康华光模电第四版答案Word文档下载推荐.docx
《康华光模电第四版答案Word文档下载推荐.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《康华光模电第四版答案Word文档下载推荐.docx（17页珍藏版）》请在冰点文库上搜索。
0vivz（=8v）时，dz截止，vo=vi；
vi≥vz时，dz反向击穿，vo=8v；
-0.7vvi0时，dz截止，vo=vi；
vi≤-0.7v时，dz正向导通，vo=-0.7vvo的波形图如图解2.5.1所示。
图题2.5.1图解2.5.1
【篇二：
模电第四章答案】
-1如题4-1图所示mosfet转移特性曲线，说明各属于何种沟道？
若是增强型，开启电压等于多少？
若是耗尽型，夹断电压等于多少？
答：
（a）p-emosfet，开启电压vgs?
th?
2v
（b）p-dmosfet，夹断电压vgs?
off?
（或统称为开启电压vgs?
）?
2v（c）p-emosfet，开启电压vgs?
4v
（d）n-dmosfet，夹断电压vgs?
（或也称为开启电压vgs?
4v4-24个fet的转移特性分别如题4-2图（a）、（b）、（c）、（d）所示。
设漏极电流id
的实际方向为正，试问它们各属于哪些类型的fet？
分别指出id的实际方向是流进还是流出？
（a）p-jfet，id的实际方向为从漏极流出。
（b）n-dmosfet，id的实际方向为从漏极流进。
（c）p-dmosfet，id的实际方向为从漏极流出。
（d）n-emosfet，id的实际方向为从漏极流进。
（a）vgs=5v，vds=1v；
（b）vgs=2v，vds=1.2v；
（c）vgs=5v，vds=0.2v；
（d）vgs=vds=5v。
解：
已知n-emosfet的?
ncox?
100?
a/v2,
vgs?
0.8v
w?
10
（a）当vgs?
5v,vds?
1v时，mosfet处于非饱和状态?
vds?
vgs?
id?
ncow2l
2?
v
gs
2?
v2ds?
0.1v2?
102?
5?
0.8?
1?
3.7ma
（b）当vgs?
2v,vds?
1.2v时，vgs?
1.2v?
vds，mosfet处于临界饱和
1id?
c?
w?
0.12?
10?
0.72ma2noxl2
2
（c）当vgs?
0.2v时，vgs?
4.2v?
vds，mosfet处于
非饱和状态
22id?
0.2?
0.82ma
（d）当vgs?
5v时，vds?
，mosfet处于饱和状态
8.82maid?
1nox2
（1）当vds?
1v时，由于vgs?
3v?
1v?
2v即vds?
，n-emosfet工作于非饱和区
cw?
0.0522?
3?
12id?
12noxl2
0.75ma
（2）当vds?
4v时，由于vds?
vgs（th），n-emosfet工作于饱和区
0.05ma2?
2noxl2
0.1ma
ro?
va
d
50v?
50k?
当id?
10ma，va?
50v时
vaid
5k?
ma
vds
（2）当vds变化10%时，即?
10%
vds
vdsds?
i?
idid
由于ro
id
况都一样）
vdsds
10%?
v?
idd
10%vds
%?
0.2%vds（对二种情50
或者：
由于gds?
ida
vva
i?
id?
gds?
v?
a
0.2%vds?
0.2%vds
（a）vd=+4v；
（b）vd=+1.5v；
（c）vd=0v；
（d）vd=－5v；
根据题意vgs?
vg?
vs?
0?
5v?
1.5v，p-emosfet导通
0.082,?
0.02v?
1?
pcox?
802
（a）当vd?
4v时，由于此时vgd?
vd?
0v?
4v?
p-emosfet处于非饱和状态
0.08ma22?
1.5?
2l2
0.24ma
（b）当vd?
1.5v时，此时vgd?
1.5v?
p-emosfet处于临界饱和状态
0.02?
3.5）?
0.082
0.49ma?
1.07?
0.5243ma
（c）当vd?
0v时，vds?
5v，vgs?
3.5v
即vds?
，p-emosfet处于饱和状态
0.08v2?
1.1?
0.539ma
（d）当vd?
10v，vgs?
vgs（th）?
3.5v即vds?
1.2?
0.588ma
n-dmosfet工作于非饱和区（或三极管区）
2w1?
c2v?
vv?
22?
0.1?
0.1id?
12gsgs?
dsds2noxl22
0.59ma
1v时，vds?
1v＜vgs?
n-dmosfet工作于非饱和区
maid?
12?
22
3v时，vds?
2v2
n-dmosfet工作于临界饱和状态，由于忽略沟道长度调制效应，则
9ma
5v＞vgs?
n-dmosfet工作于饱和区，由于忽略沟道长度调制效应，则
由于id?
1ma,vd?
0v,vg?
0v,vgs?
0v
5v则rd?
vdd
d?
又由于vds＞vgs?
，mosfet处于饱和工作区
且?
20?
av2?
0.02v2，l?
40
则id?
2noxl
0.022?
40?
代入数据得：
1ma?
12
ma?
2.542
v2
得vgs?
2.5?
1.58vgs?
1.58?
因为vgs?
0.42v＜vgs?
不符合题意，舍去?
3.58v
又vgs?
3.58v则vs?
3.58v得rs?
vs?
vss
id
3.58?
1ma
1.42k?
0.2v2，vgs?
2v，va?
20v解：
已知?
l?
2002
（a）由于vgs?
3v＞vgs?
2v，mosfet导通，假设mosfet工作于饱和区，则
cv?
v1?
2gsgs?
ds2noxl22
1
20
20id?
10id?
.5
0.1364mavd?
10v?
idrd?
7.27v
由于vd?
7.27v?
，说明mosfet确实工作在饱和区，假设成立。
（b）由于vgs?
2v，mosfet导通，假设mosfet工作于饱和
20区。
0.22
【篇三：
模电康华光思考题题】
2.1集成电路运算放大器
2.1.1答；
通常由输入级，中间级，输出级单元组成，输入级由差分式放大电路组成，可以提高整个电路的性能。
中间级由一级或多级放大电路组成，主要是可以提高电压增益。
输出级电压增益为1，可以为负载提供一定的功率。
2.1.2答：
集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成，线性区的直线的斜率即vvo很大，直线几乎成垂直直线。
非线性区由两条水平线组成，此时的vo达到极值，等于v+或者v-。
理想情况下输出电压+vom=v+,-vom=v-。
2.1.3答：
集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆，输出电阻r约为100欧姆，开环电压增益avo约为10^6欧姆。
2.2理想运算放大器
2.2.1答：
将集成运放的参数理想化的条件是：
1.输入电阻很高，接近无穷大。
2.输出电阻很小，接近零。
3.运放的开环电压增益很大。
2.2.2答：
近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书p27。
2.3基本线性运放电路
2.3.1答:
1.同相放大电路中，输出通过负反馈的作用，是使vn自动的跟从vp，使vp≈vn，或vid=vp-vn≈0的现象称为虚短。
2.由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象，而运放的输入电阻的阻值又很高，因而流经两输入端之间ip=in≈0,这种现象称为虚断。
3.输入电压vi通过r1作用于运放的反相端，r2跨接在运放的输出端和反相端之间，同相端接地。
由虚短的概念可知，vn≈vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位，称为虚地。
虚短和虚地概念的不同：
虚短是由于负反馈的作用而使vp≈vn,但是这两个值不一定趋向于零，而虚地vp,vn接近是零。
2.3.2答：
由于净输入电压vid=vi-vf=vp-vm,由于是正相端输入，所以vo为正值，vo等于r1和r2的电压之和，所以有了负反馈电阻后，vn增大了，vp不变，所以vid变小了，vo变小了，电压增益av=vo/vi变小了。
由上述电路的负反馈作用，可知vp≈vn,也即虚短。
由于虚地是由于一端接地，而且存在负反馈，所以才有vp≈vn=0.
2.3.3答：
同相放大电路：
1.存在虚短和虚断现象。
2.增益av=vo/vi=1+r2/r1,电压增益总是大于1，至少等于1。
3.输入电阻接近无穷大，出电阻接近于零。
反相放大电路：
1.存在虚地现象。
2.电压增益av=vo/vi=-r2/r1,即输出电压与输入电压反相。
3.输入电阻ri=vi/i1=r1.输出电压趋向无穷大。
电路的不同：
1.参考p28和p32的两个图。
2.根据上述各自的特征即可得出它们的区别。
2.3.4参考书本图下面的分析和上述的特点区别。
2.3.5答：
电路的电压增益约为1，在电路中常作为阻抗变化器或缓冲器。
2.4同相输入和反反相输入放大电路的其他应用
2.4.1各个图参考p34-p41,各个电路的输出电压和输入电压的关系参考图下的分析。
2.4.2
成炜：
最后一道题不会做，你们房间把它算下吧。
谢了！
（*^__^*）嘻嘻?
第三章二极管
3.2.1答：
空间电荷区是由施主离子，受主离子构成的。
因为在这个区域内，多数载流子已扩散到对方并复合掉了，或者说耗尽了，因此有称耗尽区。
扩散使空间电荷区加宽，电场加强，对多数载流子扩散的阻力增大，但使少数载流子的漂移增强；
而漂移使空间电荷区变窄，电场减弱，又使扩散容易进行，故空间电荷区也称为势垒区。
3.2.2答：
使pn结外加电压vf的正端接p区，负端接n区，外加电场与pn结内电场方向相反，此时pn出于正向偏置。
3.2.3答：
增加。
因为在外加反向电压产生的电场作用下，p区中的空穴和n区中的电子都将进一步离开pn结，使耗尽区厚度增加。
3.2.4答：
只有在外加电压是才能显示出来。
3.2.5答：
p67页。
3.3.1答：
p71页
3.3.2
3.3.4答：
3.3.5答：
3.4.1答：
p73页
3.4.2答：
p74，76页
3.4.3答：
p83页
第四章
4.1.1不可以，因为bjt有集电区、基区和发射区。
4.1.2不行。
内部结构不同。
4.1.3必须保证发射结正偏，集电结反偏。
反偏，都正偏。
4.1.4发射区向基区扩散载流子，形成发射极电流ie。
ie=ien+iep,ic=icn+icbo
4.1.5（p106）
第一问没有找到；
bjt输入电流ic（或ie）正比于输入电流ie（或ib）。
如果能控制输入电流，就能控制输出电流，所以常将bjt成称为电流控制器件。
4.1.6（vce=常熟）a=dic/die（vcb=常熟）
4.1.8ic,ie,vce
4.1.9ic,ieb上升
4.2.1微弱电信号放大，信号源，外加直流电源vcc
4.2.2（p119）
4.2.3（p117）
4.2.4不能ic,a上升
4.3.1p120
4.3.2p123
4.3.3改变vcc的极性（自己判断是否正确）；
截止失真
4.3.4输入信号电压幅值比较小的条件下，p128
4.3.5找不到，个人理解：
放大电路工作可看成是静态工作电路（即直流电路）和交流通路的叠加，所以看成是先将直流通路短路处理，作为交流的地电位。
4.3.6p130公式（4.3.7b）p111公式（4.1.11a）不是
4.3.7p126p132
4.4.1电源电压的波动，元件参数的分散姓及元件的老化，环境温度
4.4.2基极分压式射极偏置电路（理由见p135），含有双电源的射极偏置电路，含有恒流的射极偏置电路（理由见p139）
4.4.3不能（答案不确定）
4.4.4不能，ce对静态工作点没有影响，对动态工作情况会产生影响，即对电阻re上的电流信号电压有旁路作用
4.5.1有共射，共基和共集；
判断方法p147，4.5.3
4.5.2p147，4.5.3的2
4.5.3p141的4.5.1的2.动态分析
4.5.4可以，根据式（4.4.1）-（4.4.4），可见静态电流icq只与直流电压及电阻re有关，以此温度变化时，icq基本不变。
4.7.1
书上155页第一段，这主要是由bjt的极间电容、耦合电容和旁路电容的开路和短路引起。
4.7.2频带宽度bw是等于上限截止频率减去下限截止频率，数学表达式是：
bw=f（h）-f（l）
4.7.3低频时，1/wc不可忽略，所以射极旁路电容是低频响应的主要影响因素。
高频是不会
4.7.4直接耦合可以把原信号不作改变地放大，所以可以改善低频响应；
共基极放大电路中不存在密勒电容效应，所以共基极放大电路具有比较好的高频响应特性。
4.7.5
4.7.6
书上176
第五章
5.1.1答：
二氧化硅是绝缘体
5.1.2答：
p237
5.1.3答：
5.1.4答：
p207
5.2.1答：
p226jfet不能
bjt不能
p205耗尽型mosfet可以答案在p205画波浪线处
5.3.4答：
p237a图为bjt
5.3.5答：
第六章
6.1.1257页第1段5行起
6.1.2图6.1.1，6.1.2，6.1.3微电流源微电流源
6.1.3259页最后一段
6.2.1263页
6.2.2100微安，0，100微伏，1000微伏
6.2.3vo=avdvid+avcvic得出
6.2.4温度
6.2.5264页最后两；
，ro越大，即电流源io越接近理想情况，avc1越小，说明他抑制共模信号的能力越强；
ro差模短路，共模2ro
6.2.6kcmr=|avd/avc|,268页第一段，
6.2.7266页波浪线
6.2.8课件33、34页
6.2.9275页中间段；
276第一段；
10的9次方；
10的5到6次方
6.3.1（p277）
（1）当vi1-vi2=vid=0时，vo1=vo2=vcc-（io/2）rc，电路处于静态工作状态，。
（3）vid在vt~4vt间和-vt~4vt间，vo1、vo2与vid间呈非线性。
电路工作在非线性区。
（4）vid-vt和vid+vt，曲线趋于平坦。
vid的范围书上没说，只说了差分放大电路呈现良好的限幅特性，即范围很大。
6.3.2
等于差分放大电路的差模电压增益avd1=-1/2gmrc，avd2=1/2gmrc
6．4．1
由源极耦合差分放大输入级，输入级偏置电流源，共源放大输出级构成。
作用：
输入级：
输入级差分放大输入信号。
电流源：
为差分放大输入级提供直流偏置。
输出级：
放大输出信号
6．4．2
由输入级，偏置电路，中间级，输出级组成。
电流源作用：
1）主偏置电路中的t11和t10组成微电流源电路，由ic10供给输入级中t3,t4的偏置电流。
2）t8和t9组成镜像电流源，供给输入级t1,t2的工作电流。
3）t12和t13构成双端输出的镜像电流源，一路供给中间级的偏置电流和作为它的有源负载，另一路供给输出级的偏置电流。
6．4．3
输入级，电压放大级和输出级电路的基本形式分别是：
差分式放大电路，共集电极电路和共射集放大电路，互补对称电路。
保护电路有:
t15,t21,t22,t23,t24b
6.5.2答：
要求输入失调电压和输入失调电流都比较小，可采用调零电位器的方法减小输出端的误差电压。
不能用外接人工调零电路的方法完全抵消。
6.5.3
（1）lm741等一般运放
（2）高输入电阻的运放。
（3）输入失调电压vio小的运放（4）失调电压电流小的运放
6.5.4转换速率的大小与许多因素有关，主要与运放所加的补偿电容、运放本身各级bjt的级间电容、以及放大电路提供的充电电流等因素有关，通常要求运放的sr大于信号变化斜率的绝对值。
6.5.5vom=sr/（2∏bwp）=7.96v
6.5.6见表6.5.1（书本291页）
6.6.1电路是由vy控制电流源t3t4的电流iee，iee的变化导致bjtt1和t2的跨导gm变化，因此该电路称为变跨导式模拟乘法器。
（结合图，书本296）
6.6.2电压开平方运算电路
v2/r+vi/r=0或v2=-vi
vo是-vi的平方根，输入电压vi必为负值
加一反相器
6.6.3乘方运算电路、除法运算电路、开平方电路、压控放大器、调制和解调
升级会员 