TC版图实验报告.docx
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TC版图实验报告
实验一：
nmos/pmos管的版图设计
目的：
掌握Tanner软件的基本设定，L_edit的使用；掌握集成电路工艺与版图的图层关系，知道本课程使用的MOSIS/Orbit2USCNAMEMS工艺；对于N/PMOS管进行DRC和LVS的DRC步骤与方法。
使用设备和工具：
微型计算机一台；Tanner软件
版图设计：
完成NMOS管和PMOS管的版图编辑，并给出输入输出端口以及电源和底线。
版图：
NMOS
PMOS
网表：
NMOS：
M1DGS4NMOSL=2uW=5uAD=27.5pPD=21uAS=27.5pPS=21u$（-36.548.5-34.553.5）
VGGGNDpulse（0505n5n50n100n）
VDDGNDpwl（001n5300n5301n0）
V44GND0
.tran1n400n
.plotV（S）V（D）V（G）
.END
PMOS:
M1DGS4PMOSL=2uW=5uAD=27.5pPD=21uAS=27.5pPS=21u$（-36.548.5-34.553.5）
VGGGNDpwl（001n5300n5301n0）
VDDGNDpulse（0505n5n50n100n）
V44GND0
.tran1n400n
.plotV（S）V（D）V（G）
波形图：
NMOS/PMOS
实验二：
带10kΩ电阻的共源级放大器版图设计
目的：
掌握Tanner软件的基本设定，L_edit的使用；掌握集成电路工艺与版图的图层关系，知道本课程使用的MOSIS/Orbit2USCNAMEMS工艺；对于共源级放大器进行DRC和LVS的DRC步骤与方法。
使用设备和工具：
微型计算机一台；Tanner软件
版图设计：
计规则与版图图层定义:
弄清楚版图层次后，根据工艺设计规则开始绘制版图。
电阻的绘制：
本课程中采用多晶硅电阻（也可以选择其他类型电阻）
点击"setuplayer",可以看到多晶硅的方块电阻为23.6Ohms/square，根据R=pL/W可以算出需要的电阻的段数。
电阻的绘制：
这里采用的是多晶硅电阻，方块电阻率为23.6，每一小段有效L/W=40/5=8，因而每一小段电阻R=23.6*8=188.8Ohms,因而10kOhms需要10000/188.8=53段，因而最终需要53个小段串联。
版图规则、一致性检查：
DRC在绘制版图的过程中不断进行，画好管子后应该做LVS检查（LayoutVSSchematic），具体操作步骤可见“LVS示范-反相器”（这里面由于10kohm电阻分为了53段，因而版图提取电阻有53个，肯定与源电路不符，因此只要观察到提取的NMOS管网表以及电阻分段之和等于电路原理图即可）
版图：
网表：
RResistor_1VddOutR=10k
MNMOS_1OutInGndGndNMOSW=5uL=2.5uAS=4.5pPS=11.8uAD=4.5pPD=11.8u
VddVddGND5
VininGND5SIN（0220MEG1n1e6）
.tran1n600n
.plotV（out）V（In）
.end
波形图：
实验三：
CMOS反相器版图设计
目的：
掌握Tanner软件的基本设定，L_edit的使用；掌握集成电路工艺与版图的图层关系，知道本课程使用的MOSIS/Orbit2USCNAMEMS工艺；对于CMOS反相器进行DRC和LVS的DRC步骤与方法。
使用设备和工具：
微型计算机一台；Tanner软件
版图设计：
计规则与版图图层定义:
弄清楚版图层次后，根据工艺设计规则开始绘制版图。
版图：
网表：
VddVddGND5
VaInGNDpulse（0505n5n50n100n）
.tran1n400n
.plotv（out）V（In）
.END
波形图：
实验四：
二输入与非门的版图设计
目的：
掌握Tanner软件的基本设定，L_edit的使用；掌握集成电路工艺与版图的图层关系，知道本课程使用的MOSIS/Orbit2USCNAMEMS工艺；对于二输入与非门的版图设计进行DRC和LVS的DRC步骤与方法。
使用设备和工具：
微型计算机一台；Tanner软件
版图设计：
设计规则与版图图层定义:
弄清楚版图层次后，根据工艺设计规则开始绘制版图。
版图：
网表：
VddVddGND5
VAAGNDpwl（00100n0101n5300n5301n0）
VBBGNDpwl（00200n0201n5400n5401n0）
.tran1n600n
.plotV（OUT）V（A）V（B）
*TotalNodes:
6
*TotalElements:
6
*TotalNumberofShortedElementsnotwrittentotheSPICEfile:
0
*OutputGenerationElapsedTime:
0.016sec
*TotalExtractElapsedTime:
0.750sec
.END
波形图：
实验五：
二输入或非门的版图设计
目的：
掌握Tanner软件的基本设定，L_edit的使用；掌握集成电路工艺与版图的图层关系，知道本课程使用的MOSIS/Orbit2USCNAMEMS工艺；对于二输入与非门的版图设计进行DRC和LVS的DRC步骤与方法。
使用设备和工具：
微型计算机一台；Tanner软件
版图设计：
设计规则与版图图层定义:
弄清楚版图层次后，根据工艺设计规则开始绘制版图。
版图：
网表：
VddVddGND5
VAAGNDpwl（00100n0101n5300n5301n0）
VBBGNDpwl（00200n0201n5400n5401n0）
.tran1n600n
.plotV（Out）V（A）V（B）
.END
波形图：
实验六：
CMOS传输门版图设计
目的：
掌握Tanner软件的基本设定，L_edit的使用；掌握集成电路工艺与版图的图层关系，知道本课程使用的MOSIS/Orbit2USCNAMEMS工艺；对于传输门的版图设计进行DRC和LVS的DRC步骤与方法。
使用设备和工具：
微型计算机一台；Tanner软件
版图设计：
设计规则与版图图层定义:
弄清楚版图层次后，根据工艺设计规则开始绘制版图。
版图：
网表：
M14ctrlVDDVDDPMOSL=2uW=14uAD=84pPD=40uAS=84pPS=40u$（-15.531.5-13.545.5）
M2F4AVDDPMOSL=2uW=14uAD=84pPD=40uAS=84pPS=40u$（17.531.519.545.5）
M3FctrlAGNDNMOSL=2uW=6uAD=36pPD=24uAS=36pPS=24u$（17.510.519.516.5）
M44ctrlGNDGNDNMOSL=2uW=6uAD=36pPD=24uAS=36pPS=24u$（-15.510.5-13.516.5）
VDDVDDGND5
VAAGNDpulse（055n5n5n50n100n）
VctrlctrlGNDpwl（05300n5301n0）
.tran1n600n
.plotV（F）V（A）V（ctrl）
.END
波形图:
实验七：
CMOS异或门版图设计
目的：
掌握Tanner软件的基本设定，L_edit的使用；掌握集成电路工艺与版图的图层关系，知道本课程使用的MOSIS/Orbit2USCNAMEMS工艺；对于CMOS异或门进行DRC和LVS的DRC步骤与方法。
使用设备和工具：
微型计算机一台；Tanner软件
版图设计：
设计规则与版图图层定义:
弄清楚版图层次后，根据工艺设计规则开始绘制版图。
版图：
网表：
M1FBAVDDPMOSL=2uW=14uAD=84pPD=40uAS=84pPS=40u$（324.5538.5）
M21AVDDVDDPMOSL=2uW=14uAD=84pPD=40uAS=84pPS=40u$（-2124.5-1938.5）
M3BAFVDDPMOSL=2uW=14uAD=84pPD=40uAS=84pPS=40u$（2724.52938.5）
M4B1FGNDNMOSL=2uW=6uAD=36pPD=24uAS=36pPS=24u$（2772913）
M5FB1GNDNMOSL=2uW=6uAD=36pPD=24uAS=36pPS=24u$（37513）
M61AGNDGNDNMOSL=2uW=6uAD=36pPD=24uAS=36pPS=24u$（-217-1913）
VDDVDDGND5
VAAGNDpulse（055n5n5n50n100n）
VBBGNDpwl（05300n5301n0）
.tran1n500n
.plotV（F）V（A）V（B）
.END
波形图：
实验八：
主从D触发器版图设计
目的：
掌握Tanner软件的基本设定，L_edit的使用；掌握集成电路工艺与版图的图层关系，知道本课程使用的MOSIS/Orbit2USCNAMEMS工艺；对于主从D触发器进行DRC和LVS的DRC步骤与方法。
使用设备和工具：
微型计算机一台；Tanner软件
版图设计：
设计规则与版图图层定义:
弄清楚版图层次后，根据工艺设计规则开始绘制版图。
版图：
网表：
VDDVDDGND5
VDDGNDpwl（0575n576n0175n0176n0）
VclkclkGNDpulse（0510n5n5n50n100n）
.tran1n600n
.plotV（QB）V（Q）V（D）V（clk）
.END
波形图：
版图设计实验报告
专业班级：
A0904
姓名：
陈俊
学号：
4200109320081
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