集成电路课程设计CMOS二输入与门文档格式.docx
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系主任〔或责任教师〕签名：
摘要………………………………………………………………….....2
绪论…....………………………………………….…………………....3
5.1、PMOS管版图设计…………..……………….……..20
5.2、NMOS管版图设计…….………………………….….22
5.3、与门版图设计……..………………….…………...…23
5.4、总版图DRC检查与SPC文件的生成…………....…25
六、心得体会………………………………………………..…….......28
七、致谢……………………………………………………………….29
八、参考文献……………………………………………………....…30
九、附录…………………………………………………..…………...31摘要
门电路是构成各种复杂数字电路的基本逻辑单元，CMOS门电路作为目前应用最广的门电路之一，掌握CMOS门电路的逻辑功能和电气特性，对于正确使用数字集成电路是十分必要的。
CMOS门电路是以金属—氧化物—半导体场效应晶体管作为开关器件的集成电路。
与TTL门电路相仿，在CMOS门电路的定型产品中有反相器〔非门〕、与门、或门、与非门、或非门、与或非门和异或门几种常见的类型。
尽管它们逻辑功能各异，但输入端、输出端的电路结构形式基本相同。
关键词：
CMOS门电路、与非门、非门、与门
Abstract
Gateisabasiclogicunitconstituteaplexdigitalcircuit,theCMOSgateasoneofthemostwidelyusedgate,graspthelogicfunctionandelectricalcharacteristicofCMOSgate,forthecorrectuseofdigitalintegratedcircuitisverynecessary.CMOSgateisametal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistorasswitchintegratedcircuitofthedevice.WithTTLgatecircuit,finalizethedesignproductinCMOSgate（gate）intheinverter,andgate,orgate,nandgate,orgate,andthenorgateandxorgateofseveralmontypes.Despitetheirdifferentlogicfunctions,buttheinput,theoutputcircuitstructureformarebasicallythesame.
Keywords:
CMOSgate,NANDgate,NOTgate,ANDgate
绪论
随着微电子技术的快速发展，人们生活水平不断提高，使得科学技术已融入到社会生活中每一个方面。
而对于现代信息产业和信息社会的基础来讲，集成电路是改造和提升传统产业的核心技术。
随着全球信息化、网络化和知识经济浪潮的到来，集成电路产业的地位越来越重要，它已成为事关国民经济、国防建设、人民生活和信息安全的基础性、战略性产业。
集成电路有两种。
一种是模拟集成电路。
另一种是数字集成电路。
从制造工艺上可以将目前使用的数字集成电路分为双极型、单极型和混合型三种。
而在数字集成电路中应用最广泛的就是CMOS集成电路，CMOS集成电路出现于20世纪60年代后期，随着其制造工艺的不断进步，CMOS电路逐渐成为当前集成电路的主流产品。
本课程设计讲的是数字集成电路版图设计的基本知识。
然而在数字集成电路中CMOS门电路的制作是非常重要的。
本文便是讨论的CMOS与门电路的设计仿真与版图等的设计。
版图（Layout）是集成电路设计者将设计并模拟优化后的电路转化成的一系列几何图形，包含了集成电路尺寸大小、各层拓扑定义等有关器件的所有物理信息。
集成电路制造厂家根据版图来制造掩膜。
版图的设计有特定的规则，这些规则是集成电路制造厂家根据自己的工艺特点而制定的。
不同的工艺，有不同的设计规则。
设计者只有得到了厂家提供的规则以后，才能开始设计。
版图在设计的过程中要进行定期的检查，避免错误的积累而导致难以修改。
很多集成电路的设计软件都有设计版图的功能，L-Edit软件的的版图设计软件帮助设计者在图形方式下绘制版图。
对于复杂的版图设计，一般把版图设计分成若干个子步骤进行：
〔1〕划分为了将处理问题的规模缩小，通常把整个电路划分成若干个模块。
〔2〕版图规划和布局是为了每个模块和整个芯片选择一个好的布图方案。
〔3〕布线完成模块间的互连，并进一步优化布线结果。
〔4〕压缩是布线完成后的优化处理过程，他试图进一步减小芯片的面积。
一、设计要求
1、要求：
用MOS器件来设计二输入与门电路。
2、内容：
用Cadence软件进行电路原理图的绘制，生成网络表并进行交直流分析与瞬态分析。
3、用L-Edit软件进行电路版图的制作与DRC的检查。
二、设计原理
二输入与门有两个输入端A和B以与一个输出端Q，只有当A端和B端同时为高电平时输出才为高电平，否则输出都为低电平，即Q=AB。
与门的电路符号和真值表如图1所示：
图1
A
B
Q
0
1
1
由于此次是用CMOS管构建的二输入与门，而CMOS管的基本门电路有非门、与非门、或非门等，所以要想实现用CMOS管搭建出二输入与门电路，由关系式Q=
=AB可知可以用一个二输入与非门和一个非门连接，这样就可以实现一个二输入与门的电路。
本次设计就是用一个二输入与非门加一个非门从而实现了二输入与门的功能。
三、设计思路
3.1非门电路
CMOS非门即反相器是由一个N管和一个P管组成的，P管源极接Vdd，N管源极接GND，若输入IN为低电平，则P管导通，N管截止，输出OUT为高电平。
若输入IN为高电平，则N管导通，P管截止，输出OUT为低电平。
从而该电路实现了非的逻辑运算，构成了CMOS反相器。
CMOS的电路图如下图2所示.
图2
当Ui=UIH
=
VDD,VTN导通,VTP截止,Uo
=Uol≈0V
当Ui=
UIL=0V时,VTN截止,VTP导通,UO
UOH≈VDD
低电平输出特性
当输出为低电平时，即v0=VOL时，反相器的P沟道管截止、N沟道管导通，工作状态如图3所示，低电平输入特性如图4所示。
图3CMOS反相器的低电平输出状态
图4CMOS反相器的低电平输出特性
（2）高电平输出特性
当输出为高电平时，即v0=VOH时，反相器的N沟道管截止、P沟道管导通，工作状态如图5所示，低电平输入特性如图6所示。
图5CMOS反相器的高电平输出状态
图6低电平输入特性
还有就是CMOS电路的优点:
〔1〕微功耗。
CMOS电路静态电流很小，约为纳安数量级。
〔2〕抗干扰能力很强。
输入噪声容限可达到VDD/2。
〔3〕电源电压范围宽。
多数CMOS电路可在3～18V的电源电压范围内正常工作。
〔4〕输入阻抗高。
〔5〕负载能力强。
CMOS电路可以带50个同类门以上。
〔6〕逻辑摆幅大〔低电平0V，高电平VDD
〕
3.2二输入与非门电路
二输入CMOS与非门电路，其中包括两个个串联的N沟道增强型MOS管和两个个并联的P沟道增强型MOS管。
每个输入端连到一个N沟道和一个P沟道MOS管的栅极。
当输入端A、B中只要有一个为低电平时，就会使与它相连的NMOS管截止，与它相连的PMOS管导通，输出为高电平；
仅当A、B全为高电平时，才会使两个个串联的NMOS管都导通，使两个个并联的PMOS管都截止，输出为低电平。
设计电路图如下图7所示：
图7
二输入与非门电路的逻辑符号和真值表如下图8所示：
图8
B
Q
如上图7中所示，设CMOS管的输出高电平为“1”，低电平为“0”，图中T2、T4为两个串联的NMOS管，T1、T3为两个并联的PMOS管，每个输入端〔A或B〕都直接连到配对的NMOS管〔驱动管〕和PMOS〔负载管〕的栅极。
当两个输入中有一个或一个以上为低电平“0”时，与低电平相连接的NMOS管仍截止，而PMOS管导通，使输出Y为高电平，只有当两个输入端同时为高电平“1”时，T2、T4管均导通，T1、T3管都截止，输出Y为低电平。
由以上分析可知，该电路实现了逻辑与非功能，即Y=
。
3.3二输入与门电路
在本次设计中，二输入CMOS与门电路是由一个二输入CMOS与非门电路和一个非门〔反相器〕组成，其中二输入与非门包括两个个串联的N沟道增强型MOS管和两个个并联的P沟道增强型MOS管，而反相器是由一个N管和一个P管组成的。
二输入与非门的输出即为反相器的输入，A、B输入端连到一个N沟道和一个P沟道MOS管的栅极，输出极Q为反相器的输出端。
当输入端A、B中只要有一个为低电平时，与非门部分就会使与它相连的NMOS管截止，与它相连的PMOS管导通，输出为高电平，从而使反相器的输入为高电平，使反相器的NMOS管导通PMOS管截止，使反相器输出即Q端输出低电平；
仅当A、B全为高电平时，才会使与非门部分的两个串联的NMOS管都导通，使两个个并联的PMOS管都截止，输出为低电平进而使反相器部分的PMOS管导通NMOS管截止，使输出端Q输出高电平，这样也就实现了二输入与门的功能。
设计电路图如下图8所示：
与门电路的逻辑符号和真值表如上文的图1中所示。
四、Cadence电路设计
4.1原理图设计
首先打开Cadence16.5选择其中的DesignEntryCIS子软件，在弹出的窗口中选择orCADCaptureCIS，如下图9所示：
图9
进入工作界面之后在菜单栏中选择File按钮然后选择New选项下面的子选项Project来建立新的工程，如下图10所示：
图10
点击OK之后就能进入工作界面，如下图11所示：
图11
点击菜单栏中的Place按钮选择Part选项调出元件库，然后点击右边
中的
处加载需要用到的一些元件库。
从组件库引用模块:
编辑反相器电路会利用到NMOS,PMOS,Vdd与Gnd这4个模块，所以要从组件库中复制NMOS,PMOS,Vdd与Gnd这4个模块到文件，并在PAGE1编辑画面中引用。
最后画好的电路原理图如下图12中所示：
图12
4.2仿真分析
电路原理图画好之后接下来便是仿真分析了，Cadence软件提供了直流分析、交流分析、瞬态分析和静态工作点分析等四种分析模式。
然而本次我们做的是门电路，输入输出信号都是电平信号，研究的是输入输出信号随时间的变化关系，所以只需要做瞬态分析就行了。
首先点击菜单栏中的Pspice按钮选择NewSimulation命令来新建一个仿真文件，在Name中输入仿真文件名，点击Creat后，在原来的工程文件夹中就会自动生成一个相应名字的文件夹，后面所做的仿真结果和工程均保存在该文件夹下，如下图13中所示
图13
完成上面的操作之后，会弹出如下图14中所示的仿真参数设置窗口
图14
在Analysistype〔分析类型〕中我们选取TimeDomain〔Transient〕〔瞬态分析〕，然后在后边的起始时间和终止时间分别设置0和300ms，分析时间步长设置为0.1ms。
完成之后点确定。
再在仿真工具栏中点击图标
来进行仿真。
这样又调出了Pspice的界面，再点击
来加入观测波形，如下图15中所示：
图13
最后出现的A输入端的波形如下图14中所示：
最后为了同时观测到A、B输入端和输出端Q的波形，还能点击Plot菜单下的AddPlottoWindow命令来增加窗口显示的波形，最后加入B输入口和Q输出口后的波形如下图15中所示：
图15
从图中可以看到只有当A端口和B端口同时为高电平时输出口Q才为高电平，否则输出口Q一直为低电平，波形显示出电路符合与门电路的功能，即Q=AB。
而且从图中还能看到输出口Q的波形中有一些分立线状波形，这些是由于A输入端和B输入端处在上升或者下降沿的时候虽然电平并不是标准的高电平，但电压并不为0，在仿真的时候软件将这些电平统一作高电平处理，所以才会出现一些分立的线状波形存在。
4.3生成网络表
电路仿真成功之后接下来就能生成网络表了，点击仿真界面左侧的图标
〔ViewSimulationOutputFile〕就能看到生成的网络表，该电路的网络表如下：
****12/21/1323:
02:
10******PSpice（April2011）******ID#0********
**Profile:
"
SCHEMATIC1-yumen"
[D:
\cadenceproject\yumendianlu-pspicefiles\schematic1\yumen.sim]
****CIRCUITDESCRIPTION
******************************************************************************
**Creatingcircuitfile"
yumen.cir"
**WARNING:
THISAUTOMATICALLYGENERATEDFILEMAYBEOVERWRITTENBYSUBSEQUENTSIMULATIONS
*Libraries:
*ProfileLibraries:
*LocalLibraries:
*From[PSPICENETLIST]sectionofE:
\Cadence\SPB_16.5\tools\PSpice\PSpice.inifile:
.lib"
nom.lib"
*Analysisdirectives:
.TRAN0300ms00.1m
.PROBEV（alias（*））I（alias（*））W（alias（*））D（alias（*））NOISE（alias（*））
.INC"
..\SCHEMATIC"
****INCLUDINGSCHEMATIC****
*sourceYUMENDIANLU
.EXTERNALOUTPUTQ
M_M1N00323N00394N00265N00265MbreakP
M_M2N00323N00285N00265N00265MbreakP
M_M3N00323N00285N003510MbreakN
M_M4N00351N0039400MbreakN
M_M6QN0032300MbreakN
M_M5QN00323N00265N00265MbreakP
V_V1N0026505Vdc
V_AN002850
+PULSE0500.4us0.5us10ms20ms
V_BN003940
+PULSE0500.4us0.5us20ms40ms
****RESUMINGyumen.cir****
.END
****MOSFETMODELPARAMETERS
MbreakPMbreakN
PMOSNMOS
LEVEL11
L100.000000E-06100.000000E-06
W100.000000E-06100.000000E-06
VTO00
KP20.000000E-0620.000000E-06
GAMMA00
PHI.6.6
LAMBDA00
IS10.000000E-1510.000000E-15
JS00
PB.8.8
PBSW.8.8
CJ00
CJSW00
CGSO00
CGDO00
CGBO00
TOX00
XJ00
UCRIT10.000000E+0310.000000E+03
DIOMOD11
VFB00
LETA00
WETA00
U000
TEMP00
VDD55
XPART00
****INITIALTRANSIENTSOLUTIONTEMPERATURE=27.000DEGC
NODEVOLTAGENODEVOLTAGENODEVOLTAGENODEVOLTAGE
（Q）50.10E-09（N00265）5.0000（N00285）0.0000（N00323）5.0000
（N00351）-543.6E-09（N00394）0.0000
VOLTAGESOURCECURRENTS
NAMECURRENT
V_V1-1.002E-11
V_A0.000E+00
V_B0.000E+00
TOTALPOWERDISSIPATION5.01E-11WATTS
JOBCONCLUDED
****JOBSTATISTICSSUMMARY
Totaljobtime（usingSolver1）=.28
五、版图设计
5.1PMOS管版图设计
由于L-Edit软件在进行电路版图设计之前首先得进行元器件版图的设计，而在本次电路中用到的元器件有PMOS管和NMOS管，所以在画与门版图之前首先要先绘制好PMOS管和NMOS管的版图。
〔1〕打开L-Edit程序：
L-Edit会自动将工作文件命名为Layout1.tdb并显示在窗口的标题栏上，如下图16中所示。
〔2〕另存为新文件：
选择执行File/SaveAs子命令，打开“另存为〞对话框，在“保存在〞下拉列表框中选择存贮目录，在“文件名〞文本框中输入新文件名称，如Ex1。
图16
〔3〕替换设置信息：
用于将已有的设计文件的设定〔如格点、图层等〕应用于当前的文件中。
选择执行File/ReplaceSetup子命令打开对话框，单击“FromFile〞栏填充框的右侧的Browser按钮，选择X:
\Ledit1.1\Samples\SPR\example1\lights.tdb文件，如下图17所示，单击OK就将lights.tdb文件中的格点、图层等设定应用在当前文件中。
图18
设置好这些之后其它的都选择系统默认的值就行，然后就可以开始元件版图的绘制了。
首先绘制PMOS管的NWell层，在Layers面板的下拉列表中选取NWell选项，再从Drawing工具栏中选择按钮，在Cell0编辑窗口画出横向24格纵向15格的方形即为NWell，如图18中所示。
画好NWell层之后然后再继续按照规则一步步绘制好Active层、PSelect层、Ploy层、ActiveContact层、Metal1层等，每设计好一层并将其摆放到规定的位置，然后进行一次DRC检查，确认是否有错误，一切都无误之后就能保存了，制作好的PMOS版图如图19中所示。
图19
5.2NMOS管版图设计
在PMOS管设计好并保存之后就能开始绘制NMOS管的版图了，新建NMOS单元：
选择Cell/New命令，打开CreateNewCell对话框，在其中的Newcellname栏中输入nmos，单击OK按钮。
绘制NMOS单元：
根据绘制PMOS单元的过程，依次绘制Active图层、NSe
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