDRAM从一问世就高昂的价格，让普通用户无法接收。
而同时期的DDR则能以较低的价格，不错的性能，逐渐成为主流，虽然RDRAM曾受到英特尔公司的大力支持，但始终没有成为主流。
RDRAM的数据存储位宽是16位，远低于DDR和SDRAM的64位。
但在频率方面，则远远高于二者，可以达到400MHz乃至更高。
同样也是在一个时钟周期内传输两次次数据，能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，内存带宽能达到1.6Gbyte/s。
普通的DRAM行缓冲器的信息，在写回存储器后便不再保留，而RDRAM则具有继续保持这一信息的特性，于是在进行存储器访问时，如行缓冲器中已经有目标数据，则可利用，因而实现了高速访问。
另外，其可把数据集中起来，以分组的形式传送。
所以，只要最初用24个时钟，以后便可每1时钟读出1个字节。
一次访问所能读出的数据长度，可以达到256字节。
4）DDR2
DDR2（DoubleDataRate2）SDRAM，是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：
4bit数据读预取）。
换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍于外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。
回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200，经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度。
随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
DDR2与DDR的区别：
在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。
1、延迟问题：
从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。
这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。
换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。
也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。
这样，也就出现了另一个问题：
在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。
举例来说，DDR200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。
实际上，DDR2-400和DDR400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR-400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR-400。
2、封装和发热量：
DDR2内存技术最大的突破点，其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。
DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上。
当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。
这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。
而DDR2内存均采用FBGA封装形式。
不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。
DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小功耗与更小发热量，这一点的变化是意义重大的。
3、DDR2采用的新技术：
除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和PostCAS。
1）OCD（Off-ChipDriver）：
也就是所谓的离线驱动调整。
DDRII通过OCD可以提高信号的完整性。
DDRII通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值，使两者电压相等。
使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜，来提高信号的完整性；
通过控制电压来提高信号品质。
2）ODT：
ODT是内建核心的终结电阻器。
我们知道使用DDRSDRAM的主板上面，为了防止数据线终端反射信号，需要大量的终结电阻。
它大大增加了主板的制造成本。
实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小，决定了数据线的信号比和反射率。
终结电阻小，则数据线信号反射低，但信噪比也较低；
终结电阻高，则数据线的信噪比高，但信号反射也会增加。
因此，主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。
DDR2可以根据自已的特点，内建合适的终结电阻。
这样，可以保证最佳的信号波形。
使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。
3）PostCAS：
它是为了提高DDRII内存的利用效率而设定的。
在PostCAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（AdditiveLatency）后面保持有效。
原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（AdditiveLatency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。
由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此，ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。
总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢等诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。
4、接口类型
接口类型，是根据内存条金手指上导电触片的数量来划分的。
金手指上的导电触片，也习惯称为针脚数（Pin）。
因为不同的内存采用的接口类型各不相同，而每种接口类型所采用的针脚数各不相同。
笔记本内存一般采用144Pin、200Pin接口；
台式机内存则基本使用168Pin和184Pin接口。
对应于内存所采用的不同针脚数，内存插槽类型也各不相同。
目前，台式机系统主要有SIMM、DIMM和RIMM三种类型的内存插槽，而笔记本内存插槽则是在SIMM和DIMM插槽基础上发展而来，基本原理并没有变化，只是在针脚数上略有改变。
1、金手指
金手指（connectingfinger）是内存条上与内存插槽之间的连接部件，所有的信号都是通过金手指进行传送的。
金手指由众多金黄色的导电触片组成，因其表面镀金而且导电触片排列如手指状，所以称为“金手指”。
金手指实际上是在覆铜板上通过特殊工艺再覆上一层金，因为金的抗氧化性极强，而且传导性也很强。
不过，因为金昂贵的价格，目前较多的内存都采用镀锡来代替。
从上个世纪90年代开始，锡材料就开始普及，目前主板、内存和显卡等设备的“金手指”，几乎都是采用的锡材料，只有部分高性能服务器/工作站的配件接触点，才会继续采用镀金的做法，价格自然不菲。
内存处理单元的所有数据流、电子流，正是通过金手指与内存插槽的接触与PC系统进行交换，是内存的输出输入端口。
因此，其制作工艺，对于内存连接显得相当重要。
2、内存插槽
最初的计算机系统，通过单独的芯片安装内存，那时内存芯片都采用DIP（Dualln-linePackage，双列直插式封装）封装，DIP芯片是通过安装在插在总线插槽里的内存卡与系统连接，此时还没有正式的内存插槽。
DIP芯片有个最大的问题，就在于安装起来很麻烦，而且随着时间的增加，由于系统温度的反复变化，它会逐渐从插槽里偏移出来。
随着每日频繁的计算机启动和关闭，芯片不断被加热和冷却，慢慢地芯片会偏离出插槽。
最终导致接触不好，产生内存错误。
早期还有另外一种方法，是把内存芯片直接焊接在主板或扩展卡里，这样有效避免了DIP芯片偏离的问题，但无法再对内存容量进行扩展，而且如果一个芯片发生损坏，整个系统都将不能使用，只能重新焊接一个芯片或更换包含坏芯片的主板。
此种方法付出的代价较大，也极为不便。
对于内存存储器，大多数现代的系统，都已采用单列直插内存模块（SingleInlineMemoryModule，SIMM）或双列直插内存模块（DualInlineMemoryModule，DIMM）来替代单个内存芯片。
这些小板卡插入到主板或内存卡上的特殊连接器里。
3、内存模块
1）SIMM
SIMM（SingleInlineMemoryModule，单列直插内存模块）。
内存条通过金手指与主板连接，内存条正反两面都带有金手指。
金手指可以在两面提供不同的信号，也可以提供相同的信号。
SIMM就是一种两侧金手指都提供相同信号的内存结构，它多用于早期的FPM和EDDDRAM，最初一次只能传输8bif数据，后来逐渐发展出16bit、32bit的SIMM模组。
其中，8bit和16bitSIMM使用30pin接口，32bit的则使用72pin接口。
在内存发展进入SDRAM时代后，SIMM逐渐被DIMM技术取代。
2）DIMM
DIMM（DualInlineMemoryModule，双列直插内存模块）。
与SIMM相当类似，不同的只是DIMM的金手指两端，不像SIMM那样是互通的，它们各自独立传输信号。
因此，可以满足更多数据信号的传送需要。
同样采用DIMM，SDRAM的接口与DDR内存的接口也略有不同，SDRAMDIMM为168PinDIMM结构，金手指每面为84Pin，金手指上有两个卡口，用来避免插入插槽时，错误将内存反向插入而导致烧毁；
DDRDIMM则采用184PinDIMM结构，金手指每面有92Pin，金手指上只有一个卡口。
卡口数量的不同，是二者最为明显的区别。
DDR2DIMM为240pinDIMM结构，金手指每面有120Pin，与DDRDIMM一样金手指一样，也只有一个卡口，但是卡口的位置与DDRDIMM稍微有一些不同。
因此，DDR内存是插不进DDR2DIMM的，同理DDR2内存也是插不进DDRDIMM的。
因此，在一些同时具有DDRDIMM和DDR2DIMM的主板上，不会出现将内存插错插槽的问题。
不同针脚DIMM接口对比。
为了满足笔记本电脑对内存尺寸的要求，SO-DIMM（SmallOutlineDIMMModule）也开发了出来，它的尺寸比标准的DIMM要小很多，而且引脚数也不相同。
同样SO-DIMM也根据SDRAM和DDR内存规格不同而不同。
SDRAM的SO-DIMM只有144pin引脚，而DDR的SO-DIMM拥有200pin引脚。
此外，笔记本内存还有MicroDIMM和MiniRegisteredDIMM两种接口。
MicroDIMM接口的DDR为172pin，DDR2为214pin；
MiniRegisteredDIMM接口为244pin，主要用于DDR2内存。
3）RIMM
RIMM（RambusInlineMemoryModule）是Rambus公司生产的RDRAM内存所采用的接口类型。
RIMM内存与DIMM的外型尺寸差不多，金手指同样也是双面的。
RIMM有也184Pin的针脚，在金手指的中间部分有两个靠的很近的卡口。
RIMM非ECC版有16位数据宽度，ECC版则都是18位宽。
由于RDRAM内存较高的价格，此类内存在DIY市场很少见到，RIMM接口也就难得一见了。
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5、容量
内存容量是指该内存条的存储容量，是内存条的关键性参数。
内存容量以MB作为单位，可以简写为M。
内存的容量一般都是2的整次方倍，比如64MB、128MB、256MB等。
一般而言，内存容量越大，越有利于系统的运行。
目前台式机中主流采用的内存容量为256MB或512MB，64MB、128MB的内存已较少采用。
系统对内存的识别，是以Byte（字节）为单位，每个字节由8位二进制数组成，即8bit（比特，也称“位”）。
按照计算机的二进制方式，1Byte＝8bit；
1KB＝1024Byte；
1MB＝1024KB；
1GB＝1024MB；
1TB＝1024GB。
系统中内存的数量，等于插在主板内存插槽上所有内存条容量的总和。
内存容量的上限，一般由主板芯片组和内存插槽决定。
不同主板芯片组，可以支持的容量不同，比如Inlel的810和815系列芯片组，最高支持512MB内存，多余的部分无法识别。
目前，多数芯片组可以支持到2GB以上的内存。
此外，主板内存插槽的数量，也会对内存容量造成限制。
比如，使用128MB一条的内存，主板由两个内存插槽，最高可以使用256MB内存。
因此，在选择内存时，要考虑主板内存插槽数量，并且可能需要考虑将来有升级的余地
6、内存电压
内存正常工作，需要的一定的电压值。
不同类型的内存，电压也不同，但各自均有自己的规格，超出其规格，容易造成内存损坏。
SDRAM内存一般工作电压都在3.3伏左右，上下浮动额度不超过0.3伏；
DDRSDRAM内存一般工作电压都在2.5伏左右，上下浮动额度不超过0.2伏；
而DDR2SDRAM内存的工作电压一般在1.8V左右。
具体到每种品牌、每种型号的内存，则要看厂家了，但都会遵循SDRAM内存3.3伏、DDRSDRAM内存2.5伏、DDR2SDRAM内存1.8伏的基本要求，在允许的范围内浮动。
7、颗粒封装
颗粒封装，其实就是内存芯片所采用的封装技术类型。
封装就是将内存芯片包裹起来，以避免芯片与外界接触，防止外界对芯片的损害。
空气中的杂质和不良气体，乃至水蒸气，都会腐蚀芯片上的精密电路，进而造成电学性能下降。
不同的封装技术，在制造工序和工艺方面差异很大。
封装后，对内存芯片自身性能的发挥，也起到至关重要的
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