若仅测比表面积，则只要用静态吸附法（P/P0=0.05-0.35）；若要测定比表面积、孔结构、孔径、孔体积，则应用全吸附（P/P0=0.05-1）。
对于未知体系，先做热重分析，在不知为介孔还是微孔物质，则先采用介孔模型来测，结果如果显示在微孔范围，应重新采用微孔模型测定。
通过吸附—脱附等温曲线来判断孔的类型。
孔径分布测定：
做等温吸附—脱附曲线，根据曲线类型选择孔径计算方法。
微孔，选吸附剂做孔分布，计算模型为HK、MP、t-plot；介孔（有滞后环），选脱附剂做孔分布，计算模型为BJH。
研究表明，在临界温度下（77K）氮气分子在多孔物质表面的吸附情况依赖于孔尺寸，当多孔物质孔径为2nm时，氮分子在孔壁上发生多层吸附，这时曲线中没有滞后环；当样品的孔径为2.0～3.6nm时，氮分子吸附分为两步，即孔壁表面多层吸附和孔腔内毛细凝结，这种凝结仍然不会使吸附曲线出现滞后环；当孔径大于3.6nm时，大量的毛细凝结将发生，使吸附曲线表现出明显的滞后环。
7.电子顺磁共振原理，对简单谱图要会解析。
电子顺磁共振（ESR）：
是直接检测和研究含有未成对电子顺磁性物质的一种波谱学技术，可用于从定性和定量方面检测物质原子或分子中所含的不配对电子，并探索其周围环境的结构特性。
基本原理：
含未成对电子的物质，在没有外加磁场作用时，这些未成对电子的取向是随机的，它们处于相同的能量状态，受外加磁场作用时发生能级分裂，称为齐曼分裂，能级分裂的大小与外加磁场强度成正比。
此时，如果在垂直磁场B的方向上施加频率为v的电磁波，当满足hv=gβH，则样品处于上下两能级的电子发生受激跃迁，即低能级的电子吸收电磁波能量而跃迁到高能级，这便是电子顺磁共振。
谱图：
设n为磁性核的个数，I为它的核自旋量子数，原来的单峰波谱便分裂成（2nI+1）条谱线，相对强度、裂分服从二项式展开规律，强度以中心线为最强，并以等间距向两侧分布。
对象：
①在分子轨道中出现不配对电子（或称单电子）的物质。
如自由基（含有一个单电子的分子）、双基及多基（含有两个及两个以上单电子的分子）、三重态分子（在分子轨道中亦具有两个单电子，但它们相距很近，彼此间有很强的磁的相互作用，与双基不同）等。
②在原子轨道中出现单电子的物质，如碱金属的原子、过渡金属离子（包括铁族、钯族、铂族离子，它们依次具有未充满的3d，4d，5d壳层）、稀土金属离子（具有未充满的4f壳层）半导体中的空穴或电子、晶格缺陷等。
电子顺磁共振波谱法ESR
分析原理：
在外磁场中，分子中未成对电子吸收射频能量，产生电子自旋能级跃迁
谱图的表示方法：
吸收光能量或微分能量随磁场强度变化
提供的信息：
谱线位置、强度、裂分数目和超精细分裂常数，提供未成对电子密度、分子键特性及几何构型信息
8.表面分析技术有哪些？
可以得到什么信息？
能对具体谱图进行分析。
要求对简单的XPS谱图进行解析。
表面分析技术：
俄歇电子能谱分析（AES）、紫外光电子能谱（UPS）、X射线光电子能谱分析（XPS）
得到的信息：
俄歇电子能谱（AES）：
当X射线或者高能电子打到物质上以后，能以一种特殊的物理过程（俄歇过程）释放出二次电子——俄歇电子，其能量只决定于原子中的相关电子能级，而与激发源无关。
主要用于对金属、合金和半导体等材料表面进行分析。
真空紫外光电子能谱（UPS）：
以真空紫外光作为电离源，发射的光电子来自原子的价壳层。
主要用于研究固体和气体分子的价电子和能带结构以及表面态情况。
X射线光电子能谱（XPS）：
用X射线辐射样品，使原子或分子的内层电子或价电子受激发而发射出来，通过对光电子能量的测定得到光电子能谱，从中可以了解样品元素组成和含量。
主要用于固体样品的表面分析，能对除H、He之外的所有元素进行定性和定量分析，能鉴定元素的化学价态和化学结构。
XPS谱图分析：
化学结构的变化和原子价态的变化都可以引起谱峰有规律的位移。
通过对化学位移的研究，可以了解原子的状态，可能处于的化学环境以及分子结构等。
化学位移现象可以用原子的静电模型来解释。
内层电子一方面受到原子核强烈的库仑作用而具有一定的结合能，另一方面又受到外层电子的屏蔽作用。
当外层电子密度减少时，屏蔽作用将减弱，内层电子的结合能增加；反之则结合能将减少。
因此当被测原子的氧化态增加，或与电负性大的原子结合时，都导致其结合能的增加。
由此可从被测原子内层电子结合能变化来了解其价态变化和所处化学环境。
谱峰规律：
主量子数n小的峰比n大的峰强；n相同，角量子数L大的峰比L小的峰强；内量子数J大的峰比L小的峰强。
9.了解分子荧光的基本原理，理解分子结构与荧光的关系，能对简单荧光谱图进行分析。
（掌握共轭体系、分子的刚性平面以及取代基效应对荧光性能的影响）
原理：
基态分子吸收特定频率的辐射跃迁一次到激发态，处于激发态电子是不稳定状态，返回基态时，通过辐射跃迁（发光）和无辐射跃等方式失去能量；电子由第一激发单重态的最低振动能级返回基态产生荧光，电子由第一激发三重态的最低振动能级返回基态产生荧光。
分子结构与荧光的关系：
（1）跃迁类型：
π→π*的荧光效率最高，系间跨越过程的速率常数小，有利于荧光的产生；
（2）共轭效应：
具有芳香环或杂环的分子有利于提高共轭度，增加荧光强度，例如荧光素和酚酞有相似结构，荧光素有很强的荧光，但酚酞没有。
（3）刚性平面结构：
可降低分子振动，减少与溶剂的相互作用，具有很强的荧光。
（4）取代基效应：
芳环上有供电子基如-OH、-NH2，使荧光增强。
芳环上有吸电子基如-COOH、-CO，使荧光减弱。
取代基为-SO3H则不影响荧光强度。
荧光光谱法FS
分析原理：
被电磁辐射激发后，从最低单线激发态回到单线基态，发射荧光
谱图的表示方法：
发射的荧光能量随光波长的变化
提供的信息：
荧光效率和寿命，提供分子中不同电子结构的信息
10.掌握核磁共振基本原理？
对简单谱图要求会解析。
（1）基本原理
指自旋磁矩不为零的原子核，在外磁场中，其核能级将发生塞曼分裂。
若有一定频率的电磁波作用于它，分裂后的核能级之间将发生共振跃迁的现象。
自旋量子数I不为零的核与外磁场相互作用，产生2I+1种分裂取向（氢核I=1/2），此为塞曼分裂。
（2）谱图
（3）哪个峰为什么为低场/高场？
化学位移：
指屏蔽作用所引起的共振时磁感应强度的移动现象。
位移的标准：
（只研究氢核？
！
）没有完全裸露的氢核，因此采用相对标准-四甲基硅烷（TMS），原因是TMS电子云密度最大，屏蔽最强。
位移常数δTMS=0，因此其他类型的氢核位移为负值（负号或去掉）。
低场/高场的原因：
位移常数δ小，屏蔽越强，共振需要的电场强度大，在高场出现，最小为δTMS=0；δ大，则在低场出现。
（1）电负性：
可以去屏蔽效应。
与质子相连元素的电负性越强，吸电子作用越强，去屏蔽作用越明显。
信号峰在低场出现。
而且，吸电子基团越多，去屏蔽越明显；基团距离越远，去屏蔽作用越小。
（2）磁各向异性效应：
是质子在分子中所处的空间位置不同，而导致。
如：
大π键、双键（C＝C、C＝O）、三键。
次级磁场与外磁场的磁力线方向相反，使这里的质子实受磁场强度降低，屏蔽效应增大，δ值减小。
（3）氢键的影响：
实验结果说明，氢键的形成使氢核受到去屏蔽作用，δ值增大
（4）范德华力的影响：
氢核的外电子被排斥，去屏蔽效应产生，该氢核的化学位移δ值增大。
（5）溶剂效应：
因此核磁共振数据或谱图必须标明所用的溶剂。
自选耦合和自旋裂分（n+1规则：
即四重峰相邻有3个质子，三重峰相邻有2个质子）
谱图-结构信息：
（1）峰的数目：
标志分子中磁不等性质子的种类，多少种H；
（2）峰的强度（面积）：
每类质子的数目（相对），多少个H；
（3）峰的位移（δ）：
每类质子所处的化学环境，化合物中位置；
（4）峰的裂分数：
相邻碳原子上质子数；
（5）偶合常数（J）：
推断相邻H原子的关系与结构，确定化合物构型。
不足之处：
仅能确定质子。
核磁共振波谱法NMR
分析原理：
在外磁场中，具有核磁矩的原子核，吸收射频能量，产生核自旋能级的跃迁
谱图的表示方法：
吸收光能量随化学位移的变化
提供的信息：
峰的化学位移、强度、裂分数和偶合常数，提供核的数目、所处化学环境和几何构型的信息。
11.质谱分析的基本原理？
质谱图通常有哪些碎片峰？
基本原理：
根据带电粒子在电磁场中能够偏转的原理，使研究的混合物或者单体形成离子，使形成的离子按照质荷比m/z进行分离。
（高真空工作条件）
碎片峰：
（1）分子离子峰
分子受电子束轰击后失去一个电子而生成的离子M.+称为分子离子，例如:
M+e¨→M.++2e¨在质谱图中由M.+所形成的峰称为分子离子峰。
因此,分子离子峰的m/z值就是中性分子的相对分子质量Mr,而Mr是有机化合物的重要质谱数据。
分子离子峰的强弱，随化合物结构不同而异，其强弱一般为：
芳环>醚>酯>胺>酸>醇>高分子烃。
分子离子峰的强弱可以为推测化合物的类型提供参考信息。
（2）碎片离子峰
当电子轰击的能量超过分子离子电离所需要的能量时（约为50~70eV），可能使分子离子的化学键进一步断裂，产生质量数较低的碎片，称为碎片离子。
在质谱图上出现相应的峰，称为碎片离子峰。
碎片离子峰在质谱图上位于分子离子峰的左侧。
（3）同位素离子峰
在组成有机化合物的常见十几种元素中，有几种元素具有天然同位素，如C,H,N,O,S,Cl,Br等。
所以在质谱图中除了最轻同位素组成的分子离子所形成的M.+峰外，还会出现一个或多个重同位素组成的分子离子峰。
如（M+1）.+、（M+2）.+、（M+3）.+等，这种离子峰叫做同位素离子峰，对应的m/z为M+1,M+2,M+3表示。
人们通常把某元素的同位素占该元素的原子质量分数称为同位素丰度，同位素峰的强度与同位素的丰度是相对应的。
（4）重排离子峰
分子离子裂解成碎片时，有些碎片离子不是仅仅通过键的简单断裂有时还会通过分子内某些原子或基团的重新排列或转移而形成离子，这种碎片离子称为重排离子。
质谱图上相应的峰称为重排峰。
重排的方式很多，其中最重要的是麦氏重排（MclaffertyRearrangement）。
可以发生麦氏重排的化合物有醛、酮、酸、酯等。
这些化合物含有C=X（X为O,S,N,C）基团，当与此基团相连的键上具有γ氢原子时，氢原子可以转移到X原子上，同时β键断裂。
（5）亚稳离子峰：
峰不是尖锐，而是较宽，且质荷比不是整数。
前面所阐述的离子都是稳定的离子，实际上在电离、裂解、重排过程中有些离子处于亚稳态。
例如：
在离子源中生成质量为m1的离子，在进入质量分析器前的无场飞行时发生断裂，使其质量由m1变为m2，形成较低质量的离子。
这类离子具有质量为m1离子的速度，进入质量分析器是具有m2的质量，在磁场作用下，离子运动的偏转半径大，它的表观质量m*=[m2]^2/m1，这类离子叫亚稳离子，m*形成的质谱峰叫亚稳离子峰，在质谱图上，m*峰不在m2处，而出现在比m2更低的m*处。
（6）两价离子峰。
比分子离子多失去一个电子。
（7）离子分子反应。
通过质谱图可以获得丰富的质谱信息：
各种碎片离子元素的组成,根据亚稳离子确定分子离子与碎片离子，碎片离子与碎片离子之间的关系，分子裂解方式与分子结构之间的关系等。
通过m/z峰及其强度，可以进行有机化合物的相对分子质量的测定，确定化合物的化学式,结构式，并进行定量分析。
质谱分析法MS
分析原理：
分子在真空中被电子轰击，形成离子，通过电磁场按不同m/e分离
谱图的表示方法：
以棒图形式表示离子的相对峰度随m/e的变化
提供的信息：
分子离子及碎片离子的质量数及其相对峰度，提供分子量，元素组成及结构的信息
12.X光吸收精细结构谱XAFS（X-RayAbsorptionFineStructure）
扩散X射线吸收精细结构（EXAFS）：
可用测量晶体和非晶体，原因在于它以邻近原子对中心吸收原子出射光电子的散射为基础，所反映的仅仅是物质内部吸收原子周围短程有序的结构状态。
由于不同种类的原子吸收边的能量位置不同，因而可以方便地研究材料中原子周围的邻近情况。
吸收边产生的原因：
在入射X射线光子的能量与内层电子激发所需能量相当时，会导致吸收突然增加，使电子电离为光电子，产生突跃（吸收边），由K层电子（1S电子激发）被激发而形成的吸收边称为K吸收边，由L壳层电子被激发而形成的吸收边为L吸收边，由于L壳层电子又可分为三种能态，所以L吸收边又分为LI、LII、LIII（如2S电子跃迁形成LI，2P电子对应2P1/2、2P2/3两组形态分别形成LII、LIII边）。
13.紫外漫反射
紫外漫反射的应用：
研究固体的表面吸附、研究固体物质之间的反应、在分析测试中的应用（包括在药物分析中的应用、在薄层色谱中的应用和测定固体酸性）
紫外漫反射是由于光不能透过固体，只能通过积分球仪检测漫反射出来的光来检测信号。
紫外吸收一般用来检测液体样品，不能吸收的光可透过液体被直接检测。
原理一样，不同在于信号的收集方式及适用的样品：
紫外漫反射采用的是漫反射的方式（积分球），所测的样品为固体、粉末、乳浊液和悬浮液，而紫外可见是采用透射方式，所测样品为溶液。
本科教学复习：
气相色谱，高效液相色谱，红外光谱，紫外光谱，核磁共振、质谱、激光拉曼光谱和分子发光分析的基本原理部分。
气相色谱法GC：
分析原理：
样品中各组分在流动相和固定相之间，由于分配系数不同而分离
谱图的表示方法：
柱后流出物浓度随保留值的变化
提供的信息：
峰的保留值与组分热力学参数有关，是定性依据；峰面积与组分含量有关
高效液相色谱：
当流动相中所携带的混合物流过固定相时，就会和固定相发生作用（力的作用）。
由于混合物中各组分在性质和结构上有差异，与固定相发生作用的大小也有差异。
因此在同一推动力作用下，不同组分在固定相中的滞留时间有长有短，从而按先后不同的次序从固定相中流出。
色谱法又叫层析法，它是一种物理分离技术。
它的分离原理是使混合物中各组分在两相间进行分配，其中一相是不动的，叫做固定相，另一相则是推动混合物流过此固定相的流体，
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