UBOOT移植7Word文件下载.docx
《UBOOT移植7Word文件下载.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《UBOOT移植7Word文件下载.docx（21页珍藏版）》请在冰点文库上搜索。
00000000位置开始启动。
这个过程不需要程序干涉。
程序员需要完成的工作,是把最核心的启动程序放在NandFlash的前4K中。
1.3.2启动程序的安排
由于NandFlash控制器从NandFlash中搬移到内部RAM的代码是有限的,所以在启动代码的前4K里,我们必须完成S3C2410的核心配置以及把启动代码（U-BOOT）剩余部分搬到RAM中运行。
u-boot源码不支持从nandflash启动，可是s3c2410支持从nandflash启动，加电后s3c2440将nandflash的前4k（保存有u-boot的部分功能–拷贝功能–把nandflash中的内容拷贝到SDRAM）拷贝到sram（s3c2440芯片内的sram）。
这就需要修改u-boot源码，增加u-boot的功能:
使u-boot在得到执行权后能够将其自身拷贝到开发板上SDRAM中，以便处理器能够执行u-boot
2.u-boot的NANDFLASH部分移植
以下的操作是经过整理的，详细过程见A.1.1所列出的网址
注意，如果u-boot要在SDRAM中调试，得把u-boot-2011.03\include\configs\reille2440.h文件中的宏定义CONFIG_SKIP_LOWLEVEL_INIT开启和关闭CONFIG_S3C2440_NAND_BOOT宏定义
2.1修改u-boot-2011.03\include\configs\reille2440.h文件
2.1.1注销如下定义：
/*delbyguoyirong2011.06.19
#define
CONFIG_ENV_IS_IN_FLASH
1
#defineCONFIG_ENV_SIZE
0×
10000
//TotalSizeofEnvironmentSector
*/
2.1.2reille2440.h文件末增加如下定义：
/**********************************************************/
/*以下为NAND启动及驱动相关addedbyguoyirong2011.06.19*/
/*
*去掉NORFLASH支持，如果不去掉，则arch/arm/lib/libarm.o被连接到了4K之外，
*4K之内没有这个程序libarm是不可能实现NAND启动的
#defineCONFIG_SYS_NO_FLASH
//#defineCONFIG_CMD_FLASH
/*flinfo,erase,protect
*/
//#defineCONFIG_CMD_IMLS
/*Listallfoundimages
#defineCONFIG_S3C2440_NAND_BOOT
#defineCONFIG_NAND_S3C2440
#defineNAND_CTL_BASE
0x4E000000
//NandFlash配置寄存器基地址，查2440手册可得知
#defineoNFCONF
00//相对Nand配置寄存器基地址的偏移量，还是配置寄存器的基地址
#defineoNFCONT
04//相对Nand配置寄存器基地址的偏移量，可得到控制寄存器的基地址（0x4E000004）
#defineoNFADDR
0x0c//相对Nand配置寄存器基地址的偏移量，可得到地址寄存器的基地址（0x4E00000c）
#defineoNFDATA
10//相对Nand配置寄存器基地址的偏移量，可得到数据寄存器的基地址（0x4E000010）
#defineoNFCMD
08//相对Nand配置寄存器基地址的偏移量，可得到指令寄存器的基地址（0x4E000008）
#defineoNFSTAT
20//相对Nand配置寄存器基地址的偏移量，可得到状态寄存器的基地址（0x4E000020）
#defineoNFECC
0x2c//相对Nand配置寄存器基地址的偏移量，可得到ECC寄存器的基地址（0x4E00002c）
#defineUBOOT_LENGTH
40000/*256K*/
#defineSTACK_BASE
0x33f00000
//定义堆栈的地址
#defineSTACK_SIZE
8000
//堆栈的长度大小
#defineCONFIG_CMD_NAND
#defineCONFIG_CMDLINE_EDITING
CONFIG_NAND_S3C2440
#ifdefCONFIG_CMDLINE_EDITING
#undefCONFIG_AUTO_COMPLETE
#else
#defineCONFIG_AUTO_COMPLETE
#endif
/*NANDflashsettings*/
#ifdefined（CONFIG_CMD_NAND）
#defineCONFIG_SYS_NAND_BASE
0x4E000000//Nand配置寄存器基地址
#defineCONFIG_SYS_MAX_NAND_DEVICE
#defineCONFIG_MTD_NAND_VERIFY_WRITE
//#defineNAND_SAMSUNG_LP_OPTIONS
1
//注意：
我们这里是64M的NandFlash，所以不用，如果是128M的大块NandFlash，则需加上
//添加环境变量保存到Nand的宏（注意：
如果你要使用从Nor启动的saveenv命令，则不要这些Nand宏定义）
#defineCONFIG_ENV_IS_IN_NAND
#defineCONFIG_ENV_OFFSET
30000//将环境变量保存到nand中的0×
30000位置
10000/*TotalSizeofEnvironmentSector*/
2.1.3注释CONFIG_SKIP_LOWLEVEL_INIT
//#defineCONFIG_SKIP_LOWLEVEL_INIT
2.2增加从NANDFLASH读取数据到内存的函数，文件名为nand_read.c，放到board\samsung\reille2440\nand_read.c下
nand_read.c文件内容如下：
*board\samsung\reille2440\nand_read.c
*
*（C）Copyright2011
*reille<
<
reille@>
*Thisprogramisfreesoftware;
youcanredistributeitand/or
*modifyitunderthetermsoftheGNUGeneralPublicLicenseas
*publishedbytheFreeSoftwareFoundation;
eitherversion2of
*theLicense,or（atyouroption）anylaterversion.
#include<
config.h>
#defineNF_BASE
//NandFlash配置寄存器基地址
#define__REGb（x）（*（volatileunsignedchar*）（x））
#define__REGi（x）（*（volatileunsignedint
*）（x））
#defineNFCONF__REGi（NF_BASE+0×
0）
//通过偏移量还是得到配置寄存器基地址
#defineNFCONT__REGi（NF_BASE+0×
4）
//通过偏移量得到控制寄存器基地址
#defineNFCMD
__REGb（NF_BASE+0×
8）
//通过偏移量得到指令寄存器基地址
#defineNFADDR__REGb（NF_BASE+0xC）
//通过偏移量得到地址寄存器基地址
#defineNFDATA__REGb（NF_BASE+0×
10）
//通过偏移量得到数据寄存器基地址
#defineNFSTAT__REGb（NF_BASE+0×
20）
//通过偏移量得到状态寄存器基地址
#defineNAND_CHIP_ENABLE
（NFCONT&
=~（1<
<
1））
//Nand片选使能
#defineNAND_CHIP_DISABLE（NFCONT|=（1<
//取消Nand片选
#defineNAND_CLEAR_RB
（NFSTAT|=（1<
2））
#defineNAND_DETECT_RB
{while（!
（NFSTAT&
（1<
2）））;
}
#defineNAND_SECTOR_SIZE512
#defineNAND_BLOCK_MASK（NAND_SECTOR_SIZE–1）
#if0
#defineDEBUGN
printf
#defineDEBUGN（x,args…）{}
#endif
/*lowlevelnandreadfunction*/
intnand_read_ll（unsignedchar*buf,unsignedlongstart_addr,intsize）{
inti,j;
//
DEBUGN（“nand_read_ll………….\n”）;
//这句不能有，否则uboot不能从NANDFLASH启动起来
if（（start_addr&
NAND_BLOCK_MASK）||（size&
NAND_BLOCK_MASK））{
return-1;
//地址或长度不对齐
NAND_CHIP_ENABLE;
//选中Nand片选
for（i=start_addr;
i<
（start_addr+size）;
）{
//发出READ0指令
NAND_CLEAR_RB;
NFCMD=0;
//对Nand进行寻址
NFADDR=i&
0xFF;
NFADDR=（i>
>
9）&
17）&
25）&
NAND_DETECT_RB;
for（j=0;
j<
NAND_SECTOR_SIZE;
j++,i++）{
*buf=（NFDATA&
0xFF）;
buf++;
NAND_CHIP_DISABLE;
//取消片选信号
return
0;
2.3修改cmd_bootm.c文件
a）把81和82行注释掉，如下：
//abortNORFLASH
|delbyguoyirong2011.06.25
//#include<
mtd/cfi_flash.h>
//externflash_info_tflash_info[];
/*infoforFLASHchips*/
b）把函数intdo_imls（cmd_tbl_t*cmdtp,intflag,intargc,char*constargv[]）整体注释掉，改为如下：
intdo_imls（cmd_tbl_t*cmdtp,intflag,intargc,char*constargv[]）{return（0）;
做一步是因为要去掉NORFLASH支持（如果不去掉，则arch/arm/lib/libarm.o被连接到了4K之外，4K之内没有这个程序libarm是不可能实现NAND启动的），但去掉后，在这里会出现编译错误，如下所示：
Infileincludedfromcmd_bootm.c:
80:
/home/reille/work/u-boot-2011.03/include/mtd/cfi_flash.h:
174:
error:
expected‘）’before‘*’token
cmd_bootm.c:
81:
expected‘=’,‘,’,‘;
’,‘asm’or‘__attribute__’before‘flash_info’
Infunction‘do_imls’:
1145:
‘flash_info_t’undeclared（firstuseinthisfunction）
（Eachundeclaredidentifierisreportedonlyonce
foreachfunctionitappearsin.）
‘info’undeclared（firstuseinthisfunction）
1149:
‘flash_info’undeclared（firstuseinthisfunction）
1152:
‘FLASH_UNKNOWN’undeclared（firstuseinthisfunction）
make[1]:
***[cmd_bootm.o]Error1
Leavingdirectory`/home/reille/work/u-boot-2011.03/common’
make:
***[common/libcommon.o]Error2
reille@ubuntu:
~/work/u-boot-2011.03$
注释掉后就不会出现了，按理来说在u-boot-2011.03\include\configs\reille2440.h文件中去掉了宏定义CONFIG_CMD_IMLS及加上宏定义CONFIG_SYS_NO_FLASH就不会出现编译错误了，但不知道为什么没能起作用。
2.4修改board/samsung/reille2440/makefile
#delbyguoyirong2011.06.25
#COBJS
:
=reille2440.oflash.onand_read.o
#nonorflash|addbyguoyirong2011.06.25
COBJS
=reille2440.onand_read.o
注意，不再有NORFLASH了，因此去掉flash.o
2.5drivers/mtd/nand/目录下新建s3c2440_nand.c文件实现对NANDFLASH的操作
2.5.1s3c2440_nand.c文件内容如下：
*drivers/mtd/nand/s3c2440_nand.c
*实现对nandFLASH的操作
common.h>
nand.h>
asm/arch/s3c24x0_cpu.h>
asm/io.h>
#define__REGb（x）
（*（volatileunsignedchar*）（x））
#define__REGi（x）
（*（volatileunsignedint*）（x））
0x4e000000
//Nand配置寄存器基地址
#defineNFCONF
__REGi（NF_BASE+0×
0）
//偏移后还是得到配置寄存器基地址
#defineNFCONT
4）
//偏移后得到Nand控制寄存器基地址
8）
//偏移后得到Nand指令寄存器基地址
#defineNFADDR
__REGb（NF_BASE+0xc）
//偏移后得到Nand地址寄存器基地址
#defineNFDATA
10）//偏移后得到Nand数据寄存器基地址
#defineNFMECCD0__REGi（NF_BASE+0×
14）//偏移后得到Nand主数据区域ECC0寄存器基地址
#defineNFMECCD1__REGi（NF_BASE+0×
18）//偏移后得到Nand主数据区域ECC1寄存器基地址
#defineNFSECCD
__REGi（NF_BASE+0x1C）//偏移后得到Nand空闲区域ECC寄存器基地址
#defineNFSTAT
20）//偏移后得到Nand状态寄存器基地址
#defineNFSTAT0
24）//偏移后得到NandECC0状态寄存器基地址
#defineNFSTAT1
28）//偏移后得到NandECC1状态寄存器基地址
#defineNFMECC0
__REGi（NF_BASE+0x2C）//偏移后得到Nand主数据区域ECC0状态寄存器基地址
#defineNFMECC1
30）//偏移后得到Nand主数据区域ECC1状态寄存器基地址
#defineNFSECC
34）//偏移后得到Nand空闲区域ECC状态寄存器基地址
#defineNFSBLK
38）//偏移后得到Nand块开始地址
#defineNFEBLK
__REGi（NF_BASE+0x3c）//偏移后得到Nand块结束地址
#defineS3C2440_NFCONT_nCE
（1<
1）
#defineS3C2440_ADDR_NALE
0x0c
#defineS3C2440_ADDR_NCLE
08
ulongIO_ADDR_W=NF_BASE;
staticvoids3c2440_hwcontrol（structmtd_info*mtd,intcmd,unsignedintctrl）{
structnand_chip*chip=mtd->
priv;
DEBUGN（“hwcontrol（）:
0x%02x0x%02x\n”,cmd,ctrl）;
if（ctrl&
NAND_CTRL_CHANGE）{
IO_ADDR_W=NF_BASE;
if（!
（ctrl&
NAND_CLE））{
//要写的是地址
IO_ADDR_W|=S3C2440_ADDR_NALE;
NAND_ALE））{
//要写的是命令
IO_ADDR_W|=S3C2440_ADDR_NCLE;
NAND_NCE）{
NFCONT&
=~S3C2440_NFCONT
升级会员 